CN101681822A - 切断用加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。

Description

切断用加工方法
技术领域
本发明涉及用于沿着切断预定线将板状的加工对象物切断的切断用加工方法。
背景技术
作为现有的激光加工方法，已知有通过向板状的加工对象物对准聚光点并照射激光，以沿着加工对象物的切断预定线，在加工对象物的内部形成改质区域(例如，参照专利文献1)。这种切断用加工方法是通过对形成有改质区域的加工对象物，例如沿着切断预定线施加外部应力，从而以改质区域为起点将加工对象物切断成多个芯片。
专利文献1：日本特开2004-343008号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]
然而，在如上所述的切断用加工方法中，在对加工对象物施加外部应力时，例如芯片尺寸越小，作用于芯片的每一个部位的力就越小，因此依据情况的不同，可能无法可靠地将加工对象物切断。另一方面，有时也会利用等离子蚀刻法将加工对象物切断。然而，在该情况下，由于可蚀刻的时间有限，相对于此，如果加工对象物较厚，则蚀刻处理就需要较长的时间，因此有可能蚀刻不完全，而无法可靠地将加工对象物切断。
因此，本发明的课题在于提供一种可沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断的切断用加工方法。
[用于解决课题的手段]
为了解决上述课题，本发明所涉及的切断用加工方法是用于沿着切断预定线将板状的加工对象物切断的切断用加工方法，其特征为包含：通过向加工对象物对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线在加工对象物中形成改质区域的工序；在加工对象物中形成所述改质区域之后，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻材并施以蚀刻处理，来蚀刻沿着切断预定线所形成的改质区域的工序。
该切断用加工方法是通过沿着切断预定线在加工对象物中形成改质区域，并对该加工对象物施以蚀刻处理，从而蚀刻该改质区域。因此，能够利用对改质区域的高蚀刻速率，沿着切断预定线有选择且迅速地蚀刻加工对象物。因此，例如在为了切断加工对象物而施加外部应力的情况下，即使该外部应力很小，也可以沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。另外，如上所述，由于可迅速地进行蚀刻，因此例如即使加工对象物很厚，也可以沿着切断预定线可靠地进行蚀刻。
另外，优选，包含将加工对象物安装在保持加工对象物的保持装置的工序。在该情况下，能够防止切断后的加工对象物散乱。此外，优选，在将加工对象物安装在保持装置之后进行蚀刻的情况下，改质区域以及从改质区域产生的龟裂不会到达与保持装置的界面(在界面前方使改质区域以及龟裂的形成停止)。这是因为：当蚀刻材沿着改质区域以及龟裂到达界面时，例如有时加工对象物会因为该蚀刻材而从保持装置剥离，或是污染设备面。
在此，有时会在对加工对象物施以蚀刻处理之后，通过扩张保持装置，以沿着切断预定线将加工对象物切断。另外，有时会通过蚀刻改质区域，以沿着切断预定线将加工对象物切断。
另外，优选，以使加工对象物的蚀刻后的切断面形成规定的面形状的方式，在加工对象物的规定位置形成改质区域。在该情况下，通过在加工对象物的规定的位置形成改质区域，能够利用对改质区域的高蚀刻速率，使加工对象物的被蚀刻的切断面形成V字或半圆形等所希望的面形状，因此，例如能够按照所希望的来设定加工对象物的抗折强度。
另外，优选，以从改质区域产生龟裂的方式，在加工对象物中形成改质区域。在该情况下，例如能够利用龟裂，使蚀刻材浸透以促进蚀刻的进行，并且可以加快蚀刻速度。
另外，优选，以改质区域或从改质区域产生的龟裂露出于加工对象物的外表面的方式，在加工对象物中形成改质区域。在该情况下，例如蚀刻材会从露出的改质区域或龟裂积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物的外表面受到蚀刻，并且能够抑制对于加工对象物的外表面的损害。
另外，优选，以改质区域或从改质区域产生的龟裂不露出于加工对象物的外表面的方式，在加工对象物中形成改质区域。在该情况下，能够抑制在形成改质区域时加工对象物飞散至周边。
另外，当加工对象物的主面的结晶面为(111)面时，由于加工对象物在倾斜于其厚度方向的方向上具有劈开面，因此，一般而言，切断面容易相对于厚度方向倾斜，但是，在本发明中，如上所述，由于沿着切断预定线有选择地蚀刻加工对象物，因此即使加工对象物的主面的结晶面为(111)面，也能够使切断面与厚度方向平行地将加工对象物切断。
另外，优选，在形成改质区域的工序中，在加工对象物的厚度方向上形成多个改质区域；在蚀刻改质区域的工序中，以残留多个改质区域中的至少一个作为构成切断的基点的切断用改质区域的方式，施以蚀刻处理。因此，即使在通过蚀刻而没有完全将加工对象物切断的情况下(例如，以不到达设备面的方式进行蚀刻的情况)，由于以切断用改质区域作为切断的起点将加工对象物切断，因此也可以容易且高精度地将加工对象物切断。
[发明的效果]
根据本发明，可以沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。
附图说明
图1是实施方式的激光加工装置的概略构成图。
图2是表示实施方式的加工对象物的图。
图3是图1的加工对象物的沿着III-III线的剖面图。
图4是激光加工后的加工对象物的平面图。
图5是图4的加工对象物的沿着V-V线的剖面图。
图6是图4的加工对象物的沿着VI-VI线的剖面图。
图7是表示电场强度与裂纹点的大小之间的关系的线图。
图8是照射有激光的硅片的一部分的剖面的照片。
图9是表示激光的波长与硅基板的内部的透过率之间的关系的线图。
图10是表示通过浸渍方式的蚀刻处理的一例的图。
图11是表示通过旋转蚀刻方式的蚀刻处理的一例的图。
图12是图11的续图。
图13是表示图11的蚀刻处理的另一例的图。
图14是表示图11的蚀刻处理的另一例的图。
图15是图14的续图。
图16是表示图11的蚀刻处理的另一例的图。
图17是图16的续图。
图18是表示保持具的材质适当与否的图表。
图19是表示保持具的材质适当与否的图表。
图20是表示蚀刻液的一例的图表。
图21是根据材料的不同表示蚀刻效果的优劣的图表。
图22是表示加工对象物的正面图。
图23是用来说明第1实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图24是表示图23的续图。
图25是表示图24的续图。
图26是表示图25的续图。
图27是用来说明第2实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图28是表示图27的续图。
图29是用来说明第3实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图30是表示图29的续图。
图31是表示图30的续图。
图32是表示图31的续图。
图33是用来说明第5实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图34是用来说明第6实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图35是表示图34的续图。
图36是表示图35的续图。
图37是用来说明第7实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图38是表示图37的续图。
图39是用来说明第8实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图40是表示图39的续图。
图41是用来说明第9实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图42是表示图41的续图。
图43是用来说明第10实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图44是表示图43的续图。
图45是表示图44的续图。
图46是用来说明第12实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图47是表示图46的续图。
图48是用来说明第13实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图49是表示图48的续图。
图50是用来说明第14实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图51是用来说明第15实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图52是表示图51的续图。
图53是用来说明第17实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图54是表示图53的续图。
图55是表示图54的续图。
图56是用来说明第19实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图57是表示图56的续图。
图58是用来说明第20实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图59是表示图58的续图。
图60是表示图59的续图。
图61是用来说明第21实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图62是用来说明第22实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图63是用来说明第23实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图64是表示图63的续图。
图65是表示图64的续图。
图66是用来说明第24实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图67是用来说明第25实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图68是表示图67的续图。
图69是表示图68的续图。
图70是用来说明第27实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图71是用来说明第28实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图72是表示图71的续图。
图73是用来说明第30实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图74是用来说明第31实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图75是表示图74的续图。
图76是表示图75的续图。
图77是用来说明第33实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图78是表示图77的续图。
图79是用来说明第35实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图80是表示图79的续图。
图81是表示图80的续图。
图82是用来说明第37实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图83是表示图82的续图。
图84是用来说明第39实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图85是表示图84的续图。
图86是表示图85的续图。
图87是用来说明第40实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图88是用来说明第41实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图89是用来说明第42实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图90是表示图89的续图。
图91是表示图90的续图。
图92是用来说明第43实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图93是用来说明第44实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图94是表示图93的续图。
图95是表示图94的续图。
图96是用来说明第46实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图97是用来说明第47实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图98是表示图97的续图。
图99是表示图98的续图。
图100是用来说明第48实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图101是用来说明第49实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图102是表示图101的续图。
图103是用来说明第51实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图104是表示图103的续图。
图105是表示图104的续图。
图106是用来说明第53实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图107是用来说明第54实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图108是表示图107的续图。
图109是用来说明第56实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图110是用来说明其它实施方式的切断用加工方法的加工对象物的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图111是表示激光加工后的加工对象物的表面的照片。
图112是表示图111的加工对象物的背面的照片。
图113是表示图111的加工对象的切断面的照片。
图114是表示由聚烯烃构成的保持具浸渍在蚀刻液后的状态的照片。
图115是表示由聚烯烃构成的保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表。
图116是表示由PET构成的保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表。
图117是表示保持具对于常温的蚀刻液的耐性的评价结果的图表。
图118是表示在蚀刻液的每个温度下保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表。
图119是用来说明第57实施方式的切断用加工方法的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
图120是用来说明图119的变形例的沿着图22的XXIII-XXIII线的概略剖面图。
符号的说明
1：加工对象物
3：加工对象物的表面(外表面)
5：切断预定线
11：硅片(加工对象物)
11a：硅片的表面(主面)
11b：硅片的背面(外表面，主面)
16，22：保持具、切割胶带(保持装置)
21：加工对象物的背面(外表面，主面)
41：外周面(外表面)
C1～C7：龟裂
E：蚀刻液(蚀刻材)
L：激光
M1～M15：改质区域
M16：切断用改质区域(改质区域)
P：聚光点
具体实施方式
以下，针对本发明的最佳实施方式，参照附图加以详细说明。在此，在图面的说明中对相同或相当的要件标记相同的符号，并省略重复的说明。
本实施方式所涉及的切断用加工方法是通过向加工对象物对准聚光点并照射激光，以沿着加工对象物的切断预定线在加工对象物中形成改质区域。然后，利用对改质区域的蚀刻速率比对其它区域(非改质区域)的蚀刻速率高的蚀刻材(以下也称为“蚀刻液”)，对形成有改质区域的加工对象物施以蚀刻处理，从而蚀刻改质区域。因此，首先，针对本实施方式的切断用加工方法中的改质区域的形成以及蚀刻处理分别加以说明。
[改质区域的形成]
针对本实施方式的切断用加工方法中的改质区域的形成，参照图1～图9加以说明。
如图1所示，激光加工装置100具备：对激光(加工用激光)L进行脉冲振荡的激光光源101、配置成将激光L的光轴的方向改变90°的分光镜103、以及用于使激光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备：用于载置受到由聚光用透镜105聚集的激光L照射的加工对象物1的载置台107、用于使载置台107沿着X、Y、Z轴方向移动的可动台111、控制激光光源101以调节激光L的输出及脉冲宽度等的激光光源控制部102、以及控制可动台111的移动的可动台控制部115。
