JPH11121517A

JPH11121517A - 半導体素子搭載装置および搭載方法

Info

Publication number: JPH11121517A
Application number: JP27681497A
Authority: JP
Inventors: Shigefumi Kito; 繁文鬼頭; Shinzo Nishiyama; 信蔵西山; Hiroyasu Sasaki; 博康佐々木; Toshiyuki Mogi; 俊行茂木; Noboru Omori; 昇大森; 英二 ▲高▼野; Eiji Takano
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Information Systems Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Information Systems Ltd
Priority date: 1997-10-09
Filing date: 1997-10-09
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度に位置合わせを行い、かつ加熱固定の
際の位置ズレ量の小さい高精度な半導体素子搭載を提供
する。【解決手段】赤外線透過可能な半導体素子３０を赤外
線透過可能な基板４０上に搭載する半導体素子搭載装置
１００において、基板４０を載置する基板載置用ステー
ジ１１と、該ステージ１１の上下方向のいずれか一方に
設けた赤外線透過画像用光源１５と、前記ステージ１１
の赤外線透過画像用光源１４が配置された側と反対側に
設けた透過画像認識用カメラ１４と、加熱用光を集光し
て前記基板に照射する局部加熱用集光レンズ１６とを設
けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器内の基板
上へ半導体素子を搭載する半導体素子搭載装置および半
導体素子搭載方法にかかわり、特に光を集光することに
よって局部的に加熱する局部加熱装置を用いることによ
って、短時間に局所的に加熱し、また位置合わせに透過
画像方式を用いることによって、高精度な位置合わせを
可能とした、基板への熱影響の少ない、高精度に半導体
素子を搭載する半導体素子搭載装置および半導体素子搭
載方法を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の一例として光デバイスを装
置基板へ搭載して光モジュールを製造する方法を説明す
る。光モジュールの製作にあたっては、基板上に光デバ
イスを高精度に位置合わせした後固定する必要がある。
従来、基板上に光デバイスを位置合わせする方法とし
て、光デバイスを機械的に精度合わせする方法、光デバ
イスを起動して光デバイスの特性を利用して位置合わせ
する方法、視覚認識カメラ等の光学装置を用いて位置合
わせを行う方法等があり、位置合わせの後、基板全体を
ヒータによって加熱してはんだを溶融させて半導体素子
を基板に固定していた。

【０００３】機械的精度を用いた搭載方法は、半導体素
子と基板をそれぞれ所定の位置にセットし、基板を搬送
し、押し当て治具等機械加工した基準を用いて位置出し
をし、その位置に半導体素子を搬送ハンドにより搬送し
て基板上に搭載する方法である。このように基板上に載
置された半導体素子を基板に加熱固定するには、基板を
セットするブロックにヒータを搭載しておき、ブロック
全体つまり半導体素子を含んだ基板全体を加熱して搭載
する方法である。しかしながら、機械精度だけで半導体
素子の位置合わせを行う半導体素子搭載方法は、現状の
機械加工精度では、光デバイスに要求される搭載精度を
達成することは困難である。

【０００４】また光デバイスの特性を利用する位置合わ
せ方法は、光デバイスを起動させ、受光素子の場合は光
素子からの電流をモニタしながら、発光素子の場合は光
素子からの光出力をモニタして、最適位置に合わせる方
法である。このように、光デバイスの特性を利用して搭
載固定する方法では、光デバイスに電気を供給しなけれ
ばならず、光デバイス搬送用のハンドに電力を供給する
手段を設けなければならず、ハンドの形状が大きく、複
雑なものとなる。

【０００５】視覚認識カメラを用いた搭載方法は、半導
体素子と基板を所定の位置にセットした後、半導体素子
と基板をそれぞれ固定した視覚認識カメラによって外形
またはマーカーパターンを認識し、半導体素子と基板の
位置関係をもとに半導体素子を搬送し、視覚認識カメラ
からの認識データによって位置補正を行い、基板上に搭
載する方法である。このような、別々の視覚認識カメラ
を用いて基板のパターンと半導体素子のパターンとを別
々に認識して位置合わせする方法では、基板と半導体素
子のパターンの形成精度、つまり各部品の製造時に生じ
る製造誤差により、オフセット量が変化してしまい精度
の高い位置合わせができなくなるおそれがある。

