JPH01313922A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01313922A JPH01313922A JP14619288A JP14619288A JPH01313922A JP H01313922 A JPH01313922 A JP H01313922A JP 14619288 A JP14619288 A JP 14619288A JP 14619288 A JP14619288 A JP 14619288A JP H01313922 A JPH01313922 A JP H01313922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon substrate
- insulating film
- recognition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 101100066398 Caenorhabditis elegans fib-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
（以下ウェハー）表面に認識用文字・記号を形成する方
法に関する。
（以下ウェハー）表面に認識用文字・記号を形成する方
法に関する。
従来、この種の認識用文字・記号を形成する方法は、第
２図に示すように、レーザ光をウェハーに照射し、レー
ザ光のエネルギーによりウェハーを溶解・蒸発させてレ
ーザ溶解部１２を形成する事により形成していた。
２図に示すように、レーザ光をウェハーに照射し、レー
ザ光のエネルギーによりウェハーを溶解・蒸発させてレ
ーザ溶解部１２を形成する事により形成していた。
上述した従来のウェハー上へ認識用文字・記号等を記入
する方法は、ウェハー上の一点にレーザ光（ＩＫＨｚ発
振時に０．７５〜ＩＷ）を照射し、そのエネルギーによ
りシリコンを溶解させ、蒸発させると共にレーザ溶解周
辺部１１に溶けたウェハーが流動、再凝固した時にシリ
コンの盛り上りを形成する事によっていた。その為、シ
リコン基板を溶解した時に溶解した一部が、溶解部１１
の周囲へ飛び散ってしまう為に、周囲にゴミを発生して
しまい、ウェハーやウェハーを処理する装置を汚染して
しまうという欠点がある。また、シリコン基板を急激に
加熱、冷却する為に、基板表面に欠陥を生じ、後工程で
の熱処理等において膜形成時に膜の異常成長や膜質の異
常な膜を形成してしまうという欠点があった。
する方法は、ウェハー上の一点にレーザ光（ＩＫＨｚ発
振時に０．７５〜ＩＷ）を照射し、そのエネルギーによ
りシリコンを溶解させ、蒸発させると共にレーザ溶解周
辺部１１に溶けたウェハーが流動、再凝固した時にシリ
コンの盛り上りを形成する事によっていた。その為、シ
リコン基板を溶解した時に溶解した一部が、溶解部１１
の周囲へ飛び散ってしまう為に、周囲にゴミを発生して
しまい、ウェハーやウェハーを処理する装置を汚染して
しまうという欠点がある。また、シリコン基板を急激に
加熱、冷却する為に、基板表面に欠陥を生じ、後工程で
の熱処理等において膜形成時に膜の異常成長や膜質の異
常な膜を形成してしまうという欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主面
に認識用文字・記号を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、Ｆ Ｉ Ｂ（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂ−ｅ
ａｍ）励起により前記基板主面に絶縁膜からなる認識用
文字・記号を形成することを特徴とする。
に認識用文字・記号を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、Ｆ Ｉ Ｂ（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂ−ｅ
ａｍ）励起により前記基板主面に絶縁膜からなる認識用
文字・記号を形成することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
３０ （１〜５００ｍＴｏｒｒの真空中にてＳ Ｉ Ｈ
４ｌｏｔのガス分子２を導入し、３０ＫｅＶ程度に加速
したＧａイオンを用い１００ ｐＡ〜１０ ｎＡ程度の
ビーム電流を使用したＦＩＢＩによりシリコン基板４上
に２〜４μｍ程度のシリコン酸化膜による絶縁膜３を形
成する。この絶縁膜によりシリコン基板上に凸部による
認識用文字・記号を形成する。
４ｌｏｔのガス分子２を導入し、３０ＫｅＶ程度に加速
したＧａイオンを用い１００ ｐＡ〜１０ ｎＡ程度の
ビーム電流を使用したＦＩＢＩによりシリコン基板４上
に２〜４μｍ程度のシリコン酸化膜による絶縁膜３を形
成する。この絶縁膜によりシリコン基板上に凸部による
認識用文字・記号を形成する。
また、第１図において、ガス分子２をＳ ｉＨ４１０２
の代わりにＳ ｉＨ４，ＮＨｓを使用する事により他の
条件は同一で２〜４μｍのシリコン窒化膜による絶縁膜
３を形成させる。これにより、先のシリコン酸化膜と同
様に認識用文字・記号を形成することができる。
の代わりにＳ ｉＨ４，ＮＨｓを使用する事により他の
条件は同一で２〜４μｍのシリコン窒化膜による絶縁膜
３を形成させる。これにより、先のシリコン酸化膜と同
様に認識用文字・記号を形成することができる。
以上説明したように本発明は、ウェハー認識用文字・記
号を真空中で、Ｆ’ＩＢ励起により２〜４μｍ程度の絶
縁膜によって形成させる事により、シリコン基板の溶解
、蒸発等がないのでゴミの発生が少なく、又、シリコン
基板の結晶を破壊しないので後工程で熱酸化、熱拡散を
行なった時に酸化膜等の異常成長や膜質の異常等が発生
しないという効果がある。
号を真空中で、Ｆ’ＩＢ励起により２〜４μｍ程度の絶
縁膜によって形成させる事により、シリコン基板の溶解
、蒸発等がないのでゴミの発生が少なく、又、シリコン
基板の結晶を破壊しないので後工程で熱酸化、熱拡散を
行なった時に酸化膜等の異常成長や膜質の異常等が発生
しないという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来例
の縦断面図である。 ■・・・・・・ＦＩＢ、２・・・・・・ガス分子、３・
・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコン基板、１１
・・・・・・レーザ溶解周辺部、１２・・・・・・レー
ザ溶解部、１３・・・・・・シリコンクズ。 代理人 弁理士 内 原 音
の縦断面図である。 ■・・・・・・ＦＩＢ、２・・・・・・ガス分子、３・
・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコン基板、１１
・・・・・・レーザ溶解周辺部、１２・・・・・・レー
ザ溶解部、１３・・・・・・シリコンクズ。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に認識用文字・記号を形成する半
導体装置の製造方法において、ＦＩＢ（ｆｏ−ｃｕｓｅ
ｄｉｏｎｂｅａｍ）励起により前記基板主面に絶縁膜か
らなる認識用文字・記号を形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14619288A JPH01313922A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14619288A JPH01313922A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313922A true JPH01313922A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15402214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14619288A Pending JPH01313922A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01313922A (ja) |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP14619288A patent/JPH01313922A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100539045B1 (ko) | 반도체박막의형성방법 | |
| JPH01187814A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH04167985A (ja) | ウェハの割断方法 | |
| JPS58170037A (ja) | 配線の切断方法及び切断装置 | |
| JP2600827B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2004006703A (ja) | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 | |
| JPH01313922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2720779B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2003017505A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3031398B2 (ja) | Ｍｉｓトランジスタの作製方法 | |
| JPH01256124A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JP3567937B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
| JPS60206130A (ja) | 半導体基板のマ−キング方法 | |
| JP3602463B2 (ja) | トランジスタの作製方法 | |
| JPH0361335B2 (ja) | ||
| JPH03284831A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS5934645A (ja) | 薄膜熱処理方法 | |
| JPS6240722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4441229B2 (ja) | 半導体装置用基材の製造方法 | |
| JP2001058899A (ja) | 金属体の加工方法及び加工装置 | |
| JPS6132433A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0383343A (ja) | 半導体基板のゲッタリング用前処理方法 | |
| JPH0335551A (ja) | 半導体膜及びその形成方法 | |
| JPH0529243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0297012A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |