JPS62156839A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62156839A JPS62156839A JP29701985A JP29701985A JPS62156839A JP S62156839 A JPS62156839 A JP S62156839A JP 29701985 A JP29701985 A JP 29701985A JP 29701985 A JP29701985 A JP 29701985A JP S62156839 A JPS62156839 A JP S62156839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxidation
- resistant
- resistant film
- oxidizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので特に半導
体基板上の所定の領域にフィールド酸化膜を形成するの
に用いられるものである。
体基板上の所定の領域にフィールド酸化膜を形成するの
に用いられるものである。
半導体集積回路などの半導体装置には素子の分離のため
に半導体基板上の所定の領域を酸化することにより形成
される厚いフィールド酸化膜が形成される。このような
従来の半導体装置の製造方法を添付図面の第3図を参照
して、以下説明する。
に半導体基板上の所定の領域を酸化することにより形成
される厚いフィールド酸化膜が形成される。このような
従来の半導体装置の製造方法を添付図面の第3図を参照
して、以下説明する。
第3図(a)ないしくC)は半導体基板上にフィールド
酸化膜を形成する工程を説明するための工程別断面図で
ある。
酸化膜を形成する工程を説明するための工程別断面図で
ある。
まず、表面の結晶方位(100)のP−型のシリコン基
板1の表面に厚さが約900への熱酸化膜2を形成した
後、この熱酸化膜2上にCVD法により厚さが約500
への多結晶シリコン膜3を堆積する。多結晶シリコン膜
3の表面には自然酸化膜4が形成されるが、更にこの自
然酸化膜4上にCVD法によって厚さ約2500へのシ
リコン窒化膜5をH1積する(第3図(a))。
板1の表面に厚さが約900への熱酸化膜2を形成した
後、この熱酸化膜2上にCVD法により厚さが約500
への多結晶シリコン膜3を堆積する。多結晶シリコン膜
3の表面には自然酸化膜4が形成されるが、更にこの自
然酸化膜4上にCVD法によって厚さ約2500へのシ
リコン窒化膜5をH1積する(第3図(a))。
続いてフィールド酸化膜形成領域のシリコン窒化膜5ど
自然酸化膜4とを選択的に除去づる(第3図(b) )
a その侵、シリコン窒化膜5をマスクとして酸化性雰囲気
で熱酸化を行ない厚さ約8000人のフィールド酸化膜
6を形成したのち、残存するシリコン窒化膜5、自然酸
化11Q 4及び多結晶シリコンPIA3を除去してシ
リコン基板1上に目的どするフィールド酸化膜6を1!
Iる(第3図(C))。
自然酸化膜4とを選択的に除去づる(第3図(b) )
a その侵、シリコン窒化膜5をマスクとして酸化性雰囲気
で熱酸化を行ない厚さ約8000人のフィールド酸化膜
6を形成したのち、残存するシリコン窒化膜5、自然酸
化11Q 4及び多結晶シリコンPIA3を除去してシ
リコン基板1上に目的どするフィールド酸化膜6を1!
