WO2018216600A1 - 加工対象物切断方法 - Google Patents

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WO2018216600A1
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resin
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gap
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幹春 朽木
金田　秀文
大亮 栗田
剛志 坂本
孝文 荻原
裕太 近藤
内山　直己
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協立化学産業株式会社
浜松ホトニクス株式会社
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Definitions

  • One aspect of the present invention relates to a workpiece cutting method.
  • Patent Document 1 discloses a material for forming an object to be processed when stress is applied to the object to be processed on which a modified region serving as a starting point of cutting is formed via a sheet. There is described a technique for removing electricity (a substance forming a processing object or a substance forming a processing object).
  • the particles may be peeled off from the cut surface of the chip in the subsequent transport process or the like, and may adhere to the functional elements of the chip. There is.
  • One aspect of the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a processing object cutting method capable of removing particles remaining on a cutting surface of a chip.
  • the processing object cutting method includes a first step of attaching an expandable sheet to a front surface or a back surface of a processing object, and a laser on the processing object along a scheduled cutting line after the first step.
  • a first step of attaching an expandable sheet to a front surface or a back surface of a processing object and a laser on the processing object along a scheduled cutting line after the first step.
  • the second step of forming a gap reaching the side surface intersecting the back surface the third step of filling the gap from the outer edge including the side surface of the workpiece after the second step, and the third step, A fourth step of curing and shrinking the resin; and a fifth step of removing the chip from the expandable sheet after the fourth step.
  • the processing object is divided into a plurality of chips, and after the resin is filled between the plurality of chips, the filled resin is cured and contracted. As a result, particles remaining on the cut surface of the chip to be taken out can be attached to the resin, and the particles can be removed.
  • the processing object cutting method includes a first step of attaching an expandable sheet to a front surface or a back surface of a processing object, and a laser on the processing object along a scheduled cutting line after the first step.
  • a first step of attaching an expandable sheet to a front surface or a back surface of a processing object and a laser on the processing object along a scheduled cutting line after the first step.
  • a second step of forming a gap reaching the side surface intersecting the back surface and in the second step, after applying the resin on the expandable sheet before expanding the expandable sheet, the gap is formed by expanding the expandable sheet
  • the third step of filling the applied resin into the gap from the outer edge including the side surface of the workpiece the fourth step of curing and shrinking the resin after the third step, and the fourth step , Expandable sea Including a fifth step of taking out the chip from the top.
  • particles remaining on the cut surface of the chip to be taken out can be adhered to the resin and the particles can be removed.
  • the resin in the third step, is applied to at least a part of the periphery that is a predetermined length away from the side surface of the processing object, so that the resin is filled into the gap from the side surface. May be.
  • the resin in the third step, may be applied to at least a part of the outer edge portion of the processing object to fill the gap from the outer edge portion. In these cases, filling of the resin into the gap can be effectively realized.
  • the liquid application mechanism in the third step, may be moved along the outer edge of the processing object while applying the resin by the liquid application mechanism. In this case, the filling of the resin into the gap can be specifically realized.
  • the chip in the fifth step, the chip may be taken out and the cured resin may be left on the expandable sheet.
  • the chip when the chip is taken out, particles remaining on the cut surface of the chip can be left on the expandable sheet together with the resin.
  • the fifth step at least a part of the cured resin may be removed before the chip is taken out.
  • particles remaining on the cut surface of the chip can be removed together with the resin.
  • the resin is an ultraviolet curable resin
  • the resin in the third step, the resin is irradiated with ultraviolet rays to cure the resin, and the expandable sheet is irradiated with ultraviolet rays.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus used for forming a modified region.
  • FIG. 2 is a plan view of a workpiece to be modified.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of the workpiece of FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of an object to be processed after laser processing.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of the workpiece in FIG. 6 is a cross-sectional view of the workpiece of FIG. 4 along the line VI-VI.
  • Fig.7 (a) is a schematic perspective view for demonstrating the workpiece cutting method which concerns on one Embodiment.
  • FIG.7 (b) is a schematic perspective view which shows the continuation of Fig.7 (a).
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus used for forming a modified region.
  • FIG. 2 is a plan view of a workpiece to be modified.
  • FIG. 3 is a cross-section
  • FIG. 8 is a schematic perspective view showing a continuation of FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing another example of the object to be processed after the expanding step.
  • FIG. 10A is a schematic perspective view showing a continuation of FIG.
  • FIG. 10B is an enlarged partial cross-sectional view of FIG.
  • Fig.11 (a) is a schematic perspective view which shows the continuation of Fig.10 (a).
  • FIG.11 (b) is a schematic perspective view which shows the continuation of Fig.11 (a).
  • FIG. 12 is a schematic perspective view showing a resin peeling step of the workpiece cutting method according to the modification.
  • the modified region is formed on the processing object along the planned cutting line by condensing the laser beam on the processing object. Form. First, the formation of the modified region will be described with reference to FIGS.
  • the laser processing apparatus 100 is arranged so that the direction of the optical axis (optical path) of the laser light L and the laser light source 101 that is a laser light emitting unit that pulsates the laser light L is changed by 90 °.
  • the dichroic mirror 103 and the condensing lens 105 for condensing the laser beam L are provided.
  • the laser processing apparatus 100 includes a support base 107 for supporting the workpiece 1 irradiated with the laser light L condensed by the condensing lens 105, and a stage 111 for moving the support base 107.
  • a laser light source control unit 102 for controlling the laser light source 101 to adjust the output (pulse energy, light intensity), pulse width, pulse waveform, etc. of the laser light L, and a stage control unit 115 for controlling the movement of the stage 111 It is equipped with.
  • the laser light L emitted from the laser light source 101 is changed in the direction of its optical axis by 90 ° by the dichroic mirror 103, and is placed inside the processing object 1 placed on the support base 107.
  • the light is condensed by the condensing lens 105.
  • the stage 111 is moved, and the workpiece 1 is moved relative to the laser beam L along the planned cutting line 5. Thereby, a modified region along the planned cutting line 5 is formed on the workpiece 1.
  • the stage 111 is moved in order to move the laser light L relatively, but the condensing lens 105 may be moved, or both of them may be moved.
