JP4441229B2 - 半導体装置用基材の製造方法 - Google Patents
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Description
(実施例1)
本例では、窪みを形成するための冶具(圧子)の先端を基材の表面に略垂直に押し込み、所望の深さに達したら除荷する方法で基板の表面に窪みを形成した。以下、工程を追って説明する。
(実施例2)
本例では、基板の表面に収束イオンビームを照射して窪みを形成した。具体的には、ビーム径が10nmになるように収束させたガリウムイオンビームを10kVの加速電圧を用いて基板に照射した。また、窪みの中心よりも周辺のエッチング時間が短くなるようにイオンビームを照射して、略円錐形(深さ20nm)の窪みを形成した。具体的には、イオンビームの入射方向に対して基材を傾けると共に、窪みの形成位置を中心に基板がセットされているステージを回転させながらイオンビームを照射することによって、窪みの中心よりも周辺のエッチング時間を短くした。その後は、実施例1に述べたのと同様の方法で結晶化Si膜を形成した。以上のようにして得た結晶化Si膜をSEMで観察したところ、窪みのないところの平均粒径が0.5μmであったのに対し、窪みを付けた位置の平均粒径は1.0μmであった。
(実施例3)
本例では、基材の表面に活性ガスを吹き付けると同時に収束させた電子ビームを照射して、基材の表面と活性ガスとの化学反応を促進して窪みを形成した。
2 先端
3 基板
4 表面
5 窪み
6 a-Si:H膜
7 結晶化Si膜
8 Si結晶
10 半導体装置用基材
11 表面
20 ゲート電極膜
21 ゲート電極
22 ドープ層
23 層間絶縁膜
24 ソース・ドレイン電極
Claims (1)
- 基板の表面に、該表面側から裏面側に向けて断面形状が次第に先細りになる窪みをマスクレスプロセスによって形成する工程と、
前記窪みの内面を含む前記基板の表面全体に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を溶融させて結晶化させる工程と、を有し、
前記マスクレスプロセスによって前記窪みを形成する工程では、前記基板の前記表面に、冶具の先細りの先端を押し込んで前記窪みを形成する半導体装置用基材の製造方法。
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