JP4985291B2 - ウェハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明はウェハの加工方法に係り、詳しくは、ウェハを複数個のチップに切断分離する際の加工方法に関するものである。

従来より、レーザ光を用いてウェハ状の加工対象物を個々のチップに切断分離（分断）するダイシング（レーザダイシング）技術の開発が進められている。
例えば、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域（クラック領域を含む改質領域、溶融処理領域を含む改質領域、屈折率が変化した領域を含む改質領域）を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、その領域を起点とした割断によって加工対象物を切断する技術が提案されている（特許文献１参照）。

また、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせて前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、かつ、前記加工対象物に照射されるレーザ光の前記加工対象物への入射方向におけるレーザ光の集光点の位置を変えることにより、前記改質領域を前記入射方向に沿って並ぶように複数形成する技術が提案されている（特許文献２参照）。

この特許文献２の技術によれば、改質領域を入射方向に沿って並ぶように複数形成しているため、加工対象物を切断する際に起点となる箇所が増すことから、加工対象物の厚みが大きい場合でも切断が可能になるとしている。

また、基板を含む平板状の加工対象物の一方の面に伸張性のフィルムを装着し、前記加工対象物の他方の面をレーザ光入射面として前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域（溶融処理領域）を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点として前記加工対象物を複数の部分に、互いに間隔があくように切断する技術が開示されている（特許文献３参照）。

この特許文献３の技術によれば、基板の内部に切断起点領域を形成した後にフィルムを伸張させるため、切断起点領域に引張応力を好適に印加することが可能になり、切断起点領域を起点として基板を比較的小さな力で精度良く割って切断できるとしている。
特許第３４０８８０５号公報（第２〜１６頁 図１〜図３２） 特開２００２−２０５１８０号公報（第２〜９頁 図１〜図２２） 特開２００５−１００１号公報（第１〜１５頁 図１〜図２７）

近年、特許文献１〜３に開示されているようなレーザダイシング技術を用い、半導体基板を作成するためのウェハ（半導体ウェハ）の内部に改質領域（改質層）を形成し、その改質領域を切断の起点とした割断により、ウェハを個々のチップ（半導体チップ）に切断分離する試みがなされている。

この技術では、改質領域を切断の起点とした割断時や割断後に、切断面（割断面）からウェハの形成材料の微小片（パーティクル）が剥離し、その微小片の塵埃による発塵が起こるおそれがある。
ウェハの微小片がチップ上に形成された半導体装置に付着すると、半導体装置の動作不良を招くことから、ウェハから切断分離されたチップの歩留まりや品質が低下するという技術的課題がある。

例えば、半導体装置としてモノリシックＩＣ（Integrated Circuit）が形成されている場合には、回路を構成する半導体素子や配線にウェハの微小片が付着すると、その微小片が回路の短絡故障を招くおそれがある。
また、半導体装置としてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用して作製された各種センサ素子（圧電素子や静電容量素子から成る圧力センサ，加速度センサ，超音波センサなど）やマイクロマシンが形成されている場合には、センサ素子やマイクロマシンを構成する可動部材にウェハの微小片が付着すると、その微小片により可動部材の動きが妨げられるため、センサ素子やマイクロマシンの性能低下を招くおそれがある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、ウェハを複数個のチップに切断分離するとき、当該チップの切断面からウェハの形成材料の微小片が剥離するのを防止可能なウェハの加工方法を提供する。

［課題を解決するための手段］および［発明の効果］に記載する（ ）内の符号等は、［発明を実施するための最良の形態］に記載する構成部材・構成要素の符号等に対応したものである。

請求項１に記載の発明は、
ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離するとき、または、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離した後に、当該チップ（１２）の切断面（１２ａ）である外周側壁面に対し、ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって固着保持させるウェハ（１０）の加工方法であって、
前記ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離し、各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を設ける第１工程と、
前記ウェハ（１０）の外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液（１９）を塗布し、前記各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）を浸入させ、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）に浸漬させる第２工程と、
前記発塵防止液（１９）を蒸発させ、前記ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対して固着保持させる第３工程と
を備えたことを技術的特徴とする。

請求項２に記載の発明は、
ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離するとき、または、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離した後に、当該チップ（１２）の切断面（１２ａ）である外周側壁面に対し、ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって固着保持させるウェハ（１０）の加工方法であって、
前記ウェハ（１０）の外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液（１９）を塗布する第１工程と、
前記ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離し、各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を形成する際に、その空隙（Ｚ）に前記発塵防止液（１９）を浸入させ、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を前記発塵防止液（１９）に浸漬させる第２工程と、
前記発塵防止液（１９）を蒸発させ、前記ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対して固着保持させる第３工程と
を備えたことを技術的特徴とする。

請求項３に記載の発明は、
請求項１または請求項２に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記発塵防止液（１９）は、水、界面活性剤、溶剤からなるグループから選択されたいずれか１つを含むことを技術的特徴とする。

請求項４に記載の発明は、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記第２工程では、
前記ウェハ（１０）の裏面（１０ａ）に貼着されたダイシングフィルム（１１）と、そのダイシングフィルム（１１）は伸長性および通気性を有することと、
前記ウェハ（１０）が載置されるエキスパンド装置のステージ（ＳＧ）と、そのステージ（ＳＧ）は通気性を有することとを備え、
前記ダイシングフィルム（１１）を伸張させて前記各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を形成し、前記ステージ（ＳＧ）の下側から前記ダイシングフィルム（１１）を介して、前記各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に対して下方向（矢印γ方向）から吸引力を印加することを技術的特徴とする。

請求項５に記載の発明は、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記第２工程では、前記ウェハ（１０）を様々な方向に傾けて高低差を生じさせ、前記ウェハ（１０）の高い箇所から低い箇所へ前記発塵防止液（１９）を垂れ落ちさせることにより、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に前記発塵防止液（１９）を行き渡らせることを技術的特徴とする。

請求項６に記載の発明は、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
前記第２工程では、前記ウェハ（１０）を傾け、前記ウェハ（１０）の高い箇所から低い箇所へ前記発塵防止液（１９）を流下させることにより、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）を行き渡らせ、その後に前記発塵防止液（１９）を排出することにより、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）で洗い流すことを技術的特徴とする。

請求項７に記載の発明は、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記第２工程では、前記ウェハ（１０）に塗布された前記発塵防止液（１９）を吸引することにより、前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）を行き渡らせることを技術的特徴とする。

請求項８に記載の発明は、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）と、前記各チップ（１２）の上面に形成されている素子形成領域（１０ｃ）との間に段差（１２ｂ）が形成されていることを技術的特徴とする。

請求項９に記載の発明は、
請求項１〜８のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記各チップ（１２）の切断面（１２ａ）と、前記各チップ（１２）の上面に形成されている素子形成領域（１０ｃ）との間に溝状の凹部（１２ｃ）が形成されていることを技術的特徴とする。

請求項１０に記載の発明は、
請求項１〜９のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記ウェハ（１０）の内部へ集光点（Ｐ）を合わせてレーザ光（Ｌ）（Ｌ）を照射することにより、前記ウェハ（１０）の切断予定ラインに沿って前記ウェハ（１０）の内部に、多光子吸収による少なくとも１層の改質領域（Ｒ：Ｇａ〜Ｇｃ）を形成し、その改質領域（Ｒ：Ｇａ〜Ｇｃ）を切断の起点とした割断により、前記ウェハ（１０）を切断予定ラインに沿って前記各チップ（１２）に切断分離することを技術的特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のウェハ（１０）の加工方法において、
前記ウェハ（１０）は半導体ウェハであることを技術的特徴とする。

＜請求項１：第１実施形態の第３変形例に該当＞
請求項１によれば、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離するとき、または、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離した後に、当該チップ（１２）の切断面（１２ａ）である外周側壁面に対し、ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって固着保持させるため、切断分離時または切断分離後に、チップの切断面からウェハの形成材料の微小片が剥離するのを防止できる。

請求項１では、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離し、各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を設ける第１工程と、ウェハ（１０）の外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液（１９）を塗布し、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）を浸入させ、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）に浸漬させる第２工程と、発塵防止液（１９）を蒸発させ、ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対して固着保持させる第３工程とを備える。

請求項１の第２工程では、毛細管現象により各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）が浸入し、空隙（Ｚ）が発塵防止液（１９）によって満たされるため、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体が発塵防止液（１９）に浸漬される。

このとき、ウェハ（１０）の表面（１０ｂ）を避け、ウェハ（１０）の外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液（１９）を塗布しているため、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液（１９）が付着するのを防止できる。
そのため、素子形成領域（１０ｃ）に可動部材（１６）などの半導体装置を形成した場合に、その半導体装置に発塵防止液（１９）が付着することがなく、発塵防止液が半導体装置に悪影響を及ぼすのを防止できる。

すなわち、可動部材（１６）に発塵防止液（１９）が付着すると、可動部材の動作不良（スティッキング不良）を引き起こすおそれがあるが、請求項１によれば、そのような動作不良を防止できる。
また、半導体装置としてモノリシックＩＣが形成されている場合には、モノリシックＩＣを構成する半導体素子や配線に発塵防止液（１９）が付着すると、発塵防止液により半導体素子や配線が侵されて動作不良を招くおそれがあるが、請求項１によれば、そのような動作不良を防止できる。