  • a plate-like member for example, a substrate, a wafer, or the like
  • a scheduled cutting line 5 for cutting the workpiece 1 is set in the workpiece 1.
  • the planned cutting line 5 is a virtual line extending linearly.
  • the laser beam L is cut in a state where the condensing point (condensing position) P is aligned with the inside of the workpiece 1 as shown in FIG. 3. It moves relatively along the planned line 5 (that is, in the direction of arrow A in FIG. 2).
  • the modified region 7 is formed on the workpiece 1 along the planned cutting line 5, and the modified region formed along the planned cutting line 5. 7 becomes the cutting start region 8.
  • the condensing point P is a portion where the laser light L is condensed.
  • the planned cutting line 5 is not limited to a straight line, but may be a curved line, a three-dimensional shape in which these lines are combined, or a coordinate designated.
  • the planned cutting line 5 is not limited to a virtual line but may be a line actually drawn on the surface 3 of the workpiece 1.
  • the modified region 7 may be formed continuously or intermittently.
  • the modified region 7 may be in the form of a line or a dot. In short, the modified region 7 only needs to be formed at least inside the workpiece 1.
  • a crack may be formed starting from the modified region 7, and the crack and the modified region 7 may be exposed on the outer surface (front surface 3, back surface, or outer peripheral surface) of the workpiece 1. .
  • the laser light incident surface when forming the modified region 7 is not limited to the front surface 3 of the workpiece 1 and may be the back surface of the workpiece 1.
  • the modified region 7 when the modified region 7 is formed inside the workpiece 1, the laser light L passes through the workpiece 1 and is near the condensing point P located inside the workpiece 1. Especially absorbed. Thereby, the modified region 7 is formed in the workpiece 1 (that is, internal absorption laser processing). In this case, since the laser beam L is hardly absorbed by the surface 3 of the workpiece 1, the surface 3 of the workpiece 1 is not melted. On the other hand, when the modified region 7 is formed on the front surface 3 or the back surface of the workpiece 1, the laser light L is absorbed particularly in the vicinity of the condensing point P located on the front surface 3 or the back surface, and the front surface 3 or the back surface. Then, a removed portion such as a hole or a groove is formed (surface absorption laser processing).
  • the modified region 7 is a region where the density, refractive index, mechanical strength and other physical characteristics are different from the surroundings.
  • Examples of the modified region 7 include a melt treatment region (meaning at least one of a region once solidified after melting, a region in a molten state, and a region in a state of being resolidified from melting), a crack region, and the like.
  • a dielectric breakdown region, a refractive index change region, and the like there is a region where these are mixed.
  • the modified region 7 includes a region where the density of the modified region 7 in the material of the workpiece 1 is changed compared to the density of the non-modified region, and a region where lattice defects are formed.
  • the modified region 7 can be said to be a high dislocation density region.
  • the area where the density of the melt processing area, the refractive index changing area, the density of the modified area 7 is changed as compared with the density of the non-modified area, and the area where lattice defects are formed are further included in the interior of these areas or the modified areas.
  • cracks (cracks, microcracks) are included in the interface between the region 7 and the non-modified region.
  • the included crack may be formed over the entire surface of the modified region 7, or may be formed in only a part or a plurality of parts.
  • the workpiece 1 includes a substrate made of a crystal material having a crystal structure.
  • the workpiece 1 includes a substrate formed of at least one of gallium nitride (GaN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), LiTaO 3 , and sapphire (Al 2 O 3 ).
  • the workpiece 1 includes, for example, a gallium nitride substrate, a silicon substrate, a SiC substrate, a LiTaO 3 substrate, or a sapphire substrate.
  • the crystal material may be either an anisotropic crystal or an isotropic crystal.
  • the workpiece 1 may include a substrate made of an amorphous material having an amorphous structure (amorphous structure), for example, a glass substrate.
  • the modified region 7 can be formed by forming a plurality of modified spots (processing marks) along the planned cutting line 5.
  • the modified region 7 is formed by collecting a plurality of modified spots.
  • the modified spot is a modified portion formed by one pulse shot of pulsed laser light (that is, one pulse of laser irradiation: laser shot).
  • Examples of the modified spot include a crack spot, a melting treatment spot, a refractive index change spot, or a mixture of at least one of these.
  • the size and length of cracks to be generated are appropriately determined in consideration of the required cutting accuracy, required flatness of the cut surface, thickness, type, crystal orientation, etc. of the workpiece 1. Can be controlled.
  • the modified spot can be formed as the modified region 7 along the planned cutting line 5.
  • the workpiece cutting method is used as a chip manufacturing method for laser processing the workpiece 1 to manufacture a plurality of chips.
  • the processing object cutting method can be implemented using the laser processing apparatus 100 shown in FIG.
  • the workpiece 1 has a disk shape with a thickness of 400 ⁇ m and a diameter of 8 inches, for example.
  • the workpiece 1 is, for example, a sapphire substrate, a SiC substrate, a glass substrate (tempered glass substrate), a silicon substrate, a semiconductor substrate, a transparent insulating substrate, or the like.
  • the processing object 1 here is a single crystal silicon substrate.
  • the functional element layer is formed on the surface 3 side that is the laser light incident surface side in the workpiece 1.
  • the functional element layer includes a plurality of functional elements (for example, a light receiving element such as a photodiode, a light emitting element such as a laser diode, or a circuit element formed as a circuit) arranged in a matrix.
  • a plurality of scheduled cutting lines 5 extending so as to pass between adjacent functional elements are set.
  • the plurality of scheduled cutting lines 5 extend in a lattice shape.
  • an expanded tape (expandable sheet) 6 is attached to the back surface 4 of the processing object 1 (tape application process: first process).
  • the expanded tape 6 is held by an annular frame F, for example.
  • the object 1 is attached so that the back surface 4 comes into contact with the expanded tape 6 held in the frame F.
  • the expanded tape 6 is wider than the processing object 1 and includes the processing object 1 when viewed from the thickness direction of the processing object 1.
  • the expanded tape 6 includes a central region where the processing object 1 is disposed and an outer edge region where the processing object 1 is not disposed.
  • the focused point P is relatively positioned in a state where the focused point P of the laser beam L is aligned with the workpiece 1.
  • the modified region 7 is formed at least inside the workpiece 1 (modified region forming step: second step).