Iる(第3図(C))。
(背m技術の問題点)
しかしながら、このようにして形成したフィールド酸化
膜は、一般に酸化された領域が目的どする領域よりも横
方向に広がってしまういわゆるバーズビークが大きくな
ってしまうという問題を有している。すなわち従来技術
によれば、シリコンB31上にH[積された多結晶シリ
コン膜の表面には自然酸化膜が迅速に形成されてしまう
ので、フィールド酸化を行なう工程において自然酸化膜
を通して酸化が横方向に拡散し、大ぎなバーズビークを
発生させてしまうという問題がある。これを解決するた
めには自然酸化膜の形成前にシリコン窒化膜を形成すれ
ばよいが、自然酸化膜を生じないようにすることは一般
に困難である。
膜は、一般に酸化された領域が目的どする領域よりも横
方向に広がってしまういわゆるバーズビークが大きくな
ってしまうという問題を有している。すなわち従来技術
によれば、シリコンB31上にH[積された多結晶シリ
コン膜の表面には自然酸化膜が迅速に形成されてしまう
ので、フィールド酸化を行なう工程において自然酸化膜
を通して酸化が横方向に拡散し、大ぎなバーズビークを
発生させてしまうという問題がある。これを解決するた
めには自然酸化膜の形成前にシリコン窒化膜を形成すれ
ばよいが、自然酸化膜を生じないようにすることは一般
に困難である。
(発明の目的)
本発明は上述した問題点を克服するためになされた乙の
で、半導体基板上にフィールド酸化膜/iどの酸化膜を
形成する際に生ずるバーズビークを効宋的に減少させる
ことのできる半導体装置の製造方法を捉供することを目
的とする。
で、半導体基板上にフィールド酸化膜/iどの酸化膜を
形成する際に生ずるバーズビークを効宋的に減少させる
ことのできる半導体装置の製造方法を捉供することを目
的とする。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の
表面に形成された多結晶シリコン膜の少なくとも一部を
直接に窒化して第1のシリコン窒化膜を形成した後、第
2のシリコン窒化膜を堆積させ、次いで選択的に前記第
1及び第2のシリコン窒化膜を除去し、残存した前記第
1及び第2のシリコン窒化膜をマスクとして酸化を行な
って酸化膜を形成するもので、前記多結晶シリコン膜と
シリコン窒化膜との界面に自然酸化膜を介在させずに酸
化を行なうことによって、バーズビークを減少させるこ
とができる。
表面に形成された多結晶シリコン膜の少なくとも一部を
直接に窒化して第1のシリコン窒化膜を形成した後、第
2のシリコン窒化膜を堆積させ、次いで選択的に前記第
1及び第2のシリコン窒化膜を除去し、残存した前記第
1及び第2のシリコン窒化膜をマスクとして酸化を行な
って酸化膜を形成するもので、前記多結晶シリコン膜と
シリコン窒化膜との界面に自然酸化膜を介在させずに酸
化を行なうことによって、バーズビークを減少させるこ
とができる。
以下、添付図面第1図及び第2図を参照して本発明の実
施例のいくつかを詳細に説明する。
施例のいくつかを詳細に説明する。
第1図(a>ないしくd)は本発明の一実施例に係る製
造方法を説明する工程別断面図である。
造方法を説明する工程別断面図である。
まず、例えば、表面結晶方位が(100)のP−型シリ
コン基板20の表面に厚さ約900人の熱酸化膜を第1
絶縁募21として形成する。次いで、第1絶縁1i21
上に厚さ700人の多結晶シリコン膜である酸化性膜2
2を堆積させる。ここで酸化性膜22の表面には自然酸
化膜23が生成して、第1図(E〕)に示ずような構成
となっている。
コン基板20の表面に厚さ約900人の熱酸化膜を第1
絶縁募21として形成する。次いで、第1絶縁1i21
上に厚さ700人の多結晶シリコン膜である酸化性膜2
2を堆積させる。ここで酸化性膜22の表面には自然酸
化膜23が生成して、第1図(E〕)に示ずような構成
となっている。
次に、アンモニア(NH3)雰囲気中で高温処理を施し
、自然酸化膜23及び酸化性膜22の一部を直接窒化し
てシリコン窒化膜である第1の耐酸化性膜24を形成す
る。その後、第1の耐酸化性膜24の表面に厚さ230
0へのシリコン窒化膜を形成して第2の耐酸化性膜25
となし、第1図(b)に示す構造とする。
、自然酸化膜23及び酸化性膜22の一部を直接窒化し
てシリコン窒化膜である第1の耐酸化性膜24を形成す
る。その後、第1の耐酸化性膜24の表面に厚さ230
0へのシリコン窒化膜を形成して第2の耐酸化性膜25
となし、第1図(b)に示す構造とする。
次いで、第2の耐酸化性膜25の表面にフィールド領域
の予定部分に対応した窓を有するレジスト膜を形成しく
図示せず)、レジスト膜をマスクどして反応性イオンエ
ツチング(RIE)法により第2の耐酸化性膜25及び
第1の耐酸化性膜24を選択的に除去し、その後反転防
止用の不純物26を注入する(第1図(C))。不純物
26としては例えば11B+が使用され、加速エネルギ
ー100KcV、ドーズm I X 1013cll−
2の注入条件に設定してイオン注入ずればよい。
の予定部分に対応した窓を有するレジスト膜を形成しく