そして、毛細管現象により各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）を浸入させる際には、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対する発塵防止液（１９）の濡れ性と、発塵防止液（１９）の液量とを共に最適化することにより、各チップの切断面全体を発塵防止液に確実に浸漬させた上で、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液が付着するのを防止できる。

すなわち、発塵防止液（１９）の濡れ性が高すぎると、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に付着した発塵防止液が表面張力により各チップの上面にまで這い上がって不要に拡散し、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液が付着するおそれがある。
反対に、発塵防止液（１９）の濡れ性が低すぎると、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液が十分に付着しないおそれがある。

また、発塵防止液（１９）の液量が多すぎると、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）から溢れ出した発塵防止液が各チップの上面にまで不要に拡散し、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液が付着するおそれがある。
反対に、発塵防止液（１９）の液量が少なすぎると、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液が十分に付着しないおそれがある。

尚、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）の間隔は、発塵防止液（１９）の毛細管現象による空隙（Ｚ）への浸入が確実に起こるように、カット・アンド・トライで実験的に最適な間隔に設定すればよい。

請求項１の第３工程では、発塵防止液（１９）が蒸発すると、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に発塵防止液が残ることはない。しかし、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）から剥離しかかっているウェハ（１０）の形成材料の微小片は、発塵防止液（１９）による分子間力（イオン結合、共有結合、双極子結合、ファンデルワールス結合）および静電気力によって各チップの切断面に固着保持されるため、その微小片が各チップの切断面全体から剥離するのを確実に防止できる。

＜請求項２：第３実施形態の第３変形例に該当＞
請求項２では、ウェハ（１０）の外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液（１９）を塗布する第１工程と、ウェハ（１０）を複数個のチップ（１２）に切断分離し、各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を形成する際に、その空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）を浸入させ、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）に浸漬させる第２工程と、発塵防止液（１９）を蒸発させ、ウェハ（１０）の形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対して固着保持させる第３工程とを備える。

請求項２の第２工程では、各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）が形成されると、毛細管現象により空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）が浸入し、空隙（Ｚ）が発塵防止液（１９）によって満たされるため、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体が発塵防止液（１９）に浸漬される。
請求項２の第３工程の作用・効果は、請求項１の第３工程の前記作用・効果と同じである。

ところで、請求項１では、ウェハ（１０）を各チップ（１２）に切断分離するときに、ウェハ（１０）の形成材料の微小片が剥離するものの、切断分離後には当該微小片の剥離を防止できる。
それに対して、請求項２では、ウェハ（１０）を各チップ（１２）に切断分離するときに各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体が発塵防止液（１９）に浸漬されるため、切断分離後だけでなく、切断分離時にもウェハの形成材料の微小片が剥離するのを防止可能なことから、請求項１よりも更に効果的である。

＜請求項３＞
請求項１または請求項２では、請求項３のように、発塵防止液（１９）として、水、界面活性剤、溶剤からなるグループから選択されたいずれか１つを含むものが使用できる。
ここで、発塵防止液（１９）として水を用いる場合には、分子間力として特に水素の共有結合（水素結合）が強く働く。

ところで、発塵防止液（１９）として水を用い、ウェハ（１０）の形成材料としてシリコンを用いる場合、シリコンは撥水性を有するため、毛細管現象により各チップ（１２）の空隙（Ｚ）に水が浸入するのが撥水性によって阻害されるおそれがある。
そこで、この場合には、水に界面活性剤を添加することにより、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対する発塵防止液（１９）の濡れ性を高め、ウェハ（１０）の撥水性に抗して毛細管現象により各チップ（１２）の空隙（Ｚ）に発塵防止液（１９）が浸入するのを促進させることが可能になり、各チップの切断面全体を確実に発塵防止液に浸漬させることができる。

また、ウェハ（１０）の裏面（１０ａ）にダイシングフィルム（１１）が貼着され、ダイシングフィルム（１１）の接着層または粘着層（１１ｂ）を形成する接着材料（粘着材料）を溶かさない性質の溶剤を発塵防止液（１９）として用いる場合には、溶剤が蒸発すると、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に溶剤が残ることはないため、請求項１または請求項２の前記作用・効果が得られる。

そして、ダイシングフィルム（１１）の接着層または粘着層（１１ｂ）を形成する接着材料（粘着材料）を溶かす性質の溶剤を発塵防止液（１９）として用いる場合、溶剤が蒸発すると、接着層または粘着層（１１ｂ）の接着材料（粘着材料）が各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に付着し、その接着材料（粘着材料）から成る薄い被覆膜（２０）によって各チップ１２の切断面（１２ａ）全体が被覆される。そのため、請求項１または請求項２の前記作用・効果に加え、被覆膜２０によって各チップ１２の切断面（１２ａ）全体が被覆されることから、更に効果的になる。
尚、発塵防止液（１９）として用いる溶剤には、前記作用・効果が得られるならば、どのような材料を用いてもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。

＜請求項４：第２実施形態に該当＞
請求項４では、請求項１〜３の第２工程にて、ダイシングフィルム（１１）を伸張させて各チップ（１２）間に空隙（Ｚ）を形成し、ステージ（ＳＧ）の下側からダイシングフィルム（１１）を介して、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に対して下方向（矢印γ方向）から吸引力を印加する。
すると、ダイシングフィルム（１１）を介して発塵防止液（１９）に対しても吸引力が印加され、その吸引力と毛細管現象の相乗効果により、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）が効率的に行き渡る。

そして、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体が発塵防止液（１９）に浸された後も、各チップの切断面に対して下方向から吸引力を印加することにより、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に浸入させた発塵防止液をダイシングフィルム（１１）を介して排出する。
このとき、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に浸入させた発塵防止液（１９）には、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）から剥離したウェハ（１０）の形成材料の微小片が浮遊しているため、発塵防止液と共に微小片も排出され、一旦剥離した微小片が各チップの切断面に付着するのを防止できる。

その後、発塵防止液（１９）を蒸発させる際にも、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対して下方向から吸引力を印加することにより、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に空気の流れが生じるため、発塵防止液の蒸発が促進される。

従って、請求項４によれば、請求項１〜３の前記作用・効果を更に高めることができる。
尚、前記吸引力は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適値を求めて設定すればよい。

＜請求項５：第１実施形態または第３実施形態の第２変形例の［ｂ］に該当＞
請求項５によれば、請求項１〜４の第２工程にて、ウェハ（１０）を様々な方向に傾けて高低差を生じさせ、ウェハ（１０）の高い箇所から低い箇所へ発塵防止液（１９）を垂れ落ちさせることにより、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）を効率的に行き渡らせることができる。

＜請求項６：第１実施形態または第３実施形態の第２変形例の［ｃ］に該当＞
請求項６によれば、請求項１〜４の第２工程にて、ウェハ（１０）を傾け、ウェハ（１０）の高い箇所から低い箇所へ発塵防止液（１９）を流下させることにより、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）を効率的に行き渡らせることができる。その後に、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に行き渡らせた発塵防止液（１９）を排出することにより、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）で洗い流す。

このとき、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に浸入させた発塵防止液（１９）には、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）から剥離したウェハ（１０）の形成材料の微小片が浮遊している。そのため、十分な液量の発塵防止液（１９）を流下させると共に、ウェハ（１０）の低い箇所に流下した発塵防止液を排出し、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体を発塵防止液（１９）で洗い流すことにより、発塵防止液と共に微小片を流し出すことが可能になり、一旦剥離した微小片が各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に付着するのを防止できる。

＜請求項７：第１実施形態または第３実施形態の第２変形例の［ｄ］に該当＞
請求項７によれば、請求項１〜６の第２工程にて、ウェハ（１０）に塗布された発塵防止液（１９）を吸引することにより、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体に発塵防止液（１９）を効率的に行き渡らせることができる。
このとき、各チップ（１２）間の空隙（Ｚ）に浸入させた発塵防止液（１９）には、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）から剥離したウェハ（１０）の形成材料の微小片が浮遊しているため、発塵防止液と共に微小片も吸引され、一旦剥離した微小片が各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に付着するのを防止できる。

＜請求項８：第４実施形態に該当＞
請求項８では、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）と、各チップ（１２）の上面に形成されている素子形成領域（１０ｃ）との間に段差（１２ｂ）が形成されている。
そのため、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）が発塵防止液（１９）に浸漬される際に、各チップの切断面に付着した発塵防止液が表面張力により各チップの上面に向けて這い上がったとしても、その這い上がった発塵防止液は各チップの段差（１２ｂ）によって留められる。

従って、請求項８において、各チップ（１２）の段差（１２ｂ）の寸法形状を、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対する発塵防止液（１９）の濡れ性に合わせて適宜設定しておけば、発塵防止液を各チップの段差によって確実に留め、発塵防止液がそれ以上に這い上がるのを阻止することが可能になるため、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液が付着するのを防止できる。