  • the processing conditions are not particularly limited as long as the processing conditions can be divided into a plurality of chips 1a in the subsequent expanding step.
  • a crack may be exposed on at least one of the front surface 3 and the back surface 4 of the workpiece 1 or the crack may not be exposed.
  • a crack 9 extending from the modified region 7 is extended to divide the workpiece 1 into a plurality of chips 1a.
  • the gap between the chips 1a is expanded to form a gap G that exists between the plurality of chips 1a and reaches the side surface 2 orthogonal to (intersects with) the front surface 3 and the back surface 4 of the workpiece 1 (expanding step: Second step).
  • the gap G has a distance that allows the resin to penetrate in the subsequent resin filling step.
  • the gap G is not particularly limited and is, for example, 50 ⁇ m.
  • the division into a plurality of chips 1a may be completed in the modified region forming process, and in this case, the expanding process is performed for the purpose of securing the interval between the chips 1a.
  • a grip ring or a heat shrink can be used for holding the workpiece 1 after the expansion tape 6 is expanded.
  • the workpiece 1 may have a non-effective area 16x provided at the outer edge and an effective area 16y provided inside the non-effective area 16x.
  • the effective region 16y is a region where the functional element layer is provided
  • the non-effective region 16x is a region where the functional element layer is not provided.
  • the modified region forming step when the condensing point of the laser beam L is located in the ineffective region 16x, the irradiation of the laser beam L is turned off and the modified region 7 is not formed, while the condensing of the laser beam L is performed.
  • the modified region 7 is formed by turning on the laser beam L.
  • the effective area 16y of the workpiece 1 is divided into a plurality of chips 1a, and at least a part of the gap G formed between the plurality of chips 1a as shown in the figure. However, it reaches the side surface 2 of the workpiece 1.
  • the resin R is applied around the side surface 2 of the processing object 1 by a predetermined length so that the gap G is formed from the side surface 2 of the processing object 1.
  • Resin R is filled (resin filling step: third step).
  • the liquid application mechanism 11 is moved along the outer edge of the workpiece 1 while the resin R is applied by the liquid application mechanism 11.
  • the liquid application mechanism 11 is moved along the periphery of the workpiece 1. Multiple times (for example, 2 times).
  • the resin R is not directly filled into the gap G, but the resin R dripped around the workpiece 1 on the expanded tape 6 is capillary action, selective wettability of the material side surface and surface
  • the gap G is advanced (penetrated) using at least one of the tensions.
  • the resin R does not protrude on the surface 3 of the workpiece 1 and the resin R does not return through the gap G.
  • Resin R is a liquid resin.
  • the resin R is an ultraviolet curable resin.
  • a resin whose shrinkage rate during curing is higher than a predetermined rate is selected so that the resin R can be easily peeled off from the chip 1a (see FIG. 11B) in the subsequent pickup process.
  • the resin R may be a gel (gel), semi-solid, jelly, mousse or paste (kneaded) resin.
  • the predetermined length is 0.5 mm
  • the height of the liquid application mechanism 11 from the expanded tape 6 is 0.3 mm. In the thickness direction of the workpiece 1, for example, the resin reaches at least 350 ⁇ m out of a plate thickness of 400 ⁇ m.
  • the liquid application mechanism 11 here is a dispenser.
  • the liquid application mechanism 11 may be moved only once around the workpiece 1. In the resin filling step, the liquid application mechanism 11 may be moved only one turn or less along the periphery of the workpiece 1. That is, in the resin filling step, the resin R may be applied to a part of the periphery that is a predetermined length away from the side surface 2 of the workpiece 1. Further, instead of or in addition to the movement of the liquid application mechanism 11, the stage 111 (see FIG. 1) on which the workpiece 1 is placed may be rotated.
  • the resin R is irradiated with ultraviolet rays, and the resin R is cured and contracted (ultraviolet irradiation step: fourth step).
  • the ultraviolet irradiation may be performed in a plurality of times or may be performed once.
  • the expanded tape 6 is also irradiated with ultraviolet light to reduce the adhesive force of the expanded tape 6 on the workpiece 1.
  • the chip 1a is picked up and taken out from the expanded tape 6 (pickup step: fifth step).
  • the cured resin R is peeled off from the side surface of the chip 1 a, attached to the expanded tape 6 instead of the chip 1 a, and left on the expanded tape 6.
  • the separation between the chip 1a and the resin R may be realized by contraction when the resin R is cured in the ultraviolet irradiation step, instead of or in addition to the pickup force.
  • the expansion tape 6 may be expanded again after curing.
  • the workpiece 1 is divided into a plurality of chips 1a, and the gap R between the plurality of chips 1a is filled with the resin R, and then the filled resin R is cured and contracted.
  • the resin R is applied to the periphery of the processing object 1 at a predetermined distance from the side surface 2, thereby filling the gap R with the resin R from the side surface 2. In this case, the filling of the resin R into the gap G can be effectively realized.
  • the liquid application mechanism 11 is moved along the outer edge of the object 1 while applying the resin R by the liquid application mechanism 11. In this case, the filling of the resin R into the gap G can be specifically realized.
  • the chip 1 a is taken out and the cured resin R is left on the expanded tape 6. Thereby, when taking out the chip 1a, particles remaining on the cut surface of the chip 1a can be left on the expanded tape 6 together with the resin R.
  • the resin R is irradiated with ultraviolet rays to cure the resin
  • the expanded tape 6 is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength of the expanded tape 6.
  • the resin R is cured by the irradiation of ultraviolet rays but also the adhesive strength of the expanded tape 6 is reduced, so that the chip 1a can be easily picked up from the expanded tape 6 in the subsequent pickup process.
  • the permeability of the wax was x (unsuitable) and the curability and peelability were ⁇ (conforming).
  • the water-based resin was found to have a curability of x (unsuitable) and a penetrability and peelability of ⁇ (conforming). It was found that all characteristics (penetration, curability, and peelability) of the UV curable resin were ⁇ (compatible). In particular, it was found that an acrylic ultraviolet curable resin having a viscosity of 100 mPa ⁇ s or less has the best properties.
  • the side surface 2 of the processing target 1 is included instead of or in addition to the application of the resin R around the predetermined distance from the side surface 2 of the processing target 1.