図示せず)、レジスト膜をマスクどして反応性イオンエ
ツチング(RIE)法により第2の耐酸化性膜25及び
第1の耐酸化性膜24を選択的に除去し、その後反転防
止用の不純物26を注入する(第1図(C))。不純物
26としては例えば11B+が使用され、加速エネルギ
ー100KcV、ドーズm I X 1013cll−
2の注入条件に設定してイオン注入ずればよい。
次に、レジスト膜を除去し、残存する第1及び第2の耐
酸化性膜24.25をマスクとして熱酸化雰囲気中で熱
酸化を行ない、厚さ8000人のフィールド酸化膜27
をシリコン基板20上に形成する。なお、シリコン基板
20に注入された不純物26は、熱酸化工程での熱処理
によってフィールド酸化膜27の直下にフィールド反転
防止層28を形成することとなる。その後、第1及び第
2の耐酸化性膜24.25及び酸化性g!22を除去し
てフィールド酸化膜27を形成した半導体装置を得るこ
とができる(第1図(d))。
酸化性膜24.25をマスクとして熱酸化雰囲気中で熱
酸化を行ない、厚さ8000人のフィールド酸化膜27
をシリコン基板20上に形成する。なお、シリコン基板
20に注入された不純物26は、熱酸化工程での熱処理
によってフィールド酸化膜27の直下にフィールド反転
防止層28を形成することとなる。その後、第1及び第
2の耐酸化性膜24.25及び酸化性g!22を除去し
てフィールド酸化膜27を形成した半導体装置を得るこ
とができる(第1図(d))。
この実施例によれば、窒化工程において、多結晶シリコ
ン膜22上に形成されていた自然酸化膜23は、アンモ
ニア雰囲気中で高温処理されることによって直接窒化さ
れて第1の耐酸化性膜24を形成する。その結果、フィ
ールド酸化を行なう熱酸化工程において多結晶シリコン
膜である酸化性膜22には自然酸化膜が存在せず、従来
技術の如き自然酸化膜を通じての酸化の横方向拡散が生
ぜず、バーズビークを少なくする作用をなす。
ン膜22上に形成されていた自然酸化膜23は、アンモ
ニア雰囲気中で高温処理されることによって直接窒化さ
れて第1の耐酸化性膜24を形成する。その結果、フィ
ールド酸化を行なう熱酸化工程において多結晶シリコン
膜である酸化性膜22には自然酸化膜が存在せず、従来
技術の如き自然酸化膜を通じての酸化の横方向拡散が生
ぜず、バーズビークを少なくする作用をなす。
第2図(a)ないしくd)は本発明の他の実施例に係る
製造工程を説明する工程別断面図である。
製造工程を説明する工程別断面図である。
この実施例では、第1図に示す工程において、アンモニ
ア雰囲気中で自然酸化膜(第1回付号23)及び酸化性
1!、! 22の一部を直接窒化してシリコン窒化膜か
らなる第1の耐酸化性膜24を形成し、更に第2の耐酸
化性膜25を堆積する点は同じであるので第2図におい
ては単複記載をさせるためにこの工程を省略しである。
ア雰囲気中で自然酸化膜(第1回付号23)及び酸化性
1!、! 22の一部を直接窒化してシリコン窒化膜か
らなる第1の耐酸化性膜24を形成し、更に第2の耐酸
化性膜25を堆積する点は同じであるので第2図におい
ては単複記載をさせるためにこの工程を省略しである。
第1及び第2のIlinM化性膜24.25を備えるシ
リコン基板20には、第2の耐酸化性膜25の表面に厚
さ約3500人の多結晶シリコン膜が准(?1され第2
の酸化性膜30が形成される(第2図(a))。
リコン基板20には、第2の耐酸化性膜25の表面に厚
さ約3500人の多結晶シリコン膜が准(?1され第2
の酸化性膜30が形成される(第2図(a))。
次に、第2の酸化性膜30の表面にフィールド領域の予
定部分に対応した領域に窓を有するレジスト膜が形成さ
れ(図示せず)、レジスト膜をマスクとして反応性イオ
ンエツチング法により第2の酸化性膜30が選択的に除
去される(第2図(b))。
定部分に対応した領域に窓を有するレジスト膜が形成さ
れ(図示せず)、レジスト膜をマスクとして反応性イオ
ンエツチング法により第2の酸化性膜30が選択的に除
去される(第2図(b))。
その後、レジスト膜を除去して熱酸化雰囲気中で熱酸化
が行なわれ、第2の酸化性膜30覧よθざ約7000A
の第2の絶縁膜31となる。このとき第2の絶縁膜31
は横方向に広がるため選択的に除去した幅はより小さく
なる。次いで第2の絶縁膜31をマスクとして反応性イ
オンエツチング法により第2の耐酸化性膜25及び第1
の耐酸化性膜24を選択的に除去し、そののち反転防止
用の不純物26を注入する(第2図(C))。
が行なわれ、第2の酸化性膜30覧よθざ約7000A
の第2の絶縁膜31となる。このとき第2の絶縁膜31
は横方向に広がるため選択的に除去した幅はより小さく
なる。次いで第2の絶縁膜31をマスクとして反応性イ
オンエツチング法により第2の耐酸化性膜25及び第1
の耐酸化性膜24を選択的に除去し、そののち反転防止
用の不純物26を注入する(第2図(C))。
次いで第2の絶縁膜31を除去したのち残存する第1及
び第2の耐酸化性膜24.25をマスクとして熱酸化雰
囲気中で熱酸化を行なう(第2図(d))。
び第2の耐酸化性膜24.25をマスクとして熱酸化雰
