JP2000091570A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 半導体基板の主表面に、素子分離絶縁膜により電気的に絶縁された素子形成領域を形成する工程と、
   前記素子形成領域にゲート電極を形成する工程と、
   前記素子形成領域の前記ゲート電極によって区切られた２つの領域の一方の領域にソース領域を形成し、他方の領域にドレイン領域を形成する工程と、
   前記ゲート電極の側壁に絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
   前記ソース領域および前記ドレイン領域の表面に、半導体薄膜を成長させる半導体薄膜成長工程と、
   前記半導体薄膜成長工程において、前記サイドウォールの表面に発生した半導体結晶を酸化または除去することにより、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極の間をそれぞれ電気的に絶縁する絶縁処理工程と、
   を備えた半導体装置の製造方法。
2. 前記半導体薄膜成長工程は、固相エピタキシャル成長または気相選択エピタキシャル成長によって前記半導体薄膜を成長させる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜の表面を酸素を含む雰囲気に晒す酸化工程を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜の表面に酸素を含むイオンを導入することにより、前記半導体薄膜の表面を酸化する第１酸化工程を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１酸化工程の後に、前記半導体薄膜を含む前記半導体基板に加熱処理を施すことにより、前記半導体薄膜の表面をさらに酸化する第２酸化工程をさらに含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁処理工程の後に、前記半導体薄膜をフッ酸を含む溶液に浸漬、またはフッ酸を含む気体に晒す除去工程を含む、請求項３〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜を酸を含む溶液に浸漬、または酸を含む気体に晒す除去工程をさらに含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜を、フッ素、塩素、臭素、沃素、アスタチンからなる群より選択される少なくとも１種を含むガスと、酸素ガスとの混合ガス雰囲気中のプラズマに晒す除去工程を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜の表面に、金属膜を形成する工程と、前記金属膜を含む前記半導体基板に加熱処理を施す工程と、による除去工程を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記絶縁処理工程は、前記半導体薄膜の表面に対して、微細な液体または微粒子を高速で照射する除去工程を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。