  • the resin R may be filled into the gap G from the outer edge by applying the resin R to at least a part of the outer edge.
  • the outer edge portion may be, for example, the ineffective area 16x (see FIG. 9) or the outer peripheral bevel area. Even in this case, the filling of the resin R into the gap G can be effectively realized.
  • the said 3rd process may be implemented in a 2nd process. That is, in the second step, after the resin R is applied on the expanded tape 6 before the expanded tape 6 is expanded, the applied resin R is formed while the gap G is formed (growth) by the expansion of the expanded tape 6.
  • the gap G may be filled from the side surface 2 of the workpiece 1.
  • the position where the resin R is applied before expanding the expanded tape 6 may be a predetermined distance away from the side surface 2 of the workpiece 1 or may be the outer edge of the workpiece 1. Even in this case, the particles remaining on the cut surface of the chip 1a can be adhered to the resin R to remove the particles.
  • the temperature in the stage 111 or the ambient atmosphere may be heated during the third step or after the third step and before the fourth step.
  • the viscosity of the resin R can be lowered, the filling speed of the resin R into the gap G can be accelerated, and the tact time can be increased.
  • the viscosity of the resin R can be lowered, the filling speed of the resin R into the gap G can be accelerated, and the tact time can be increased.
  • the temperature to heat may be below a threshold value (for example, 60 degrees or less) as an upper limit temperature at which the characteristics of the expanded tape 6 do not deteriorate. Thereby, the deterioration of the characteristic of the expanded tape 6 can be suppressed.
  • a threshold value for example, 60 degrees or less
  • the liquid application mechanism 11 is not limited to a dispenser, and various application means may be used.
  • the liquid application mechanism 11 may be, for example, a mechanism that applies the resin R by an inkjet method, or a mechanism that applies the resin R by screen printing.
  • a mechanism for applying the resin R by screen printing is used for the liquid application mechanism 11, the resin R can be applied in a short time along the outer edge of the workpiece 1.
  • an ultraviolet curable resin using ultraviolet curing is used for the resin R, but the resin R is not particularly limited.
  • the resin R may be a resin using a curing reaction using external energy such as thermosetting, or may be a resin using room temperature reaction curing.
  • the expandable tape 6 is used as an expandable sheet in order to divide the workpiece 1 into the chips 1a.
  • the expandable sheet 6 is not limited to the expandable tape 6, and various expandable sheet materials may be used.
  • a knife edge, a breaker device, a roller device, or the like may be further used.
  • “curing” includes an aspect in which the composition is not completely solidified. Curing may be performed as long as at least a part of the liquid resin R is solid, and the resin R contracts by curing.
  • the cured resin R may include at least one of a gaseous (gas) resin R and a liquid resin R that remains liquid.

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Abstract

加工対象物切断方法は、加工対象物の表面又は裏面に拡張可能シートを貼り付ける第１工程と、第１工程の後、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射して改質領域を形成し、拡張可能シートを拡張することにより、加工対象物の少なくとも一部を複数のチップに分割すると共に、複数のチップ間に存在し且つ加工対象物の表面及び裏面と交差する側面に至る隙間を形成する第２工程と、第２工程の後、加工対象物における側面を含む外縁部から隙間に樹脂を充填する第３工程と、第３工程の後、樹脂を硬化させて収縮させる第４工程と、第４工程の後、拡張可能シート上からチップを取り出す第５工程と、を含む。

Description

加工対象物切断方法
　本発明の一側面は、加工対象物切断方法に関する。
　従来の加工対象物切断方法に関する技術として、特許文献１には、切断の起点となる改質領域が形成された加工対象物にシートを介して応力を印加する際に、加工対象物の形成物質（加工対象物を形成している物質、或いは加工対象物を形成していた物質）を除電する技術が記載されている。
特開２００７－１４２２０６号公報