根据该激光加工装置100，从激光光源101照射的激光L通过分光镜103而使其光轴改变90°，并且通过聚光透镜105而向载置台107上的加工对象物1的内部聚光。与此同时，使可动台111移动，使加工对象物1相对于激光L沿着切断预定线5相对移动。因此，沿着切断预定线5而在加工对象物1中形成改质区域。以下，针对该改质区域加以详细说明。
如图2所示，在板状的加工对象物1中设定有用于将加工对象物1切断的切断预定线5。切断预定线5是直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在向加工对象物1的内部对准聚光点P的状态下，使激光L沿着切断预定线5(即，沿着图2的箭头A方向)相对地移动。于是，如图4～图6所示，沿着切断预定线5而在加工对象物1的内部形成改质区域7。
此外，所谓聚光点P是激光L聚光的部位。另外，切断预定线5并不限于直线状，也可以为曲线状，或是不限于假想线，而是在加工对象物1的表面3上实际引出来的线。另外，改质区域7有时是连续地形成，有时是断续地形成。另外，改质区域只要是至少形成在加工对象物1的内部即可。另外，有时会以改质区域为起点形成龟裂，龟裂以及改质区域也可以露出于加工对象物1的外表面(表面、背面、或是外周面)。
又，本实施方式所涉及的切断用加工方法是使激光L透过加工对象物1，并且特别是在加工对象物1的内部的聚光点附近被吸收，于是，在加工对象物1中形成改质区域7(即，内部吸收型激光加工)。所以，在加工对象物1的表面3，激光L几乎不会被吸收，因此加工对象物1的表面3不会熔融。一般而言，在从表面3熔融被去除而形成孔或槽等的去除部(表面吸收型激光加工)的情况下，加工区域从表面3侧逐渐地朝背面侧进行。因此，在去除部附近不会形成使蚀刻速率急剧上升的改质区域。
在此，通过本实施方式所涉及的切断用加工方法而形成的改质区域是指密度、折射率、机械强度及其它物理特性与周围为不同状态的区域。例如包括(1)熔融处理区域、(2)裂纹区域、绝缘破坏区域、(3)折射率变化区域等，也包括混合存在着这些区域的区域。
作为通过本实施方式所涉及的对象物加工方法而形成的改质区域，能够利用激光的局部吸收或多光子吸收等现象来形成。所谓多光子吸收是指，当光子的能量hν比材料的吸收的带隙EG小时，在光学上会是透明的，因此，材料发生吸收的条件是hν＞EG，但是即使在光学上是透明的，如果充分地增加激光L的强度，在nhν＞EG的条件下(n＝2、3、4、…)，材料会发生吸收的现象。通过多光子吸收的熔融处理区域的形成记载于例如熔接学会全国大会演讲概要第66集(2000年4月)的第72页～第73页的“通过皮秒脉冲激光的硅的加工特性评价”。
另外，如D.Du，X.Liu，G.Korn，J.Squier，and G.Mourou，”Laser InducedBreakdown by Impact Ionization in SiO2 with Pulse Widths from 7ns to150fs”，Appl.Phys.Lett64(23)，Jun.6，1994所记载的那样，也可以使用通过利用脉冲宽度从数ps到飞秒的超短脉冲激光所形成的改质区域。
(1)改质区域包含熔融处理区域的情况
向加工对象物(例如像硅那样的半导体材料)的内部对准聚光点，以聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件照射激光L。于是，激光L在聚光点附近被吸收，使加工对象物的内部局部地加热，通过该加热在加工对象物的内部形成熔融处理区域。
所谓熔融处理区域是一旦熔融后再固化的区域、或是熔融状态中的区域、或是从熔融状态再固化的状态的区域，也能够指相变化区域或是结晶构造变化的区域。而且，所谓熔融处理区域也能够指在单结晶构造、非晶质构造、多结晶构造中、某一构造变化成另一构造的区域。即，例如指从单结晶构造变化成非晶质构造的区域、从单结晶构造变化成多结晶构造的区域、从单结晶构造变化成包含非晶质构造及多结晶构造的构造的区域。加工对象物为单晶硅构造的情况下，熔融处理区域是例如非晶硅构造。
图7是表示激光所照射的硅片(半导体基板)的一部分中的剖面的照片的图。如图7所示，在硅片11的内部形成有熔融处理区域13。
对于在相对入射的激光的波长具有透过性的材料的内部形成熔融处理区域13的情况进行说明。图8是表示激光的波长与硅基板的内部的透过率之间的关系的曲线图。在此，去除了硅基板的表面侧和背面侧各自的反射成分，仅表示内部的透过率。针对硅基板的厚度t分别为50μm、100μm、200μm、500μm、1000μm表示上述关系。
例如，在作为Nd:YAG激光的波长的1064nm中，硅基板的厚度为500μm以下的情况下，已知在硅基板的内部80％以上的激光L透过。图7所示的硅片11的厚度为350μm，因此熔融处理区域13形成在硅片11的中心附近，即距离表面175μm的部分。该情况下的透过率，参考厚度200μm的硅片，则为90％以上，因此激光L只有一些会在硅片11的内部被吸收，绝大部分会透过。但是，通过在1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下将激光L聚集在硅片内部，激光在聚光点及其附近局部地被吸收，在硅片11的内部形成熔融处理区域13。
此外，硅片有时会以熔融处理区域为起点产生龟裂。另外，有时会使龟裂包含在熔融处理区域内而形成，在该情况下，该龟裂有时是遍及熔融处理区域中的整个面而形成，有时是仅在一部分或多个部分上形成。再者，该龟裂有时会自然成长，有时也会因为对硅片施力而成长。龟裂从熔融处理区域自然成长的情况存在：从熔融处理区域熔融的状态成长的情况、以及在从熔融处理区域熔融的状态再固化时成长的情况中的任一个。在此，无论何种情况，熔融处理区域仅形成在硅片的内部，在切断面上，如图8所示，仅在内部形成有熔融处理区域。
(2)改质区域包含裂纹区域的情况
向加工对象物(例如玻璃或是由LiTaO3构成的压电材料)的内部对准聚光点，并以聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件照射激光L。该脉冲宽度的大小是激光L被吸收而在加工对象物的内部形成裂纹区域的条件。因此，在加工对象物的内部会产生所谓光学损伤的现象。由于该光学损伤会在加工对象物的内部引起热应变，因此在加工对象物的内部会形成包含一个或多个裂纹的裂纹区域。裂纹区域也可称为绝缘破坏区域。
图9是表示电场强度与裂纹的大小之间的关系的实验结果的曲线图。横轴为峰值功率密度，由于激光L为脉冲激光，因此电场强度以峰值功率密度来表示。纵轴表示由于1脉冲的激光L而形成在加工对象物的内部的裂纹部分(裂纹点)的大小。裂纹点就是集中裂纹区域。裂纹点的大小是裂纹点的形状中长度最长的部分的大小。图表中以黑色圆点表示的数据是聚光用透镜(C)的倍率为100倍、数值孔径(NA)为0.80的情况。另一方面，图表中以白色圆点表示的数据是聚光用透镜(C)的倍率为50倍、数值孔径(NA)为0.55的情况。已知峰值功率密度从1011(W/cm2)左右就会开始在加工对象物的内部产生裂纹点，并且随着峰值功率密度越大，裂纹点也就越大。
(3)改质区域包含折射率变化区域的情况
向加工对象物(例如玻璃)的内部对准聚光点，并且以聚光点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件照射激光L。于是，在脉冲宽度极短的状态下，当激光L在加工对象物的内部被吸收时，该能量并不会转化成热能，而是会在加工对象物的内部引起离子价数变化、结晶化或极化配向等永远的构造变化，并形成折射率变化区域。
此外，所谓改质区域是包含熔融处理区域、绝缘破坏区域或折射率变化区域等或是混合存在这些区域的区域，在该材料中改质区域的密度相比非改质区域的密度有所变化的区域，或是形成有晶格缺陷的区域。也能够将这些统称为高密转移区域。
另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域的密度相比非改质区域的密度有所变化的区域、形成有晶格缺陷的区域，进而可能会在这些区域的内部或改质区域与非改质区域的界面包含(内包)龟裂(破裂、微裂纹)。所内包的龟裂可能会遍及改质区域的整个面或是仅在一部分或多个部分形成。在如此内包龟裂的情况下，蚀刻材通过龟裂浸润至改质区域整个面或改质区域内部，不只是改质区域的厚度方向，遍及厚度方向在改质区域的侧面方向上也进行蚀刻，因此，比起如通常所知的蚀刻那样相对厚度方向由上往下进行蚀刻，能够增加蚀刻的反应区域，也会带来本发明的更加提高蚀刻速度这一有利的效果。
此外，若是考虑加工对象物的结晶构造及其劈开性等，并且如下所述形成改质区域，则可以高精度地将加工对象物切断。
即，在由硅等的钻石构造的单结晶半导体构成的的基板的情况下，优选，在沿着(111)面(第1劈开面)或(110)面(第2劈开面)的方向上形成改质区域。另外，由GaAs等的闪锌矿型结构的III-V族化合物半导体构成的基板的情况下，优选，在沿着(110)面的方向上形成改质区域。再者，在具有蓝宝石(Al2O3)等的六方晶系的结晶构造的基板的情况下，优选，以(0001)面(C面)为主面，在沿着(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向上形成改质区域。
另外，如果沿着为了形成上述改质区域的方向(例如沿着单晶硅基板中的(111)面的方向)或是沿着与为了形成改质区域的方向正交的方向在基板上形成定向平面，则通过以该定向平面为基准，可以容易且正确地在基板上形成改质区域。
[蚀刻处理]
接着，针对本实施方式的切断用加工方法中的蚀刻处理，参照图10～图21加以说明。
本实施方式的蚀刻处理是利用对改质区域的蚀刻速率高这一特征，对于在加工对象物中沿着切断预定线所形成的改质区域有选择地进行蚀刻并加以去除。例如，在加工对象物为硅片的情况下，会有改质区域具有300μm/分以上的蚀刻速率(单晶Si区域的大约10倍)的特征，因此，在100μm以下的厚度的硅片中，用于小片化成芯片的蚀刻处理会在数秒～数十秒完成。
在此，对于该蚀刻处理，有时是将加工对象物浸渍在蚀刻液(浸渍方式：Dipping)，有时是使加工对象物旋转并涂布蚀刻液(旋转蚀刻方式：SpinEtching)。
在浸渍方式中，如图10(a)所示，首先，形成有改质区域7的加工对象物1是以贴在作为保持胶带等的带材的保持具(保持装置)16的状态而配置在液槽17内。接下来，如图10(b)所示，通过使蚀刻液(例如KOH溶液)E流入液槽17内，并通过使加工对象物1浸渍在蚀刻液，而对形成在加工对象物1中的改质区域7进行有选择地蚀刻，于是，使加工对象物小片化成多个芯片。如图10(c)所示，在去除液槽17内的蚀刻液E之后，加工对象物1被洗净干燥，然后，如图10(d)所示，使保持具16扩张，而使相邻的芯片间隔扩张。
在该浸渍方式中，具有以下优点：由于将蚀刻液E储存在液槽17内，并通过该蚀刻液E蚀刻加工对象物1，因此容易进行蚀刻液E的温度控制，并且蚀刻处理难以发生不均。再者，液槽17的构造比较简单，液槽17的设计会比较容易。另外，由于能够利用一般的KOH溶液进行蚀刻，因此难以产生废液处理的问题。
此外，作为保持具16，如以上所述，由于要使其扩张，因此具有扩张性的带状部件较为合适，但是，在例如不需要使其扩张的情况下，也可以为没有扩张性的部件。另外，可以通过夹具等来保持扩张的芯片间隔，也可以为支持加工对象物1的支持具(支持装置)。另外，在上述蚀刻处理中，通过蚀刻而将改质区域7小片化为多个芯片，但是，也可以通过扩张保持具16，最后小片化成多个芯片。另外，保持具16的材质优选是耐热性和耐药液性良好的材质，在此，为聚烯烃(详细内容在后面叙述)。另外，切割框架18的材质优选是耐药液性良好的材质，在此是使用硅制的树脂等。关于这些，在以下的蚀刻处理的说明中也是同样的。
另一方面，旋转蚀刻方式包含两种情况：(i)将加工对象物中形成有设备的一侧的面(设备面)作为保持具侧而将加工对象物贴在保持具上，然后从上方涂布蚀刻液的情况；以及(ii)以设备面为上方侧将加工对象物贴在保持具上，然后从上方涂布蚀刻液的情况。
(i)设备面为保持具侧的情况
首先，如图11(a)所示，形成有改质区域7的加工对象物1是以形成有设备15的设备面3作为带材等的保持具16侧(加工对象物1的背面21为上方侧)而被载置于该保持具16。接下来，如图11(b)所示，一边利用喷嘴19从上方涂布蚀刻液E，一边以规定的速度使加工对象物旋转，以遍及整个背面21的方式涂布蚀刻液E。
接下来，蚀刻液E浸润至改质区域7，并且有选择地蚀刻该改质区域7，于是，如图11(c)所示，加工对象物1小片化成多个芯片。接下来，加工对象物1被洗净干燥，并且如图12(a)所示，通过照射UV来提高加工对象物1与保持具16之间的剥离性(降低粘结强度)。然后，如图12(b)所示，使保持具16扩张，在相邻的芯片的间隔被扩张之后，如图12(c)所示，芯片被拾取。
在此，在加工对象物1形成DAF(Die Attach Film)的情况下，对加工对象物1照射UV之后，如图13(a)所示，在加工对象物1的背面21依次安装DAF胶带20和保持具22(转印)。接下来，使加工对象物1上下翻转，并且如图13(b)所示，使保持具16剥离。然后，如图13(c)所示，使保持具22扩张，相邻的芯片的间隔被扩张，并且DAF胶带20在每个芯片上断开，然后如图13(d)所示，芯片被拾取。
(ii)设备面为上方侧的情况
首先，如图14(a)所示，形成有改质区域7的加工对象物1是以设备面3为上方侧(加工对象物1的背面21为保持具16侧)而被载置于保持具16。在此，在设备15上形成有用于免受蚀刻液E影响的保护膜(例如SiN等)23。
接下来，如图14(b)所示，一边从上方涂布蚀刻液E，一边以规定的速度使加工对象物1旋转，以遍及整个设备面3的方式涂布蚀刻液E。通过涂布蚀刻液E，蚀刻液E浸润在改质区域7，并且有选择地蚀刻该改质区域7，于是，如图14(c)所示，加工对象物1小片化成多个芯片。接下来，加工对象物1被洗净干燥，如图15(a)所示，照射UV，使加工对象物1与保持具16之间的剥离性提高。然后，如图15(b)所示，使保持具16扩张，在相邻的芯片的间隔扩张之后，如图15(c)所示，芯片被拾取。
在此，在加工对象物1形成DAF的情况下，如图16(a)所示，使DAF胶带20介于加工对象物1的背面21与保持具16之间，而将加工对象物1载置于保持具16。接下来，如图16(b)所示，一边从上方涂布蚀刻液E，一面以规定的速度使加工对象物1旋转，以遍及整个设备面3的方式涂布蚀刻液E。通过涂布蚀刻液E，蚀刻液E浸润在改质区域7，并且有选择地蚀刻该改质区域7，于是，如图16(c)所示，加工对象物1小片化成多个芯片。然后，如图17(a)所示，使保持具16扩张，相邻的芯片的间隔扩张，并且DAF胶带20在每个芯片上断开，然后如图17(b)所示，芯片被拾取。
在这些旋转蚀刻方式当中，可以通过将蚀刻液E涂布在加工对象物1，在短时间内有选择地进行蚀刻处理。再者，由于是利用始终清净的蚀刻液E进行蚀刻处理，因此能够抑制加工对象物1的二次污染。再者，能够容易地采用兼具洗净工序的蚀刻机构。另外，由于能够利用一般的KOH溶液进行蚀刻，因此难以产生废液处理的问题。
此外，在改质区域7包含龟裂的情况下，由于毛细管现象，蚀刻液E会浸润至加工对象物1的龟裂区域，蚀刻速度快的改质区域的蚀刻会沿着龟裂面进行，因此蚀刻速度会变得更快。另一方面，在改质区域7不包含龟裂时，蚀刻液E的浸润不容易进行，有时蚀刻速度会变慢。
又，作为适于本实施方式的蚀刻处理的保持具，优选，具有以下三个特征。即，希望保持具：1)对于蚀刻液，芯片保持能力的降低轻微，2)蚀刻后具有扩张性、3)通过施加温度以外的外部刺激，能够降低芯片与保持具之间的剥离强度，并能够从保持具容易地剥离芯片。
作为对碱性蚀刻液(例如KOH)具有耐性(耐药液及耐温度)的保持具，例如可以举出聚氯乙烯、聚烯烃及PET。然而，如以下的耐性限度所示，对于这些蚀刻液的耐性与蚀刻液的温度以及浸渍在蚀刻液的时间(Dipping时间)有关。
耐性限度：
PET      温度117℃(KOH沸点)，Dipping时间60分钟
聚烯烃   温度50℃，Dipping时间60分钟
聚氯乙烯 温度40℃，Dipping时间60分钟
图18是表示以设备面作为保持具侧而对加工对象物施以蚀刻处理时的保持具的材质适当与否的图表，图19是表示以设备面作为上方侧而对加工对象物施以蚀刻处理时的保持具的材质适当与否的图表。在图中，材质的适当与否通过是否具有上述三个特征来判断，×、△、○、◎依次表示适用于保持具的程度。
在以设备面作为保持具侧而对加工对象物施以蚀刻处理时，如图18所示，由于聚氯乙烯的耐热性低，因此不优选将聚氯乙烯在Dipping方式中采用的情况(图中的“×”)。另外，由于聚烯烃的耐热性比PET低，因此优选在旋转蚀刻方式中采用聚烯烃的情况(图中的“○”)。另一方面，PET并不具有扩张性，但是只要在蚀刻处理后转印在具有扩张性的保持具之后再使保持具扩张即可，并且PET对于蚀刻液的耐性优异，因此非常优选在旋转蚀刻方式中采用PET的情况(图中的“◎”)。
在以设备面为上方侧而对加工对象物施以蚀刻处理时，如图19所示，若在旋转蚀刻方式中采用聚氯乙烯，则在蚀刻处理后就不需要转印，而能够直接扩张保持具，但由于耐热性比其它两者低，因此在该情况下为稍微优选(图中的“△”)。另外，若在旋转蚀刻方式中采用聚烯烃，则并不需要转印，而能够直接扩张保持具，因此为非常优选(图中的“◎”)，若在旋转蚀刻方式中采用PET，则无法直接扩张保持具，因此不优选(图中的“×”)。
