CN110678965B - 加工对象物切割方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的加工对象物切割方法包括：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，第1工序之后，沿着切割预定线对于加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。

Description

加工对象物切割方法
技术领域
本发明的一方面涉及的是加工对象物切割方法。
背景技术
作为以往的与加工对象物切割方法相关的技术，在专利文献1中，记载了有一种技术，其中，在对于形成有作为切割的起点的改质区域的加工对象物通过薄片施加应力时，对加工对象物的形成物质(正在形成加工对象物的物质，或是已经形成加工对象物的物质)进行除电。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2007-142206号公报
发明内容
[发明所要解决的技术问题]
在上述加工对象物切割方法中，如果在芯片的切割面残留有微粒的话，则会有例如在之后的搬运工序等中微粒从芯片的切割面剥离而附着于芯片的功能元件等上的忧虑。
本发明的一方面是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种能够去除残留于芯片的切割面的微粒的加工对象物切割方法。
[用于解决技术问题的技术方案]
本发明的一方面的加工对象物切割方法，包括如下工序：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，在第1工序之后，沿着切割预定线对加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，在第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。
该加工对象物切割方法中，在加工对象物被分割为多个芯片，并在多个芯片之间填充树脂之后，被填充的树脂固化并收缩。由此，能够使残留于所取出的芯片的切割面的微粒附着于树脂上，从而去除该微粒。
本发明的一方面的加工对象物切割方法包括如下工序：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，在第1工序之后，沿着切割预定线对加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序中在使可扩张薄片扩张之前将树脂涂布于可扩张薄片上之后，一边通过可扩张薄片的扩张而形成间隙，一边将所涂布的树脂从加工对象物的包含侧面的外缘部向该间隙填充；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，在第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。
该加工对象物切割方法中，能够使残留于所取出的芯片的切割面的微粒附着于树脂，从而去除该微粒。
在本发明的一方面的加工对象物切割方法中，也可以是：在第3工序中，对距离加工对象物的侧面规定长度的周围的至少一部分涂布树脂，由此从侧面向间隙填充树脂。另外，在本发明的加工对象物切割方法中，也可以是：在第3工序中，对加工对象物的外缘部的至少一部分涂布树脂，由此从外缘部向间隙填充树脂。在这些情况下，能够有效地实现向间隙的树脂的填充。
在本发明的一方面的加工对象物切割方法中，也可以是：在第3工序中，一边通过液体涂布构件涂布树脂，一边使该液体涂布构件沿着加工对象物的外缘移动。在该情况下，能够具体地实现向间隙的树脂的填充。
在本发明的一方面的加工对象物切割方法中，也可以是：在第5工序中，将芯片取出，并且将固化了的树脂留在可扩张薄片上。在该情况下，在取出芯片时，能够使残留于芯片的切割面的微粒与树脂一起留在可扩张薄片上。
在本发明的一方面的加工对象物切割方法中，也可以是：在第5工序中，在将芯片取出之前，将固化了的树脂的至少一部分去除。在该情况下，在取出芯片之前，能够将残留于芯片的切割面的微粒与树脂一起去除。
在本发明的一方面的加工对象物切割方法中，也可以是：树脂是紫外线固化树脂，在第3工序中，对树脂照射紫外线而使树脂固化，并且对可扩张薄片照射紫外线而使可扩张薄片的粘接力降低。如此，通过紫外线的照射使可扩张薄片的粘接力降低，由此，在其之后能够容易地从可扩张薄片上取出芯片。
