JPS62181423A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62181423A JPS62181423A JP2441186A JP2441186A JPS62181423A JP S62181423 A JPS62181423 A JP S62181423A JP 2441186 A JP2441186 A JP 2441186A JP 2441186 A JP2441186 A JP 2441186A JP S62181423 A JPS62181423 A JP S62181423A
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- type silicon
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体集積回路の微細化にともなって、ＰＮ接合及び電
極の形成における微細加工技術が必要且つ重要となって
きた。従来、ＰＮ接合及び電極の形成は以下のような方
法によって行われている。
極の形成における微細加工技術が必要且つ重要となって
きた。従来、ＰＮ接合及び電極の形成は以下のような方
法によって行われている。
まず、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、接合
を形成したい部分のシリコン酸化膜をフォトレジスト工
程によって除去し、露出したシリコン表面に適当な不純
物をイオン注入によって導入した後、９００℃程度の高
温アニールを３０分程度行ってＰＮ接合を形成した後、
電極となる金属を前記シリコン基板上に堆積し、位置合
わせを必要とするフォトレジスト工程によって前記ＰＮ
接合上に金属を残すことによって電極を形成する。
を形成したい部分のシリコン酸化膜をフォトレジスト工
程によって除去し、露出したシリコン表面に適当な不純
物をイオン注入によって導入した後、９００℃程度の高
温アニールを３０分程度行ってＰＮ接合を形成した後、
電極となる金属を前記シリコン基板上に堆積し、位置合
わせを必要とするフォトレジスト工程によって前記ＰＮ
接合上に金属を残すことによって電極を形成する。
上述した従来の半導体装置の製造方法におけるＰＮ接合
及び電極の形成は工程が複雑で、しかも素子の微細化に
十分対応できないという問題点がある。
及び電極の形成は工程が複雑で、しかも素子の微細化に
十分対応できないという問題点がある。
これらの問題点を解決する方法として、ＮＴＴ厚木通研
によってレーザー照射によりＰＮ接合を形成する方法が
提案されている（日刊工業新聞。
によってレーザー照射によりＰＮ接合を形成する方法が
提案されている（日刊工業新聞。
昭和６０年５月２４日）。この方法ではＰ型シリコン基
板の一部をレーザー照射した後、６５０℃以下のアニー
ルを行うことによ−）で前記Ｐ型シリコン基板表面のレ
ーザー照射された部分にＰＮ接合を形成する。
板の一部をレーザー照射した後、６５０℃以下のアニー
ルを行うことによ−）で前記Ｐ型シリコン基板表面のレ
ーザー照射された部分にＰＮ接合を形成する。
しかし、この方法では収束性の不十分なレーザーを用い
ているため、素子の微細化は不十分である。さらに電極
を形成するためには位置合わせを必要とするフォトレジ
スト工程が必要なため、工程が十分に簡素化されていな
いという問題点がある。
ているため、素子の微細化は不十分である。さらに電極
を形成するためには位置合わせを必要とするフォトレジ
スト工程が必要なため、工程が十分に簡素化されていな
いという問題点がある。
本発明の目的は従来法の問題点を解決し、微細化が可能
で且つ簡素な工程でＰＮ接合及び電極の形成が可能な半
導体装置の製造方法を提供することにある。
で且つ簡素な工程でＰＮ接合及び電極の形成が可能な半
導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、Ｐ型シリコン基板上
に金属電極を形成する工程と、少くとも前記金属電極の
一部を電子線照射によりアニールする工程と、熱処理を
行ない電子線照射によりアニールされた前記金属電極下
の前記Ｐ型シリコン基板表面にＮ型層を形成する工程と
を含んで構成される。
に金属電極を形成する工程と、少くとも前記金属電極の
一部を電子線照射によりアニールする工程と、熱処理を
行ない電子線照射によりアニールされた前記金属電極下
の前記Ｐ型シリコン基板表面にＮ型層を形成する工程と
を含んで構成される。
〔作用〕
Ｐ型シリコン基板表面を電子線照射によってアニールす
るとＰ型シリコン基板に存在する酸素等の不純物を起因
とする欠陥がＰ型シリコン基板に生じる。さらにＰ型シ
リコン基板上にシリコンに比べて比重の大きい金属膜の
パターンを形成しておくと、電子線アニール時に金属膜
パターンか露出したシリコン表面より高温になる。