另外，如图18和图19所示，在Dipping方式中，保持具受到的热影响很大，因此适合作为保持具的材质较少。相对于此，在旋转蚀刻方式当中，由于保持具受到的热影响较轻，因此比起Dipping方式，已知任何材质均容易适合作为保持具。根据以上所述，作为蚀刻液涂布方法，优选旋转蚀刻方式，作为保持具，则优选聚烯烃。
图20是依据基板的材质类别来表示所使用的蚀刻液的一例的图表。在此，蚀刻液在常温～100℃左右的温度下使用，根据必要的蚀刻速率等设定为适当的温度。例如，利用KOH对Si(各向异性)进行蚀刻处理的情况下，优选为约60℃。
图21是依据材料类别来表示蚀刻效果的优劣的图表。在图中，×、△、○、◎依次表示效果的优异程度，以直到最后利用蚀刻处理最终将加工对象物切断的情况为“◎”，以蚀刻处理后施加外部应力(折断)而使加工对象物最终被切断的情况为“×”。另外，所谓RIE(反应性离子蚀刻：Reactive Ion Etching)是分类为干蚀刻的微细加工技术的一种，可进行在适于微细加工的高精度下的蚀刻，也可以与通常的干蚀刻不同而进行各向异性蚀刻。
在附加有图中的“▲”的条件下，若积极地形成龟裂，则容易使龟裂形成放射状，切断面容易凹凸化。另外，在采用RIE的情况下，由于蚀刻会依据蚀刻用的掩模图案而进行，因此优选利用蚀刻处理最终将加工对象物切断的条件(图示的粗框内)。如该图21所示，从生产时间的观点来看，干蚀刻是一片单位的加工，相对于此，湿蚀刻可进行多片的批处理，因而能够缩短生产时间，因此作为蚀刻处理，优选湿蚀刻。
此外，在各向同性蚀刻的情况下，能够适用于比较薄的加工对象物(例如厚度10μm～100μm)，不依存于结晶方位及改质区域，能够各向同性地进行蚀刻。另外，在该情况下，如果龟裂露出于表面，则蚀刻液经过该龟裂而浸润至内部，在改质区域中以厚度方向上的整个面作为改质区域的起点，因此可以以切断面凹陷成半圆形的方式取出被蚀刻的芯片。另一方面，在各向异性蚀刻的情况下，不只是比较薄的加工对象物，也能够适用于较厚的加工对象物(例如厚度800μm～100μm)。另外，在该情况下，即使形成改质区域的面与面方位不同，也能够沿着该改质区域进行蚀刻。即，除了配合结晶方向的面方位的蚀刻之外，也可以进行与结晶方位没有关系的蚀刻。
[第1实施方式]
接下来，针对本发明的第1实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。
如图22及图23(a)所示，加工对象物1具备：厚度300μm、直径8英寸的硅片(基板)11；在硅片11的表面11a上形成有多个的功能元件15(设备)；覆盖功能元件15而形成的例如由SiO2所构成的保护膜24；以及覆盖保护膜24而形成，且对于蚀刻液具有耐性的例如由SiN所构成的保护膜25。
硅片11的表面(主面)11a的结晶面为(111)面。功能元件15是例如通过结晶成长所形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件，或是形成为电路的电路元件等，并且在与硅片11的定向平面6平行的方向及垂直的方向上由许多个形成为矩阵状。这样的加工对象物1沿着以通过相邻的功能元件间的方式设定成格子状的切断预定线5被切断，并作为例如芯片尺寸为0.5mm×0.5mm的芯片。
在对该加工对象物1进行加工的情况下，首先，如图23(a)所示，在加工对象物1的表面3上贴上切割胶带(保持部件)16，以该加工对象物1的背面21(硅片11的背面11b)侧为上方而载置于载置台。接下来，从加工对象物1的背面21侧向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图23(b)所示，沿着切断预定线5(在纸面垂直方向上延伸)，在加工对象物1形成使蚀刻速率急剧上升的改质区域M1。具体而言，在加工对象物1形成从硅片11的表面11a到达背面11b(露出于表面11a和背面11b)、且未到达保护膜24的改质区域M1。在此，从改质区域M1产生的龟裂包含(内包)在该改质区域M1内而形成。此外，关于该龟裂的内包，在以下的实施方式的改质区域中也是同样的。
接下来，如图24所示，从背面21侧涂布蚀刻液，蚀刻沿着改质区域M1进行，并有选择地蚀刻改质区域M1。接下来，如图25(a)所示，使切割胶带22转印在该背面21，并且如图25(b)所示，上下翻转，然后切割胶带16被剥离。
接下来，如图26(a)所示，使切割胶带22扩张(即，沿着切断预定线5施加外部应力)，加工对象物1小片化(切断)成芯片26、26，并且芯片26、26分离(确保芯片间距离)。然后，如图26(b)所示，芯片26被取出，然后，例如通过覆晶接合方式(flip chip bonding)进行安装。
以上，根据本实施方式的切断用加工方法，由于在沿着切断预定线5在加工对象物1中形成改质区域M1之后，通过对该加工对象物1施以蚀刻处理，使蚀刻沿着改质区域M1进行，因此能够利用改质区域M1中的高蚀刻速率(在此为300μmt/分)，沿着切断预定线5有选择且迅速地蚀刻加工对象物1。
但是，作为现有的切断用加工方法，已知对于形成有改质区域M1的加工对象物1沿着切断预定线5施加外部应力，并以改质区域M1为起点，沿着切断预定线5将加工对象物1切断。然而，在该情况下，芯片26的尺寸越小(例如0.5mm×0.5mm以下)，作用于芯片26的每一个部位的力就越小，因此即使对加工对象物1施加拉伸应力(带扩张方式)、或是施加弯曲应力(挠曲方式)，依据情况的不同，也可能会有未分割的芯片产生。
另一方面，有时会利用等离子蚀刻法将加工对象物1切断，但是在该情况下，有必要形成蚀刻用的掩模图案。另外，例如也有日本特开2005-74663号公报所记载的加工方法，但是在该情况下也有必要在进行蚀刻处理之前形成掩模图案。因此，在这些情况下，加工工时会增加，生产时间会延迟，并且成本会提高，因此并不实际。
再者，蚀刻时间有取决于蚀刻速率的物理上的界限，相对于此，在等离子蚀刻法中，如果加工对象物1较厚，则蚀刻处理就需要较长的时间，因此有可能蚀刻不完全而无法可靠地将加工对象物1切断。
相对于这些，在本实施方式的切断用加工方法中，如上所述，由于沿着依照切断预定线5形成且蚀刻速率急剧上升的改质区域M1进行蚀刻，因此能够利用改质区域M1中的高蚀刻速率，沿着切断预定线有选择且迅速地蚀刻加工对象物1。因此，即使芯片26的尺寸小，也能够沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断，并且即使加工对象物1很厚，也能够沿着切断预定线5可靠地进行蚀刻。
即，根据本实施方式的切断用加工方法，能够容易地进行激光加工技术当中不易通过应力的施加来切断的超微小芯片的切断。另外，由于可以进行迅速的蚀刻，因此能够解决在等离子蚀刻法当中作为课题的加工对象物1的厚度依存性。再者，由于不需要另外形成掩模图案，因此可以降低成本及工时，且能够加快生产时间。
另外，在本实施方式的切断用加工方法当中，切断面的改质区域M1因为蚀刻几乎都被去除，因此切断面会非常得整齐，能够减少后续工序(芯片接合工序或封装工序等)中的切屑，并且能够进一步提高芯片26的抗折强度。
另外，如上所述，由于加工对象物1被贴在切割胶带16、22，因此能够防止切断后的加工对象物1散乱。再者，如上所述，由于使切割胶带22扩张而使芯片26、26分开，因此在后段的工序中能够容易取出芯片26。这种情形是芯片尺寸越小，其效果越为显著。
在此，一般来说，存在以下的方法：在对玻璃照射激光而形成变质部之后，通过蚀刻该变质部而在玻璃中形成孔或槽。在该情况下，不会发生从变质部产生龟裂的现象。另一方面，在本实施方式中，如上所述，为了产生龟裂(内包龟裂)，而在加工对象物1形成改质区域M1。因此，除了利用该龟裂使蚀刻液浸透，对加工对象物1的厚度方向(以下，简称为“厚度方向”)进行蚀刻之外，蚀刻液也会从改质区域M1朝图面左右方向(厚度方向及与切断预定线的方向交叉的方向)浸润并进行蚀刻。即，能够以改质区域M1的整个区域为蚀刻的起点来促进其进行，且可以提高蚀刻速度。此外，作为对玻璃的蚀刻技术，已知有例如日本特开2006-290630号公报、及日本特开2004-351494号公报。
另外，如上所述，以改质区域M1露出于加工对象物1的背面21(外表面)的方式，在加工对象物1形成改质区域M1。即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的改质区域M1积极地浸透至加工对象物的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对作为蚀刻开始面的加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，如上所述，由于改质区域M1是从硅片11的表面11a形成至背面11b，因此遍及加工对象物1的厚度方向整个面，能够利用改质区域M1所具有的高蚀刻速率，并且可以实现切断面高精度的加工。
另外，若硅片11中的表面11a的结晶面为(111)面，则在倾斜于硅片11的厚度方向的方向上具有劈开面，因此一般切断面容易相对于厚度方向倾斜。相对于此，在本实施方式的切断用加工方法当中，由于沿着切断预定线5有选择地蚀刻加工对象物1，因此即使硅片11的表面11a的结晶面为(111)面，也能够以切断面平行于厚度方向的方式(朝厚度方向笔直地)将加工对象物1切断。
此外，在上述的说明中，例举出切断成两个芯片26、26的情况加以说明，但是切断成多个芯片的情况也与此相同(以下的实施方式也相同)。
[第2实施方式]
接下来，针对本发明的第2实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理并蚀刻改质区域M1之后(参照图24)，如图27(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图27(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图27(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，如图28(a)所示，使切割胶带22扩张，然后，如图28(b)所示，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，本实施方式当中，在切割胶带16扩张使加工对象物1小片化成芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化成芯片26、26。
[第3实施方式]
接下来，针对本发明的第3实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图29所示，沿着切断预定线5在加工对象物1中形成改质区域M2。具体而言，在加工对象物1中形成从加工对象物1的表面3到达背面21(露出于表面3及背面21)的改质区域M2。
接下来，如图30所示，从背面21侧涂布蚀刻液，沿着改质区域M2进行蚀刻并有选择地蚀刻改质区域M2，使加工对象物1小片化成芯片26、26。接下来，如图31(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图31(b)所示上下翻转。接下来，如图31(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，如图32所示，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第4实施方式]
接下来，针对本发明的第4实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第3实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法当中，在切割胶带16剥离之后(参照图31(c))，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第3实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，在施以蚀刻处理使加工对象物1小片化成芯片26、26之后，使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化成芯片26、26。
[第5实施方式]
接下来，针对本发明的第5实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第3实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻改质区域M2之后(参照图29)，如图33(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图33(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图33(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第3实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，在施以蚀刻处理之后，使切割胶带16扩张，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化成芯片26、26。
[第6实施方式]
接下来，针对本发明的第6实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第3实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图34所示，沿着切断预定线5，在加工对象物1中形成改质区域M3。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M3，并且从该改质区域M3产生沿着厚度方向延伸的龟裂C1、C2。在此，这些龟裂C1、C2各自不会到达加工对象物1的背面21及硅片11的表面11a。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图35所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，依次沿着龟裂C1、改质区域M3以及龟裂C2进行蚀刻，来有选择地蚀刻龟裂C1、C2以及改质区域M3。接下来，如图36(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图36(b)所示上下翻转，如图36(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，本实施方式中，如上所述，由于形成有在厚度方向的上下方向上延伸的龟裂C1、C2，因此能够利用这些龟裂C1、C2使蚀刻液浸润而将加工对象物切断，因此能够加快切断速度。另外，由于不会完全切割(即，改质区域或龟裂不露出于加工对象物1的表面3及背面21)，因此能够容易地进行切割胶带16、22的替换。
另外，在本实施方式中，如上所述，由于改质区域M3以及龟裂C1、C2不露出于加工对象物1的背面21，因此能够抑制Si或设备表面物质等飞散至周边，并且能够抑制周边污染。另外，如上述由于改质区域M3以及龟裂C1、C2不露出于背面21，因此形成有改质区域M3的加工对象物1比较不容易破裂，因而搬运性优异。
另外，在本实施方式中，可以通过抑制所形成的改质区域M3中的厚度方向上的长度，来控制侧面方向等的改质区域以外的区域(例如区域31)中的蚀刻量。
[第7实施方式]
接下来，针对本发明的第7实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第6实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1中形成具有龟裂C1、C2的改质区域M3之后(参照图36)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图37所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，依次沿着龟裂C1以及改质区域M3进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C1以及改质区域M3。
此外，在此是以加工对象物1的表面3比背面21位于更上方的方式配置加工对象物1(切割胶带16位于上方侧)，并在此状态下，以从下方朝上方喷出的方式涂布蚀刻液，因此，龟裂C2不会受到蚀刻而会残留。在以下的实施方式当中，使龟裂残留的情况都是同样地进行这种蚀刻液的涂布方法。
接下来，如图38(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图38(b)所示上下翻转，如图38(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第6实施方式同样的效果。
[第8实施方式]