[发明效果]
根据本发明的一方面，可提供一种能够去除残留于芯片的切割面的微粒的加工对象物切割方法。
附图说明
[图1]图1是用于形成改质区域的激光加工装置的概要构成图。
[图2]图2是改质区域的形成对象即加工对象物的俯视图。
[图3]图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的剖面图。
[图4]图4是激光加工后的加工对象物的俯视图。
[图5]图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的剖面图。
[图6]图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的剖面图。
[图7]图7(a)是用于说明一实施方式的加工对象物切割方法的概要立体图。图7(b)是表示图7(a)之后的状态的概要立体图。
[图8]图8是表示图7(b)之后的状态的概要立体图。
[图9]图9是扩张工序之后的加工对象物的其他例的俯视图。
[图10]图10(a)是表示图8之后的状态的概要立体图。图10(b)是图10(a)的局部剖面放大图。
[图11]图11(a)是表示图10(a)之后的状态的概要立体图。图11(b)是表示图11(a)之后的状态的概要立体图。
[图12]图12是表示变形例的加工对象物切割方法的树脂剥离工序的概要立体图。
具体实施方式
以下，针对实施方式，参照附图进行详细说明。另外，在各图中，对于相同或相当部分赋予相同符号，并省略重复说明。
在本实施方式的加工对象物切割方法及实施加工对象物切割方法的激光加工装置中，将激光聚光于加工对象物，由此沿着切割预定线在加工对象物形成改质区域。在此，首先，针对改质区域的形成，参照图1～图6进行说明。
如图1所示，激光加工装置100具备：激光光源101，其是将激光L脉冲振荡的激光射出部；分色镜103，配置为将激光L的光轴(光路)的方向改变90°；以及聚光用透镜105，用以将激光L聚光。另外，激光加工装置100具备：支承台107，用以支承被通过聚光用透镜105聚光了的激光L照射的加工对象物1；载置台111，用以使支承台107移动；激光光源控制部102，用以为了调节激光L的输出(脉冲能量、光强度)或脉冲宽度、脉冲波形等而控制激光光源101；以及载置台控制部115，用以控制载置台111的移动。
在激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L通过分色镜103其光轴的方向改变90°，并通过聚光用透镜105聚光于载置在支承台107上的加工对象物1的内部。并且，载置台111进行移动，使加工对象物1相对于激光L沿着切割预定线5相对地移动。由此，在加工对象物1形成沿着切割预定线5的改质区域。另外，在此，虽然为了使激光L相对地移动而使载置台111移动，然而，也可以是使聚光用透镜105移动，或者也可以是使这双方都移动。
作为加工对象物1，使用由半导体材料形成的半导体基板或由压电材料形成的压电基板等板状的构件(例如，基板、晶圆等)。如图2所示，在加工对象物1上设定有用于切割加工对象物1的切割预定线5。切割预定线5是以直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点(聚光位置)P对准加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着切割预定线5(即，朝向图2的箭号A方向)相对地移动。由此，如图4、图5及图6所示，改质区域7沿着切割预定线5形成于加工对象物1，沿着切割预定线5形成的改质区域7会成为切割起点区域8。
所谓聚光点P，是激光L聚光的部位。切割预定线5不限于直线状，也可以为曲线状，也可以是将这些组合的3维形状，也可以是坐标被指定的形状。切割预定线5不限于假想线，也可以为实际上划在加工对象物1的表面3的线。关于改质区域7，既有连续形成的情况，也有不连续地形成的情况。改质区域7可以是行列状或点状，简而言之，只要改质区域7至少形成于加工对象物1的内部即可。另外，在以改质区域7为起点而形成龟裂的情况下，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物1的外表面(表面3、背面、或是外周面)。在形成改质区域7时的激光入射面不限于加工对象物1的表面3，也可以为加工对象物1的背面。