　上述したような加工対象物切断方法では、チップの切断面にパーティクルが残存していると、例えばその後の搬送工程等においてチップの切断面からパーティクルが剥離し、チップの機能素子等に付着するおそれがある。
　本発明の一側面は、このような事情に鑑みてなされたものであり、チップの切断面に残存するパーティクルを除去できる加工対象物切断方法を提供することを目的とする。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法は、加工対象物の表面又は裏面に拡張可能シートを貼り付ける第１工程と、第１工程の後、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射して改質領域を形成し、拡張可能シートを拡張することにより、加工対象物の少なくとも一部を複数のチップに分割すると共に、複数のチップ間に存在し且つ加工対象物の表面及び裏面と交差する側面に至る隙間を形成する第２工程と、第２工程の後、加工対象物における側面を含む外縁部から隙間に樹脂を充填する第３工程と、第３工程の後、樹脂を硬化させて収縮させる第４工程と、第４工程の後、拡張可能シート上からチップを取り出す第５工程と、を含む。
　この加工対象物切断方法では、加工対象物が複数のチップへ分割され、複数のチップ間に樹脂が充填された後、充填された樹脂が硬化されて収縮される。これにより、取り出すチップの切断面に残存するパーティクルを樹脂に付着させて、当該パーティクルを除去することが可能となる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法は、加工対象物の表面又は裏面に拡張可能シートを貼り付ける第１工程と、第１工程の後、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射して改質領域を形成し、拡張可能シートを拡張することにより、加工対象物の少なくとも一部を複数のチップに分割すると共に、複数のチップ間に存在し且つ加工対象物の表面及び裏面と交差する側面に至る隙間を形成する第２工程と、第２工程において、拡張可能シートを拡張する前に樹脂を拡張可能シート上に塗布した後、拡張可能シートの拡張で隙間を形成しながら、塗布した樹脂を加工対象物における側面を含む外縁部から当該隙間に充填する第３工程と、第３工程の後、樹脂を硬化させて収縮させる第４工程と、第４工程の後、拡張可能シート上からチップを取り出す第５工程と、を含む。
　この加工対象物切断方法においても、取り出すチップの切断面に残存するパーティクルを樹脂に付着させて、当該パーティクルを除去することが可能となる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法において、第３工程では、加工対象物の側面から所定長離れた周囲の少なくとも一部に樹脂を塗布することで、側面から隙間に樹脂を充填してもよい。また、本発明に係る加工対象物切断方法において、第３工程では、加工対象物の外縁部の少なくとも一部に樹脂を塗布することで、外縁部から隙間に樹脂を充填してもよい。これらの場合、隙間への樹脂の充填を効果的に実現できる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法において、第３工程では、液体塗布機構により樹脂を塗布しながら、当該液体塗布機構を加工対象物の外縁に沿って移動させてもよい。この場合、隙間への樹脂の充填を具体的に実現できる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法において、第５工程では、チップを取り出すと共に、硬化した樹脂を拡張可能シート上に残してもよい。この場合、チップを取り出す際、チップの切断面に残存するパーティクルを、樹脂とともに拡張可能シート上に残すことができる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法において、第５工程では、チップを取り出す前に、硬化した樹脂の少なくとも一部を除去してもよい。この場合、チップを取り出す前に、チップの切断面に残存するパーティクルを、樹脂とともに除去することができる。
　本発明の一側面に係る加工対象物切断方法において、樹脂は、紫外線硬化樹脂であり、第３工程では、樹脂に紫外線を照射して樹脂を硬化させると共に、拡張可能シートに紫外線を照射して拡張可能シートの粘着力を低下させてもよい。このように、紫外線の照射により拡張可能シートの粘着力を低下させることで、その後に拡張可能シート上からチップを取り出しやすくすることができる。
　本発明の一側面によれば、チップの切断面に残存するパーティクルを除去できる加工対象物切断方法を提供することが可能となる。
図１は、改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。 図２は、改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。 図３は、図２の加工対象物のIII－III線に沿っての断面図である。 図４は、レーザ加工後の加工対象物の平面図である。 図５は、図４の加工対象物のV－V線に沿っての断面図である。 図６は、図４の加工対象物のVI－VI線に沿っての断面図である。 図７（ａ）は、一実施形態に係る加工対象物切断方法を説明するための概略斜視図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の続きを示す概略斜視図である。 図８は、図７（ｂ）の続きを示す概略斜視図である。 図９は、エキスパンド工程後における加工対象物の他の例を示す平面図である。 図１０（ａ）は、図８の続きを示す概略斜視図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の一部断面拡大図である。 図１１（ａ）は、図１０（ａ）の続きを示す概略斜視図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の続きを示す概略斜視図である。 図１２は、変形例に係る加工対象物切断方法の樹脂剥離工程を示す概略斜視図である。
　以下、実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
　実施形態に係る加工対象物切断方法及び加工対象物切断方法を実施するレーザ加工装置では、加工対象物にレーザ光を集光することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物に改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図１～図６を参照して説明する。
　図１に示されるように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光出射部であるレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力（パルスエネルギ，光強度）やパルス幅、パルス波形等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
　レーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成される。なお、ここでは、レーザ光Ｌを相対的に移動させるためにステージ１１１を移動させたが、集光用レンズ１０５を移動させてもよいし、或いはこれらの両方を移動させてもよい。
　加工対象物１としては、半導体材料で形成された半導体基板や圧電材料で形成された圧電基板等を含む板状の部材（例えば、基板、ウェハ等）が用いられる。図２に示されるように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示されるように、加工対象物１の内部に集光点（集光位置）Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４、図５及び図６に示されるように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１に形成され、切断予定ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
　集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、これらが組み合わされた３次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。切断予定ライン５は、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面３、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。改質領域７を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物１の表面３に限定されるものではなく、加工対象物１の裏面であってもよい。
