WO2008146744A1 - 切断用加工方法 - Google Patents

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Abstract

加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断する。加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、切断予定ライン５に沿って、加工対象物１に改質領域Ｍ１を形成する。この改質領域Ｍ１が形成された加工対象物１に、改質領域のエッチングレートが非改質領域のエッチングレートより高いエッチング液を利用してエッチング処理を施すことにより、改質領域Ｍ１をエッチングする。これにより、改質領域Ｍ１における高いエッチングレートが利用され、加工対象物１が切断予定ライン５に沿って選択的且つ迅速にエッチングされる。
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Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/601,090 US8603351B2 (en) 2007-05-25 2008-05-23 Working method for cutting
DE112008001389.6T DE112008001389B4 (de) 2007-05-25 2008-05-23 Schneidbearbeitungsverfahren
KR1020097015444A KR101506355B1 (ko) 2007-05-25 2008-05-23 절단용 가공방법
JP2009516299A JP5197586B2 (ja) 2007-05-25 2008-05-23 切断用加工方法
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
WO2011013549A1 (ja) * 2009-07-28 2011-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2011222806A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
WO2012014716A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
JP2012109357A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2012227234A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2013055120A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2016165007A (ja) * 2016-04-21 2016-09-08 株式会社東京精密 研削・研磨装置及び研削・研磨方法
JP2016167618A (ja) * 2016-04-26 2016-09-15 株式会社東京精密 ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
JP2016189478A (ja) * 2016-06-13 2016-11-04 株式会社東京精密 ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
JP2018018999A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社タムラ製作所 基板の分離方法及び半導体素子
WO2018193964A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び半導体チップ
WO2018193972A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2018193966A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2018193971A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2019012850A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019012849A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019012848A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019021835A (ja) * 2017-07-20 2019-02-07 岩谷産業株式会社 切断加工方法
JP2019068077A (ja) * 2018-11-20 2019-04-25 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019071475A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019071476A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019087751A (ja) * 2018-11-20 2019-06-06 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019096910A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019096911A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
TWI760531B (zh) * 2017-07-20 2022-04-11 日商岩谷產業股份有限公司 切斷加工方法（一）
US11478874B2 (en) 2019-04-05 2022-10-25 Tdk Corporation Method of processing inorganic material substrate, device, and method of manufacturing device
WO2023145558A1 (ja) * 2022-01-27 2023-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2023238670A1 (ja) * 2022-06-07 2023-12-14 日本電気硝子株式会社 ガラス板及びその製造方法