＜請求項９：第５実施形態または第６実施形態に該当＞
請求項９では、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）と、各チップ（１２）の上面に形成されている素子形成領域（１０ｃ）との間に溝状の凹部（１２ｃ）が形成されている。
そのため、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）が発塵防止液（１９）に浸漬される際に、各チップの切断面に付着した発塵防止液が表面張力により各チップの上面に向けて這い上がったとしても、その這い上がった発塵防止液は各チップの凹部（１２ｃ）に流れ込んで留められる。

従って、請求項９において、各チップ（１２）の凹部（１２ｃ）の寸法形状を、各チップ（１２）の切断面（１２ａ）に対する発塵防止液（１９）の濡れ性に合わせて適宜設定しておけば、発塵防止液を各チップの凹部に収容して確実に留め、発塵防止液が各チップの上面に不要に拡がるのを阻止することが可能になるため、ウェハ（１０）の素子形成領域（１０ｃ）に発塵防止液が付着するのを防止できる。

＜請求項１０＞
レーザダイシング技術によってウェハ（１０）から切断分離された各チップ（１２）の切断面（１２ａ）には、改質領域（Ｒ：Ｇａ〜Ｇｃ）が露出しているが、改質領域はウェハが溶融後に再固化したものであるため極めて脆く崩れ易くなっていることから、当該切断面のうちでも特に改質領域からウェハの形成材料の微小片が剥離するおそれがある。
請求項１０によれば、請求項１〜９の前記作用・効果により、改質領域（Ｒ：Ｇａ〜Ｇｃ）を含めた各チップ（１２）の切断面（１２ａ）全体からウェハ（１０）の形成材料の微小片が剥離するのを確実に防止できる。

＜請求項１１＞
請求項１１によれば、半導体ウェハ（１０）から切断分離された半導体チップ（１２）について、そのチップの切断面（１２ａ）からウェハの形成材料の微小片が剥離するのを防止できる。そのため、半導体ウェハ（１０）の微小片が当該ウェハ（チップ）の表面における素子形成領域（１０ｃ）に形成された半導体装置に付着するのを防止可能になり、半導体チップ（１２）の歩留まりや品質を向上させることができる。
例えば、半導体装置としてＭＥＭＳ技術を利用して作製された各種センサ素子（圧電素子や静電容量素子から成る圧力センサ，加速度センサ，超音波センサなど）やマイクロマシンが形成されている場合には、センサ素子やマイクロマシンを構成する可動部材（１６）にウェハ（１０）の微小片が付着すると、その微小片により可動部材の動きが妨げられるため、センサ素子やマイクロマシンの性能低下を招くおそれがあるが、請求項１１の発明によれば、そのような性能低下を防止できる。
また、半導体装置としてモノリシックＩＣが形成されている場合には、回路を構成する半導体素子や配線にウェハの微小片が付着すると、その微小片が回路の短絡故障を招くおそれがあるが、請求項１１の発明によれば、そのような故障を防止できる。

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略してある。

＜第１実施形態＞
図１および図２は、第１実施形態においてウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、図１（Ａ）はウェハ１０の一部平面図を表し、図１（Ｂ）および図２はウェハ１０の一部縦断面を模式的に表したものである。
尚、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＸ−Ｘ線断面図である。
また、図２は、図１（Ａ）に示す切断予定ラインＫに相当するＹ−Ｙ線断面図である。

単結晶シリコンなどから成る半導体ウェハ１０の裏面１０ａには、ダイシングフィルム（ダイシングシート、ダイシングテープ、エキスパンドテープ）１１が貼着されている。
ダイシングフィルム１１は、基材１１ａおよび接着層（粘着層）１１ｂから形成されており、ウェハ１０の裏面１０ａ側全面に対して接着層１１ｂによって接着されている。
基材１１ａは、加熱により伸張するか又は伸張方向に力を加えることにより伸張する伸張性を有したプラスチック製フィルムによって形成されている。
接着層（粘着層）１１ｂは、基材１１ａの表面側全面に塗布された接着材料または粘着材料によって形成されている。

ウェハ１０の表面１０ｂには、半導体装置（図示略）が形成された素子形成領域１０ｃが設けられている。尚、半導体装置としては、例えば、モノリシックＩＣ、各種半導体素子、ＭＥＭＳ技術を利用して作製された各種センサ素子やマイクロマシンなどがある。

レーザ加工装置（図示略）は、レーザ光Ｌを出射するレーザ光源（図示略）と、集光レンズＣＶとを備えており、レーザ光Ｌの光軸ＯＡをウェハ１０の表面１０ｂに対して垂直にした状態で、レーザ光Ｌを集光レンズＣＶを介してウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂへ照射させ、ウェハ１０の内部における所定位置にレーザ光Ｌを集光させた集光点（焦点）Ｐを合わせる。その結果、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所に改質領域（改質層）Ｒが形成される。
尚、レーザ光Ｌには、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザで１０６４ｎｍの赤外光領域の波長のレーザ光を用いればよい。

ここで、改質領域Ｒは、レーザ光Ｌの照射によって発生した主に多光子吸収による溶融処理領域を含むものである。
すなわち、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所は、レーザ光Ｌの多光子吸収によって局所的に加熱され、その加熱により一旦溶融した後に再固化する。このように、ウェハ１０の内部にて溶融後に再固化した領域が改質領域Ｒとなる。
つまり、溶融処理領域とは、相変化した領域や結晶構造が変化した領域である。言い換えれば、溶融処理領域とは、ウェハ１０の内部にて、単結晶シリコンが非晶質シリコンに変化した領域、単結晶シリコンが多結晶シリコンに変化した領域、単結晶シリコンが非晶質シリコンおよび多結晶シリコンを含む構造に変化した領域のいずれかの領域である。尚、ウェハ１０は、バルクシリコンウェハであるため、溶融処理領域は主に多結晶シリコンから成る。

ちなみに、溶融処理領域は、レーザ光Ｌがウェハ１０の内部で吸収されること（つまり、通常のレーザ光による加熱）によって形成されたものではなく、主に多光子吸収によって形成される。
そのため、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの箇所以外にはレーザ光Ｌがほとんど吸収されず、ウェハ１０の表面１０ｂが溶融したり変質することはない。

そして、レーザ加工装置は、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を一定にした状態で、レーザ光Ｌをパルス状に照射しながら走査することにより、ウェハ１０における直線状の切断予定ライン（割断線）Ｋに沿って、図示矢印α方向に集光点Ｐを移動させる。

ところで、レーザ加工装置がレーザ光Ｌを走査するのではなく、レーザ加工装置によるレーザ光Ｌの照射位置を一定にした状態で、ウェハ１０が載置保持された載置台（図示略）をレーザ光Ｌの照射方向（ウェハ１０の表面１０ｂに対するレーザ光Ｌの入射方向）と直交する方向に移動させてもよい。
すなわち、レーザ光Ｌの走査またはウェハ１０の移動により、ウェハ１０の切断予定ラインＫに沿いながら、ウェハ１０に対して集光点Ｐを相対的に移動させればよい。

このように、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を一定にした状態で、レーザ光Ｌをパルス状に照射しながら、ウェハ１０に対して集光点Ｐを相対的に移動させることにより、ウェハ１０の表面１０ｂから一定深さ位置にて（つまり、レーザ光Ｌの入射面から一定距離内側の位置にて）、ウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに対して水平方向に一定の間隔をあけた複数個の改質領域Ｒから成る各層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃが形成されてゆく。
尚、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さは、ウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂから集光点Ｐまでの距離である。

そして、レーザ加工装置は、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を段階的に変えることにより、ウェハ１０の切断予定ラインＫに沿うと共に、ウェハ１０の表面１０ｂから深さ方向（ウェハ１０の厚さ方向、ウェハ１０の断面方向、ウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに対して垂直方向）に離間または隣接または重複して配置された複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを順次形成する。

言い換えれば、ウェハ１０に照射されるレーザ光Ｌのウェハ１０への入射方向（ウェハ１０の深さ方向）におけるレーザ光Ｌの集光点Ｐの位置（深さ位置）を複数段階に変えることにより、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを構成する改質領域Ｒを前記入射方向に沿って離間または隣接または重複させた状態で並ぶように複数形成する。

例えば、まず、集光点Ｐの深さ位置をウェハ１０の裏面１０ａ近傍に設定した状態で集光点Ｐを相対的に移動させることにより１層目（最下層）の改質領域群Ｇａを形成し、次に、集光点Ｐの深さ位置をウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ｂの略中間に設定した状態で集光点Ｐを相対的に移動させることにより２層目（中間層）の改質領域群Ｇｂを形成し、続いて、集光点Ｐの深さ位置をウェハ１０の表面１０ｂ近傍に設定した状態で集光点Ｐを相対的に移動させることにより３層目（最上層）の改質領域群Ｇｃを形成する。
ところで、図１および図２に示す例では、３層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを設けているが、改質領域群の層数についてはウェハ１０の板厚に応じて適宜設定すればよく、２層以下または４層以上の改質領域群を設けるようにしてもよい。