るとＰ型シリコン基板に存在する酸素等の不純物を起因
とする欠陥がＰ型シリコン基板に生じる。さらにＰ型シ
リコン基板上にシリコンに比べて比重の大きい金属膜の
パターンを形成しておくと、電子線アニール時に金属膜
パターンか露出したシリコン表面より高温になる。
このことから、電子線の強さを適当に選ぶことにより、
金属膜パターン下のシリコン表面にのみ、欠陥を生じさ
せることができる。これは、金属電極下のシリコン表面
に自己整合的にＮ型層になるべき欠陥を生じた部分を形
成できることを意味する。その後、４００℃以上の熱処
理を行うことによりＰ型シリコン基板表面の欠陥の生じ
た部分はＮ型に反転する。
金属膜パターン下のシリコン表面にのみ、欠陥を生じさ
せることができる。これは、金属電極下のシリコン表面
に自己整合的にＮ型層になるべき欠陥を生じた部分を形
成できることを意味する。その後、４００℃以上の熱処
理を行うことによりＰ型シリコン基板表面の欠陥の生じ
た部分はＮ型に反転する。
以上のようにして、極めて制御住良（ＰＮ接合及び金属
電極を簡素な工程によって形成することができる。
電極を簡素な工程によって形成することができる。
次に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ＞に示すように、Ｐ型シリコン基板１の
表面に厚さ約０．１μｍのタングステン膜を形成したの
ち、パターニングし５×５μｍ２のタングステン電極２
を形成する。
表面に厚さ約０．１μｍのタングステン膜を形成したの
ち、パターニングし５×５μｍ２のタングステン電極２
を形成する。
次いで第１図（ｂ）に示すように、電子線アニール装置
により、真空中で加速電圧１０ｋＶ、電流１５ｍＡの条
件で電子レンズによって０，５Ｘ３ＩＩｍ２の長方形に
絞った電子線をタングステンの電極２を含む領域に５
Ｘ １０−４ｓｅｃ照射することによりタングステン電
極２下のＰ型シリコン基板１表面に深さ約０．１μｍの
欠陥のはいった層３を形成する。
により、真空中で加速電圧１０ｋＶ、電流１５ｍＡの条
件で電子レンズによって０，５Ｘ３ＩＩｍ２の長方形に
絞った電子線をタングステンの電極２を含む領域に５
Ｘ １０−４ｓｅｃ照射することによりタングステン電
極２下のＰ型シリコン基板１表面に深さ約０．１μｍの
欠陥のはいった層３を形成する。
次いで電気炉により窒素雰囲気中、６００’Ｃ５２０分
の熱処理を行うことによって第１図（Ｃ）に示すように
深さ約０．１μｍ、５×５μｍ２角のＮ型層４をタング
ステン電極２の下にのみ形成することができる。
の熱処理を行うことによって第１図（Ｃ）に示すように
深さ約０．１μｍ、５×５μｍ２角のＮ型層４をタング
ステン電極２の下にのみ形成することができる。
以上の説明の通り本発明によれば簡素な工程で極めて制
御性よ＜ＰＮ接合及び電極を形成できる効果がある。
御性よ＜ＰＮ接合及び電極を形成できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・タングステン電極
、３・・・欠陥の入った層、４・・・Ｎ型層。
の工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・タングステン電極
、３・・・欠陥の入った層、４・・・Ｎ型層。
Claims (1)
- Ｐ型シリコン基板上に金属電極を形成する工程と、少く
とも前記金属電極の一部を電子線照射によりアニールす
る工程と、熱処理を行ない電子線照射によりアニールさ
れた前記金属電極下の前記Ｐ型シリコン基板表面にＮ型
層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2441186A JPS62181423A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2441186A JPS62181423A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181423A true JPS62181423A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12137416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2441186A Pending JPS62181423A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181423A (ja) |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2441186A patent/JPS62181423A/ja active Pending
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