　ちなみに、加工対象物１の内部に改質領域７を形成する場合には、レーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に、加工対象物１の内部に位置する集光点Ｐ近傍にて特に吸収される。これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。この場合、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一方、加工対象物１の表面３又は裏面に改質領域７を形成する場合には、レーザ光Ｌは、表面３又は裏面に位置する集光点Ｐ近傍にて特に吸収され、表面３又は裏面から溶融され除去されて、穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）。
　改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域７としては、加工対象物１の材料において改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある。加工対象物１の材料が単結晶シリコンである場合、改質領域７は、高転位密度領域ともいえる。
　溶融処理領域、屈折率変化領域、改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、及び、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域７と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は、改質領域７の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物１は、結晶構造を有する結晶材料からなる基板を含む。例えば加工対象物１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＬｉＴａＯ３、及び、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも何れかで形成された基板を含む。換言すると、加工対象物１は、例えば、窒化ガリウム基板、シリコン基板、ＳｉＣ基板、ＬｉＴａＯ３基板、又はサファイア基板を含む。結晶材料は、異方性結晶及び等方性結晶の何れであってもよい。また、加工対象物１は、非結晶構造（非晶質構造）を有する非結晶材料からなる基板を含んでいてもよく、例えばガラス基板を含んでいてもよい。
　実施形態では、切断予定ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することにより、改質領域７を形成することができる。この場合、複数の改質スポットが集まることによって改質領域７となる。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分である。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物１の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することができる。また、実施形態では、切断予定ライン５に沿って、改質スポットを改質領域７として形成することができる。
　次に、加工対象物切断方法について説明する。
　加工対象物切断方法は、加工対象物１をレーザ加工して複数のチップを製造するためのチップの製造方法として用いられる。加工対象物切断方法は、図１に示されるレーザ加工装置１００を用いて実施可能である。加工対象物１は、例えば厚さが４００μｍで直径が８インチの円板状を呈している。加工対象物１は、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ガラス基板（強化ガラス基板）、シリコン基板、半導体基板又は透明絶縁基板等である。ここでの加工対象物１は、単結晶シリコン基板である。
　加工対象物１においてレーザ光入射面側である表面３側には、機能素子層が形成されている。機能素子層は、マトリックス状に配列された複数の機能素子（例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、又は回路として形成された回路素子等）を含んでいる。加工対象物１の表面３上には、隣り合う機能素子間を通るように延びる切断予定ライン５が複数設定されている。複数の切断予定ライン５は、格子状に延在している。
　加工対象物切断方法では、図７（ａ）に示されるように、まず、加工対象物１の裏面４にエキスパンドテープ（拡張可能シート）６を貼着する（テープ貼付工程：第１工程）。エキスパンドテープ６は、例えば円環状のフレームＦに保持されている。テープ貼付工程では、フレームＦに保持された状態のエキスパンドテープ６に対して、裏面４が接触するように加工対象物１を貼り付ける。エキスパンドテープ６は、加工対象物１の厚さ方向から見て、加工対象物１よりも広く、加工対象物１を含んでいる。エキスパンドテープ６は、加工対象物１が配置された中央領域と、加工対象物１が配置されていない外縁領域と、を含む。
　図７（ｂ）に示されるように、切断予定ライン５（図１参照）に沿って、加工対象物１にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせた状態で該集光点Ｐを相対的に移動させ、加工対象物１の少なくとも内部に改質領域７を形成する（改質領域形成工程：第２工程）。改質領域形成工程では、その加工条件は特に限定されず、後段のエキスパンド工程で複数のチップ１ａへ分割可能な加工条件であればよい。例えば加工対象物１の表面３及び裏面４の少なくとも何れかに亀裂を露出させてもよいし、亀裂を露出させなくてもよい。
　図８に示されるように、エキスパンドテープ６を拡張することにより、例えば改質領域７から延びる亀裂９を伸展させ、加工対象物１を複数のチップ１ａに分割する。これと共に、チップ１ａ同士の間隔を拡張し、複数のチップ１ａ間に存在し且つ加工対象物１の表面３及び裏面４と直交（交差）する側面２に至る隙間Ｇを形成する（エキスパンド工程：第２工程）。隙間Ｇは、後段の樹脂充填工程で樹脂を浸透させ得る距離を有する。隙間Ｇは、特に限定されず、例えば５０μｍである。なお、改質領域形成工程で複数のチップ１ａへの分割を完了してもよく、この場合、エキスパンド工程では、チップ１ａ同士の間隔を確保する目的で実施される。エキスパンドテープ６の拡張後の加工対象物１の保持は、グリップリング又はヒートシュリンク等を用いることができる。
　ちなみに、図９に示されるように、加工対象物１は、外縁部に設けられた非有効領域１６ｘと、非有効領域１６ｘの内側に設けられた有効領域１６ｙと、を有する場合がある。有効領域１６ｙは、機能素子層が設けられる領域であり、非有効領域１６ｘは、機能素子層が設けられない領域である。この場合、改質領域形成工程では、レーザ光Ｌの集光点が非有効領域１６ｘに位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＦＦとして改質領域７を形成しない一方、レーザ光Ｌの集光点が有効領域１６ｙ内に位置するとき、レーザ光Ｌの照射をＯＮとして改質領域７を形成する。この場合、エキスパンド工程の実施後には、加工対象物１の有効領域１６ｙが複数のチップ１ａに分割されると共に、図示されるように、複数のチップ１ａ間に形成された隙間Ｇの少なくとも一部が、加工対象物１の側面２に至る。
　図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示されるように、加工対象物１の側面２から所定長離れた周囲に樹脂Ｒを塗布することで、加工対象物１の側面２から隙間Ｇに樹脂Ｒを充填する（樹脂充填工程：第３工程）。樹脂充填工程では、液体塗布機構１１により樹脂Ｒを塗布しながら、当該液体塗布機構１１を加工対象物１の外縁に沿って移動させる。具体的には、樹脂充填工程では、加工対象物１の側面２から所定長離れた位置に液体塗布機構１１により樹脂Ｒを塗布しながら、当該液体塗布機構１１を加工対象物１の周囲に沿って複数周（例えば２周）移動させる。
　樹脂充填工程では、隙間Ｇに樹脂Ｒが直接充填されるのではなく、エキスパンドテープ６上における加工対象物１の周囲に滴下された樹脂Ｒが、毛細管現象、材質側面の選択的ぬれ性及び表面張力の少なくとも何れかを利用して隙間Ｇを進む（浸透する）。樹脂充填工程では、加工対象物１の表面３上に樹脂Ｒがはみ出ることはなく、且つ、隙間Ｇを樹脂Ｒが戻ることはない。
