JPS58171783A - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリチップに関するものである。

第１図に磁気パズルメモリチップの構成図の１例を示す
。同図においてｍは情報を貯える複数のマイナループ、
ＲＬは出力情報を転送するリードライン、ＷＬは入力情
報を転送するライトラインである。また、Ｄは磁気バブ
ルを電気信号に変換するバブル検出器、Ｇは情報を書き
込む′磁気パズル発生器、Ｒはマイナループｍの情報を
リードラインＲＬに複写するレプリケートゲート、８は
ライトラインＷＬ上の情報とマイナループ中の情報を入
れ替えるスワップゲートである。

このように磁気バブルメモリチップは多数個のマイナル
ープｍを持ち、チップの全体面積の８０％〜９０％はこ
のマイナループｍで占められている。マイナループｍの
数ノは、６４ｋｂチツプの場合１００〜１５０個あり、
２５６ｋｂチツプでは、２５０〜３００個、１Ｍｂチッ
プでは５５０〜６００個ある。

このような磁気バブルメモリチップを実際に作製し九場
合、無欠陥のチップばかり作製することはできず、多く
のものはチップ内圧幾つかの欠陥を持つ。欠陥はチップ
内でランダムに発生するため、これらの欠陥のほとんど
すべてはマイナル−プロ上に生じる。すなわち作製され
た多くのチップは、欠陥ｄのあるマイナループ（欠陥ル
ープと呼ぶ）を幾つか持つことになる。

この欠陥ループ対策として、マイナループｍの数ノを実
際に使用する必要数すよりあらかじめ余分に８個設けて
置き、一つのチップ内にＦ個までの欠陥ループを許容さ
せる方法が用いられている。

余分に設けるＳ個のマイナループはスペアループと呼ば
れている。スペアループの数３は、普通、１５４ｋｂチ
ツプの場合４〜１０個、２５６ｋｂチツプの場合２０〜
３０個、ＩＭｂチップの場合５０〜６０個用意される。

このように磁気バブルメモリチップは、マイナループに
欠陥ループがあっても、その数が１個まで許容できる構
成になっている。すなわち、欠陥ループ数が１個以内で
あれば、そのチップは合格となり、（８＋１　）個以上
であればそのチップは不合格になる構成になっていた。

ところが、欠陥ループ数が１個以内の合格となるべきチ
ップのあるものは、次のような問題を持つＯ 欠陥ループで誤動作をする場合、この誤動作の種１ｊｉ
Ｉ＃′ｉ欠陥の種類に対応して次の３種類がある。

すなわち書き込んだ磁気バブルが消滅する消滅性欠陥ル
ープ、曹き込んだ磁気バブルが分裂する分裂性欠陥ルー
プ、そして磁気バブルを一個も書き込まなくても磁気バ
ブルを湧き出すニュークリエート性欠陥ループである。

ニュークリエート性欠陥ループは、欠陥部分で磁気バブ
ルがニュークリエーション（新しく発生）されることに
よって起こる。

これら３種類の欠陥ループの中で、ニュークリエート性
欠陥ループがチップ内に１個でも存在すると、この欠陥
ループをスキップしてその使用を禁止しても、長時間の
メモリ動作を行なうと、メモリチップは次のような誤動
作を起こす。すなわち、メモリ動作を続けて行なってい
ると、ニュークリエート性欠陥ループで生まれる磁気バ
ブルの数が増えてゆき、そのうち欠陥ループ内はこの磁
気バブルで充満する。メモリ動作をさらに続けて行なう
と、欠陥から新らしく生まれる磁気バブルは、すでにル
ープ内に充満している磁気バブルと衝突してループの外
へ飛び出す。こうして外へ飛び出した磁気バブルは、そ
のうち正常な別のループへ入る誤動作を起こす。この誤
動作は、チップに書き込んである正しい情報を破壊する
ことになぁ。

したがってニュークリエート性欠陥ループは、チップに
とって致命的な欠陥ループとなる。したかって、欠陥ル
ープ数が許容ループ数［個以内でも、ニュークリエート
性欠陥ループがチップ内に一個でも存在していると、そ
のチップは使用できないことになる。

本発明の目的は、ニュークリエート性欠陥ループがあり
、かつそのチップを長時間動作しても、上記誤動作の起
こらないようにした磁気バブルメモリチップを提供しよ
うとするものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の基本的な考え方は、ニュークリエート性の欠陥
があった場合、この欠陥を含めて、この周辺部に次に述
べる処理を行なうことにょ９、この欠陥を隔離しようと
するものである。すなわち、この処理により、ニューク
リエート性欠陥を閉じ込めようとするものである。欠陥
から新らしく一気バプルが学才れても、その磁気バブル
が、この領域内に封じ込められて、他の領域へ波及しな
いようにしようとするものである。

この封じ込み処理は、レーザスポット光を利用して、欠
陥部にサーマルストレスを加えることにより容易に処理
することができる。

サーマルストレスにより、その部分で磁気バブルの転送
が完全に阻止され、それより先へのバブル転送が不能と
なり、バブル封じ込みができるわけである。

以下、本発明を実施例によシ説明する。

第２図は本発明による実施例を説明する図である。同図
において、ｍはマイナループ、１θｆｉマイナループを
形成する磁気バブル転送要素、ｄはニュークリエート性
欠陥である。Ｔはレーザビームでサーマルストレスを加
えた部分である。これにより、ｄから新らしく生まれだ
磁気バブルは、この領域Ｔの内部に封じ込められ、この
外部へ出ることを完全に防止できた。これにより、これ
ら２つのマイナループは、欠陥ループとなるだけで済み
、致命的な欠陥とはならない。すなわち、このチップは
、正常チップとして使用できる。

以上説明した如く本発明によれば、ニュークリエート性
欠陥が存在しても、それを封じ込めることにより、その
チップを正常チップとして使用することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリチップの構成図の一例を示す
図、第２図は本発明の一実施例を説明する図である。 １０・Ｏ・・磁気バブル転送要素、ｍ・Φ・・マイナル
ープ、ｄφ・φ・ニュークリエート性欠陥、ｒｆ　、書
・・甘−マルストレスを加えた領域。 代理人　弁理士　　薄　１）利　幸 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. チップのニュークリエート性欠陥部に、レーザスポット
   によってサーマルストレスを加えることにより欠陥を封
   じ込めた磁気バブルメモリチップ。