【０００６】また、視覚認識カメラを用いた搭載方法の
他の方法として、半導体素子を搬送するハンドの一部に
視覚認識カメラを搭載し、このカメラによってハンドに
保持された半導体素子の外形を認識し、基板上に位置合
わせする方法もある。この方法では、半導体素子を運搬
するハンドの中心線上の位置に視覚認識カメラの光軸を
合わせることが出来ない場合、ハンドの中心線とカメラ
の光軸とのずれ量、すなわちオフセット量が介在する
為、オフセット量の補正を行い、位置合わせを行ってい
る（特開昭６３−１３９６７９号公報参照）。

【０００７】また、基板上のパターンと半導体素子等の
チップの外形パターンとを同一の視覚認識カメラを用い
て認識し、位置合わせを行う方法も提案されている。さ
らに、赤外線透過画像を用いて、基板上のマーキングパ
ターンやリードパターンと半導体素子に設けたマーキン
グパターンを合わせ、加熱固定する方法も提案されてい
る。

【０００８】赤外線透過画像を用いて基板のマーキング
パターンやリードパターンの重心と半導体素子に設けた
マーキングパターンとを位置合わせし、ヒータ加熱する
方法も提案されている（1994年電子情報通信学会春季大
会、C-291，292、「ＬＤ素子実装機の開発」、「画像認
識によるＬＤ位置決め実装方式」、河谷、山内他、参
照）。

【０００９】図６を用いて、この赤外線透過画像を用い
た位置合わせ方式を説明する。この精密位置合わせ方式
は、赤外線透過画像を用いてＬＤ素子（レーザダイオー
ド）の位置合わせを行なっている。赤外線透過画像を用
いた半導体素子搭載装置は、ヒータ５１を搭載したＸＹ
θステージ１１と、ＸＹθステージ１１上にＬＤチップ
を移動させるチップ吸着アーム１３と、ＣＣＤカメラ５
４と、赤外線顕微鏡５３と、モニタ２１と、画像処理装
置５５と、ＸＹθステージ１１の下方に設けた赤外線照
射手段から投射される赤外光とから構成される。

【００１０】ＬＤチップ３１は、チップ吸着アーム１３
に吸着され、ヒータ５１上に置かれたシリコン基板４０
上に若干隙間をあけて配置される。シリコン基板４０下
面から赤外光を照射しシリコン基板４０およびＬＤチッ
プ３１設けたマーカーを赤外光を透過させて認識する。
シリコン基板４０およびＬＤチップ３１にはそれぞれマ
ーカが２対設けられており、各マーカの面積重心から位
置を求め、マーカの相対的な位置から位置ずれと角度ず
れを算出し、ＸＹθステージ１１を制御する。位置決め
が完了した時点でヒータ５１を加熱し、予めシリコン基
板４０上に設けられたＡuＳn多層接合層を溶融しＬＤチ
ップ３１を接合している。

【００１１】基板上のパターンと半導体素子のパターン
を同時に一つの視覚認識カメラで認識して位置合わせを
行う方法では、高精度に位置合わせをすることは可能と
なる。しかしながら、この方法は、半導体素子を固定す
る際、半導体素子ごと基板全体を加熱することによって
基板全体を加熱するので、基板上に熱に弱い部品を先に
搭載しておくことが出来ないという問題、基板が加熱に
より膨張し、基板の熱膨張と半導体素子を保持している
ハンドの熱膨張の差によって、微小な位置ずれを生じ、
高精度な搭載が必ずしも行われているとは限らないとい
う問題を有している。このような、半導体素子搭載方法
で搭載されるＬＤチップは、およそ０．６×０．４×
０．１の大きさであるが、フォトダイオード（ＰＤ）
０．３×０．４×０．１の大きさであり、要求される位
置合わせ精度は０．６μｍであり、上記方法によれば、
熱膨張の差による誤差が大きな問題となる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上に熱に弱い部品が搭載されていた場合であっても、加
熱固定が可能で、また基板上のパターンおよび搭載部品
の形状誤差、つまり基板および部品製造時の製造誤差が
有る場合でも、製造誤差を考慮してオフセットによる補
正を行う場合生じるオフセット誤差を持たず、高精度に
位置合わせを行い、かつ加熱固定の際の位置ズレ量の小
さい高精度な半導体素子搭載を可能とする半導体素子搭
載装置および搭載方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、赤外線により透過認識可能なパターンを
それぞれ２対形成した基板および半導体素子を用い、基
板および半導体素子を透過する光源と、透過光を用いて
基板および半導体素子の位置合わせ用パターンを認識す
る赤外線カメラと、精密位置合わせ制御部と、赤外線透
過画像を得られるようにしたステージおよびハンドと、
光を集光することによって半導体素子または基板を局部
的に加熱する局部加熱手段から半導体搭載装置を構成す
る。