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5693074B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2012014720A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN103025478B (zh) 2010-07-26 2015-09-30 浜松光子学株式会社 基板加工方法
EP2599579B1 (en) * 2010-07-26 2020-03-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing semiconductor device
JP5574866B2 (ja) * 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9108269B2 (en) 2010-07-26 2015-08-18 Hamamatsu Photonics K. K. Method for manufacturing light-absorbing substrate and method for manufacturing mold for making same
JP5702556B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2012014709A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2012014710A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN103025473B (zh) 2010-07-26 2015-12-09 浜松光子学株式会社 基板加工方法
CN103026486B (zh) 2010-07-26 2016-08-03 浜松光子学株式会社 中介物的制造方法
KR101222489B1 (ko) * 2011-03-09 2013-01-15 한국기계연구원 레이저를 이용한 웨이퍼의 국부적 비정질화를 선행한 이방성 에칭방법 및 이를 이용한 다이싱 방법 및 드릴링 방법
US8673741B2 (en) * 2011-06-24 2014-03-18 Electro Scientific Industries, Inc Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (DAF) or other material layer
TWI505894B (zh) * 2011-11-24 2015-11-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 雷射加工方法及雷射加工裝置
CN105467627A (zh) * 2012-05-23 2016-04-06 株式会社尼康 基板处理装置及基板处理方法
US20130344684A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Stuart Bowden Methods and systems for using subsurface laser engraving (ssle) to create one or more wafers from a material
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2015085014A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 Muñoz David Callejo System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
JP6223801B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-01 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
JP6557953B2 (ja) * 2014-09-09 2019-08-14 大日本印刷株式会社 構造体及びその製造方法
US9627259B2 (en) 2014-11-14 2017-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Device manufacturing method and device
KR20160057966A (ko) 2014-11-14 2016-05-24 가부시끼가이샤 도시바 처리 장치, 노즐 및 다이싱 장치
JP6305355B2 (ja) * 2015-01-28 2018-04-04 株式会社東芝 デバイスの製造方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2019-07-17 株式会社東芝 処理装置
JP6716263B2 (ja) * 2016-01-22 2020-07-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102016224978B4 (de) 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6817822B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP6824581B2 (ja) * 2017-04-04 2021-02-03 株式会社ディスコ 加工方法
JP7063542B2 (ja) * 2017-04-17 2022-05-09 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6991475B2 (ja) * 2017-05-24 2022-01-12 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
CN112509773B (zh) * 2020-10-23 2022-08-12 浙江森尼克半导体有限公司 一种霍尔电流激光调阻机调节设备组件
CN112820796A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 苏州索雷特自动化科技有限公司 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池片
KR20220115676A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 제조용 지그 및 이를 이용한 윈도우의 제조방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0424944A (ja) * 1990-05-16 1992-01-28 Toshiba Corp メサ型半導体ペレットの製造方法
JPH097975A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003334812A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004351494A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2005051007A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005074663A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp 単結晶基板の加工方法
JP2007069216A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無機材料の加工方法
JP2007275902A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8268704B2 (en) * 2002-03-12 2012-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2004343008A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0424944A (ja) * 1990-05-16 1992-01-28 Toshiba Corp メサ型半導体ペレットの製造方法
JPH097975A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003334812A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004351494A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2005051007A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005074663A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp 単結晶基板の加工方法
JP2007069216A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無機材料の加工方法
JP2007275902A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
US8890026B2 (en) 2009-07-28 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting processing target
WO2011013549A1 (ja) * 2009-07-28 2011-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2011026177A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
KR20120037365A (ko) * 2009-07-28 2012-04-19 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공 대상물 절단 방법
KR101721709B1 (ko) 2009-07-28 2017-03-30 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공 대상물 절단 방법
JP2011222806A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
WO2012014716A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
JP2012028646A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Hamamatsu Photonics Kk チップの製造方法
US8802544B2 (en) 2010-07-26 2014-08-12 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing chip including a functional device formed on a substrate
JP2012109357A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2012227234A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2013055120A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2016165007A (ja) * 2016-04-21 2016-09-08 株式会社東京精密 研削・研磨装置及び研削・研磨方法
JP2016167618A (ja) * 2016-04-26 2016-09-15 株式会社東京精密 ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
JP2016189478A (ja) * 2016-06-13 2016-11-04 株式会社東京精密 ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
JP2018018999A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社タムラ製作所 基板の分離方法及び半導体素子
JP2018182136A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2018193972A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2018193966A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2018193971A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2018182137A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び半導体チップ
WO2018193964A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び半導体チップ
JP2018182141A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
CN110537246A (zh) * 2017-04-17 2019-12-03 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
CN110537246B (zh) * 2017-04-17 2024-02-27 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
TWI808081B (zh) * 2017-04-17 2023-07-11 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 加工對象物切斷方法及半導體晶片
US11270915B2 (en) 2017-04-17 2022-03-08 Hamamatsu Photonics K.K. Workpiece cutting method and semiconductor chip
JP7063543B2 (ja) 2017-04-17 2022-05-09 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US11380586B2 (en) 2017-07-20 2022-07-05 Iwatani Corporation Cutting method
US11482455B2 (en) 2017-07-20 2022-10-25 Iwatani Corporation Cutting method of workpiece by forming reformed region and dry etching process
TWI760531B (zh) * 2017-07-20 2022-04-11 日商岩谷產業股份有限公司 切斷加工方法（一）
JP2019021835A (ja) * 2017-07-20 2019-02-07 岩谷産業株式会社 切断加工方法
JP2019012850A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019012848A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019012849A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019087751A (ja) * 2018-11-20 2019-06-06 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019068077A (ja) * 2018-11-20 2019-04-25 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019071476A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019071475A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019096911A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019096910A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
US11478874B2 (en) 2019-04-05 2022-10-25 Tdk Corporation Method of processing inorganic material substrate, device, and method of manufacturing device
WO2023145558A1 (ja) * 2022-01-27 2023-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2023238670A1 (ja) * 2022-06-07 2023-12-14 日本電気硝子株式会社 ガラス板及びその製造方法

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