ここで、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃは、レーザ光Ｌが入射するウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂに対して遠い方から順番に（前記のように、Ｇａ→Ｇｂ→Ｇｃの順番で）形成することが好ましい。
例えば、レーザ光Ｌが入射するウェハ１０の表面１０ｂに対して近い位置の改質領域群Ｇｃを先に形成し、その後にレーザ光Ｌが入射するウェハ１０の表面１０ｂに対して遠い位置の改質領域群Ｇａを形成した場合には、改質領域群Ｇａの形成時に照射されたレーザ光Ｌが先に形成された改質領域群Ｇｃによって散乱されるため、改質領域群Ｇａを構成する各改質領域Ｒの寸法にバラツキが生じ、改質領域群Ｇａを均一に形成することができない。

しかし、レーザ光Ｌが入射するウェハ１０の表面（レーザ光Ｌの入射面）１０ｂに対して遠い方から順番に改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを形成すれば、当該入射面１０ｂと集光点Ｐとの間に改質領域Ｒがない状態で新たな改質領域Ｒを形成可能なため、既に形成されている改質領域Ｒによってレーザ光Ｌが散乱されず、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃをそれぞれ均一に形成することができる。

尚、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを、レーザ光Ｌが入射するウェハ１０の表面１０ｂに対して近い方から順番に（Ｇｃ→Ｇｂ→Ｇａの順番で）形成したり、順番をランダムに設定して形成しても、ある程度均一な改質領域群を得られる場合があるため、改質領域群を形成する順番については、実際に形成される改質領域群を実験的に確かめて適宜設定すればよい。

ところで、ウェハ１０の内部における集光点Ｐの深さ位置を変えて複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを形成するには、以下の方法がある。
［ア］レーザ光Ｌを出射するレーザ光源と集光レンズＣＶから構成されたヘッド（レーザヘッド）を、ウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに対して垂直方向に上下動させる方法。
［イ］ウェハ１０が載置保持された載置台を、ウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに対して垂直方向に上下動させる方法。
［ウ］前記［ア］［イ］を組み合わせ、ヘッドおよび載置台の両方を相互に逆方向に上下動させる方法。この方法によれば、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを形成するのに要する時間を前記［ア］［イ］の方法よりも短縮できる。

図３および図４は、第１実施形態においてウェハ１０を切断分離する様子を説明するための説明図であり、図３はウェハ１０の縦断面を模式的に表し、図４はウェハ１０の平面図を表したものである。
尚、図３は、図４に示すＸ−Ｘ線断面図である。
また、図４では、可動部材１６の図示を省略してある。

薄板略円板状のウェハ１０には、同一構成の多数個の半導体チップ１２が略碁盤目状に整列配置されており、矩形薄板状の各チップ１２間には切断予定ラインＫが配置されている。つまり、ウェハ１０の表面１０ｂには複数本の切断予定ラインＫが格子状に配置されている。

貼り合わせＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造のウェハ１０は、単結晶シリコンから成る基板Ｓｉ層１３、埋込酸化（ＢＯＸ：Buried OXide ）層１４、単結晶シリコンから成るＳＯＩ層１５が下方から上方に向けてこの順番で積層されて形成され、絶縁層である埋込酸化層１４の上にＳＯＩ層１５が形成されたＳＯＩ構造を成している。
ここで、貼り合わせＳＯＩ構造のウェハ１０は、例えば、貼り合わせる面（鏡面）を熱酸化して酸化膜を形成した２枚のウェハ同士を、その酸化膜を介して張り合わせた後、片側のウェハを所望の厚さになるように研削することで得られ、研磨したウェハがＳＯＩ層１５になり、研磨していないウェハが基板Ｓｉ層１３になり、前記酸化膜が埋込酸化層１４になる。

各チップ１２において、ウェハ１０の表面１０ｂ（各チップ１２の上面）における素子形成領域１０ｃには、可動部材１６が形成されている。可動部材１６は、ＭＥＭＳ技術を利用して作製された各種センサ素子（圧電素子や静電容量素子から成る圧力センサ，加速度センサ，超音波センサなど）やマイクロマシンを構成する。
尚、可動部材１６は、高濃度に不純物が拡散されたＳＯＩ層１５によって形成されている。
可動部材１６を形成するＳＯＩ層１５の周囲にはトレンチが形成され、そのトレンチによって可動部材１６を構成する各部分は可動可能に独立されている。

図１および図２に示したようにウェハ１０の内部に複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを形成した後に、図３（Ａ）および図４に示すように、円形のダイシングフィルム１１の外周部分を、略円環状のダイシングフレーム１７に貼着固定する。

次に、図３（Ｂ）に示すように、ウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置した状態で、ダイシングフレーム１７をエキスパンド装置（図示略）にセットする。
そして、ダイシングフレーム１７の位置を保持した状態で、エキスパンド装置のステージＳＧを上昇させ、ステージＳＧの平坦な上面によりダイシングフィルム１１の裏面側を押し上げ、ダイシングフィルム１１を切断予定ラインＫに対して水平方向（矢印β，β’方向）に伸張させることにより、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃに引張応力を印加する。

すると、ウェハ１０の内部に剪断応力が発生し、まず、ダイシングフィルム１１に最も近い最下層の改質領域群Ｇａを起点としてウェハ１０の深さ方向に亀裂（割れ）が発生し、次に、中間層の改質領域群Ｇｂを起点としてウェハ１０の深さ方向に亀裂が発生し、続いて、最上層の改質領域群Ｇｃを起点としてウェハ１０の深さ方向に亀裂が発生し、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを起点とする亀裂が成長して繋がり、その成長した亀裂がウェハ１０の表裏面１０ｂ，１０ａに到達することにより、ウェハ１０が切断分離される。

ここで、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃは切断予定ラインＫに沿って形成されているため、ダイシングフィルム１１を伸張させて各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃに引張応力を好適に印加させることで、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを構成する各改質領域Ｒを切断の起点とした割断により、ウェハ１０に不要な割れを生じさせることなく、ウェハ１０を比較的小さな力で精度良く切断分離することができる。

そして、各チップ１２はウェハ１０上に略碁盤目状に整列配置され、切断予定ラインＫは各チップ１２間に配置され、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃは各切断予定ラインＫ毎に形成されているため、ダイシングフィルム１１を伸張させることにより、ウェハ１０を各切断予定ラインＫに沿って個々のチップ１２に切断分離することができる。

図５〜図７は、第１実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するための説明図であり、図５および図６はウェハ１０の縦断面を模式的に表し、図７はウェハ１０の平面図を表したものである。
尚、図５および図６は、図７に示すＸ−Ｘ線断面図である。
また、図７では、可動部材１６の図示を省略してある。

図３（Ｂ）に示したようにウェハ１０から各チップ１２を切断分離した後に、まず、図５（Ａ）に示すように、ダイシングフィルム１１の外周部分を、略円環状のダイシングフレーム１８に貼着固定する。
ここで、ダイシングフレーム１８の外形寸法は、図３に示したダイシングフレーム１７よりも一回り小さく設定されているため、ウェハ１０から切断分離された各チップ１２間に所定間隔の空隙（隙間）Ｚが設けられた状態で各チップ１２の位置が保持される。

次に、図５（Ｂ）および図７に示すように、各チップ１２が切断分離されたウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置した状態で、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布する。
尚、発塵防止液１９には、溶剤蒸発硬化性（溶剤乾燥硬化性）を有する液状接着剤を用いる。

すると、ウェハ１０の外周全体に塗布された発塵防止液１９が、毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに浸入し、空隙Ｚが発塵防止液１９によって満たされ、各チップ１２の切断面（割断面）１２ａ全体が発塵防止液１９に浸される。
尚、各チップ１２の切断面１２ａとは、ウェハ１０から切断分離された各チップ１２の外周側壁面である。
ここで、ウェハ１０の表面１０ｂにおいて、特に素子形成領域１０ｃに形成された可動部材１６には発塵防止液１９が付着しないようにする。

その後、図６に示すように、発塵防止液１９に含まれる溶剤（溶媒）が蒸発すると、発塵防止液１９に含まれる接着材料が硬化して各チップ１２の切断面１２ａに付着し、その硬化した接着材料から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆（コーティング）される。

［第１実施形態の作用・効果］
第１実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。

［１−１］第１実施形態では、ウェハ１０を各チップ１２に切断分離した後に、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布して各チップ１２の切断面１２ａ全体を発塵防止液１９に浸漬し、発塵防止液１９を溶剤蒸発により硬化させて形成した被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆する。

ところで、各チップ１２の切断面１２ａには、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを構成する多数の改質領域Ｒが露出しているが、改質領域Ｒはウェハ１０が溶融後に再固化したものであるため極めて脆く崩れ易くなっていることから、切断面１２ａのうちでも特に改質領域Ｒからウェハ１０の形成材料の微小片が剥離するおそれがある。

しかし、第１実施形態では、被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆するため、ウェハ１０の切断分離後（割断後）に、改質領域Ｒを含めた各チップ１２の切断面１２ａ全体からウェハ１０の形成材料の微小片が剥離するのを確実に防止できる。

従って、第１実施形態によれば、ウェハ１０の微小片が各チップ１２の素子形成領域１０ｃに形成された可動部材１６に付着するのを防止可能になり、各チップ１２の歩留まりや品質を向上させることができる。
すなわち、センサ素子やマイクロマシンを構成する可動部材１６にウェハ１０の微小片が付着すると、その微小片により可動部材１６の動きが妨げられるため、センサ素子やマイクロマシンの性能低下を招くおそれがあるが、第１実施形態によれば、そのような性能低下を防止できる。

