JPS61171139A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61171139A JPS61171139A JP1202185A JP1202185A JPS61171139A JP S61171139 A JPS61171139 A JP S61171139A JP 1202185 A JP1202185 A JP 1202185A JP 1202185 A JP1202185 A JP 1202185A JP S61171139 A JPS61171139 A JP S61171139A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に該装置
の築禎回路化に際して、素子分離の形成などに好都合な
ように、半導体表面に凹部を形成するための製造方法に
関するものである。
の築禎回路化に際して、素子分離の形成などに好都合な
ように、半導体表面に凹部を形成するための製造方法に
関するものである。
第２図は従来の方法によりシリコン表面上に凹部を形成
した状態を示す断面図であり、これを用いて従来の方法
を説明する。
した状態を示す断面図であり、これを用いて従来の方法
を説明する。
まず、シリコン基板１上の凹部となる領域以外の領域に
マスクを形成する。マスク材料には、例えばシリコン酸
化膜、有機膜、あるいはそれらを組合せたものを用いる
。次に、このマスクを介してシリコン基板ｌを選択的に
エツチングする。このエツチング方法には、シリコンと
反応する化学種２例えばフッ酸・硝酸混合液又は水酸化
カリウム水溶液で処理する方法、あるいはフッ素・塩素
などとの気相反応、又は物理的な方法としては異方性イ
オンエツチング法がある。最後に、マスク材料を除去す
ることにより上記シリコン基板１に凹部２が形成される
。
マスクを形成する。マスク材料には、例えばシリコン酸
化膜、有機膜、あるいはそれらを組合せたものを用いる
。次に、このマスクを介してシリコン基板ｌを選択的に
エツチングする。このエツチング方法には、シリコンと
反応する化学種２例えばフッ酸・硝酸混合液又は水酸化
カリウム水溶液で処理する方法、あるいはフッ素・塩素
などとの気相反応、又は物理的な方法としては異方性イ
オンエツチング法がある。最後に、マスク材料を除去す
ることにより上記シリコン基板１に凹部２が形成される
。
このような従来技術による凹部の形成においては、凹部
の表面がイオンエツチング等により損傷を受けるので、
集積回路化に伴うもれ電流の発生の原因になる。また、
凹部の形状は溝が深くなるとテーパーが生じたり、つぼ
型になったりして所望の形状を得ることが困難である等
の欠点があった。
の表面がイオンエツチング等により損傷を受けるので、
集積回路化に伴うもれ電流の発生の原因になる。また、
凹部の形状は溝が深くなるとテーパーが生じたり、つぼ
型になったりして所望の形状を得ることが困難である等
の欠点があった。
この発明は、かかる欠点を解消するためになされたもの
で、シリコン基板に、表面に損傷がなく、かつ所望の形
状を有する凹部を形成できる半導体装置の製造方法を得
ることを目的とするものである。
で、シリコン基板に、表面に損傷がなく、かつ所望の形
状を有する凹部を形成できる半導体装置の製造方法を得
ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板
上に選択的に酸素イオンを含有させてシリコン・酸化膜
界面を形成する工程と、水素雰囲気中での熱処理により
上記酸化膜をエツチングし凹部を形成する工程とを設け
たものである。
上に選択的に酸素イオンを含有させてシリコン・酸化膜
界面を形成する工程と、水素雰囲気中での熱処理により
上記酸化膜をエツチングし凹部を形成する工程とを設け
たものである。
この発明においては、シリコン基板内部にシリコン・酸
化膜界面を形成し、該酸化膜を水素雰囲気中での熱処理
によりエツチングしたから、表面に損傷のない所望の形
状の凹部を形成できる。
化膜界面を形成し、該酸化膜を水素雰囲気中での熱処理
によりエツチングしたから、表面に損傷のない所望の形
状の凹部を形成できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の主要工程段階を示し、図において、２１はシリコン基
板、２２はマスク、２３はシリコン基板２１の凹部、２
４は酸素イオン、２４ａは注入された酸素イオンである
。
の主要工程段階を示し、図において、２１はシリコン基
板、２２はマスク、２３はシリコン基板２１の凹部、２
４は酸素イオン、２４ａは注入された酸素イオンである
。
次に本製造方法について説明する。
まず、シリコン基板２１を準備し、その−主面上の凹部
となる領域以外の領域にマスク２２を形成する。次に、
このマスク２２越しに酸素イオン化膜２１ａとシリコン
２１とのシリコン・酸化膜界面が形成される。この注入
深さはエネルギーを変えることにより任意に設定できる
。この状態を Ｊ第２図（ａ）に示す。次に、
上記マスク２２を除去し、水素雰囲気中で、高温（１０
５０℃以上）、かつ常圧または減圧下でアニールするこ
とにより、上記酸化ＩＪ２１ａを水素還元によるエツチ
ングを行なって除去し、シリコン基板２１上に凹部２３
を形成する。この完成状態を第２図中）に示す。
となる領域以外の領域にマスク２２を形成する。次に、
このマスク２２越しに酸素イオン化膜２１ａとシリコン
２１とのシリコン・酸化膜界面が形成される。この注入