另外，在加工对象物1的内部形成改质区域7的情况下，激光L穿透加工对象物1，并且特别在位于加工对象物1的内部的聚光点P附近被吸收。由此，在加工对象物1中形成改质区域7(即，内部吸收型激光加工)。此时，加工对象物1的表面3几乎不会吸收激光L，所以加工对象物1的表面3不会熔融。另一方面，在加工对象物1的表面3或背面形成改质区域7的情况下，激光L特别在位于表面3或背面的聚光点P附近被吸收，由此发生熔融，从而从表面3或背面被去除，从而形成孔或沟等的去除部(表面吸收型激光加工)。
改质区域7是其密度、折射率、机械强度或其他物理特性成为与周围不同的状态的区域。改质区域7例如是熔融处理区域(意指下述区域中的至少任一种：即，暂时熔融后再凝固的区域，处于熔融状态中的区域、及处于从熔融再发生凝固的状态中的区域)、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，或这些混杂的区域。并且，改质区域7也可以是：在加工对象物1的材料上改质区域7的密度与非改质区域的密度相比发生变化了的区域，或形成有晶格缺陷的区域。在加工对象物1的材料为单晶硅的情况，改质区域7也可以称为高错位密度区域。
对于熔融处理区域、折射率变化区域、改质区域7的密度与非改质区域的密度相比而发生变化了的区域、以及形成有晶格缺陷的区域而言，进一步还有如下情况：即，在这些区域的内部或改质区域7与非改质区域的界面内含有龟裂(裂纹、微裂纹)的情况。对于所内含的龟裂而言，有遍及改质区域7的整面的情况、或仅形成于改质区域7的一部分或多个部分的情况。加工对象物1包含由具有结晶结构的结晶材料组成的基板。例如，加工对象物1包含由氮化镓(GaN)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、LiTaO3，以及蓝宝石(Al2O3)中的至少任一种而形成的基板。换言之，加工对象物1例如包含氮化镓基板、硅基板、SiC基板、LiTaO3基板，或是蓝宝石基板。结晶材料可以是各向异性结晶及各向同性结晶。另外，加工对象物1可以包含由具有非结晶结构(非晶质结构)的非结晶材料组成的基板，例如也可以包含玻璃基板。
在实施方式中，沿着切割预定线5形成多个改质点(加工痕迹)，由此形成改质区域7。此时，通过使多个改质点聚集而成为改质区域7。所谓改质点，是由脉冲激光的1个脉冲的射击(即，1个脉冲的激光照射：激光射击)而形成的改质部分。作为改质点，能够举出裂纹点、熔融处理点或是折射率变化点，或是混杂有这些中的至少1个的点等。对于改质点而言，能够在考虑所要求的切割精度、所要求的切割面的平坦性、加工对象物1的厚度、种类、结晶方位等的情况下，适当地控制其大小或所产生的龟裂的长度。另外，在本实施方式中，能够沿着切割预定线5而形成改质点，并将其作为改质区域7。
接着，对加工对象物切割方法进行说明。
加工对象物切割方法被用作芯片的制造方法，而该芯片的制造方法为用于对加工对象物1进行激光加工而制造多个芯片。加工对象物切割方法能够使用图1所示的激光加工装置100来实施。加工对象物1例如是厚度为400μm且直径为8英寸的圆板状。加工对象物1是例如蓝宝石基板、SiC基板、玻璃基板(强化玻璃基板)、硅基板、半导体基板或是透明绝缘基板等。在此的加工对象物1是单晶硅基板。
在加工对象物1的激光入射面侧即表面3侧，形成有功能元件层。功能元件层包含有配置为矩阵状的多个功能元件(例如，光二极管等受光元件、激光二极管等发光元件，或作为电路而形成的电路元件等)。在加工对象物1的表面3上，设定有多个以穿过相邻的功能元件之间的方式延伸的切割预定线5。多个切割预定线5以格子状延伸。
在加工对象物切割方法中，如图7(a)所示，首先，在加工对象物1的背面4贴附扩张胶带(可扩张薄片)6(胶带贴附工序：第1工序)。扩张胶带6例如被圆环状的框架F保持着。在胶带贴附工序中，以使背面4接触于处于被框架F保持着的状态的扩张胶带6的方式贴附加工对象物1。对于扩张胶带6而言，从加工对象物1的厚度方向观察时，其比加工对象物1更宽，并包含加工对象物1。扩张胶带6包含配置有加工对象物1的中央区域以及未配置有加工对象物1的外缘区域。
如图7(b)所示，沿着切割预定线5(参照图1)，在将激光L的聚光点P对准于加工对象物1的状态下，使该聚光点P相对移动，并至少在加工对象物1的内部形成改质区域7(改质区域形成工序：第2工序)。在改质区域形成工序中，对于其加工条件并没有特别的限定，只要能够在后段的扩张工序中分割为多个芯片1a的加工条件即可。例如，可以使龟裂在加工对象物1的表面3及背面4中的至少任一方露出，也可以不使龟裂在加工对象物1的表面3及背面4中的至少任一方露出。