また、各チップ１２の素子形成領域１０ｃに半導体装置としてモノリシックＩＣが形成されている場合にも、各チップ１２の歩留まりや品質を向上させることができる。
すなわち、モノリシックＩＣを構成する半導体素子や配線にウェハ１０の微小片が付着すると、その微小片が回路の短絡故障を招くおそれがあるが、第１実施形態によれば、そのような故障を防止できる。

［１−２］第１実施形態では、ウェハ１０に発塵防止液１９を塗布する際および毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに発塵防止液１９を浸入させる際に、ウェハ１０の表面１０ｂにおいて特に素子形成領域１０ｃには発塵防止液１９が付着しないようにしている。
そのため、発塵防止液１９が素子形成領域１０ｃに形成された可動部材１６などの半導体装置に付着することがなく、発塵防止液１９が半導体装置に悪影響を及ぼすのを防止できる。

すなわち、可動部材１６に発塵防止液１９が付着すると、発塵防止液１９に含まれる接着材料により可動部材１６が接着されて可動が阻害されるという動作不良（スティッキング不良）を引き起こすおそれがあるが、第１実施形態によれば、そのような動作不良を防止できる。
また、半導体装置としてモノリシックＩＣが形成されている場合には、モノリシックＩＣを構成する半導体素子や配線に発塵防止液１９が付着すると、発塵防止液１９に含まれる溶剤や接着材料により半導体素子や配線が侵されて動作不良を招くおそれがあるが、第１実施形態によれば、そのような動作不良を防止できる。

尚、ウェハ１０に発塵防止液１９を塗布する際には、ウェハ１０の表面１０ｂを避けてウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布することにより、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するのを防止できる。
但し、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するのを防止可能であるならば、ウェハ１０の外周に限らず、ウェハ１０の中央部に発塵防止液１９を塗布してもよい。

そして、毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに発塵防止液１９を浸入させる際には、各チップ１２の切断面１２ａに対する発塵防止液１９の濡れ性と、発塵防止液１９の液量とを共に最適化することにより、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆膜２０が確実に被覆可能にした上で、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するのを防止できる。

すなわち、発塵防止液１９の濡れ性が高すぎると、各チップ１２の切断面１２ａに付着した発塵防止液１９が表面張力により各チップ１２の上面にまで這い上がって不要に拡散し、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するおそれがある。
反対に、発塵防止液１９の濡れ性が低すぎると、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９が十分に付着せず、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆膜２０が確実に被覆できなくなるおそれがある。

また、発塵防止液１９の液量が多すぎると、各チップ１２間の空隙Ｚから溢れ出した発塵防止液１９が各チップ１２の上面にまで不要に拡散し、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するおそれがある。
反対に、発塵防止液１９の液量が少なすぎると、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９が十分に付着せず、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆膜２０が確実に被覆できなくなるおそれがある。

［１−３］各チップ１２間の空隙Ｚの間隔は、発塵防止液１９の毛細管現象による空隙Ｚへの浸入が確実に起こるように、カット・アンド・トライで実験的に最適な間隔に設定すればよい。

［１−４］第１実施形態の発塵防止液１９を構成する溶剤および接着材料には、溶剤蒸発硬化性を有するものであれば、どのような材料を用いてもよく、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。

［第１実施形態の変形例］
第１実施形態は、以下のように変形（変更）して具体化してもよく、その場合でも、前記［１−１］〜［１−４］と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。

＜第１変形例＞
第１実施形態の発塵防止液１９として、溶剤蒸発性（溶剤乾燥性）を有する液状粘着剤を用いる。
その場合は、発塵防止液１９に含まれる溶剤が蒸発すると、発塵防止液１９に含まれる粘着材料の粘度が増大して各チップ１２の切断面１２ａに付着し、その粘度が増大した粘着材料によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆されるため、ウェハ１０の形成材料の微小片が剥離するのを確実に防止できる。

＜第２変形例＞
第１実施形態では、各チップ１２が切断分離されたウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置した状態で、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布している。しかし、発塵防止液１９の毛細管現象による空隙Ｚへの浸入を確実に起こすことが可能であるならば、以下のようにしてもよい。

［ａ］ウェハ１０を水平に配置した状態で、ウェハ１０の外周の一部の箇所だけに発塵防止液１９を塗布し、その発塵防止液１９を塗布した箇所から各チップ１２の切断面１２ａ全体に毛細管現象だけを利用して発塵防止液１９を行き渡らせる。

［ｂ］ウェハ１０を水平に配置した状態でウェハ１０の外周の一部の箇所だけに発塵防止液１９を塗布した後に、ウェハ１０を様々な方向に適宜な角度で傾けて高低差を生じさせ、ウェハ１０の高い箇所から低い箇所へ発塵防止液１９を垂れ落ちさせることにより、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９を効率的に行き渡らせる。

［ｃ］ウェハ１０を傾けて配置した状態で、ウェハ１０の外周における高い一部の箇所だけに発塵防止液１９を塗布し、ウェハ１０の高い箇所から低い箇所へ発塵防止液１９を流下させることにより、その流下と毛細管現象の相乗効果を利用し、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９を効率的に行き渡らせる。その後に、各チップ１２の切断面１２ａ全体に行き渡らせた発塵防止液１９を排出することにより、各チップ１２の切断面１２ａ全体を発塵防止液１９で洗い流す。

このとき、各チップ１２間の空隙Ｚに満たされた発塵防止液１９には、各チップ１２の切断面１２ａから剥離したウェハ１０の形成材料の微小片が浮遊している。そのため、十分な液量の発塵防止液１９を流下させると共に、ウェハ１０の低い箇所に流下した発塵防止液１９を排出し、各チップ１２の切断面１２ａ全体を発塵防止液１９で洗い流すことにより、発塵防止液１９と共に微小片を流し出すことが可能になり、一旦剥離した微小片が各チップ１２の切断面１２ａに付着するのを防止できる。

［ｄ］ウェハ１０を水平に配置した状態で、ウェハ１０の外周の一部の箇所だけに発塵防止液１９を塗布した後に、ウェハ１０の外周の適宜な箇所に吸引ポンプのノズル（図示略）を近づけて発塵防止液１９を吸引することにより、その吸引力と毛細管現象の相乗効果を利用し、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９を効率的に行き渡らせる。

このとき、各チップ１２間の空隙Ｚに満たされた発塵防止液１９には、各チップ１２の切断面１２ａから剥離したウェハ１０の形成材料の微小片が浮遊しているため、発塵防止液１９と共に微小片も吸引され、一旦剥離した微小片が各チップ１２の切断面１２ａに付着するのを防止できる。

［ｅ］前記［ｂ］［ｃ］と前記［ｄ］を併用する。

＜第３変形例＞
第１実施形態では、発塵防止液１９として溶剤蒸発硬化性を有する液状接着剤を用いている。しかし、発塵防止液１９として以下の液体を用いてもよい。

［ｆ］発塵防止液１９として水を用いる場合、ウェハ１０の外周全体に塗布された水が毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに浸入し、空隙Ｚが水によって満たされ、各チップ１２の切断面１２ａ全体が水に浸漬される。
その後、水が蒸発すると、各チップ１２の切断面１２ａに水が残ることはない。しかし、改質領域Ｒを含めた各チップ１２の切断面１２ａから剥離しかかっているウェハ１０の形成材料の微小片は、水による分子間力（イオン結合、共有結合、双極子結合、ファンデルワールス結合）および静電気力によって各チップ１２の切断面１２ａに固着保持されるため、その微小片が各チップ１２の切断面１２ａ全体から剥離するのを確実に防止できる。
尚、発塵防止液１９として水を用いる場合には、分子間力として特に水素の共有結合（水素結合）が強く働く。

［ｇ］発塵防止液１９として水を用いる場合、ウェハ１０の形成材料である単結晶シリコンは撥水性を有するため、毛細管現象により各チップ１２の空隙Ｚに水が浸入するのが撥水性によって阻害されるおそれがある。
そこで、発塵防止液１９として水を用いる場合には、水に界面活性剤を添加することにより、各チップ１２の切断面１２ａに対する発塵防止液１９の濡れ性を高め、ウェハ１０の撥水性に抗して毛細管現象により各チップ１２の空隙Ｚに発塵防止液１９が浸入するのを促進させることが可能になり、各チップ１２の切断面１２ａ全体を確実に発塵防止液１９に浸漬させることができる。

［ｈ］発塵防止液１９として適宜な溶剤（有機溶剤、無機溶剤）を用いる場合、ウェハ１０の外周全体に塗布された溶剤が毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに浸入し、空隙Ｚが溶剤によって満たされ、各チップ１２の切断面１２ａ全体が溶剤に浸漬される。

このとき、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）を溶かさない性質の溶剤を発塵防止液１９として用いる場合、溶剤が蒸発すると、各チップ１２の切断面１２ａに溶剤が残ることはない。
しかし、改質領域Ｒを含めた各チップ１２の切断面１２ａから剥離しかかっているウェハ１０の形成材料の微小片は、溶剤による分子間力および静電気力によって各チップ１２の切断面１２ａに固着保持されるため、その微小片が各チップ１２の切断面１２ａ全体から剥離するのを確実に防止できる。

