JPH02266531A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02266531A JPH02266531A JP8763089A JP8763089A JPH02266531A JP H02266531 A JPH02266531 A JP H02266531A JP 8763089 A JP8763089 A JP 8763089A JP 8763089 A JP8763089 A JP 8763089A JP H02266531 A JPH02266531 A JP H02266531A
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- semiconductor substrate
- gate electrode
- phosphorus glass
- ldd structure
- semiconductor device
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は不純物濃度の濃い領域と不純物濃度の薄い領域
とを有するＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造方法に
関するものである。
とを有するＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造方法に
関するものである。
従来の技術
半導体装置は微細化に伴い内部電界が増大し、そのため
に発生したホットキャリアが半導体装置の信頼性に悪影
響を与える。この解決策として用いられるＬＤＤ構造を
実現するために、高温ＣＶＤ工程と異方性エツチング工
程により第２図に示すような高ｒ７Ａ ＣＶ Ｄ酸化膜
１４から成るサイドウオールを形成する必要がある。
に発生したホットキャリアが半導体装置の信頼性に悪影
響を与える。この解決策として用いられるＬＤＤ構造を
実現するために、高温ＣＶＤ工程と異方性エツチング工
程により第２図に示すような高ｒ７Ａ ＣＶ Ｄ酸化膜
１４から成るサイドウオールを形成する必要がある。
発明が解決しようとする課題
前記のサイドウオール形成工程は、高コストの工程であ
るため、半導体装置の製造に広範囲に適用できないとい
う課題を有していた。本発明は上記課題に鑑み、低コス
トの工程でＬＤＤ構造を形成する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
るため、半導体装置の製造に広範囲に適用できないとい
う課題を有していた。本発明は上記課題に鑑み、低コス
トの工程でＬＤＤ構造を形成する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明はＬＤＤ構造の形成
に必要なサイドウオールの形成に液体状リンガラスの塗
布および固体化の工程と通常のエツチング工程とを有す
る半導体装置の製造方法である。
に必要なサイドウオールの形成に液体状リンガラスの塗
布および固体化の工程と通常のエツチング工程とを有す
る半導体装置の製造方法である。
作用
上記の構成により、ＬＤＤ構造の形成に必要なマスクと
して使用するサイドウオールを、低コストの工程で形成
することが可能となる。
して使用するサイドウオールを、低コストの工程で形成
することが可能となる。
実施例
以下は本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の断面図を工程順に示したも
のである。
説明する。第１図は本発明の断面図を工程順に示したも
のである。
まず、第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板１
の表面を酸化してシリコン熱酸化膜２を形成し、その上
にゲート電極として用いる多結晶シリコン３を堆積し、
リングラフィによりゲート電極パターンを形成した後、
薄いＮ型不純物イオン注入Ｘを行ない、Ｐ型シリコン基
板１の表面に薄いＮ型不純物注入領域４を形成する。そ
してＰ型シリコン基板１および多結晶シリコン３の表面
を酸化して保護酸化膜５で覆った後、リンガラスを液体
状にしてＰ型シリコン基板１を回転させながら塗布した
後、第１図（ｂ）に示すように加熱処理により固体化リ
ンガラス６を形成する。このときゲート電極側壁は凹状
であるため、固体化リンガラス６の膜厚が厚くなる。そ
の後固体化リンガラス６および保護酸化膜５を、Ｐ型シ
リコン基板１が露出するまでエツチングを行ない、第１
図（Ｃ）に示すようにゲート電極側壁のみ固体化リンガ
ラス６を残して、これをサイドウオールとして利用し、
濃いＮ型不純物イオン注入ｙを行ない、Ｐ型シリコン基
板１の表面に濃いＮ型不純物注入領域７を形成する。そ
の後熱処理を行なうことにより第１図（ｄ）に示すよう
に薄いＮ型拡散層８および濃いＮ型拡散層９を形成する
ことができる。
の表面を酸化してシリコン熱酸化膜２を形成し、その上
にゲート電極として用いる多結晶シリコン３を堆積し、
リングラフィによりゲート電極パターンを形成した後、
薄いＮ型不純物イオン注入Ｘを行ない、Ｐ型シリコン基
板１の表面に薄いＮ型不純物注入領域４を形成する。そ
してＰ型シリコン基板１および多結晶シリコン３の表面
を酸化して保護酸化膜５で覆った後、リンガラスを液体
状にしてＰ型シリコン基板１を回転させながら塗布した
