JP6703073B2 - ウェハ加工方法及びウェハ加工システム - Google Patents
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Description
(1)レーザーダイシング装置1について
図1は、レーザーダイシング装置1の概観構成を示す図である。同図に示すように、本実施の形態のレーザーダイシング装置1は、主として、ウェハ移動部11、レーザー光学部20と観察光学部30とからなるレーザーヘッド40、制御部50等から構成されている。
図4は、研削装置2の概観構成を示す斜視図である。研削装置2の本体112には、アライメントステージ116、粗研削ステージ118、精研削ステージ120、研磨ステージ122、研磨布洗浄ステージ123、研磨布ドレッシングステージ127、及びウェハ洗浄ステージ124が設けられている。
成された凹部(図示せず)に嵌入されて連結される。そして、チャック132、136、138、140は、ピストン119の継続する伸長動作によって、インデックステーブル134から上昇移動され、カップ型砥石146、154による研削位置に位置される。
次に分割装置(不図示)について説明する。分割装置は、従来の通常の分割装置を使用することができる。例えば、再表2004−100240に開示されている、以下のような構成の分割装置を使用することができる。
図21は、分割装置300の概略を示す図である。図21において、(A)は、分割装置300の平面図であり、(B)は、分割装置300の側面図である。分割装置300は、ウェハ302を吸着固定するためのウェハチャック304と、ウェハチャック304を撓ませるための撓ませ手段306と、真空ポンプ308とを主に含んで構成される。
次に、半導体基板の切断方法について説明する。図9は、半導体基板の切断方法の処理の流れを示すフローチャートである。
表面にBGテープBが貼付されたウェハWが、裏面が上向きとなるようにレーザーダイシング装置1の吸着ステージ13に載置される。以下の処理はレーザーダイシング装置1で行われ、制御部50により制御される。
レーザー改質工程(ステップS10)により切断ラインLに沿って改質領域が形成されたら、搬送装置(図示せず)によりウェハWをレーザーダイシング装置1から研削装置2へ搬送する。以下の処理は研削装置2で行われ、制御部100により制御される。
この工程は研削装置2で行われ、制御部100により制御される。
化学機械研磨工程(ステップS14)が行われたウェハWの裏面にエキスパンドテープFを貼り付ける。エキスパンドテープは弾性テープの一種であり、伸縮自在である。
エキスパンドテープ貼付工程(ステップS16)でエキスパンドテープFが裏面に貼付されたウェハWを、図15に示すように分割装置にウェハWの表面を上に載置する。研削除去工程(ステップS12)においてクラックが目標面より表面側へ進展しているため、図15に示すように、ウェハWのエキスパンドテープFが貼付されている側には進展したクラックが形成されている。
次に、上記研削除去工程(ステップS12)における研削による亀裂進展評価について図19、図20を参照して説明する。研削方法、分割離間方法、それらの条件等は基本的に上記ステップS10からS18の通りである。図19は、亀裂進展評価の条件について示した図であり、図20は、亀裂進展評価の評価結果を示した図である。
6、S18工程を行って、ウェハを割断し、その割断状態を観察して評価した。チップが割れたり、発塵したりせず良好に割れた場合を○とし、チップが割れたり発塵したものは×として、図20に結果をまとめた。
上記に詳述した実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
Claims (2)
- ウェハのデバイス面側をチャックに保持した状態で、前記ウェハのデバイス面とは反対側の裏面側からレーザを照射し、前記ウェハの内部にレーザ改質領域を形成する工程であって、前記ウェハの内部において前記ウェハの裏面よりも前記ウェハのデバイス面に近い側に設定した目標面より前記ウェハの裏面側となる位置に前記レーザを集光して、前記レーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記ウェハのデバイス面側をチャックに保持した状態で、前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する、粗研削の途中に給水の中断期間を設けた研削工程であって、前記レーザ改質領域から延びる微小亀裂を前記目標面を超えた位置まで進展させ、かつ、前記進展した前記微小亀裂の一部を残して前記レーザ改質領域が除去され、研削によりウェハの裏面温度が70℃以上となるように前記研削を行う研削工程と、
前記研削が行われた後、前記ウェハに新たな分割起点を形成することなく、前記ウェハに外力を加えることにより前記ウェハをチップ毎に分割する分割工程と、
を備えるウェハ加工方法。 - ウェハのデバイス面側をチャックに保持した状態で、前記ウェハのデバイス面とは反対側の裏面側からレーザを照射し、前記ウェハの内部にレーザ改質領域を形成する手段であって、前記ウェハの内部において前記ウェハの裏面よりも前記ウェハのデバイス面に近い側に設定した目標面より前記ウェハの裏面側となる位置に前記レーザを集光して、前記レーザ改質領域を形成する改質領域形成手段と、
前記ウェハのデバイス面側をチャックに保持した状態で、前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する、粗研削の途中に給水の中断期間を設けた研削手段であって、前記レーザ改質領域から延びる微小亀裂を前記目標面を超えた位置まで進展させ、かつ、前記進展した前記微小亀裂の一部を残して前記レーザ改質領域が除去され、研削によりウェハの裏面温度が70℃以上となるように前記研削を行う研削手段と、
前記研削が行われた後、前記ウェハに新たな分割起点を形成することなく、前記ウェハに外力を加えることにより前記ウェハをチップ毎に分割する分割手段と、
を備えるウェハ加工システム。
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