JPS59141233A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59141233A JPS59141233A JP1564283A JP1564283A JPS59141233A JP S59141233 A JPS59141233 A JP S59141233A JP 1564283 A JP1564283 A JP 1564283A JP 1564283 A JP1564283 A JP 1564283A JP S59141233 A JPS59141233 A JP S59141233A
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- JP
- Japan
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- etching
- silicon
- laser beams
- semiconductor device
- substrate
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基体
の選択的エツチング方法に関するものである。
の選択的エツチング方法に関するものである。
半導体装置を製造するために、能動領域を分離する必要
があシ、一般的には能動領域と反対の導電型の不純物を
拡散して素子の分離を行っている。
があシ、一般的には能動領域と反対の導電型の不純物を
拡散して素子の分離を行っている。
すなわち、ＰＮ接合分離方法である。しかし、この方法
では、接合容量尋の問題で素子の電気的応答速度が遅く
なったシ、耐圧が低くなることが起る。
では、接合容量尋の問題で素子の電気的応答速度が遅く
なったシ、耐圧が低くなることが起る。
そこで、誘電体によって素子を分離すれば、前記問題点
が克服することができる。一般的に誘電体分離は選択酸
化や能動領域をエツチングすることによシ行われている
。しかし、選択酸化の場合、耐酸化マスクと酸化物の間
に応力がかかり、しばしば転位が導入されるという欠点
を有す。又、能動領域をエツチング分離する場合は、エ
ツチングが横方向にも行なわれるため、その巾が杭がシ
、素子の占有面積が大きくなるという欠点を有す。
が克服することができる。一般的に誘電体分離は選択酸
化や能動領域をエツチングすることによシ行われている
。しかし、選択酸化の場合、耐酸化マスクと酸化物の間
に応力がかかり、しばしば転位が導入されるという欠点
を有す。又、能動領域をエツチング分離する場合は、エ
ツチングが横方向にも行なわれるため、その巾が杭がシ
、素子の占有面積が大きくなるという欠点を有す。
本発明は転位が発生せずしかもエツチング巾が縮少され
た方法を提供するものである。
た方法を提供するものである。
本発明は選択的エツチングにレーザービームを用いるこ
とを特徴とするもので、以下、本発明を図面を用いて詳
細に説明する。
とを特徴とするもので、以下、本発明を図面を用いて詳
細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する図である。
シリコン半導体基体４を石英の載物台５上に置き、載物
台５を石英の反応管３に入れる。ガス導入路６から無水
塩酸を１ノ／分、キャリヤーガスとして水素４０ノ／分
導入する。レーザー発生装ｆ１からレーザー光を集光レ
ンズ２を通じてシリコン牛導体装置４に照射する。本実
施例の場合、レーサー発生装置はＮｄ：ＹＡＧＬ／−ｆ
−（波長ｉ、ｏａμｍ。
台５を石英の反応管３に入れる。ガス導入路６から無水
塩酸を１ノ／分、キャリヤーガスとして水素４０ノ／分
導入する。レーザー発生装ｆ１からレーザー光を集光レ
ンズ２を通じてシリコン牛導体装置４に照射する。本実
施例の場合、レーサー発生装置はＮｄ：ＹＡＧＬ／−ｆ
−（波長ｉ、ｏａμｍ。
５Ｗ）を用いて集光レンズ２でシリコン半導体装置４０
表面より焦点を１００μｍずらすことによりレーザーパ
ルスのエネルギー密度を調節した。ことで、レーザー光
の焦点をシリコン牛導体装置４の表面に合せれば、シリ
コン半導体装ｔ４のシリコンが融解、蒸発することによ
る穿孔は容易に転位発生源となる。従って、焦点を基板
４からはなす、又は基板４内部にすることによシレーザ
ービームのエネルギー密度を調節して、シリコンの融解
・蒸発させずに照射部分のみを高温度にし、雰囲気中の
塩酸とシリコンの反応を行わしめ、エツチングする。レ
ーザー光をＩＱｍｍ／ｓｅｃの速度で掃引することによ
多、深さ３μｍ巾４７μｍの溝が形成でン きた。これによシ、溝の側面に転位発生源がなく、かつ
レーザー光の照射部のみエツチングすることができるた
め横方向に広が如かないエツチングができる。
表面より焦点を１００μｍずらすことによりレーザーパ
ルスのエネルギー密度を調節した。ことで、レーザー光
の焦点をシリコン牛導体装置４の表面に合せれば、シリ
コン半導体装ｔ４のシリコンが融解、蒸発することによ
る穿孔は容易に転位発生源となる。従って、焦点を基板
４からはなす、又は基板４内部にすることによシレーザ
ービームのエネルギー密度を調節して、シリコンの融解
・蒸発させずに照射部分のみを高温度にし、雰囲気中の
塩酸とシリコンの反応を行わしめ、エツチングする。レ
ーザー光をＩＱｍｍ／ｓｅｃの速度で掃引することによ
多、深さ３μｍ巾４７μｍの溝が形成でン きた。これによシ、溝の側面に転位発生源がなく、かつ
レーザー光の照射部のみエツチングすることができるた
め横方向に広が如かないエツチングができる。
本発明の応用範囲は広く、シリコンだけでなくガリウム
ヒ素子導体装置等にも適用できる。又、レーサー光を掃
引せず一点のみ照射し続ければ、半導体装置に穿孔する
ことができ前記穿孔にて半導体装置の能動領域から前記
能動領域の反対側に電極を取り出すことも可能である。
ヒ素子導体装置等にも適用できる。又、レーサー光を掃
引せず一点のみ照射し続ければ、半導体装置に穿孔する
ことができ前記穿孔にて半導体装置の能動領域から前記
能動領域の反対側に電極を取り出すことも可能である。
第１図は本発明の一実施例によるエツチング方法で用い
られる装置を示す図である。 １・・・・・・レーザー発生装置、２・・・・・・収光
レンズ、３・・・・・・石英反応管、４・・・・・・シ
リコン牛導体装置、５・・・・・・石英載物台、６・・
・・・・ガス導入路。
られる装置を示す図である。 １・・・・・・レーザー発生装置、２・・・・・・収光
レンズ、３・・・・・・石英反応管、４・・・・・・シ
リコン牛導体装置、５・・・・・・石英載物台、６・・
・・・・ガス導入路。
Claims (1)
- 半導体基体を選択的にエツチングする方法において、半
導体物質が高温度で化学反応する腐食性ガス雰囲気中で
、前記半導体基体にレーザービームを照射することによ
ルエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564283A JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564283A JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141233A true JPS59141233A (ja) | 1984-08-13 |
Family
ID=11894366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1564283A Pending JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141233A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153731A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Anritsu Corp | 紫外線によるエツチング方法及び装置 |
| JPS6218035A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-27 | ブリテイシユ・テレコミユニケ−シヨンズ・パブリツク・リミテツド・カンパニ | エツチング方法 |
| US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
| US7566635B2 (en) | 2002-03-12 | 2009-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP1564283A patent/JPS59141233A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153731A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Anritsu Corp | 紫外線によるエツチング方法及び装置 |
| JPS6218035A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-27 | ブリテイシユ・テレコミユニケ−シヨンズ・パブリツク・リミテツド・カンパニ | エツチング方法 |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7547613B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-06-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
| US7592238B2 (en) * | 2000-09-13 | 2009-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7615721B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-11-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7626137B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-12-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser cutting by forming a modified region within an object and generating fractures |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US7566635B2 (en) | 2002-03-12 | 2009-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
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