JP4678281B2 - 半導体基板の分断装置 - Google Patents
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図7は、レーザ光を用いたダイシング工程を示す説明図である。図7(A)はレーザ光の照射による改質領域形成工程の説明図であり、図7(B)は分断工程の説明図である。
図7(A)に示すように、レーザ光Lを照射するレーザヘッドHは、レーザ光Lを集光する集光レンズCVを備えており、レーザ光Lを所定の焦点距離で集光させることができる。改質領域形成工程では、レーザ光Lの集光点Pがウェハの半導体基板Wの基板面から深さdの箇所に形成されるように設定したレーザ光照射条件で、半導体基板Wを分断する分断予定ラインDL上に沿って(図中手前方向)レーザヘッドHを移動させ、レーザ光Lを半導体基板Wの基板面から半導体基板W内部へ照射する。これにより、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路には、多光子吸収による改質領域Kが形成される。
ここで、多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板Wの集光点Pおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した層、つまり改質領域Kが形成される。
レーザ光Lがパルス波の場合、レーザ光Lの強度は、集光点Pのピークパワー密度(W/cm2)で決まり、例えばピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上でパルス幅が1μs以下の条件で多光子吸収が発生する。レーザ光Lとしては、例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザによるレーザ光を用いる。そのレーザ光Lの波長は、例えば1064nmの赤外光領域の波長である。
続いて、図7(B)に示すように、半導体基板Wの面内方向(図中矢印F2、F3で示す方向)に応力を負荷することにより、改質領域Kを起点にして、基板厚さ方向にクラックCを進展させて、半導体基板Wを分断予定ラインDLに沿って分断する。
図8は、半導体基板Wの基板面におけるレーザ光Lの反射の説明図である。
図8(A)に示すように、空気と半導体基板Wとは屈折率の差が大きいため、その界面である基板面においてレーザ光Lが反射し、その反射光Rの分だけ改質領域Kを形成するためのレーザ光Lの照射効率が低下するという問題があった。
そこで、図8(B)に示すように、半導体基板Wの基板面にレーザ光Lの反射を防止する反射防止膜Fを形成して反射光Rを少なくする技術が適用されている(特許文献2参照)。
半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿ってレーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板の基板面に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点が合うように前記基板面へレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する半導体基板の分断装置において、
空気より屈折率が大きい液体を前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に供給することにより、前記液体を前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に充填する供給手段を備え、
前記液体が前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に充填された状態で、前記半導体基板の内部に集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、
前記供給手段は、前記半導体基板を前記液体に浸漬する浸漬部材であり、
前記浸漬部材には、比重が異なり、お互いに混合しない異なる種類の液体が貯留されており、比重の小さい方の液体中で前記半導体基板に前記レーザ光の照射を行った後に、前記半導体基板を比重の大きい方の液体中に移動させて浸漬することを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体は水であり、前記比重の大きい方の液体は液状有機化合物であることを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体は比重が1より大きい液状有機化合物であることを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体がアルコールであることを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体が液体窒素であることを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体が液体二酸化炭素であることを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体を前記半導体基板の基板面で流動させる流動手段を備えたことを技術的特徴とする。
請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体に振動を付与する振動手段を備えたことを技術的特徴とする。
請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記半導体基板に加振する加振手段を備えたことを技術的特徴とする。
請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体に気泡を導入し、その導入した気泡を前記半導体基板の基板面に吹き付ける気泡導入手段を備えたことを技術的特徴とする。
請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置を使用した半導体基板の分断方法であって、
前記改質領域が形成された前記半導体基板を、前記前記改質領域を起点にして、前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることを技術的特徴とする。
したがって、半導体基板の基板面に反射防止膜の形成が不要で、半導体基板内部へのレーザ光の入射を抑制することなく、レーザ光の反射を抑制し、レーザ光の照射効率を向上することができる半導体基板の分断装置を実現することができる。
そして、請求項1に記載の発明によれば、比重の小さい方の液体中でレーザ光を照射するときには、レーザ光の反射を抑制し、レーザ光の照射効率を向上させることができる。その後、半導体基板を比重の大きい方の液体中に移動させ、浸漬するため、レーザ光の照射によって基板面に発生した付着物を浮力で除去することができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、比重の小さい液体として水を、比重の大きい液体としては液状有機化合物を用いることができる。