接下来，针对本发明的第8实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第6实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1中形成具有龟裂C1、C2的改质区域M3之后(参照图36)，从加工对象物1的外周面41(参照图22)侧涂布蚀刻液，如图39所示，有选择地蚀刻龟裂C1、C2以及改质区域M3。加工对象物1的外周面41，是使沿着切断预定线5形成的改质区域露出于外周面41即切断预定线5的一端，并利用该露出的改质区域进行蚀刻。
接下来，如图40(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图40(b)所示上下翻转，如图40(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26之间分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第6实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理。即，控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部。于是，能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
[第9实施方式]
接下来，针对本发明的第9实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第6实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1中形成具有龟裂C1、C2的改质区域M3之后(参照图36)，从加工对象物1的外周面41侧涂布蚀刻液，如图41所示，有选择地蚀刻改质区域M3。此外，在此，龟裂C1、C2不会受到蚀刻而会残留。
接下来，如图42(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图42(b)所示上下翻转，如图42(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26之间分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第6实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物的背面21侧受到蚀刻，旦能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
[第10实施方式]
接下来，针对本发明的第10实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图43所示，沿着切断预定线5，在加工对象物1中形成改质区域M4。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M4，并且从该改质区域M4产生沿着厚度方向延伸并且露出于硅片11的表面11a的龟裂C3。
接下来，从加工对象物1的背面21侧涂布蚀刻液，如图44所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，依次沿着改质区域M4以及龟裂C3进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M4以及龟裂C3。接下来，如图45(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图45(b)所示上下翻转，如图45(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，形成有露出于硅片11的表面11a的龟裂C3，因此能够利用该龟裂C3使蚀刻液浸润并切断加工对象物，且能够加快切断速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，由于改质区域M4以及龟裂C3没有露出于加工对象物1的背面21，因此能够抑制Si或设备表面物质等飞散至周边，且能够抑制周边污染。另外，如上所述，由于改质区域M4以及龟裂C3不露出于背面21，因此形成有改质区域M4的加工对象物1比较不容易破裂，因而搬运性优异。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M4的厚度方向上的长度，来控制侧面方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，如上所述，由于不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产，也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第11实施方式]
接下来，针对本发明的第11实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第10实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图45(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26间分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化成芯片26、26。
[第12实施方式]
接下来，针对本发明的第12实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第10实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C3的改质区域M4之后(参照图43)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图46所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，沿着改质区域M4进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M4。此外，在此，龟裂C3不会受到蚀刻而会残留。
接下来，如图47(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图47(b)所示上下翻转，如图47(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化成芯片26、26。
[第13实施方式]
接下来，针对本发明的第13实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第10实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C3的改质区域M4之后(参照图43)，从外周面41侧涂布蚀刻液，如图48所示，有选择地蚀刻改质区域M4以及龟裂C3。接下来，如图49(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图49(b)所示上下翻转，如图49(c)所示，切割胶带19被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化成芯片26、26。
[第14实施方式]
接下来，针对本发明的第14实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第13实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，将切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图49(c))，如图50(a)所示，使切割胶带22扩张，并且将刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开。然后，如图50(b)所示，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化成芯片26、26。
[第15实施方式]
接下来，针对本发明的第15实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第10实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C3的改质区域M4之后(参照图43)，从外周面41侧涂布蚀刻液，如图51所示，有选择地蚀刻改质区域M4。此外，在此，龟裂C3不会受到蚀刻而会残留。接下来，如图52(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图52(b)所示上下翻转，如图52(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第16实施方式]
接下来，针对本发明的第16实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第15实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图52(c))，使切割胶带22扩张，并且将刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化成芯片26、26，并且芯片26、26分开。然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第10实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化成芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第17实施方式]
接下来，针对本发明的第17实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图53所示，沿着切断预定线5在加工对象物1中形成改质区域M5。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M5，并且从该改质区域M5产生沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的表面3的龟裂C4。
接下来，从加工对象物1的背面21侧涂布蚀刻液，如图54所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。接下来，依次沿着改质区域M5以及龟裂C4进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M5以及龟裂C4。接下来，如图55(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图55(b)所示上下翻转，如图55(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，由于形成有龟裂C4，因此能够利用该龟裂C4使蚀刻液浸润并切断加工对象物，且能够加快切断速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，由于改质区域M5以及龟裂C4不露出于加工对象物1的背面21，因此能够抑制Si或设备表面物质等飞散至周边，且能够抑制周边污染。另外，如上所述，由于改质区域M5以及龟裂C4不露出于背面21，因此形成有改质区域M5的加工对象物1比较不容易破裂，因而搬运性优异。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M5的厚度方向上的长度，来控制侧面方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，如上所述，由于不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间。
[第18实施方式]
接下来，针对本发明的第18实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第17实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在使切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图55(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26间分开。然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第17实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第19实施方式]
接下来，针对本发明的第19实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第17实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C4的改质区域M5之后(参照图53)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图56所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，沿着改质区域M5进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M5。此外，在此，龟裂C4不会受到蚀刻而会残留。
接下来，如图57(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图57(b)所示上下翻转，如图57(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第17实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第20实施方式]
接下来，针对本发明的第20实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图58所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M6。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M6，并且从该改质区域M6产生沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的背面21的龟裂(半切割)C5。
接下来，如图59所示，从背面21侧涂布蚀刻液，使蚀刻液依次沿着龟裂C5、改质区域M6进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C5以及改质区域M6。接下来，如图60(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图60(b)所示上下翻转，如图60(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述形成有龟裂C5，因此能够利用该龟裂C5使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，龟裂C5露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的龟裂C5积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M6的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的蚀刻量。
[第21实施方式]
接下来，针对本发明的第21实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第20实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理而蚀刻龟裂C5以及改质区域M6之后(参照图59)，如图61(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图61(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图61(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片22被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第20实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第22实施方式]