如图8所示，通过使扩张胶带6扩张，能够使例如从改质区域7延伸的龟裂9伸展，从而将加工对象物1分割为多个芯片1a。并且，使芯片1a彼此的间隔扩张，而形成存在于多个芯片1a之间且到达与加工对象物1的表面3及背面4正交(交叉)的侧面2的间隙G(扩张工序：第2工序)。间隙G具有能够在后段的树脂填充工序中使树脂渗透的距离。对于间隙G并没有特别的限定，例如为50μm。另外，也可以在改质区域形成工序使多个芯片1a的分割结束，在此情况下，扩张工序是为了确保芯片1a彼此的间隔的目的而实施的。扩张胶带6的扩张之后的加工对象物1的保持，能够通过抓紧或热缩等而实施。
另外，如图9所示，加工对象物1有时会有如下情况：即，具有设置于外缘部的非有效区域16x，以及设置于非有效区域16x的内侧的有效区域16y的情况。有效区域16y是设置有功能元件层的区域，非有效区域16x是未设有功能元件层的区域。此时，在改质区域形成工序中，当激光L的聚光点位于非有效区域16x时，将激光L的照射设为“关闭(OFF)”从而不形成改质区域7，另一方面，当激光L的聚光点位于有效区域16y内时，将激光L的照射为“开启(ON)”从而形成改质区域7。此时，在实施扩张工序之后，加工对象物1的有效区域16y被分割为多个芯片1a，并且如图所示，形成于多个芯片1a之间的间隙G的至少一部分到达加工对象物1的侧面2。
如图10(a)及图10(b)所示，通过在距离加工对象物1的侧面2规定长度的周围涂布树脂R，从加工对象物1的侧面2向间隙G填充树脂R(树脂填充工序：第3工序)。在树脂填充工序中，一边通过液体涂布构件11涂布树脂R，一边使该液体涂布构件11沿着加工对象物1的外缘移动。具体而言，在树脂填充工序中，一边通过液体涂布构件11在距离加工对象物1的侧面2规定长度的位置涂布树脂R，一边使该液体涂布构件11沿着加工对象物1的周围移动几圈(例如，2圈)。
在树脂填充工序中，并不是对间隙G直接填充树脂R，而是滴落至扩张胶带6上的加工对象物1的周围的树脂R通过毛细现象、材质侧面的选择性亲和性及表面张力中的至少任一方而向间隙G前进(渗透)。在树脂填充工序中，树脂R不会从加工对象物1的表面3上鼓出，且树脂R不会从间隙G返回。
树脂R是液体树脂。树脂R是紫外线固化树脂。作为树脂R，以在后段的拾取工序中容易地从芯片1a(参照图11(b))剥离的方式，选择固化时的收缩率比规定比率更高的树脂。另外，树脂R也可以是凝胶(胶)状、半固体状、果冻状、摩丝状或是糊状(混练状)的树脂。例如，规定长度为0.5mm，从扩张胶带6起计算的液体涂布构件11的高度为0.3mm。树脂在加工对象物1的厚度方向到达例如400μm的板厚当中的至少350μm处。在此的液体涂布构件11是涂胶机(dispenser)。
另外，在树脂填充工序中，也可以是：沿着加工对象物1的周围使液体涂布构件11仅移动1圈。在树脂填充工序中，也可以是：沿着加工对象物1的周围使液体涂布构件11仅移动1圈以下。即，在树脂填充工序中，也可以是：对于距离加工对象物1的侧面2规定长度的周围的至少一部分涂布树脂R。另外，取代液体涂布构件11的该移动，也可以是额外地使载置有加工对象物1的载置台111(参照图1)旋转。
如图11(a)所示，对于树脂R照射紫外线，从而令树脂R固化而收缩(紫外线照射工序：第4工序)。在紫外线照射工序中，可以将紫外线的照射分为多次来实施，也可以实施1次。在紫外线照射工序中，对于扩张胶带6也照射紫外线，从而使扩张胶带6对于加工对象物1的粘接力降低。
如图11(b)所示，从扩张胶带6上拾取芯片1a而取出(拾取工序：第5工序)。在拾取工序中，固化了的树脂R从芯片1a的侧面被剥离，其会附着于扩张胶带6而非附着于芯片1a，从而留在扩张胶带6上。另外，对于芯片1a与树脂R的剥离而言，也可以不是通过该拾取的力来实现该剥离，取而代之地，通过上述紫外线照射工序中的树脂R的固化时的收缩来实现该剥离，或者，也可以通过在树脂R固化之后使扩张胶带6再度扩张来实现该剥离。
以上，在加工对象物切割方法中，在加工对象物1被分割为多个芯片1a，并在多个芯片1a之间的间隙G填充树脂R之后，被填充了的树脂R发生固化并收缩。由此，能够使残留于取出的芯片1a的切割面的微粒附着于树脂R，从而去除该微粒。另外，能够抑制分散于加工对象物1的表面3的微粒。