また、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）を溶かす性質の溶剤を発塵防止液１９として用いる場合、溶剤が蒸発すると、接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）が各チップ１２の切断面１２ａに付着し、その接着材料（粘着材料）から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆される。そのため、溶剤による分子間力および静電気力によってウェハ１０の形成材料の微小片が固着保持される作用・効果に加え、前記［１−１］と同様の作用・効果が得られることから、更に効果的である。
ここで、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）には、前記作用・効果が得られるならば、どのような材料を用いてもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。

尚、発塵防止液１９として用いる溶剤には、前記作用・効果が得られるならば、どのような材料を用いてもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。
例えば、有機溶剤には、アルコール、アセトン、ヘキサンなどがあり、無機溶剤には二硫化炭素などがある。
また、発塵防止液１９として、水、界面活性剤、各種溶剤を適宜混合したものを用いてもよい。

＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図７に示すＸ−Ｘ線断面図である。
第２実施形態において、第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。

［２−１］ダイシングフィルム１１を構成する基材１１ａおよび接着層１１ｂは、厚み方向に多数の微細孔が貫通形成されて通気性を有する。

［２−２］ダイシングフレーム１８に貼着固定されたダイシングフィルム１１およびウェハ１０を略円環状の吸引台２１に載置保持し、各チップ１２が切断分離されたウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置する。

［２−３］図８（Ａ）に示すように、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布し、各チップ１２間の空隙Ｚに発塵防止液１９を毛細管現象により浸入させることにより、各チップ１２間の空隙Ｚを発塵防止液１９によって満たし、各チップ１２の切断面１２ａ全体を発塵防止液１９に浸漬させる。

このとき、吸引ポンプ（図示略）を用い、吸引台２１の下側からダイシングフィルム１１を介して、各チップ１２間の空隙Ｚに対して垂直下方向（図示矢印γ方向）から吸引力を印加する。
すると、ダイシングフィルム１１に貫通形成されている微細孔を介して発塵防止液１９に対しても吸引力が印加され、その吸引力と毛細管現象の相乗効果により、各チップ１２の切断面１２ａ全体に発塵防止液１９が効率的に行き渡る。

そして、各チップ１２の切断面１２ａ全体が発塵防止液１９に浸された後も、各チップ１２の切断面１２ａに対して垂直下方向から吸引力を印加することにより、各チップ１２間の空隙Ｚに満たされた発塵防止液１９をダイシングフィルム１１に貫通形成されている微細孔を介して排出する。
このとき、各チップ１２間の空隙Ｚに満たされた発塵防止液１９には、各チップ１２の切断面１２ａから剥離したウェハ１０の形成材料の微小片が浮遊しているため、発塵防止液１９と共に微小片も排出され、一旦剥離した微小片が各チップ１２の切断面１２ａに付着するのを防止できる。

その後、図８（Ｂ）に示すように、発塵防止液１９に含まれる溶剤が蒸発して硬化し、発塵防止液１９に含まれる接着材料から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆される。
このとき、各チップ１２の切断面１２ａに対して垂直下方向から吸引力を印加することにより、各チップ１２間の空隙Ｚに空気の流れが生じるため、発塵防止液１９に含まれる溶剤の蒸発が促進される。

従って、第２実施形態によれば、第１実施形態の作用・効果を更に高めることができる。
尚、前記吸引力は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適値を求めて設定すればよい。
ところで、吸引台２１は、略円環状に限らず、通気性を有する構造であればどのような構造でもよく、例えば、格子状、網状、厚み方向に多数の微細孔が貫通形成された構造、全体が多孔質材料によって形成された構造などにしてもよい。

＜第３実施形態＞
図９〜図１１は、第３実施形態においてウェハ１０を切断分離する様子を説明するための説明図であり、図９および図１１はウェハ１０の縦断面を模式的に表し、図１０はウェハ１０の平面図を表したものである。
尚、図９および図１１は、図１０に示すＸ−Ｘ線断面図である。
また、図１０では、可動部材１６の図示を省略してある。

図１および図２に示したようにウェハ１０の内部に複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを形成した後に、図９（Ａ）および図１０に示すように、円形のダイシングフィルム１１の外周部分を、略円環状のダイシングフレーム１７に貼着固定する。

次に、図９（Ｂ）に示すように、ウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置した状態で、ダイシングフレーム１７をエキスパンド装置（図示略）にセットし、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布する。
そして、ダイシングフレーム１７の位置を保持した状態で、エキスパンド装置のステージＳＧを上昇させ、ステージＳＧの平坦な上面によりダイシングフィルム１１の裏面側を押し上げ、ダイシングフィルム１１を切断予定ラインＫに対して水平方向（矢印β，β’方向）に伸張させることにより、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃに引張応力を印加し、ウェハ１０を各切断予定ラインＫに沿って個々のチップ１２に切断分離する。

このとき、ウェハ１０から切断分離された各チップ１２間に空隙Ｚが形成されると、ウェハ１０の外周全体に塗布された発塵防止液１９が、毛細管現象により各チップ１２間の空隙Ｚに浸入し、空隙Ｚが発塵防止液１９によって満たされ、各チップ１２の切断面１２ａ全体が発塵防止液１９に浸漬される。

その後、図１１に示すように、発塵防止液１９に含まれる溶剤が蒸発すると、発塵防止液１９に含まれる接着材料が硬化して各チップ１２の切断面１２ａに付着し、その硬化した接着材料から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆される。

このように、第１実施形態ではウェハ１０を各チップ１２に切断分離した後にウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布するのに対して、第３実施形態ではウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布した後にウェハ１０を各チップ１２に切断分離する。

従って、第３実施形態においても、第１実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。
ところで、第１実施形態では、ウェハ１０を各チップ１２に切断分離するときに、ウェハ１０の形成材料の微小片が剥離するものの、切断分離後には当該微小片の剥離を防止できる。
それに対して、第３実施形態では、ウェハ１０を各チップ１２に切断分離するときに各チップ１２の切断面１２ａ全体が発塵防止液１９に浸漬されるため、切断分離後だけでなく、切断分離時にもウェハ１０の形成材料の微小片が剥離するのを防止可能なことから、第１実施形態よりも更に効果的である。

尚、第３実施形態についても、第１実施形態の第１変形例〜第３変形例と同様に変形して具体化してもよい。
また、第３実施形態と第２実施形態とを併用してもよい。

＜第４実施形態＞
図１２（Ａ）は、第４実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図である。

第４実施形態において、第１実施形態と異なるのは、ウェハ１０から切断分離された各チップ１２の切断面１２ａと、各チップ１２の上面に形成されている素子形成領域１０ｃとの間に段差１２ｂが形成されている点だけである。
すなわち、第４実施形態では、各チップ１２の外周縁部に位置する基板Ｓｉ層１３の外周側壁面に対して、各チップ１２の外周縁部に位置する埋込酸化層１４およびＳＯＩ層１５の外周側壁面が後退しており、基板Ｓｉ層１３の外周側壁面と各層１４，１５の外周側壁面との間に段差１２ｂが形成されている。

そのため、各チップ１２の切断面１２ａが発塵防止液１９（図１２では図示略）に浸漬される際に、各チップ１２の切断面１２ａに付着した発塵防止液１９が表面張力により各チップ１２の上面に向けて這い上がったとしても、その這い上がった発塵防止液１９は各チップ１２の段差１２ｂによって留められる。
よって、各チップ１２の段差１２ｂの寸法形状を、各チップ１２の切断面１２ａに対する発塵防止液１９の濡れ性に合わせて適宜設定しておけば、発塵防止液１９を各チップ１２の段差１２ｂによって確実に留め、発塵防止液１９がそれ以上に這い上がるのを阻止することが可能になるため、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するのを防止できる。

従って、第４実施形態によれば、第１実施形態の前記［１−２］の作用・効果を更に高めることができる。
特に、発塵防止液１９として、ウェハ１０の形成材料である単結晶シリコンに対して高い濡れ性を有するアルコールを用いた場合や、界面活性剤を添加した場合には、発塵防止液１９の液量を制御するだけでは前記［１−２］の作用・効果を十分に得られないおそれがあるが、発塵防止液１９の液量を最適化すると共に第４実施形態を実行すれば、前記［１−２］の作用・効果を確実に得られる。

＜第５実施形態＞
図１２（Ｂ）は、第５実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図である。

第５実施形態において、第１実施形態と異なるのは、ウェハ１０から切断分離された各チップ１２の切断面１２ａと、各チップ１２の上面に形成されている素子形成領域１０ｃとの間に溝状の凹部（堀）１２ｃが形成されている点だけである。
すなわち、第５実施形態では、各チップ１２の上面において、素子形成領域１０ｃを囲むように溝状の凹部１２ｃが形成されている。