接下来，针对本发明的第22实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第20实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理而蚀刻龟裂C5以及改质区域M6之后(参照图59)，如图62(a)所示，使切割胶带16扩张，并且使刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图62(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图62(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第20实施方式同样的效果。由于在利用切割胶带16以及断裂装置32使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第23实施方式]
接下来，针对本发明的第23实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图63所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M7。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M7。与此同时，从该改质区域M7产生沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的背面21的龟裂C5、以及沿着厚度方向延伸并且露出于硅片11的表面11a的龟裂C3。
接下来，如图64所示，从背面21侧涂布蚀刻液，依次沿着龟裂C5、改质区域M7以及龟裂C3进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C5、C3以及改质区域M7。接下来，如图65(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图65(b)所示上下翻转，如图65(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述形成有龟裂C5、C3，因此能够利用这些龟裂C5、C3使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，龟裂C5露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液会从该露出的龟裂C5积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对于加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M7的厚度方向上的长度，来降低图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
[第24实施方式]
接下来，针对本实施的第24实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第23实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理而蚀刻龟裂C5以及改质区域M7之后(参照图64)，如图66(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图66(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图66(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第23实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第25实施方式]
接下来，针对本发明的第25实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图67所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M8。具体而言，在硅片11的内部(厚度方向上的大致中央)形成改质区域M8。与此同时，从该改质区域M8产生沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的背面21的龟裂C5、以及沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的表面3的龟裂C4。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，并且如图68所示，依次沿着龟裂C5、改质区域M8以及龟裂C4进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M8以及龟裂C4、C5。接下来，如图69(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图69(b)所示上下翻转。接下来，如图69(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述形成有龟裂C4、C5，因此能够利用这些龟裂C4、C5使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，龟裂C5露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的龟裂C5积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对于加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M8的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，在本实施方式中，如上所述，能够通过施以蚀刻处理，使加工对象物1最终小片化为芯片26、26。因而，不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第26实施方式]
接下来，针对本发明的第26实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第25实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图69(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第25实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了通过施以蚀刻处理来使加工对象物1小片化为芯片26、26之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第27实施方式]
接下来，针对本发明的第27实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第25实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理而蚀刻龟裂C5、C4以及改质区域M8之后(参照图68)，如图70(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图70(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图70(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第25实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第28实施方式]
接下来，针对本发明的第28实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第25实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C4、C5的改质区域M8之后(参照图67)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图71所示，依次沿着龟裂C5以及改质区域M8进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C5以及改质区域M8。此外，在此，龟裂C4不会受到蚀刻而会残留。接下来，如图72(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图72(b)所示上下翻转。接下来，如图72(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第25实施方式同样的效果。
[第29实施方式]
接下来，针对本发明的第29实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第28实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图72(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第25实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所示，除了施以蚀刻处理之外，还会使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第30实施方式]
接下来，针对本发明的第30实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第28实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在施以蚀刻处理而蚀刻龟裂C5以及改质区域M8之后(参照图71)，如图73(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图73(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图73(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第25实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第31实施方式]
接下来，针对本发明的第31实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图74所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M9。具体而言，在加工对象物1形成从硅片11的内部(背面21附近)到表面11a(露出于表面11a)的改质区域M9。
接下来，从加工对象物1的背面21侧涂布蚀刻液，如图75所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。接下来，沿着改质区域M9进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M9。接下来，如图76(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图76(b)所示上下翻转，如图76(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，由于改质区域M9不露出于加工对象物1的背面21，因此能够抑制Si或设备表面物质等飞散至周边，且能够抑制周边污染。另外，如上所述，由于改质区域M9不露出于背面21，因此形成有改质区域M9的加工对象物1比较不容易破裂，因而搬运性优异。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M9当中加工对象物1的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，如上所述，由于不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。另外，由于不会全切割，因此能够容易地进行切割胶带16、22的替换。
此外，如硅片11那样，在其表面11a为(111)面等，且在倾斜于厚度方向的方向上具有劈开面的情况下，本实施方式特别有效。
[第32实施方式]
接下来，针对本发明的第32实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第31实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图76(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第31实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第33实施方式]
接下来，针对本发明的第33实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第31实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成改质区域M9之后(参照图74)，从外周面41侧涂布蚀刻液，如图77所示，有选择地蚀刻改质区域M9。接下来，如图78(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图78(b)所示上下翻转，如图78(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第31实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第34实施方式]
接下来，针对本发明的第34实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第33实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图78(c))，使切割胶带22扩张，并且使刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第31实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第35实施方式]
接下来，针对本发明的第35实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图79所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M10。具体而言，在加工对象物1形成从硅片11的内部(背面21附近)到加工对象物1的表面3(露出于表面3)的改质区域M10。
接下来，从加工对象物1的背面21侧涂布蚀刻液，如图80所示，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，沿着改质区域M10进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M10。接下来，如图81(a)所示，使切割胶带22转印在蚀刻后的背面21，并且如图81(b)所示上下翻转，如图81(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，由于改质区域M10不露出于加工对象物1的背面21，因此能够抑制Si或设备表面物质等飞散至周边，且能够抑制周边污染。另外，如上所述，由于改质区域M10不露出于背面21，因此形成有改质区域M10的加工对象物1比较不容易破裂，因而搬运性优异。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M10当中加工对象物1的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，如上所述，由于不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。另外，由于不会全切割，因此能够容易地进行切割胶带16、22的替换。
此外，如硅片11那样，在其表面11a为(111)面等，且在倾斜于厚度方向的方向上具有劈开面的情况下，本实施方式特别有效。
[第36实施方式]
接下来，针对本发明的第36实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第35实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图81(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第35实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第37实施方式]