【００１４】さらに本発明は、該半導体素子搭載装置を
用いて、前記ステージ上に載置された基板上に前記ハン
ドを用いて半導体素子を搬送し、前記赤外線光源および
赤外線カメラにより、基板および半導体素子に形成され
た位置合わせ用のパターンを認識して精密位置合わせを
行った後、半導体素子または基板を局部的に加熱するこ
とによって接合部を局所加熱し、基板と半導体素子を固
定する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１〜図３を用いて説明する。ここでは、半導体素子
として光デバイスを用いた例を示している。この実施の
形態は、画像認識用の赤外線透過光用光源と、光を集光
することによって局部加熱する加熱装置を構成する照射
用集光レンズとが、位置合わせ時と加熱時とで入れ替わ
るように構成された請求項１記載の光デバイス搭載装置
である。図１は、装置の全体構成を示す概念図であり、
図２は照射・加熱部を拡大して示す斜視図であり、図３
は図２に示した照射・加熱部の断面図である。

【００１６】光デバイス搭載装置１００は、ＸＹθステ
ージ１１と、吸着アーム１３を有するハンド１２と、赤
外線カメラ１４と、赤外線用光源１５と、光ビーム照射
用集光レンズ１６と、シャッター１７と、モニタ２１
と、制御系２２と、操作パネル２３と、プリアライメン
トステージ２４とを有して構成されている。

【００１７】ＸＹθステージ１１は、基板４０を載置す
る面を有し、Ｘ軸およびＹ軸方向に移動可能に、Ｚ軸上
で回転可能に構成されている。ＸＹθステージ１１は、
上面に基板１１を位置決めする複数の位置決めピン１１
１を有している。また、ステージ１１は、基板４０を載
置する部分に貫通穴１１２が設けられ透過画像が得られ
るように構成されるか、若しくは石英等の可視から近赤
外光を透過する材質で構成されている。

【００１８】ハンド１２は、吸着アーム１３を有してお
り、プリアライメントステージ２４からステージ１１ま
で光デバイス３０を搬送し、ステージ１１上の基板４０
上に搭載するように構成され、光デバイス３０および基
板４０を透過した赤外線が赤外線カメラ１４へ入力され
るのを妨げないように構成されている。

【００１９】赤外線カメラ１４は、ステージ１１の上方
に位置し、光デバイス３０および基板４０を透過した赤
外線透過光による透過画像を撮影し、画像信号をモニタ
２１および制御系２２へ出力する。

【００２０】赤外線の光源１５は、ＸＹθステージ１１
の下方に配置され、可視から近赤外の領域の波長を照射
し、透過画像を形成する。

【００２１】集光用集光レンズ１６は、図示を省略した
光源からの光を、ステージ１１上に載置された半導体４
０上の限定された個所に集光し、基板４０を加熱するよ
うに構成されている。

【００２２】シャッター１７は、加熱の際の光を遮る材
質で構成され、赤外線カメラ１４を保護する役目を持っ
ている。

【００２３】モニタ２１は、赤外線カメラ１４から送ら
れた画像を表示するもので、位置合わせなどの監視に用
いられる。制御系２２は、この装置１００のすべてを制
御する装置で、赤外線カメラ１４からの信号に基づいて
ＸＹθステージ１１を移動制御させる働きをも有するこ
とができる。操作パネル２３は、この装置１００を制御
する指令を入力する手段である。プリアライメントステ
ージ２４は、光デバイス３０が所定の位置に載置される
手段で、光デバイス３０のプリアライメントを行う。