そのため、各チップ１２の切断面１２ａが発塵防止液１９に浸漬される際に、各チップ１２の切断面１２ａに付着した発塵防止液１９が表面張力により各チップ１２の上面に向けて這い上がったとしても、その這い上がった発塵防止液１９は各チップ１２の凹部１２ｃに流れ込んで留められる。
よって、各チップ１２の凹部１２ｃの寸法形状を、各チップ１２の切断面１２ａに対する発塵防止液１９の濡れ性に合わせて適宜設定しておけば、発塵防止液１９を各チップ１２の凹部１２ｃに収容して確実に留め、発塵防止液１９が各チップ１２の上面に不要に拡がるのを阻止することが可能になるため、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに発塵防止液１９が付着するのを防止できる。
従って、第５実施形態によれば、第１実施形態の前記［１−２］の作用・効果を更に高めることができる。

＜第６実施形態＞
図１２（Ｃ）は、第６実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図である。

第６実施形態は、第４実施形態と第５実施形態を併用したものであり、各チップ１２毎に段差１２ｂおよび凹部１２ｃを備えている。
そのため、第６実施形態によれば、第４実施形態と第５実施形態の相乗効果を得ることができる。

＜第７実施形態＞
図１３は、第７実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図である。
第７実施形態において、第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。

［７−１］ダイシングフレーム１８に貼着固定されたダイシングフィルム１１およびウェハ１０を加熱容器３１内に収容し、各チップ１２が切断分離されたウェハ１０の表面１０ｂを上向きにしてウェハ１０を水平に配置する。

［７−２］加熱容器３１は上部に排気口３１ａが設けられている。加熱容器３１内において、ダイシングフィルム１１の下方には電気ヒーター３２が設けられており、電気ヒーター３２によってダイシングフィルム１１が加熱されるようになっている。

ダイシングフィルム１１が加熱されると、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）が気化し、その気化した接着材料（粘着材料）が各チップ１２の切断面１２ａに付着することにより、その接着材料（粘着材料）から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆されるため、第１実施形態の前記［１−１］と同様の作用・効果が得られる。

このとき、吸引ポンプ（図示略）を用い、加熱容器３１の排気口３１ａから加熱容器３１内の空気を排気することにより、加熱容器３１内には垂直上方向（図示矢印δ方向）の気流を生じさせる。
すると、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂから気化した接着材料（粘着材料）が加熱容器３１内の気流に乗って巻き上げられ、各チップ１２の切断面１２ａ全体に接着材料（粘着材料）が効率的に行き渡るため、その接着材料（粘着材料）から成る被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体を確実に被覆できる。

また、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂから気化した接着材料（粘着材料）が加熱容器３１内の気流に乗って加熱容器３１の排気口３１ａから速やかに排出されるため、ウェハ１０の表面において特に素子形成領域１０ｃに気化した接着材料（粘着材料）が付着するのを防止可能になり、素子形成領域１０ｃに形成された可動部材１６などの半導体装置に対し、気化した接着材料（粘着材料）が悪影響を及ぼすのを防止できる。

すなわち、可動部材１６に気化した接着材料（粘着材料）が付着すると、接着材料（粘着材料）により可動部材１６が接着されて可動が阻害されるという動作不良を引き起こすおそれがあるが、第７実施形態によれば、そのような動作不良を防止できる。
また、半導体装置としてモノリシックＩＣが形成されている場合には、モノリシックＩＣを構成する半導体素子や配線に気化した接着材料（粘着材料）が付着すると、接着材料（粘着材料）により半導体素子や配線が侵されて動作不良を招くおそれがあるが、第７実施形態によれば、そのような動作不良を防止できる。

尚、ダイシングフィルム１１の加熱の制御および加熱容器３１内の気流の制御は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適な制御状態を求めて設定すればよい。
また、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）には、前記作用・効果が得られるならば、どのような材料を用いてもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。
ところで、電気ヒーター３２を赤外線ランプに置き換え、赤外線ランプからダイシングフィルム１１に赤外光を照射して加熱するようにしてもよい。

＜第８実施形態＞
図１３は、第８実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図である。

第８実施形態において、第７実施形態と異なるのは、ダイシングフィルム１１が加熱されると、ダイシングフィルム１１の接着層（粘着層）１１ｂを形成する接着材料（粘着材料）が溶融して液化する点だけである。
そして、接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）が液化すると、その液化した接着材料（粘着材料）が表面張力により各チップ１２の切断面１２ａに這い上がって付着することにより、その接着材料（粘着材料）から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆される。

従って、第８実施形態においても、第７実施形態と同様の作用・効果が得られる。
尚、各チップ１２の切断面１２ａに対する接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）の濡れ性を最適化することにより、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆膜２０が確実に被覆可能にした上で、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）が付着するのを防止できる。

すなわち、接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）の濡れ性が高すぎると、各チップ１２の切断面１２ａに付着した接着材料（粘着材料）が表面張力により各チップ１２の上面にまで這い上がって不要に拡散し、ウェハ１０の素子形成領域１０ｃに接着材料（粘着材料）が付着するおそれがある。
反対に、接着層（粘着層）１１ｂの接着材料（粘着材料）の濡れ性が低すぎると、各チップ１２の切断面１２ａ全体に接着材料（粘着材料）が十分に付着せず、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆膜２０が確実に被覆できなくなるおそれがある。

＜第９実施形態＞
図１３は、第９実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図である。
第９実施形態において、第７実施形態と異なるのは以下の点だけである。

［９−１］第１実施形態と同様に、ウェハ１０を各チップ１２に切断分離した後にウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布する。または、第３実施形態と同様に、ウェハ１０の外周全体に発塵防止液１９を塗布した後にウェハ１０を各チップ１２に切断分離する。

そして、ウェハ１０の外周全体に塗布された発塵防止液１９を、毛細管現象により各チップ１２間の空隙１２ａに浸入させる。
このとき、第１実施形態および第３実施形態とは異なり、各チップ１２間の空隙１２ａを発塵防止液１９によって満たすのではなく、空隙１２ａから露出したダイシングテープ１１上に発塵防止液１９が拡がる程度に発塵防止液１９の液量を少なくしておく。

［９−２］加熱容器３１内において、電気ヒーター３２を用い、ダイシングフィルム１１を介して発塵防止液１９を加熱する。
発塵防止液１９が加熱されると、発塵防止液１９に含まれる接着材料（粘着材料）が気化し、その気化した接着材料が各チップ１２の切断面１２ａに付着することにより、その接着材料から成る薄い被覆膜２０によって各チップ１２の切断面１２ａ全体が被覆される。

従って、第９実施形態においても、第７実施形態と同様の作用・効果が得られる。
尚、発塵防止液１９に含まれる接着材料（粘着材料）には、前記作用・効果が得られるならば、どのような材料を用いてもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材料を選択すればよい。
また、発塵防止液１９の液量は、前記作用・効果が確実に得られるように、カット・アンド・トライで実験的に最適な液量に設定しておく。

＜第１０実施形態＞
図１４は、第１０実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図である。
第１０実施形態において、第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。

［１０−１］ウェハ１０から各チップ１２を切断分離した後に、ダイシングフィルム１１の外周部分をダイシングフレーム１８に貼着固定し、そのダイシングフレーム１８に貼着固定されたダイシングフィルム１１およびウェハ１０を、選択ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置（図示略）にセットする。

［１０−２］選択ＣＶＤ法を用い、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆する被覆膜４１を形成する。
このとき、選択ＣＶＤ法の成膜条件を適宜設定することにより、各チップ１２の上面に形成されている素子形成領域１０ｃの表面上には被覆膜４１が形成されないようにした上で、各チップ１２の切断面１２ａの表面上にだけ被覆膜４１が形成されるようにする。

従って、第１０実施形態では、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆する被覆膜４１により、第１実施形態の前記［１−１］と同様の作用・効果が得られる。
尚、被覆膜４１の材質は、各チップ１２の切断面１２ａ全体を確実に被覆してウェハ１０の形成材料の微小片の剥離を防止可能な膜であれば、どのような材質の膜であってもよく、カット・アンド・トライで実験的に最適な材質を選択すればよい。

＜第１１実施形態＞
図１４および図１５は、第１１実施形態においてウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図である。
第１１実施形態において、第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。

［１１−１］ウェハ１０から各チップ１２を切断分離した後に、ダイシングフィルム１１の外周部分をダイシングフレーム１８に貼着固定する。
そして、図１５（Ａ）に示すように、各チップ１２の上面に形成されている素子形成領域１０ｃを覆うマスク４２をウェハ１０上に載置する。

図１６は、マスク４２の一部平面図である。
薄板状のマスク４２は、各チップ１２の素子形成領域１０ｃを覆う矩形状の本体部４２ａと、各本体部４２ａの角部分をそれぞれ連結固定する十字状の接続部４２ｂとから形成されている。

［１１−２］マスク４２が載置されたウェハ１０を、ＣＶＤ装置またはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置（図示略）にセットする。
そして、図１５（Ｂ）に示すように、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用い、ウェハ１０の表面上に被覆膜４１を形成する。
このとき、各チップ１２の切断面１２ａの表面上に被覆膜４１が形成されるだけでなく、マスク４２の表面上にも被覆膜４１が形成される。

そこで、マスク４２をウェハ１０から取り外すと、図１４に示すように、各チップ１２の素子形成領域１０ｃに被覆膜４１を形成することなく、各チップ１２の切断面１２ａ全体を被覆する被覆膜４１を形成することができる。
従って、第１１実施形態によれば、第１０実施形態と同様の作用・効果が得られる。