接下来，针对本发明的第37实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第35实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成改质区域M10之后(参照图79)，从外周面41侧涂布蚀刻液，如图82所示，有选择地蚀刻改质区域M10。接下来，如图83(a)所示，使切割胶带22转印在背面21，并且如图83(b)所示上下翻转，如图83(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第35实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第38实施方式]
接下来，针对本发明的第38实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第37实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图83(c))，使切割胶带22扩张，并且使刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第35实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，从加工对象物1的外周面41侧施以蚀刻处理，并控制蚀刻处理的开始点，使蚀刻液积极地浸透至加工对象物的内部，因此能够抑制加工对象物1的背面21侧受到蚀刻，且能够抑制加工对象物1的背面21侧的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第39实施方式]
接下来，针对本发明的第39实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图84所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M11。具体而言，在加工对象物1形成从硅片11的内部(表面11a附近)到加工对象物1的背面21(露出于背面21)的改质区域M11。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图85所示，沿着改质区域M11进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M11。接下来，如图86(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图86(b)所示上下翻转，如图86(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，如上所述，改质区域M11露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液会从该露出的改质区域M11积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M11的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
此外，如硅片11那样，在其表面11a为(111)面等，且在倾斜于厚度方向的方向上具有劈开面的情况下，本实施方式特别有效。
[第40实施方式]
接下来，针对本发明的第40实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第39实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M11之后(参照图85)，如图87(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图87(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图87(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第39实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第41实施方式]
接下来，针对本发明的第41实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第39实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M11之后(参照图85)，如图88(a)所示，使切割胶带16扩张，并且使刀刃等的断裂装置32从切割胶带22的下方沿着加工对象物1的切断预定线5压接。于是，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图88(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图88(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第39实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在利用切割胶带16以及断裂装置32使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。另外，在本实施方式中，如上所述，受到断裂装置32的压接，使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第42实施方式]
接下来，针对本发明的第23实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图89所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M12。具体而言，形成从硅片11的内部到表面11a(露出于表面11a)的改质区域M12，并且从该改质区域M12产生沿着厚度方向延伸并且露出于加工对象物1的背面21的龟裂C5。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图90所示，依次沿着龟裂C5以及改质区域M12进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C5以及改质区域M12。接下来，如图91(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图91(b)所示上下翻转，如图91(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所示形成有龟裂C5，因此能够利用这些龟裂C5使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，龟裂C5露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的龟裂C5积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对于加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M12的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
[第43实施方式]
接下来，针对本发明的第43实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第42实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了龟裂C5以及改质区域M12之后(参照图90)，如图92(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图92(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图92(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第42实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第44实施方式]
接下来，针对本发明的第44实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图93所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M13。具体而言，形成从硅片11的内部到加工对象物1的表面3(露出于表面3)的改质区域M13，并且从该改质区域M13产生沿着厚度方向延伸且露出于加工对象物1的背面21的龟裂C5。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图94所示，依次沿着龟裂C5以及改质区域M13进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C5以及改质区域M13，使加工对象物1小片化为芯片26、26。接下来，如图95(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图95(b)所示上下翻转。接下来，如图95(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，如图32所示，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，能够通过施以蚀刻处理，使加工对象物1最终小片化为芯片26、26。因此，不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第45实施方式]
接下来，针对本发明的第45实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第44实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16剥离之后(参照图95(c))，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第44实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第46实施方式]
接下来，针对本发明的第46实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第44实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M13以及龟裂C5之后(参照图94)，如图96(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图96(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图96(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第44实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，在施以蚀刻处理之后使切割胶带16扩张，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1进一步可靠地小片化为芯片26、26。
[第47实施方式]
接下来，针对本发明的第47实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图97所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成改质区域M14。具体而言，形成从加工对象物1的内部到背面21(露出于背面21)的改质区域M14，并且从该改质区域M14产生沿着厚度方向延伸且露出于硅片11的表面11a的龟裂C3。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图98所示，依次沿着改质区域M14以及龟裂C3进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M14以及龟裂C3。接下来，如图99(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图99(b)所示上下翻转。接下来，如图99(c)所示，切割胶带16被剥离。接下来，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述形成有龟裂C3，因此能够利用该龟裂C3使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，改质区域M14露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的改质区域M14积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对于加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M14的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第48实施方式]
接下来，针对本发明的第48实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第47实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M14以及龟裂C3之后(参照图98)，如图100(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图100(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图100(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第47实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第49实施方式]
接下来，针对本发明的第49实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第47实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成改质区域M14以及龟裂C3之后(参照图97)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图101所示，沿着改质区域M14进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M14。此外，在此，龟裂C3不会受到蚀刻而会残留。接下来，如图102(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图102(b)所示上下翻转。接下来，如图102(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第47实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此能够加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第50实施方式]
接下来，针对本发明的第50实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第49实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图102(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第47实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第51实施方式]
接下来，针对本发明的第51实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第1实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图103所示，沿着切断预定线5在加工对象物1形成具有龟裂C4的改质区域M15。具体而言，形成从硅片11的内部到加工对象物的背面21(露出于背面21)的改质区域M15，并且从该改质区域M15产生沿着厚度方向延伸且露出于加工对象物1的表面3的龟裂C4。