レーザ光の出射部と基板面との間に供給する液体として、請求項3に記載の発明のように比重が1より大きい液状有機化合物を用いると、水よりも比重が大きいため浮力が増大するので、基板面に付着した付着物をより効果的に除去することができる。
レーザ光の出射部と基板面との間に供給する液体として、請求項4に記載の発明のようにアルコールを用いると、浸漬後の乾燥時間を短くすることができる。
レーザ光の出射部と基板面との間に供給する液体として、請求項5または請求項6に記載の発明のように液体窒素または液体二酸化炭素を用いると、超臨界乾燥により表面張力の影響を少なくすることができるので、MEMSなどの可動部を固着させることがない。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第1実施形態について、図を参照して説明する。図1は、この発明の半導体基板の分断装置により分断する半導体基板の構成例を示す模式図である。図1(A)は、ウェハの表面の平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)の1B−1B矢視断面拡大図である。図2は、半導体基板を液体に浸漬してレーザ光の照射を行う分断装置の説明図である。
図1(B)に示すように、半導体基板21には、外周縁部Mの欠けを防止するために、外周に面取り加工が施された面取り部21bが形成されている。
レーザ光Lを照射するレーザヘッド31は、レーザ光Lを集光する集光レンズ32を備えており、レーザ光Lを所定の焦点距離で集光させることができる。ここでは、レーザ光Lの集光点Pが水10の中に浸漬された半導体基板21の基板面21aから深さdの箇所に形成されるように設定されている。集光レンズ32のレーザ光Lの出射面32aは、レーザ光Lを照射するときには、水10に浸漬されている。したがって、レーザ光Lは空気を介さずに水10を介して基板面21aから半導体基板21内部へ照射される。
次に、図1(A)に示す分断予定ラインDLの1つを、ウェハ検出用のレーザ光で走査し、図1(B)に示す外周端部21cを検出し、レーザ光Lの走査範囲を設定する。
続いて、図2に示すように、レーザヘッド31を分断予定ラインDLに沿って走査し(図中矢印F4方向)、レーザ光Lを基板面21aから半導体基板21内部へ照射することにより、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路に、改質領域Kが適正に形成される。
続いて、図7(B)に示した従来技術と同様に、半導体基板21の面内方向に応力を負荷することにより、改質領域Kを起点にして、基板厚さ方向にクラックを進展させて、半導体基板21を分断予定ラインDLに沿って容易に分断することができる。
レーザ光Lが基板面21aに垂直入射した場合の界面における反射率Rは次式で表される。
R={(1−ρ)/(1+ρ)}2 (1)
ρ=n1/n2
n1:基板面21aと接している媒体(空気、水10)の屈折率、
n2:半導体基板21(シリコン)の屈折率
(1)式より、屈折率の差が小さい程、反射率Rは小さくなり、照射効率が向上する。ここで、空気の屈折率は1.0、水の屈折率は1.3、半導体基板21(シリコン)の屈折率は3.4であるから、(1)式より、基板面21aと接している媒体が空気の場合の反射率Rは約0.3、基板面21aと接している媒体が水10の場合の反射率Rは約0.2となる。したがって、レーザ光Lの照射効率は、基板面21aと接している媒体が空気の場合は約0.7、水10の場合は約0.8となる。つまり、水10を用いることにより、レーザ光の照射効率を約10%向上させることができる。
更に、上記同様に集光レンズ32の出射面32aにおけるレーザ光Lの反射も水10を用いる方が抑制されるため、水10を用いることによりレーザ光Lの照射効率を全体として大幅に向上させることができる。
(1)第1実施形態に係る半導体基板21の分断装置1によれば、半導体基板21を水10に浸漬することにより、空気より屈折率が大きい液体である水10を、集光レンズ32の出射面32aと基板面21aとの間に供給して、レーザ光Lを半導体基板21の内部に集光点Pを合わせて基板面21aへ照射することができる。そのため、基板面21aが空気に接している場合に比べて、基板面21aにおけるレーザ光Lの屈折率の差を小さくできるので、基板面21aにおけるレーザ光Lの反射を抑制することができ、レーザ光Lの照射効率を向上することができる。
したがって、半導体基板21の基板面21aに反射防止膜の形成が不要で、半導体基板21内部へのレーザ光Lの入射を抑制することなく、レーザ光Lの反射を抑制し、照射効率を向上することができる半導体基板21の分断装置1を実現することができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第2実施形態について、図を参照して説明する。図3は、レーザ光の照射を行うときに、水10を浸漬槽11内で流動させる構成の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
また、水10を循環させて、フィルターなどにより付着物22を除去した清浄な水10を供給してもよい。この場合、常に付着物22の混入がない清浄な水10が供給されるため、基板面21aを更に清浄にすることができる。
水10が半導体基板21の基板面21aで流動するので、水10の流動の物理的作用により、レーザ光Lの照射を妨げる分断予定ラインDL上の付着物22を基板面21aから除去できる。そのため、レーザ光Lの照射を妨げる付着物22を除去できるので、レーザ光Lの照射効率を向上させることができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第3実施形態について、図を参照して説明する。図4は、レーザ光の照射を行うときに、水10、または、半導体基板21に振動を付与する構成の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
加振器51で浸漬部材11内の水10に振動を付与することにより、または、加振機構52で半導体基板21が加振されることにより、基板面21aと水10との間にせん断力が作用するため、付着物22を効率よく除去することができる。そのため、レーザ光Lの照射を妨げる付着物22を除去できるので、レーザ光Lの照射効率を向上させることができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第4実施形態について、図を参照して説明する。図5は、レーザ光の照射を行うときに、水10に気泡を導入し、半導体基板21の基板面21aに吹き付ける構成の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
気泡62を基板面21aに吹き付けるため、基板面21aに付着している付着物22を気泡62の勢いにより剥離させ、気泡62の浮力により除去することができる。そのため、レーザ光Lの照射を妨げる付着物22を除去できるので、レーザ光Lの照射効率を向上させることができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第5実施形態について、図を参照して説明する。図6は、半導体基板21を、浸漬槽11内に貯留された、比重が異なりお互いに混合しない複数の液体に浸漬する構成の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