【００２４】基板４０をシリコン（Ｓi）で、光デバイ
ス３０をインジウム−燐（ＩnＰ）で構成され、赤外線
を透過することが可能とされるとともに、基板４０と光
デバイス３０には赤外線によって透過認識可能なパター
ンをそれぞれ２対形成しており、該パターンを用いた赤
外線透過画像認識を可能としている。

【００２５】次に本実施の形態にかかる光デバイス搭載
装置の動作を説明する。まず、プリアライメントステー
ジ２４に光デバイス３０をプリアライメントして載置
し、ステージ１１に位置合わせ用ピン１１１を用いて基
板４０を所定の位置に載置しておく。プリアライメント
ステージ２４に載置されている光デバイス３０を吸着ハ
ンド１２の吸着アーム１３にて吸着し、ステージ１１上
に載置された基板４０の上方に若干の隙間を空けて保持
する。

【００２６】光源１５からの赤外線を基板４０および光
デバイス３０に照射して得られた透過画像は、赤外線カ
メラ１４によって撮影され、モニタ２１に映し出される
とともに、透過画像データは制御系２２に入力される。

【００２７】モニタ２１に映し出された透過画像中の基
板４０および光デバイス３０の２対のパターンから、基
板４０および光デバイス３０の相対的な位置関係を認識
し、位置ズレ量および角度ズレ量を算出する。ＸＹθス
テージ１１に設けられたＸ軸可動部およびＹ軸可動部な
らびにθ可動部を、制御系２２を介して操作パネル２３
によって制御し、光デバイス３０と基板４０の精密な位
置合わせを行う。このステージ１１のＸ、Ｙ、θの移動
による位置合わせは、作業者がモニタを監視しながら操
作パネル２３から指令を入力する手動操作で行うことが
でき、また、得られたパターンを制御系２２が認識して
自動的に行うようにすることもできる。

【００２８】精密位置合わせ後、基板４０と光デバイス
３０の間に設けた若干の隙間を無くし、基板４０と光デ
バイス３０を接触させる。

【００２９】その後、操作パネル２３から加熱の指示を
出すと、シャッター１７が閉じ赤外線カメラ１４を加熱
光線から保護し、赤外線用光源１５を局部加熱装置の照
射用集光レンズ１６と入れ替え、加熱用光を集光して接
合個所を局部加熱し、あらかじめ形成しておいた基板４
０側または光デバイス３０側のはんだ層を溶融し、基板
４０と光デバイス３０を固定する。

【００３０】この局部加熱は、光を集光することによっ
て加熱する部分を光デバイス３０搭載部に集光して、制
限された領域例えば直径０．５〜３mm範囲のみを加熱す
ることができる。また、基板４０の照射・加熱部の回り
には熱を伝えにくいガラス板等の熱伝導の悪い物質を配
置し、それ以外の部分には金属等の熱伝導の良い、熱の
逃げやすい物質を配置しておくことで、局部加熱をより
一層効果的にすることができる。

【００３１】上記の方法では、基板４０と光デバイス３
０の隙間を無くし基板４０と光デバイス３０を接触させ
る際に、位置ずれを生じるおそれが考えられる。このこ
とを考慮し、基板４０と光デバイス３０を接触させた後
に、再度赤外線透過画像を用いて位置ズレ量をチェック
し、位置ずれを生じていた場合には再度、光デバイス３
０を持ち上げ、基板４０と隙間を作った後、位置合わせ
を行うことによって、より信頼性の高い搭載を行うこと
が可能となる。

【００３２】以上説明したように、この実施の形態にか
かる光デバイス搭載装置よれば、基板および部品の製造
時の製造誤差にかかわり無く、また製造誤差をオフセッ
ト量により補正する必要もなく、赤外線透過画像により
高精度に位置合わせを行い、かつ加熱固定の際の位置ズ
レ量を小さくすることができ、基板上に高精度に光デバ
イスを搭載することができるという効果が得られる。