接下来，从背面21侧涂布蚀刻液，如图104所示，依次沿着改质区域M15以及龟裂C4进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M15以及龟裂C4。接下来，如图105(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图105(b)所示上下翻转。接下来，如图105(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第1实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述形成有龟裂C4，因此能够利用该龟裂C4使蚀刻液浸润并切断加工对象物，因此能够加快切断速度。
另外，如上所述，改质区域M15露出于加工对象物1的背面21，即，蚀刻开始点是露出的。因此，蚀刻液从该露出的改质区域M15积极地浸透至加工对象物1的内部。因此，能够抑制加工对象物1的背面21受到蚀刻，且能够抑制对于加工对象物1的背面21的损害，并且能够加快蚀刻速度。
另外，在本实施方式中，可以通过控制形成的改质区域M15的厚度方向上的长度，来控制图面左右方向等的改质区域以外的区域中的蚀刻量。
另外，在本实施方式中，如上所述，不需要使切割胶带16扩张便可取出芯片26，因此可以加快生产时间，并且也能够加工无法施加外部应力的极小芯片。
[第52实施方式]
接下来，针对本发明的第52实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第51实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图105(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第51实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第53实施方式]
接下来，针对本发明的第53实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第51实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M15以及龟裂C4之后(参照图104)，如图106(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图106(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图106(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第51实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第54实施方式]
接下来，针对本发明的第54实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第51实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在加工对象物1形成具有龟裂C4的改质区域M15之后(参照图103)，从背面21侧涂布蚀刻液，如图107所示，沿着改质区域M15进行蚀刻，有选择地蚀刻改质区域M15。此外，在此，龟裂C4不会受到蚀刻而会残留。接下来，如图108(a)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图108(b)所示上下翻转。接下来，如图108(c)所示，切割胶带16被剥离，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第51实施方式同样的效果。
[第55实施方式]
接下来，针对本发明的第55实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第54实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在切割胶带16从加工对象物1的背面21剥离之后(参照图108(c))，使切割胶带22扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第51实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，如上所述，除了施以蚀刻处理之外，还使切割胶带22扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第56实施方式]
接下来，针对本发明的第56实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第54实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，在蚀刻了改质区域M15之后(参照图107)，如图109(a)所示，使切割胶带16扩张，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。接下来，如图109(b)所示，使切割胶带22转印在加工对象物1的背面21，并且如图109(c)所示上下翻转。接下来，切割胶带16被剥离，使切割胶带22扩张，然后，芯片26被取出。
在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第51实施方式同样的效果。另外，在本实施方式中，在使切割胶带16扩张而使加工对象物1小片化为芯片26、26之后，又使切割胶带22扩张，因此能够使加工对象物1可靠地小片化为芯片26、26。
[第57实施方式]
接下来，针对本发明的第57实施方式所涉及的切断用加工方法加以说明。此外，省略与上述第6实施方式相同的说明，主要针对不同点进行说明。
在本实施方式的切断用加工方法中，将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3并载置于载置台之后(参照图23(a))，从加工对象物1的背面21向加工对象物1对准聚光点并照射激光，如图119(a)所示，沿着切断预定线5，在加工对象物1形成沿着厚度方向的多个改质区域(在此为改质区域M3、M16)。
具体而言，在加工对象物1的内部形成改质区域M3，并且以并排在该改质区域M3的设备面3侧的方式形成改质区域M16。然后，从改质区域M3产生沿着厚度方向延伸的龟裂C1、C2，并且从改质区域M16产生沿着厚度方向延伸的龟裂C6、C7。此外，此处的龟裂C2、C6是相互连结的。
接下来，如图119(b)所示，将对蚀刻液具有耐性的例如由SiN所构成的掩模35安装在背面21。在该掩模35上设置有对应于蚀刻宽度的开口面积的开口33。
接下来，经由掩模35的开口33在加工对象物1的背面21上涂布蚀刻液，蚀刻加工对象物1的背面21侧的区域31并加以去除。然后，依次沿着龟裂C1、改质区域M3以及龟裂C2进行蚀刻，有选择地蚀刻龟裂C1、C2以及改质区域M3。此时，通过控制蚀刻时间，并对加工对象物1实施洗净等，以蚀刻不会到达设备面3且残留改质区域M16的方式使蚀刻的进行停止。
接下来，掩模35被剥离，使切割胶带22转印在背面21上并上下翻转，并且切割胶带16被剥离。然后，如图119(c)所示，通过使切割胶带22扩张，以改质区域M16作为切断的起点(即，以改质区域M16作为构成切断的基点的切断用改质区域16)，加工对象物1小片化为芯片26、26，并且芯片26、26分开。此外，掩模35根据需要可以剥离，也可以在保留掩模35的状态下进行小片化。
以上，在本实施方式的切断用加工方法当中，也可实现与上述第6实施方式同样的效果。特别是在本实施方式中，以不到达设备面3的方式蚀刻加工对象物1，因此能够降低蚀刻液对设备15的不良影响，且可以获得高质量的芯片26。
在此，如上所述，在以不到达设备面3的方式进行蚀刻的情况下(即，加工对象物1不会因为蚀刻而完全被切断的情况)，通常从通过蚀刻而被去除的区域31的前端部31a产生龟裂并加以切断。然而，在该情况下，控制从前端部31a产生的龟裂的进展方向是相当困难的，因此，有时无法高精度地将加工对象物1切断。
这点，在本实施方式中，在加工对象物1的内部形成沿着厚度方向并排的改质区域M3、M16，并且以残留切断用改质区域M16的方式施以蚀刻处理。因此，即使以不到达设备面3的方式进行蚀刻的情况，也能够以切断用改质区域16为切断的起点来切断加工对象物1，因此可以容易且高精度地切断加工对象物1。因此，根据本实施方式，能够降低蚀刻液对设备15的不良影响而获得高质量的芯片26，并且可以容易且高精度地切断加工对象物1。
另外，依据设备15的种类，若完全蚀刻加工对象物1直到切断为止，则有时蚀刻液会在设备15与硅片11的界面上带来不良的影响。相对于此，在本实施方式中，以不到达设备面3的方式蚀刻加工对象物1，因此也能够降低在该界面上的不良影响。
另外，在本实施方式中，如上所述，经由掩模35的开口33，使加工对象物1的背面21暴露于蚀刻液。于是，背面21受到蚀刻，因而能够抑制蚀刻深度(从背面21到区域31的前端部31a的距离)产生偏差，并且提高蚀刻深度的均一性。其结果，能够稳定地切断加工对象物1，并且可以获得更高质量的芯片26。
此外，在本实施方式中，虽然从改质区域M16产生龟裂C6、C7，但是也可以仅产生龟裂C6、C7中的任何一方。再者，如图120所示，有时也会不产生龟裂C6、C7双方。在不产生龟裂C6的情况下，存在于切断用改质区域M16的背面21侧的非改质区域N，由于其蚀刻速率比改质区域的蚀刻速率低，因此起到延缓蚀刻进行的蚀刻阻挡层的作用。另外，在该情况下，也不会有蚀刻液经由龟裂C6(参照图119)浸透至切断用改质区域M16的情形。因此，在不产生龟裂C6的情况下，以残留改质区域M16的方式使蚀刻的进行停止可以容易地实施。
又，在本实施方式中，形成改质区域M3并蚀刻该改质区域M3，但是蚀刻的改质区域并不限于此。只要以不到达设备面3的方式蚀刻加工对象物1，蚀刻的改质区域也可以是各种各样的。
另外，在本实施方式中，以沿着厚度方向并排设置的方式形成改质区域M3、M16，并以残留切断用改质区域M16的方式施以蚀刻处理，但是，也可以在厚度方向上形成三个以上的改质区域，并且以残留这些改质区域当中的至少一个作为切断用改质区域的方式施以蚀刻处理。
以上，已针对本发明的最佳实施方式加以说明，但本发明并不限于上述实施方式。
例如，在上述实施方式中，将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3，使背面21侧形成为上方而将加工对象物1载置于载置台，并且从背面21侧照射激光(背面入射)，但是也有以下的情况。即，也可以如图110(a)所示，将切割胶带16贴在加工对象物1的背面21，使表面3侧形成为上方而载置于载置台，并且从表面3侧(图面上方侧)照射激光(表面入射)。
另外，也可以如图110(b)所示，将切割胶带16贴在加工对象物1的表面3，使表面3侧(切割胶带16侧)形成为上方而载置于载置台，并且从表面3侧透过切割胶带16照射激光。另外，也可以如图110(c)所示，将切割胶带16贴在加工对象物1的背面21，使背面21侧形成为上方而载置于载置台，并且从背面21侧透过切割胶带16照射激光。
另外，在上述实施方式中，为了保护功能元件15免受蚀刻液的影响，优选，具备保护膜25，但是在不是那么必要保护功能元件15的情况下，也可以没有该保护膜。
另外，在上述实施方式中，以加工对象物1的被蚀刻的切断面与厚度方向平行的方式形成改质区域，但是也可以调整例如激光的激光条件或形成改质区域的位置等，使该切断面形成为规定的的面形状。在该情况下，通过在加工对象物的规定的位置上形成改质区域，能够利用改质区域的高蚀刻速率，使加工对象物的被蚀刻的切断面形成为V字或半圆形等所希望的面形状，因此，可依据希望设定例如加工对象物的抗折强度。例如，以在切断面当中厚度方向上的中央部分特别会受到蚀刻的方式形成改质区域时，从侧方在沿着切断预定线的方向上看，能够获得厚度方向上的中央凹陷那样的凹状的切断面。在该情况下，芯片的抗折强度会提高。
另外，例如，以在切断面当中厚度方向上的端部特别会受到蚀刻的方式形成改质区域时，从侧方在沿着切断预定线的方向上看，能够获得厚度方向上的端部被切断那样的切断面。在该情况下，不需要另外进行倒角等的后处理。
实施例
以下，对实施例进行说明。
(实施例1)
准备厚度300μm、电阻值1Ω·cm以上的裸硅片(表面：镜面，背面：BG)，将PET基材带(UV型)贴在该裸硅片的背面，从表面侧照射激光，沿着各切断预定线在厚度方向上形成7列(7scan)改质区域。此时，在裸硅片的表面上形成半切割(龟裂露出于表面)。然后，对该裸硅片施以蚀刻处理，使加工对象物小片化(分割)为多个芯片。蚀刻液使用温度约70℃、浓度32wt％的KOH，蚀刻时间约为10分钟。
其结果，如图111(a)及图112(a)所示，以分割率100％小片化(分割)为多个芯片。另外，如图111(b)及图112(b)所示，蚀刻宽度(相邻的芯片的间隔)，在表面侧的蚀刻宽度L1为20μm(16μm～20μm)，在背面侧的蚀刻宽度L2为12μm。另外，也不会有切屑(无切屑)。于是，能够确认沿着切断预定线5可靠地切断加工对象物1的上述效果。
如图113所示，能够确认：切断面的凹凸最大为4μm，另外，改质区域完全被蚀刻而去除。另外，能够确认：残存在改质区域的Si片等也完全被去除。在此，在切断面当中，背面侧的端部相对于表面侧的端部仅突出4μm(图中的L3)，切断面形成为细的V槽状，但是，这表示从表面侧(图中的上方侧)沿着箭头Q方向进行蚀刻。
(实施例2)
接下来，依据保持具的各种材质评价保持具对于蚀刻液的耐性。具体而言，将贴有各保持具的加工对象物浸渍在KOH中规定的时间，观察保持具的状态并进行评价。蚀刻液的浓度为32wt％。将其结果表示于图114～图118。
图114是表示由聚烯烃所构成的保持具的浸渍在蚀刻液后的状态的照片，图115是表示由聚烯烃所构成的保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表，图116是表示由PET所构成的保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表。如图114和图115所示，由聚烯烃所构成的保持具虽然会产生起伏(保持具起伏的状态)和剥离(保持具的周缘部从加工对象物剥离的状态)，但是，在周缘部以外的区域可以充分使用。如图114所示，剥离大多发生在一个端部(图中的下侧端部)，于是，可知材质的热变形具有各向异性的特性。再者，如图116所示，由PET所构成的保持具，直到30秒为止的蚀刻耐性良好。因此，能够确认保持具当中的蚀刻液的温度以及蚀刻时间的使用范围。此外，由EVA材所构成的保持具，在蚀刻液的温度67℃，蚀刻时间30秒时就会NG。
图117是表示保持具对于常温的蚀刻液的耐性的评价结果的图表，图118是依据蚀刻液的每个温度表示保持具对于蚀刻液的耐性的评价结果的图表。如图117所示，在常温下，在任何材质的保持具(胶带)中都没有变化(起伏及剥离“○”)，任何材质均适于保持具(判定“○”)。保持具的粘结性能够充分确保，另外，能够确认蚀刻处理后的硅表面的亲水性。另外，如图118所示，作为保持具，能够确认优选聚烯烃的切割胶带及PET的BG胶带。
产业上的利用可能性
根据本发明，可以沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。

Claims (10)

1.一种切断用加工方法，其特征在于，是用于沿着切断预定线将板状的加工对象物切断的对象物加工方法，包含：
通过向所述加工对象物对准聚光点并照射激光，从而沿着所述切断预定线在所述加工对象物中形成改质区域的工序；
在所述加工对象物中形成所述改质区域之后，通过利用对所述改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻材施以蚀刻处理，来蚀刻沿着所述切断预定线形成的所述改质区域的工序。
2.如权利要求1所述的切断用加工方法，其特征在于，
包含将所述加工对象物安装在保持所述加工对象物的保持装置上的工序。
3.如权利要求2所述的切断用加工方法，其特征在于，
在对所述加工对象物施以所述蚀刻处理之后，通过扩张所述保持装置，从而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断。
4.如权利要求1或2所述的切断用加工方法，其特征在于，
通过蚀刻所述改质区域，从而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断。
5.如权利要求1～4中任一项所述的切断用加工方法，其特征在于，
以使所述加工对象物的蚀刻后的切断面形成为规定的面形状的方式，在所述加工对象物的规定的位置上形成改质区域。
6.如权利要求1～5中任一项所述的切断用加工方法，其特征在于，
以从所述改质区域起产生龟裂的方式，在所述加工对象物中形成改质区域。
7.如权利要求1～6中任一项所述的切断用加工方法，其特征在于，
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂露出于所述加工对象物的外表面的方式，在所述加工对象物中形成改质区域。
8.如权利要求1～6中任一项所述的切断用加工方法，其特征在于，
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂不露出于所述加工对象物的外表面的方式，在所述加工对象物中形成改质区域。