＜別の実施形態＞
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。

［１］上記各実施形態は貼り合わせＳＯＩ構造のウェハ１０に適用したものであるが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、単結晶シリコンのバルク材から成るウェハ（バルクシリコンウェハ）や、多層構造の半導体基板を作成するための半導体材料から成る種々のウェハに適用してもよい。
その場合、ウェハとしては、例えば、ＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）構造のウェハ、ガラスなどの絶縁基板上に多結晶シリコンまたは非晶質シリコンを固相成長法や溶融再結晶化法により形成したＳＯＩ構造のウェハ、サファイアなどの基板上にIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させた半導体発光素子に用いられるウェハ、陽極接合を用いてシリコン基板とガラス基板とを貼り合わせて形成したウェハなどがある。

［２］上記各実施形態は貼り合わせＳＯＩ構造のウェハ１０に適用したものであるが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、半導体基板（例えば、ガリウム砒素基板など）を作成するための半導体材料（例えば、ガリウム砒素など）から成るウェハであれば、どのようなウェハに適用してもよい。

また、本発明は、半導体基板を作成するための半導体材料から成るウェハに限らず、種々の材料（例えば、ガラスを含む材料など）から成るウェハに適用してもよい。
その場合、多光子吸収による改質領域Ｒは、上記各実施形態のような溶融処理領域を含むものに限らず、ウェハの形成材料に合わせた適宜なものにすればよい。例えば、ウェハの形成材料がガラスを含む場合には、多光子吸収による改質領域Ｒを、クラック領域を含むものか又は屈折率が変化した領域を含むものにすればよい。
尚、クラック領域または屈折率が変化した領域を含む改質領域については、特許文献１に開示されているため、説明を省略する。

［３］上記各実施形態では、ダイシングフィルム１１を伸張させることによりウェハ１０を個々のチップ１２に切断分離している。
しかし、曲率を有した物（例えば、半球状の物）の曲面（膨らんだ方の面）をウェハ１０の切断予定ラインに押し当てて押圧力を印加することにより、複数層の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃに剪断応力を発生させ、ウェハ１０を切断分離するようにしてもよい。

［４］上記各実施形態では、レーザダイシング技術を用いてウェハ１０の内部に改質領域Ｒを形成することにより、ウェハ１０を個々のチップ１２に切断分離している。
しかし、ウェハ１０の切断分離方法は限定する必要がなく、例えば、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだダイシングブレードを高速回転させてウェハを切断するブレードダイシング技術を利用してもよい。

本発明を具体化した第１実施形態において、ウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、図１（Ａ）はウェハ１０の一部平面図を表し、図１（Ｂ）はウェハ１０の一部縦断面を模式的に表した図１（Ａ）に示すＸ−Ｘ線断面図。 第１実施形態において、ウェハ１０にレーザ光を照射して改質領域を形成する様子を説明するための説明図であり、図１（Ａ）に示す切断予定ラインＫに相当するＹ−Ｙ線断面図。 第１実施形態において、ウェハ１０を切断分離する様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図４に示すＸ−Ｘ線断面図。 第１実施形態において、ウェハ１０を切断分離する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の平面図。 第１実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図７に示すＸ−Ｘ線断面図。 第１実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図７に示すＸ−Ｘ線断面図。 第１実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の平面図。 本発明を具体化した第２実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図７に示すＸ−Ｘ線断面図。 本発明を具体化した第３実施形態において、ウェハ１０を切断分離する様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図１０に示すＸ−Ｘ線断面図。 第３実施形態において、ウェハ１０を切断分離する様子を説明するための説明図であり、ウェハ１０の平面図。 第３実施形態において、ウェハ１０を切断分離する様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図であり、図１０に示すＸ−Ｘ線断面図。 図１２（Ａ）は、本発明を具体化した第４実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図。図１２（Ｂ）は、本発明を具体化した第５実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図。図１２（Ｃ）は、本発明を具体化した第６実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の要部縦断面を模式的に表した説明図。 本発明を具体化した第７〜第９実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図。 本発明を具体化した第１０実施形態および第１１実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図。 第１１実施形態において、ウェハ１０を切断分離した後の様子を説明するためにウェハ１０の縦断面を模式的に表した説明図。 第１１実施形態で用いられるマスク４２の一部平面図。

符号の説明

１０…ウェハ
１０ａ…ウェハ１０の裏面
１０ｂ…ウェハ１０の表面
１０ｃ…素子形成領域
１１…ダイシングフィルム
１１ａ…ダイシングフィルム１１の基材
１１ｂ…ダイシングフィルム１１の接着層
１２…チップ
１２ａ…チップ１２の切断面
１２ｂ…チップ１２の段差
１２ｃ…チップ１２の凹部
１３…基板Ｓｉ層
１４…埋込酸化層
１５…ＳＯＩ層
１６…可動部材
１７，１８…ダイシングフレーム
１９…発塵防止液
２０，４１…被覆膜
２１…吸引台
３１…加熱容器
３１ａ…排気口
３２…電気ヒーター
４２…マスク
４２ａ…マスク４２の本体部
４２ｂ…マスク４２の接続部
Ｌ…レーザ光
ＣＶ…集光レンズ
Ｐ…集光点
Ｒ…改質領域
Ｇａ〜Ｇｃ…改質領域群
Ｋ…切断予定ライン
Ｚ…各チップ１２間の空隙
ＳＧ…エキスパンド装置のステージ

Claims (11)

1. ウェハを複数個のチップに切断分離するとき、または、ウェハを複数個のチップに切断分離した後に、当該チップの切断面である外周側壁面に対し、ウェハの形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって固着保持させるウェハの加工方法であって、
   前記ウェハを複数個のチップに切断分離し、各チップ間に空隙を設ける第１工程と、
   前記ウェハの外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液を塗布し、前記各チップ間の空隙に発塵防止液を浸入させ、前記各チップの切断面全体を発塵防止液に浸漬させる第２工程と、
   前記発塵防止液を蒸発させ、前記ウェハの形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって前記各チップの切断面に対して固着保持させる第３工程と
   を備えたことを特徴とするウェハの加工方法。
2. ウェハを複数個のチップに切断分離するとき、または、ウェハを複数個のチップに切断分離した後に、当該チップの切断面である外周側壁面に対し、ウェハの形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって固着保持させるウェハの加工方法であって、
   前記ウェハの外周全体または外周の一部の箇所に発塵防止液を塗布する第１工程と、
   前記ウェハを複数個のチップに切断分離し、各チップ間に空隙を形成する際に、その空隙に前記発塵防止液を浸入させ、前記各チップの切断面全体を前記発塵防止液に浸漬させる第２工程と、
   前記発塵防止液を蒸発させ、前記ウェハの形成材料の微小片を分子間力および静電気力によって前記各チップの切断面に対して固着保持させる第３工程と
   を備えたことを特徴とするウェハの加工方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のウェハの加工方法において、
   前記発塵防止液は、水、界面活性剤、溶剤からなるグループから選択されたいずれか１つを含むことを特徴とするウェハの加工方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記第２工程では、
   前記ウェハの裏面に貼着されたダイシングフィルムと、そのダイシングフィルムは伸長性および通気性を有することと、
   前記ウェハが載置されるエキスパンド装置のステージと、そのステージは通気性を有することと
   を備え、
   前記ダイシングフィルムを伸張させて前記各チップ間に空隙を形成し、前記ステージの下側から前記ダイシングフィルムを介して、前記各チップ間の空隙に対して下方向から吸引力を印加することを特徴とするウェハの加工方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記第２工程では、前記ウェハを様々な方向に傾けて高低差を生じさせ、前記ウェハの高い箇所から低い箇所へ前記発塵防止液を垂れ落ちさせることにより、前記各チップの切断面全体に前記発塵防止液を行き渡らせることを特徴とするウェハの加工方法。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記第２工程では、前記ウェハを傾け、前記ウェハの高い箇所から低い箇所へ前記発塵防止液を流下させることにより、前記各チップの切断面全体に発塵防止液を行き渡らせ、その後に前記発塵防止液を排出することにより、前記各チップの切断面全体を発塵防止液で洗い流すことを特徴とするウェハの加工方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記第２工程では、前記ウェハに塗布された前記発塵防止液を吸引することにより、前記各チップの切断面全体に発塵防止液を行き渡らせることを特徴とするウェハの加工方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記各チップの切断面と、前記各チップの上面に形成されている素子形成領域との間に段差が形成されていることを特徴とするウェハの加工方法。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
   前記各チップの切断面と、前記各チップの上面に形成されている素子形成領域との間に溝状の凹部が形成されていることを特徴とするウェハの加工方法。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
    前記ウェハの内部へ集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記ウェハの切断予定ラインに沿って前記ウェハの内部に、多光子吸収による少なくとも１層の改質領域を形成し、その改質領域を切断の起点とした割断により、前記ウェハを切断予定ラインに沿って前記各チップに切断分離することを特徴とするウェハの加工方法。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のウェハの加工方法において、
    前記ウェハは半導体ウェハであることを特徴とするウェハの加工方法。

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