　樹脂Ｒは、液体の樹脂である。樹脂Ｒは、紫外線硬化樹脂である。樹脂Ｒとしては、後段のピックアップ工程でチップ１ａ（図１１（ｂ）参照）から剥離しやすいように、硬化時の収縮率が所定率よりも高い樹脂が選定されている。なお、樹脂Ｒは、ジェル（ゲル）状、半固体状、ゼリー状、ムース状ないしペースト状（練状）の樹脂であってもよい。例えば所定長は、０．５ｍｍであり、エキスパンドテープ６からの液体塗布機構１１の高さは０．３ｍｍである。樹脂は、加工対象物１の厚さ方向において、例えば４００μｍの板厚のうち少なくとも３５０μｍまでは到達している。ここでの液体塗布機構１１は、ディスペンサである。
　なお、樹脂充填工程では、加工対象物１の周囲に沿って、液体塗布機構１１を１周のみ移動させてもよい。樹脂充填工程では、加工対象物１の周囲に沿って、液体塗布機構１１を１周以下のみ移動させてもよい。つまり、樹脂充填工程では、加工対象物１の側面２から所定長離れた周囲の一部に樹脂Ｒを塗布してもよい。また、液体塗布機構１１の当該移動に代えて若しくは加えて、加工対象物１が載せられているステージ１１１（図１参照）を回転させてもよい。
　図１１（ａ）に示されるように、樹脂Ｒに紫外線を照射し、樹脂Ｒを硬化させて収縮させる（紫外線照射工程：第４工程）。紫外線照射工程では、紫外線の照射を複数回に分けて実施してもよいし、１回で実施してもよい。紫外線照射工程では、エキスパンドテープ６に対しても紫外線を照射して、加工対象物１に対するエキスパンドテープ６の粘着力を低下させる。
　図１１（ｂ）に示されるように、チップ１ａをエキスパンドテープ６上からピックアップして取り出す（ピックアップ工程：第５工程）。ピックアップ工程では、硬化した樹脂Ｒは、チップ１ａの側面から剥離され、チップ１ａではなくエキスパンドテープ６に付着され、エキスパンドテープ６上に残される。なお、チップ１ａと樹脂Ｒとの剥離については、当該ピックアップの力により実現するのに代えて若しくは加えて、上記紫外線照射工程における樹脂Ｒの硬化時の収縮で実現してもよいし、樹脂Ｒの硬化後にエキスパンドテープ６を再度拡張することにより実現してもよい。
　以上、加工対象物切断方法では、加工対象物１が複数のチップ１ａへ分割され、複数のチップ１ａ間の隙間Ｇに樹脂Ｒが充填された後、充填された樹脂Ｒが硬化されて収縮される。これにより、取り出すチップ１ａの切断面に残存するパーティクルを樹脂Ｒに付着させて、当該パーティクルを除去することが可能となる。また、加工対象物１の表面３に離散するパーティクルを抑制することが可能となる。
　加工対象物切断方法において、樹脂充填工程では、加工対象物１の側面２から所定長離れた周囲に樹脂Ｒを塗布することで、側面２から隙間Ｇに樹脂Ｒを充填している。この場合、隙間Ｇへの樹脂Ｒの充填を効果的に実現することができる。
　加工対象物切断方法において、樹脂充填工程では、液体塗布機構１１により樹脂Ｒを塗布しながら、当該液体塗布機構１１を加工対象物１の外縁に沿って移動させる。この場合、隙間Ｇへの樹脂Ｒの充填を具体的に実現することができる。
　加工対象物切断方法では、チップ１ａを取り出すと共に、硬化した樹脂Ｒをエキスパンドテープ６上に残している。これにより、チップ１ａを取り出す際、チップ１ａの切断面に残存するパーティクルを、樹脂Ｒとともにエキスパンドテープ６上に残すことができる。
　加工対象物切断方法では、樹脂Ｒに紫外線を照射して樹脂を硬化させると共に、エキスパンドテープ６に紫外線を照射してエキスパンドテープ６の粘着力を低下させている。このように、紫外線の照射によって樹脂Ｒを硬化させるだけでなくエキスパンドテープ６の粘着力をも低下させることで、その後のピックアップ工程にてエキスパンドテープ６上からチップ１ａをピックアップしやすくできる。
　ここで、樹脂Ｒの選定に関する評価実験を行った。樹脂Ｒの候補として、ワックス、水系樹脂及び紫外線硬化樹脂を用いた。ワックスとしては、天然系、樹脂配合品及びパラフィンを用いた。水系樹脂としては、ウレタン系、ゴム系及びアクリル系を用いた。紫外線硬化樹脂としては、アクリル系及びエポキシ系を用いた。評価実験では、以下の特性を評価した。
　　　　浸透性：隙間Ｇに浸透すること（粘度100mPa・s以下であること）
　　　　硬化性：高反応、且つ、深部硬化性があること
　　　　剥離性：硬化収縮が大きいこと、及び、加工対象物１への接着性が低く、且つ、
　　　　　　　エキスパンドテープ６への接着性が高いこと。
　評価実験の結果、ワックスでは、浸透性が×（不適）で、硬化性及び剥離性が〇（適合）であることがわかった。水系樹脂では、硬化性が×（不適）で、浸透性及び剥離性が〇（適合）であることがわかった。紫外線硬化樹脂では、全ての特性（浸透性、硬化性及び剥離性）が〇（適合）であることがわかった。特に、粘度100mPa・s以下のアクリル系の紫外線硬化樹脂が最も特性が優れていることがわかった。
　以上、実施形態について説明したが、本発明の一態様は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用してもよい。
　上記実施形態の第３工程（樹脂充填工程）では、加工対象物１の側面２から所定長離れた周囲に樹脂Ｒを塗布することに代えて若しくは加えて、加工対象物１の側面２を含む外縁部の少なくとも一部に樹脂Ｒを塗布することで、この外縁部から隙間Ｇに樹脂Ｒを充填してもよい。外縁部は、例えば非有効領域１６ｘ（図９参照）であってもよいし、外周のベベル領域であってもよい。この場合においても、隙間Ｇへの樹脂Ｒの充填を効果的に実現できる。
　上記実施形態では、上記第３工程（樹脂充填工程）を第２工程中に実施する場合もある。すなわち、第２工程において、エキスパンドテープ６を拡張する前に樹脂Ｒをエキスパンドテープ６上に塗布した後、エキスパンドテープ６の拡張で隙間Ｇを形成しながら（成長させながら）、塗布した樹脂Ｒを加工対象物１の側面２から当該隙間Ｇに充填してもよい。
エキスパンドテープ６を拡張する前に樹脂Ｒを塗布する位置は、加工対象物１の側面２から所定長離れた周囲であってもよいし、加工対象物１の外縁部であってもよい。この場合においても、チップ１ａの切断面に残存するパーティクルを樹脂Ｒに付着させて、当該パーティクルを除去することが可能となる。
　上記実施形態では、第３工程の最中、若しくは、第３工程終了後で第４工程の前に、ステージ１１１又は周囲雰囲気中の温度を加温してもよい。これにより、樹脂Ｒの粘度を下げ、樹脂Ｒの隙間Ｇへの充填速度を加速し、タクトタイムを上げることが可能となる。例えば、厚さが４００μｍで直径が８インチの加工対象物１を１．３ｍｍ×１．４ｍｍのチップ１ａへ分断する際、常温の場合（加温しない場合）には、樹脂Ｒの充填が完了するまでに２５分間が要された。一方、７分の常温の後に５分間の４０度で加温する場合には、樹脂Ｒの充填が完了した。なお、加温する温度は、エキスパンドテープ６の特性が悪化しない上限温度としての閾値以下（例えば６０度以下）であってもよい。これにより、エキスパンドテープ６の特性の悪化を抑制できる。
　上記実施形態では、液体塗布機構１１はディスペンサに限定されず、種々の塗布手段を用いてもよい。液体塗布機構１１は、例えば、インクジェット方式により樹脂Ｒを塗布する機構、又は、スクリーン印刷により樹脂Ｒを塗布する機構等であってもよい。スクリーン印刷により樹脂Ｒを塗布する機構を液体塗布機構１１に利用する場合、加工対象物１の外縁に沿った円周状に樹脂Ｒを短時間で塗布することが可能である。
　上記実施形態では、紫外線硬化を利用した紫外線硬化樹脂を樹脂Ｒに用いたが、樹脂Ｒは特に限定されない。例えば樹脂Ｒは、熱硬化等の外部エネルギを用いる硬化反応を利用した樹脂であってもよいし、常温反応硬化を利用した樹脂であってもよい。
　上記実施形態では、図１２に示されるように、ピックアップ工程において、チップ１ａを取り出す前に、硬化した樹脂Ｒの少なくとも一部を除去してもよい。この場合、チップ１ａを取り出す前に、チップ１ａの切断面に残存するパーティクルを、樹脂Ｒとともに除去することが可能となる。
　上記実施形態では、加工対象物１をチップ１ａへ分断するためにエキスパンドテープ６を拡張可能シートとして用いたが、エキスパンドテープ６に限定されず、種々の拡張可能なシート材を用いてもよい。エキスパンド工程では、例えばナイフエッジ、ブレーカー装置又はローラー装置等をさらに用いてもよい。上記において「硬化」には、完全に固化しない態様も含まれる。硬化は、液体の樹脂Ｒの少なくとも一部を固体にすることであればよく、樹脂Ｒは硬化により収縮する。硬化後の樹脂Ｒには、ガス状（気体）の樹脂Ｒ、及び、液体のままの樹脂Ｒの少なくとも何れかが含まれていてもよい。
　１…加工対象物、１ａ…チップ、２…側面、３…表面、４…裏面、５…切断予定ライン、６…エキスパンドテープ（拡張可能シート）、７…改質領域、１１…液体塗布機構、Ｇ…隙間、Ｌ…レーザ光、Ｒ…樹脂。