上層の水10中では、レーザ光Lを照射し、半導体基板21内部に改質領域Kを形成する。その後、ステージ12を下降させて半導体基板21を液状有機化合物70中に浸漬させると、液状有機化合物70は水10より比重が大きいため浮力が増大するので、レーザ光Lの照射によって発生した付着物23を浮力で除去することができる
ここで、液状有機化合物70として、比重が1以上で水と混合しない、炭化水素系化合物、ハロゲン化炭化水素系化合物、アルコール系化合物、グリコール系化合物、エーテル系化合物、エステル系化合物、ケトン系化合物、硫黄化炭化水素系化合物及び窒化炭化水素系化合物などを用いることができる。
水10中でレーザ光Lを照射するときには、レーザ光Lの反射を抑制し、レーザ光Lの照射効率を向上させることができる。その後、半導体基板21を液状有機化合物70中に移動させ、浸漬するため、レーザ光Lの照射によって基板面21aに発生した付着物22を浮力で除去することができる。
(1)浸漬槽11に供給する液体として、アルコールを用いることができる。この構成を使用した場合、浸漬後の乾燥時間を短くすることができるとともに、前述した第1〜4実施形態の効果を奏することができる。
この構成を使用した場合、水10よりも比重が大きいため浮力が増大するので、基板面21aに付着した付着物22をより効果的に除去することができるとともに、前述した第1〜4実施形態の効果を奏することができる。
なお、浸漬槽11に供給する液体は、例えば、高屈折率水のように屈折率が空気よりも大きく、レーザ光Lを透過する液体であれば、上述したものに限定されるものではない。
この構成を使用した場合にも、前述した第1〜4実施形態の効果を奏することができる。
半導体基板21は液体に浸漬されているが、集光レンズ32は、液体に浸漬しない状態で、液面の上方に配置し、レーザ光Lを照射する。この構成を使用した場合には、使用する液体の量を少なくすることができ、廃液処理やコスト面で有利である。また、レーザヘッド31及び集光レンズ32を液体に浸漬しないため、レーザヘッド31の構成部材の耐食性や気密性が要求されないため、簡単な構造にできる。
出射面32aが請求項1に記載の出射部に、浸漬槽11が請求項3に記載の浸漬部材に、流動装置41が請求項4に記載の流動手段に、加振器51が請求項5に記載の振動手段に、加振機構52が請求項6に記載の加振手段に、バブラー61が請求項7に記載の気泡導入手段に、チップDevが請求項15に記載の半導体チップにそれぞれ対応する。
10 水
11 浸漬槽(浸漬部材)
12 ステージ
20a ウェハ
21 半導体基板
21a 基板面
22 付着物
23 付着物
31 レーザヘッド
32 集光レンズ
32a 出射面(出射部)
41 流動装置(流動手段)
51 加振器(振動手段)
52 加振機構(加振手段)
61 バブラー(気泡導入手段)
70 液状有機化合物
CV 集光レンズ
Dev チップ(半導体チップ)
DL 分断予定ライン
K 改質領域
L レーザ光
P 集光点
W ウェハ
Claims (11)
- 半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿ってレーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板の基板面に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点が合うように前記基板面へレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する半導体基板の分断装置において、
空気より屈折率が大きい液体を前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に供給することにより、前記液体を前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に充填する供給手段を備え、
前記液体が前記レーザ光の出射部と前記基板面との間に充填された状態で、前記半導体基板の内部に集光点を合わせて前記レーザ光を照射し、
前記供給手段は、前記半導体基板を前記液体に浸漬する浸漬部材であり、
前記浸漬部材には、比重が異なり、お互いに混合しない異なる種類の液体が貯留されており、比重の小さい方の液体中で前記半導体基板に前記レーザ光の照射を行った後に、前記半導体基板を比重の大きい方の液体中に移動させて浸漬することを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体は水であり、前記比重の大きい方の液体は液状有機化合物であることを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体は比重が1より大きい液状有機化合物であることを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体がアルコールであることを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体が液体窒素であることを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体が液体二酸化炭素であることを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体を前記半導体基板の基板面で流動させる流動手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体に振動を付与する振動手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記半導体基板に加振する加振手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記比重の小さい方の液体に気泡を導入し、その導入した気泡を前記半導体基板の基板面に吹き付ける気泡導入手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置を使用した半導体基板の分断方法であって、
前記改質領域が形成された前記半導体基板を、前記前記改質領域を起点にして、前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることを特徴とする半導体基板の分断方法。
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CN108333651A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-27 | 上海理工大学 | 一种微透镜阵列的制造方法 |
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