在加工对象物切割方法中，在树脂填充工序中，在距离加工对象物1的侧面2规定长度的周围涂布树脂R，由此从侧面2向间隙G填充树脂R。在该情况下，能够有效地实现对于间隙G的树脂R的填充。
在加工对象物切割方法中，在树脂填充工序中，一边通过液体涂布构件11涂布树脂R，一边使该液体涂布构件11沿着加工对象物1的外缘移动。在该情况下，能够具体地实现对于间隙G的树脂R的填充。
在加工对象物切割方法中，将芯片1a取出，并且将固化了的树脂R留在扩张胶带6上。由此，在取出芯片1a时，能够使残留于芯片1a的切割面的微粒与树脂R一起留在扩张胶带6上。
在加工对象物切割方法中，对于树脂R照射紫外线而使树脂固化，并且对于扩张胶带6照射紫外线而使扩张胶带6的粘接力降低。如此，通过照射紫外线，不仅使树脂R固化，并且使扩张胶带6的粘接力降低，由此，在之后的拾取工序中能够容易地从扩张胶带6上拾取芯片1a。
在此，进行了有关树脂R的选择的评价实验。作为树脂R的候补，使用了蜡、水性树脂及紫外线固化树脂。作为蜡，使用天然的、树脂混合物及石蜡。作为水性树脂，使用氨基甲酸酯类、橡胶类及丙烯酸类。作为紫外线固化树脂，使用丙烯酸类及环氧类。在评价实验中，评价以下的特性。
渗透性：渗透至间隙G(粘度100mPa·s以下)。
固化性：具有高反应性且具有深部固化性。
剥离性：固化收缩大，并且，对于加工对象物1的粘接性低，且对于扩张胶带6的接着性高。
评价实验的结果，可知：对于蜡而言，渗透性为×(不良)，固化性及剥离性为〇(良好)。可知：对于水性树脂而言，固化性为×(不良)，渗透性及剥离性为〇(良好)。可知：对于紫外线固化树脂而言，所有特性(固化性、渗透性及剥离性)为〇(良好)。特別是，粘度为100mPa·s以下的丙烯酸类的紫外线固化树脂的特性最为优异。
以上，对各实施方式进行了说明，然而本发明的一方面不限于上述实施方式，可以在不改变各个权利要求中所记载的要旨的范围进行变形，或也可以应用于其他方式。
在所述实施方式的第3工序(树脂填充工序)中，也可以是：不实施在距离加工对象物1的侧面2规定长度的周围涂布树脂R的操作，取而代之地，在加工对象物1的包含侧面2的外缘部的至少一部分涂布树脂R，由此，从该外缘部向间隙G填充树脂R。外缘部可以是例如非有效区域16x(参照图9)，也可以是外周的斜角区域。在该情况下，也能够有效地实现对于间隙G的树脂R的填充。
在所述实施方式中，也有在第2工序中实施上述第3工序(树脂填充工序)的情况。即，也可以是：在第2工序中，在使扩张胶带6扩张之前将树脂R涂布于扩张胶带6上之后，一边通过扩张胶带6的扩张形成(成长)间隙G，一边将所涂布的树脂R从加工对象物1的侧面2向该间隙G填充。
在使扩张胶带6扩张之前涂布树脂R的位置，可以是距离加工对象物1的侧面2规定长度的周围，也可以是加工对象物1的外缘部。在该情况下，也能够使残留于芯片1a的切割面的微粒附着于树脂R，从而去除该微粒。
在所述实施方式中，也可以是：在第3工序当中，或是在第3工序结束之后且第4工序之前，提高载置台111或周围环境气体中的温度。由此，能够使树脂R的粘度下降，使树脂R向间隙G的填充速度加快，从而缩短单件产品生产时间。例如，在将厚度为400μm且直径为8英寸的加工对象物1分割为1.3mm×1.4mm的芯片1a时，在常温的情况(不加热的情况)下，至树脂R的填充结束需25分钟。另一方面，在7分钟的常温之后以40度加热5分钟的情况下，就已经完成了树脂R的填充。另外，加热的温度可以是不会导致扩张胶带6的特性的恶化的上限温度的阈值以下(例如，60度以下)。由此，能够抑制扩张胶带6的特性的恶化。
在所述实施方式中，液体涂布构件11不限于涂胶机，也可以使用各种涂布装置。液体涂布构件11例如可以是通过喷墨方式涂布树脂R的机构，或也可以是通过网版印刷而涂布树脂R的机构等。在将通过网版印刷而涂布树脂R的机构用作液体涂布构件11的情况下，能够沿着加工对象物1的外缘以圆周状在短时间内涂布树脂R。
在所述实施方式中，虽然使用了利用紫外线固化的紫外线固化树脂作为树脂R，然而，对于树脂R并没有特别的限定。例如，树脂R可以是利用了热固化等使用外部能量来进行固化反应的树脂，也可以是利用了常温反应的固化的树脂。
在所述实施方式中，如图12所示，也可以是：在拾取工序中，在取出芯片1a之前，将固化了的树脂R的至少一部分去除。在该情况下，在取出芯片1a之前，能够将残留于芯片1a的切割面的微粒与树脂R一起去除。