【００３３】上に説明した装置では、監視用光源１５と
加熱用光源１５を別に設け、互いに入れ替えるように構
成したが、加熱用光源をＸＹθステージ１１の下方に位
置させ、赤外線用光源１５として、局部加熱装置の照射
用集光レンズ１６から出る参照光、すなわち照射位置を
明確にするために集光レンズから出る可視光で高温に加
熱するだけのエネルギーを持っていない光を使用するこ
とによって、請求項２に示す半導体素子搭載装置を構成
することができる。この場合は、透過画像用赤外線光源
１５と加熱用集光レンズ１６を入れ替える必要がなくな
り、操作性を向上させることができる。

【００３４】図４を用いて本発明にかかる照射・加熱部
の他の実施の形態を説明する。この実施の形態は、赤外
線カメラ１４と、ステージ１１上の基板４０および光デ
バイス３０との間にハーフミラー１８を設け、局部加熱
装置の照射用集光レンズ１６をステージ１１の側部に配
置した光デバイス搭載装置の例である。この装置を用い
て精密位置合わせを行う際は、赤外線光源１５からの赤
外光をハーフミラー１８を透過して赤外線カメラ１４で
撮影した赤外線透過画像を用いて位置合わせし、加熱の
際は、局部加熱用集光レンズ１６からの赤外光をハーフ
ミラー１８で反射して光デバイス３０の上部から照射し
て局部加熱する。この実施の形態によれば、位置合わせ
時と加熱時とで赤外線光源１５および集光用レンズを入
れ替える必要がなくなり、装置を簡素化することができ
るとともに、赤外線カメラ１４を保護するシャッター１
７およびその駆動装置を省略することができる。

【００３５】図５を用いて本発明の第３の実施の形態を
説明する。この実施の形態にかかる搭載装置は、透過光
用赤外線光源１５をＸＹθステージ１１の下方に設け、
赤外線カメラ１４と光を集光する局部加熱装置の照射用
集光レンズ１６とをＸＹθステージ１１の上方に設ける
とともに、赤外線カメラ１４と照射用集光レンズ１６と
が入れ替わり可能な機構を持つことを特徴とする請求項
４に記載した搭載装置である。精密位置合わせする際
は、赤外線カメラ１４がＸＹθステージ１１の上面にあ
り、加熱する際は、局部加熱装置の照射用集光レンズ１
６がＸＹθステージ１１の上面に配置される。この実施
の形態によれば、赤外線カメラ１４を保護するシャッタ
ー１７およびハーフミラー１８を省略することができ
る。

【００３６】以上説明した実施の形態では半導体素子と
して光デバイスを例に取って説明したが、半導体素子と
しての光デバイスは、レーザーダイオード（ＬＤ）、フ
ォトダイオード（ＰＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等
であって良く、また、その他の半導体素子を対象とする
ことができる。

【００３７】さらに、上記実施の形態では、基板４０が
載置されたＸＹθステージ１１を移動させて半導体素子
と基板との位置合わせを行ったが、Ｘ軸またはＹ軸もし
くはθのいずれか一つまたは二つの移動を、ハンド１２
の移動によって行うようにしてもよい。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、光デバイス（半導体素
子）の実際の搭載位置を透過画像を用いて確認して行う
ようにした本発明によれば、基板や部品（半導体素子）
の形状精度のバラツキに関係なく、また視覚認識カメラ
でとらえた搭載位置間のオフセット量に配慮すること無
く、高精度に位置決めすることができるとともに、光を
集光して局所加熱を行うので、熱に弱い部品をあらかじ
め基板上に搭載しておくことができ、しかも、熱による
基板の熱膨張の影響を非常に微小とすることができるの
で、加熱時に位置合わせがずれるおそれを排除し、高い
精度で半導体素子を搭載をすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体素子搭載装置の構成を示
す概念図。