後、第１図（ｂ）に示すように加熱処理により固体化リ
ンガラス６を形成する。このときゲート電極側壁は凹状
であるため、固体化リンガラス６の膜厚が厚くなる。そ
の後固体化リンガラス６および保護酸化膜５を、Ｐ型シ
リコン基板１が露出するまでエツチングを行ない、第１
図（Ｃ）に示すようにゲート電極側壁のみ固体化リンガ
ラス６を残して、これをサイドウオールとして利用し、
濃いＮ型不純物イオン注入ｙを行ない、Ｐ型シリコン基
板１の表面に濃いＮ型不純物注入領域７を形成する。そ
の後熱処理を行なうことにより第１図（ｄ）に示すよう
に薄いＮ型拡散層８および濃いＮ型拡散層９を形成する
ことができる。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、高コストの工
程である高温ＣＶＤと異方性エツチングを用いることな
くサイドウオールを形成してＬＤＤ構造を形成すること
が可能となる。
程である高温ＣＶＤと異方性エツチングを用いることな
くサイドウオールを形成してＬＤＤ構造を形成すること
が可能となる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の製造工程を
示す工程順断面図、第２図は従来例の半導体装置の断面
図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・シリ
コン酸化膜、３・・・・・・多結晶シリコン、４・・・
・・・薄いＮ型不純物注入領域、５・・・・・・保護酸
化膜、６・・・・・・固体化リンガラス、７・・・・・
・濃いＮ型不純物領域、８・・・・・・薄いＮ型拡散層
、９・・・・・・濃いＮ型拡散層、１１・・団・Ｐ型シ
リコン基板、１２・・・・・・シリコン熱酸化膜、１３
・・・・・・多結晶シリコン、１４・・・・・・高温Ｃ
ＶＤ酸化膜、１５・・・・・・薄いＮ型拡散層、１６・
・・・・・濃いＮ型拡散層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名＠２図
示す工程順断面図、第２図は従来例の半導体装置の断面
図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・シリ
コン酸化膜、３・・・・・・多結晶シリコン、４・・・
・・・薄いＮ型不純物注入領域、５・・・・・・保護酸
化膜、６・・・・・・固体化リンガラス、７・・・・・
・濃いＮ型不純物領域、８・・・・・・薄いＮ型拡散層
、９・・・・・・濃いＮ型拡散層、１１・・団・Ｐ型シ
リコン基板、１２・・・・・・シリコン熱酸化膜、１３
・・・・・・多結晶シリコン、１４・・・・・・高温Ｃ
ＶＤ酸化膜、１５・・・・・・薄いＮ型拡散層、１６・
・・・・・濃いＮ型拡散層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名＠２図
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜およびゲート電極を形成した後、
リソグラフィによりゲート電極パターンを形成する工程
と、半導体基板上に１回目の不純物の注入を行なう工程
と、半導体基板上に絶縁膜を形成した後、リンガラスを
液体状にして塗布した後に、リンガラスを固体化する工
程と、ゲート電極側壁以外の固体化された前記リンガラ
スと前記絶縁膜とを除去する工程と、半導体基板上に２
回目の不純物の注入を行なう工程と、熱拡散を行なう工
程とを備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8763089A JPH02266531A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8763089A JPH02266531A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266531A true JPH02266531A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13920295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8763089A Pending JPH02266531A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395781A (en) * | 1994-02-16 | 1995-03-07 | Micron Technology, Inc. | Method of making a semiconductor device using photoresist flow |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8763089A patent/JPH02266531A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395781A (en) * | 1994-02-16 | 1995-03-07 | Micron Technology, Inc. | Method of making a semiconductor device using photoresist flow |
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