囲気中で熱酸化を行なう(第2図(d))。
このようにして第1図(d)に示すのと同様なフィール
ド酸化膜27をシリコン基板20上に形成することがで
きる。
ド酸化膜27をシリコン基板20上に形成することがで
きる。
この実施例によれば、#4酸化性膜24.25上に生成
された第2の酸化性膜30は選択的に除去後熱酸化され
て第2の絶縁膜31となる。このときは熱酸化時の膨張
から選択的に除去された部分が狭まるためこれをマスク
どした第1及び第2の耐酸化性膜24.25の選択的除
去とこの第1及び第2の耐酸化性膜24.25をマスク
とした酸化により保られるフィールド酸化DIは幅の狭
いものとなる。
された第2の酸化性膜30は選択的に除去後熱酸化され
て第2の絶縁膜31となる。このときは熱酸化時の膨張
から選択的に除去された部分が狭まるためこれをマスク
どした第1及び第2の耐酸化性膜24.25の選択的除
去とこの第1及び第2の耐酸化性膜24.25をマスク
とした酸化により保られるフィールド酸化DIは幅の狭
いものとなる。
(発明の効果〕
以上のように本発明によれば半導体基板上の酸化性膜に
直接に耐酸化性膜を形成するようにして酸化性膜と耐酸
化性膜との境界部分の自然酸化膜を排除するようにした
ので、フィールド酸化膜などの酸化膜を形成するとぎに
大きなバーズビークを生ずることがない。
直接に耐酸化性膜を形成するようにして酸化性膜と耐酸
化性膜との境界部分の自然酸化膜を排除するようにした
ので、フィールド酸化膜などの酸化膜を形成するとぎに
大きなバーズビークを生ずることがない。
第1図は本発明の一実施例を示す工程別断面図、第2図
は本発明の他の実施例を示ず工程別断面図、第3図は従
来方法の一例を示す工程別断面図である。 20・・・シリコン基板、21・・・第1絶縁層、22
・・・酸化性膜、23・・・自然酸化膜、24・・・第
1の耐酸化性膜、25・・・第2の耐酸化性膜、26・
・・不純物、27・・・フィールド酸化膜、30・・・
第2の酸化性膜、31・・・第2の絶縁膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第2図
は本発明の他の実施例を示ず工程別断面図、第3図は従
来方法の一例を示す工程別断面図である。 20・・・シリコン基板、21・・・第1絶縁層、22
・・・酸化性膜、23・・・自然酸化膜、24・・・第
1の耐酸化性膜、25・・・第2の耐酸化性膜、26・
・・不純物、27・・・フィールド酸化膜、30・・・
第2の酸化性膜、31・・・第2の絶縁膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板表面に絶縁膜と酸化性膜を順次形成する
第1の工程と、前記酸化性膜を直接窒化して前記酸化性
膜上に形成された自然酸化膜および前記酸化性膜の少な
くとも一部を耐酸化性膜にする第2の工程と、前記耐酸
化性膜を選択的に除去し、残存する耐酸化性膜をマスク
として厚い酸化膜を形成する第3の工程とを備えた半導
体装置の製造方法。 2、耐酸化性膜が、酸化性膜の少なくとも一部を直接窒
化した第1の耐酸化性膜と、その後にCVD法により前
記第1の耐酸化性膜上に形成した第2の耐酸化性膜とに
よつて形成され、前記第1及び第2の耐酸化性膜をマス
クとして酸化膜が形成される特許請求の範囲第1項記載
の半導体装置の製造方法。 3、酸化性膜が多結晶シリコンであり、耐酸化性膜が窒
化シリコンである特許請求の範囲第1項または第2項記
載の半導体装置の製造方法。 4、半導体基板表面に絶縁膜と第1の酸化性膜を順次形
成する第1の工程と、前記第1の酸化性膜を直接窒化し
て前記酸化性膜上に形成された自然酸化膜および前記第
1の酸化性膜の少なくとも一部を耐酸化性膜にする第2
の工程と、この耐酸化性膜の上に第2の酸化性膜を形成
して選択的に除去した後、これを酸化して酸化膜を形成
する第3の工程と、この酸化膜をマスクとして前記耐酸
化性膜を選択的に除去し、残存する耐酸化性膜をマスク
として厚い酸化膜を形成する第4の工程とを備えた半導
体装置の製造方法。 5、耐酸化性膜が第1の酸化性膜の少なくとも一部を直
接窒化した第1の耐酸化性膜と、その後にCVD法によ
り前記第1の耐酸化性膜上に形成した第2の耐酸化性膜
とによって形成され、前記第1及び第2の耐酸化性膜を
マスクとして厚い酸化膜が形成される特許請求の範囲第
4項記載の半導体装置の製造方法。 6、酸化性膜が多結晶シリコンであり、耐酸化性膜が窒
化シリコンである特許請求の範囲第4項または第5項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29701985A JPS62156839A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29701985A JPS62156839A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62156839A true JPS62156839A (ja) | 1987-07-11 |
Family
ID=17841187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29701985A Pending JPS62156839A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62156839A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02268434A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5994203A (en) * | 1996-02-28 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Process for stress reduction in silicon during field isolation |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP29701985A patent/JPS62156839A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02268434A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5994203A (en) * | 1996-02-28 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Process for stress reduction in silicon during field isolation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6140035A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH098023A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
JPH02222161A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0324727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62156839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59165434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0268930A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
KR0179555B1 (ko) | 반도체 장치의 소자 분리방법 | |
JPS63280438A (ja) | 素子分離領域形成方法 | |
JPS59121850A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH065588A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6123363A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH03116968A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6213047A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6246552A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6261353A (ja) | 相補型mos半導体素子の製造方法 | |
JP2766000B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH04115525A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPS5968950A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62232143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02262321A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61148832A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03156956A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0267728A (ja) | 素子分離用酸化膜の形成方法 | |
JPS62131538A (ja) | 半導体装置の製造方法 |