【図２】図１に記載の半導体素子搭載装置の照射・加熱
部の構造を示す斜視図。

【図３】図２に示した照射・加熱部の断面図。

【図４】本発明にかかる半導体素子搭載装置の他の実施
の形態にかかる照射・加熱部の断面図。

【図５】本発明にかかる半導体素子搭載装置の第３の実
施の形態にかかる照射・加熱部の断面図。

【図６】従来の半導体素子搭載装置の構成を示す概念
図。

【符号の説明】

１１ＸＹステージ１２ハンド１３吸着アーム１４赤外線カメラ１５赤外線用光源１６光ビーム照射用集光レンズ１７シャッター１８ハーフミラー２１モニタ２２制御系２３操作パネル２４プリアライメントステージ３０光デバイス３１ＬＤチップ４０基板５１ヒータ５２チップ吸着アーム５３赤外線顕微鏡５４ＣＣＤカメラ５５画像処理装置１１１位置決めピン１１２開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐々木博康神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者茂木俊行神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者大森昇神奈川県横浜市戸塚区戸塚町393番地日立湘南電子株式会社内 (72)発明者 ▲高▼野英二神奈川県横浜市戸塚区戸塚町393番地日立湘南電子株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１個の赤外線透過可能な半導
体素子を赤外線透過可能な基板上に搭載する半導体素子
搭載装置において、前記基板を載置する基板載置用ステ
ージと、該基板載置用ステージの上下方向のいずれか一
方に設けた赤外線透過画像用光源と、前記基板載置用ス
テージの前記赤外線透過画像用光源が配置された側と反
対側に設けた透過画像認識用カメラと、熱による基板の
膨張を押さえるための局部加熱機構を有することを特徴
とする半導体素子搭載装置。
【請求項２】局部加熱機構が、加熱用光源からの光を
基板または半導体素子に集光する局部加熱用集光レンズ
を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体素
子搭載装置。
【請求項３】赤外線透過画像用光源と局部加熱用集光
レンズが、位置合わせ時と加熱時とで基板載置用ステー
ジの一方の側で入れ替えられる構成としたことを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の半導体素子搭載装
置。
【請求項４】赤外線透過画像用光源として局部加熱機
構の参照光を用いたことを特徴とする請求項１または請
求項２記載の半導体素子搭載装置。
【請求項５】透過画像認識用カメラと被加熱物との間
にシャッターを設けたことを特徴とする請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の半導体素子搭載装置。
【請求項６】少なくとも１個の赤外線透過可能な半導
体素子を赤外線透過可能な基板上に搭載する半導体素子
搭載装置において、前記基板を載置する基板搭載用ステ
ージと、該基板載置用ステージの上下方向のいずれか一
方に設けた赤外線透過画像用光源と、前記基板載置用ス
テージの前記赤外線透過画像用光源が配置された側と反
対側の位置に設けた透過画像認識用カメラと、前記基板
載置用ステージの前記赤外線カメラが配置された側と同
じ側に設けた局部加熱用集光レンズと、前記透過画像認
識用カメラと被加熱物との間および局部加熱用集光レン
ズと被加熱物との間にハーフミラーを設けたことを特徴
とする半導体素子搭載装置。
【請求項７】少なくとも１個の赤外線透過可能な半導
体素子を赤外線透過可能な基板上に搭載する半導体素子
搭載装置において、前記基板を載置する基板搭載用のス
テージと、該基板載置用ステージの上下方向のいずれか
一方に設けた赤外線透過画像用光源と、前記基板載置用
ステージの前記赤外線透過画像用光源が配置された側と
反対側の位置に設けた透過画像認識用カメラと、前記基
板載置用ステージの前記赤外線カメラが配置された側と
同じ側に設けた局部加熱用集光レンズと、前記赤外線カ
メラと前記局部加熱用集光レンズが、位置合わせ時と加
熱時とで基板載置用ステージの一方の側で入れ替えられ
る構成としたことを特徴とする半導体素子搭載装置。
【請求項８】少なくとも１個の赤外線透過可能な半導
体素子を赤外線透過可能な基板上に搭載する半導体素子
搭載方法において、前記基板上に前記半導体素子を位置
決めする工程と前記基板上に前記半導体素子を固定する
工程を有し、赤外線透過画像用光源からの赤外線を前記
半導体素子および前記基板に照射し、前記半導体素子お
よび前記基板の透過画像を透過画像認識用カメラによっ
て撮影し、得られた透過画像を用いて前記半導体素子と
前記基板の位置合わせを行った後、加熱光を集光して前
記半導体素子または前記基板に局部的に照射して前記基
板上に前記半導体素子を固定することを特徴とする半導
体素子搭載方法。