深さはエネルギーを変えることにより任意に設定できる
。この状態を Ｊ第２図（ａ）に示す。次に、
上記マスク２２を除去し、水素雰囲気中で、高温（１０
５０℃以上）、かつ常圧または減圧下でアニールするこ
とにより、上記酸化ＩＪ２１ａを水素還元によるエツチ
ングを行なって除去し、シリコン基板２１上に凹部２３
を形成する。この完成状態を第２図中）に示す。
このように本実施例の方法では、シリコン基板内部にシ
リコン・酸化膜界面を形成し、水素還元法により該酸化
膜をエツチングして凹部を形成したので、表面に損傷が
なく、幅が狭くかつ深い形状の凹部が得られる。
リコン・酸化膜界面を形成し、水素還元法により該酸化
膜をエツチングして凹部を形成したので、表面に損傷が
なく、幅が狭くかつ深い形状の凹部が得られる。
なお、上記実施例ではマスクを用いて酸素イオン注入を
施したが、これは集束イオンビームを用いて選択的に酸
素イオン注入を施せば上記実施例と同様の効果に加え、
さらにプロセスが簡単になるという利点が得られる。
施したが、これは集束イオンビームを用いて選択的に酸
素イオン注入を施せば上記実施例と同様の効果に加え、
さらにプロセスが簡単になるという利点が得られる。
以上のように、この発明に係る半導体装置の製造方法に
よれば、シリコン基板に酸素を含有させてシリコン・酸
化膜界面を形成し、水素雰囲気中での熱処理により該酸
化膜をエツチングして、シリコン基板に凹部を形成した
ので、表面に損傷のない非常にきれいな面を有する所望
の形状の凹部が得られる効果がある。
よれば、シリコン基板に酸素を含有させてシリコン・酸
化膜界面を形成し、水素雰囲気中での熱処理により該酸
化膜をエツチングして、シリコン基板に凹部を形成した
ので、表面に損傷のない非常にきれいな面を有する所望
の形状の凹部が得られる効果がある。
第１図（ａｌ （ｂ）はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法の主要工程段階を示す断面図ミ第２図
は従来の方法によりシリコン表面上に凹部を形成した状
態を示す断面図である。 ２１・・・シリコン基板、２３・・・凹部、２４・・・
酸素イオン、２１ａ・・・酸化膜、２５・・・シリコン
・酸化膜界面、２４ａ・・・注入された酸素イオン。
体装置の製造方法の主要工程段階を示す断面図ミ第２図
は従来の方法によりシリコン表面上に凹部を形成した状
態を示す断面図である。 ２１・・・シリコン基板、２３・・・凹部、２４・・・
酸素イオン、２１ａ・・・酸化膜、２５・・・シリコン
・酸化膜界面、２４ａ・・・注入された酸素イオン。
Claims (3)
- （１）シリコン基板の主面上に選択的に酸素イオンを含
有させて上記シリコン基板内部にシリコン・酸化膜界面
を形成する工程と、水素雰囲気中での熱処理により上記
酸化膜をエッチングし上記シリコン基板に凹部を形成す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - （２）上記熱処理として高温、常圧又は減圧下のアニー
ルを行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の製造方法。 - （３）上記シリコン・酸化膜界面形成に酸素イオン注入
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202185A JPS61171139A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202185A JPS61171139A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171139A true JPS61171139A (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=11793942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202185A Pending JPS61171139A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683546A (en) * | 1992-10-23 | 1997-11-04 | Ricoh Seiki Company, Ltd. | Method of etching silicon substrate at different etching rates for different planes of the silicon to form an air bridge |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP1202185A patent/JPS61171139A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683546A (en) * | 1992-10-23 | 1997-11-04 | Ricoh Seiki Company, Ltd. | Method of etching silicon substrate at different etching rates for different planes of the silicon to form an air bridge |
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