Claims (8)

  1. 　加工対象物の表面又は裏面に拡張可能シートを貼り付ける第１工程と、
    　前記第１工程の後、切断予定ラインに沿って前記加工対象物にレーザ光を照射して改質領域を形成し、前記拡張可能シートを拡張することにより、前記加工対象物の少なくとも一部を複数のチップに分割すると共に、複数のチップ間に存在し且つ前記加工対象物の表面及び裏面と交差する側面に至る隙間を形成する第２工程と、
    　前記第２工程の後、前記加工対象物における前記側面を含む外縁部から前記隙間に樹脂を充填する第３工程と、
    　前記第３工程の後、前記樹脂を硬化させて収縮させる第４工程と、
    　前記第４工程の後、前記拡張可能シート上から前記チップを取り出す第５工程と、を含む、加工対象物切断方法。
  2. 　加工対象物の表面又は裏面に拡張可能シートを貼り付ける第１工程と、
    　前記第１工程の後、切断予定ラインに沿って前記加工対象物にレーザ光を照射して改質領域を形成し、前記拡張可能シートを拡張することにより、前記加工対象物の少なくとも一部を複数のチップに分割すると共に、複数のチップ間に存在し且つ前記加工対象物の表面及び裏面と交差する側面に至る隙間を形成する第２工程と、
    　前記第２工程において、前記拡張可能シートを拡張する前に樹脂を前記拡張可能シート上に塗布した後、前記拡張可能シートの拡張で前記隙間を形成しながら、塗布した前記樹脂を前記加工対象物における前記側面を含む外縁部から当該隙間に充填する第３工程と、
    　前記第３工程の後、前記樹脂を硬化させて収縮させる第４工程と、
    　前記第４工程の後、前記拡張可能シート上から前記チップを取り出す第５工程と、を含む、加工対象物切断方法。
  3. 　前記第３工程では、前記加工対象物の前記側面から所定長離れた周囲の少なくとも一部に前記樹脂を塗布することで、前記側面から前記隙間に樹脂を充填する、請求項１又は２に記載の加工対象物切断方法。
  4. 　前記第３工程では、前記加工対象物の前記外縁部の少なくとも一部に前記樹脂を塗布することで、前記外縁部から前記隙間に樹脂を充填する、請求項１～３の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
  5. 　前記第３工程では、液体塗布機構により前記樹脂を塗布しながら、当該液体塗布機構を前記加工対象物の外縁に沿って移動させる、請求項１～４の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
  6. 　前記第５工程では、前記チップを取り出すと共に、硬化した前記樹脂を前記拡張可能シート上に残す、請求項１～５の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
  7. 　前記第５工程では、前記チップを取り出す前に、硬化した前記樹脂の少なくとも一部を除去する、請求項１～５の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
  8. 　前記樹脂は、紫外線硬化樹脂であり、
    　前記第３工程では、前記樹脂に紫外線を照射して前記樹脂を硬化させると共に、前記拡張可能シートに紫外線を照射して前記拡張可能シートの粘着力を低下させる、請求項１～７の何れか一項に記載の加工対象物切断方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132147A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法及び樹脂塗布装置
KR102625710B1 (ko) * 2021-09-24 2024-01-16 주식회사 루츠 형광체의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02127004A (ja) * 1988-11-08 1990-05-15 Fujitsu Ltd 半導体チップの製造方法
JP2007165855A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp チップおよびウェハの加工方法
JP2009088341A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Denso Corp チップおよびウェハの加工方法
JP2013222936A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法
JP2014063813A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4358502B2 (ja) * 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
JP2004253628A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP4167094B2 (ja) * 2003-03-10 2008-10-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
AU2003220842A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-30 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US7838331B2 (en) 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7422707B2 (en) 2007-01-10 2008-09-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Highly conductive composition for wafer coating
US8603351B2 (en) * 2007-05-25 2013-12-10 Hamamatsu Photonics K.K. Working method for cutting
JP5783670B2 (ja) * 2009-08-11 2015-09-24 武蔵エンジニアリング株式会社 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム
JP5767478B2 (ja) 2011-01-27 2015-08-19 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ
CN104508798B (zh) 2012-07-26 2017-03-08 古河电气工业株式会社 半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用胶带
JP2014041925A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP6272301B2 (ja) 2013-03-27 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6054234B2 (ja) 2013-04-22 2016-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6370648B2 (ja) 2014-09-09 2018-08-08 株式会社ディスコ ワークの分割方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02127004A (ja) * 1988-11-08 1990-05-15 Fujitsu Ltd 半導体チップの製造方法
JP2007165855A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp チップおよびウェハの加工方法
JP2009088341A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Denso Corp チップおよびウェハの加工方法
JP2013222936A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法
JP2014063813A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

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