在所述实施方式中，为了将加工对象物1分割为芯片1a而使用扩张胶带6作为可扩张薄片，然而不限于扩张胶带6，也可以使用各种可扩张的薄片材。在扩张工序中，也可以进一步使用例如刀刃、多孔装置或是滚轮装置等。上述中的“固化”也包含未完全固化的形态。对于固化而言，只要使液体的树脂R的至少一部分成为固体即可，树脂R因固化而收缩。固化后的树脂R也可以至少包含气体状(气体)的树脂R及仍然为液体的树脂R的至少任一方。
[符号说明]
1：加工对象物； 1a：芯片； 2：侧面；
3：表面； 4：背面； 5：切割预定线；
6：扩张胶带(可扩张薄片)； 7：改质区域；
11：液体涂布构件； G：间隙； L：激光； R：树脂。

Claims (8)

1.一种加工对象物切割方法，其中，
包括下述工序：
第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；
第2工序，在所述第1工序之后，沿着切割预定线对所述加工对象物照射激光而形成改质区域，并使所述可扩张薄片扩张，由此将所述加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与所述加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；
第3工序，在所述第2工序之后，从所述加工对象物的包含所述侧面的外缘部向所述间隙填充树脂；
第4工序，在所述第3工序之后，使所述树脂固化并收缩；以及
第5工序，在所述第4工序之后，从所述可扩张薄片上取出所述芯片，
在所述第4工序中，使所述树脂固化，并使所述树脂以从所述芯片剥离的方式收缩。
2.一种加工对象物切割方法，其中，
包括下述工序：
第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；
第2工序，在所述第1工序之后，沿着切割预定线对所述加工对象物照射激光而形成改质区域，并使所述可扩张薄片扩张，由此将所述加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与所述加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；
第3工序，在所述第2工序中在使所述可扩张薄片进行扩张之前将树脂涂布在所述可扩张薄片上之后，一边通过所述可扩张薄片的扩张而形成所述间隙，一边将所涂布的所述树脂从所述加工对象物的包含所述侧面的外缘部向该间隙填充；
第4工序，在所述第3工序之后，使所述树脂固化并收缩；以及
第5工序，在所述第4工序之后，从所述可扩张薄片上取出所述芯片，
在所述第4工序中，使所述树脂固化，并使所述树脂以从所述芯片剥离的方式收缩。
3.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
在所述第3工序中，对距离所述加工对象物的所述侧面规定长度的周围的至少一部分涂布所述树脂，由此从所述侧面向所述间隙填充树脂。
4.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
在所述第3工序中，对所述加工对象物的所述外缘部的至少一部分涂布所述树脂，由此从所述外缘部向所述间隙填充树脂。
5.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
在所述第3工序中，一边通过液体涂布构件涂布所述树脂，一边使该液体涂布构件沿着所述加工对象物的外缘移动。
6.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
在所述第5工序中，将所述芯片取出，并且将固化了的所述树脂留在所述可扩张薄片上。
7.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
在所述第5工序中，在将所述芯片取出之前，将固化了的所述树脂的至少一部分去除。
8.如权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，其中，
所述树脂是紫外线固化树脂，
在所述第3工序中，对所述树脂照射紫外线而使所述树脂固化，并且对所述可扩张薄片照射紫外线而使所述可扩张薄片的粘接力降低。
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