9.如权利要求1～8中任一项所述的切断用加工方法，其特征在于，
所述加工对象物的主面的结晶面为(111)面。
10.如权利要求1所述的切断用加工方法，其特征在于，
在形成所述改质区域的工序中，在所述加工对象物的厚度方向上形成多个所述改质区域；
在蚀刻所述改质区域的工序中，以残留多个所述改质区域当中的至少一个作为构成切断的基点的切断用改质区域的方式，施以所述蚀刻处理。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103025475A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN103128448A (zh) * 2011-11-24 2013-06-05 三星钻石工业股份有限公司 激光加工方法和激光加工装置
CN103026468B (zh) * 2010-07-26 2015-11-25 浜松光子学株式会社 芯片的制造方法
CN110520968A (zh) * 2017-04-17 2019-11-29 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法和半导体芯片
CN110537247A (zh) * 2017-04-17 2019-12-03 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
CN112820796A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 苏州索雷特自动化科技有限公司 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池片

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5840828B2 (ja) * 2010-04-12 2016-01-06 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
EP2599582B1 (en) 2010-07-26 2020-03-25 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
JP5389264B2 (ja) 2010-07-26 2014-01-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5693074B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2599583B1 (en) 2010-07-26 2020-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
JP5702556B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR20130106770A (ko) * 2010-07-26 2013-09-30 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 디바이스의 제조 방법
CN103026497B (zh) 2010-07-26 2016-08-03 浜松光子学株式会社 光吸收基板的制造方法以及用于制造其的成形模的制造方法
WO2012014718A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 インターポーザの製造方法
JP5574866B2 (ja) 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5476476B2 (ja) 2010-07-26 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5953645B2 (ja) * 2010-11-16 2016-07-20 株式会社東京精密 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
KR101222489B1 (ko) * 2011-03-09 2013-01-15 한국기계연구원 레이저를 이용한 웨이퍼의 국부적 비정질화를 선행한 이방성 에칭방법 및 이를 이용한 다이싱 방법 및 드릴링 방법
JP2012227234A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US8673741B2 (en) 2011-06-24 2014-03-18 Electro Scientific Industries, Inc Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (DAF) or other material layer
JP5939752B2 (ja) * 2011-09-01 2016-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
KR101945684B1 (ko) * 2012-05-23 2019-02-07 가부시키가이샤 니콘 절단 기구, 접합 기구, 기판 처리 시스템, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
US20130344684A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Stuart Bowden Methods and systems for using subsurface laser engraving (ssle) to create one or more wafers from a material
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6223801B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-01 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
WO2015085014A1 (en) * 2013-12-05 2015-06-11 Muñoz David Callejo System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
JP6557953B2 (ja) * 2014-09-09 2019-08-14 大日本印刷株式会社 構造体及びその製造方法
KR20160057966A (ko) 2014-11-14 2016-05-24 가부시끼가이샤 도시바 처리 장치, 노즐 및 다이싱 장치
US9627259B2 (en) 2014-11-14 2017-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Device manufacturing method and device
JP6305355B2 (ja) * 2015-01-28 2018-04-04 株式会社東芝 デバイスの製造方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2019-07-17 株式会社東芝 処理装置
JP6716263B2 (ja) * 2016-01-22 2020-07-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6081005B2 (ja) * 2016-04-21 2017-02-15 株式会社東京精密 研削・研磨装置及び研削・研磨方法
JP6081006B2 (ja) * 2016-04-26 2017-02-15 株式会社東京精密 ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
JP6081008B2 (ja) * 2016-06-13 2017-02-15 株式会社東京精密 ウェハ加工装置及びウェハ加工方法
JP6820682B2 (ja) * 2016-07-29 2021-01-27 株式会社タムラ製作所 基板の分離方法及び半導体素子
DE102016224978B4 (de) 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6817822B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP6824581B2 (ja) * 2017-04-04 2021-02-03 株式会社ディスコ 加工方法
JP2018182142A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP7063542B2 (ja) * 2017-04-17 2022-05-09 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP7063543B2 (ja) * 2017-04-17 2022-05-09 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6991475B2 (ja) * 2017-05-24 2022-01-12 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法
JP6925900B2 (ja) * 2017-07-20 2021-08-25 岩谷産業株式会社 切断加工方法
JP6957252B2 (ja) * 2017-07-20 2021-11-02 岩谷産業株式会社 切断加工方法
JP6703073B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6703072B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019012850A (ja) * 2018-10-03 2019-01-24 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP2019087751A (ja) * 2018-11-20 2019-06-06 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2019068077A (ja) * 2018-11-20 2019-04-25 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
JP2019071475A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019071476A (ja) * 2019-01-18 2019-05-09 株式会社東京精密 レーザ光学部
JP2019096911A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019096910A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP7230650B2 (ja) 2019-04-05 2023-03-01 Tdk株式会社 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
CN112509773B (zh) * 2020-10-23 2022-08-12 浙江森尼克半导体有限公司 一种霍尔电流激光调阻机调节设备组件
KR20220115676A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 제조용 지그 및 이를 이용한 윈도우의 제조방법
TW202335115A (zh) * 2022-01-27 2023-09-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023179101A (ja) * 2022-06-07 2023-12-19 日本電気硝子株式会社 ガラス板及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07120646B2 (ja) * 1990-05-16 1995-12-20 株式会社東芝 メサ型半導体ペレットの製造方法
JPH097975A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ATE362653T1 (de) * 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
JP2004343008A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
JP2004351494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2005051007A (ja) 2003-07-28 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 半導体チップの製造方法
JP4182841B2 (ja) 2003-08-28 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 単結晶基板の加工方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法
JP2007069216A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無機材料の加工方法
JP2007275902A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103025475A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN103026468B (zh) * 2010-07-26 2015-11-25 浜松光子学株式会社 芯片的制造方法
CN103128448A (zh) * 2011-11-24 2013-06-05 三星钻石工业股份有限公司 激光加工方法和激光加工装置
CN103128448B (zh) * 2011-11-24 2016-01-06 三星钻石工业股份有限公司 激光加工方法和激光加工装置
CN110520968A (zh) * 2017-04-17 2019-11-29 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法和半导体芯片
CN110537247A (zh) * 2017-04-17 2019-12-03 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
CN110520968B (zh) * 2017-04-17 2023-09-19 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法和半导体芯片
CN112820796A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 苏州索雷特自动化科技有限公司 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池片

Also Published As

Publication number Publication date
DE112008001389B4 (de) 2024-01-18
TWI501830B (zh) 2015-10-01
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DE112008001389T5 (de) 2010-04-15
CN102623373A (zh) 2012-08-01
KR101506355B1 (ko) 2015-03-26
JP5197586B2 (ja) 2013-05-15
KR20100028014A (ko) 2010-03-11
TW200911440A (en) 2009-03-16
CN101681822B (zh) 2012-06-13
US8603351B2 (en) 2013-12-10
WO2008146744A1 (ja) 2008-12-04
US20100136766A1 (en) 2010-06-03
JPWO2008146744A1 (ja) 2010-08-19

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