JPWO2008146744A1 - 切断用加工方法 - Google Patents

Abstract

加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断する。加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、切断予定ライン５に沿って、加工対象物１に改質領域Ｍ１を形成する。この改質領域Ｍ１が形成された加工対象物１に、改質領域のエッチングレートが非改質領域のエッチングレートより高いエッチング液を利用してエッチング処理を施すことにより、改質領域Ｍ１をエッチングする。これにより、改質領域Ｍ１における高いエッチングレートが利用され、加工対象物１が切断予定ライン５に沿って選択的且つ迅速にエッチングされる。

Description

本発明は、板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するための切断用加工方法に関する。

従来のレーザ加工方法として、板状の加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、加工対象物の内部に改質領域を形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような切断用加工方法では、改質領域が形成された加工対象物に対し、例えば切断予定ラインに沿って外部応力を印加することにより、改質領域を起点として、加工対象物を複数のチップに切断する。
特開２００４−３４３００８号公報

しかしながら、上述したような切断用加工方法では、加工対象物に外部応力を印加する際において、例えばチップサイズが小さくなるに従ってチップ１箇所当たりに作用される力が小さくなるため、場合によっては、加工対象物を確実に切断することができないおそれがある。一方、プラズマエッチング法により、加工対象物を切断する場合もある。しかし、この場合、エッチングが可能な時間には限界があるのに対し、加工対象物が厚いものであるとエッチング処理に長い時間が要されるため、エッチングが不完全で加工対象物を確実に切断することができないおそれがある。

そこで、本発明は、加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断することができる切断用加工方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る切断用加工方法は、板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するための切断用加工方法であって、加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って、加工対象物に改質領域を形成する工程と、加工対象物に前記改質領域を形成した後、改質領域のエッチングレートが非改質領域のエッチングレートより高いエッチング材を利用してエッチング処理を施すことにより、切断予定ラインに沿って形成された改質領域をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする。

この切断用加工方法では、切断予定ラインに沿って改質領域を加工対象物に形成し、この加工対象物にエッチング処理を施すことにより、当該改質領域をエッチングする。これにより、改質領域における高いエッチングレートを利用して、加工対象物を切断予定ラインに沿って選択的且つ迅速にエッチングすることができる。従って、例えば加工対象物を切断するために外部応力を印加する場合、その外部応力が小さい場合でも、加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断することが可能となる。また、上述したように、迅速にエッチングされることから、例えば加工対象物が厚いものであっても、切断予定ラインに沿って確実にエッチングすることが可能となる。

また、加工対象物を保持する保持手段に加工対象物を取り付ける工程を含むことが好ましい。この場合、切断後の加工対象物がばらばらに散乱するのを防止することができる。なお、保持手段に加工対象物を取り付けた上でエッチングを行う場合には、改質領域及び改質領域から発生した亀裂が、保持手段との界面に至らないようにする（界面よりも手前で改質領域及び亀裂の形成を止める）ことが好ましい。これは、エッチング材が改質領域及び亀裂を伝って界面に到達すると、例えば、このエッチング材により加工対象物が保持手段から剥離したり、デバイス面を汚染したりする場合があるためである。

ここで、加工対象物にエッチング処理を施した後、保持手段を拡張することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断する場合がある。また、改質領域をエッチングすることにより、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断する場合がある。

また、加工対象物のエッチングされた切断面が所定の面形状となるように、加工対象物の所定の位置に改質領域を形成することが好ましい。この場合、加工対象物の所定の位置に改質領域を形成することで、改質領域における高いエッチングレートを利用して、加工対象物のエッチングされた切断面をＶ字や半円形等の所望の面形状とすることができ、よって、例えば加工対象物の抗折強度を所望に設定することができる。

また、改質領域から亀裂が発生するように、加工対象物に改質領域を形成することが好ましい。この場合、例えば亀裂を利用してエッチング材を浸透させてエッチングの進行を促進することができ、エッチング速度を速めることが可能となる。

また、改質領域又は改質領域から発生した亀裂が加工対象物の外表面に露出するように、加工対象物に改質領域を形成することが好ましい。この場合、例えばエッチング材が、露出する改質領域又は亀裂から加工対象物の内部へ積極的に浸透されるため、加工対象物の外表面がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物の外表面へのダメージを抑制することができる。

また、改質領域又は改質領域から発生した亀裂が加工対象物の外表面に露出しないように、加工対象物に改質領域を形成することが好ましい。この場合、改質領域を形成する際に加工対象物が周辺に飛散してしまうのを抑制することができる。

また、加工対象物の主面の結晶面が（１１１）面であると、加工対象物がその厚さ方向に傾斜する方向に劈開面を有するため、切断面が厚さ方向に対して傾斜し易いのが一般的であるが、本発明では、上述したように、加工対象物が切断予定ラインに沿って選択的にエッチングされるため、加工対象物の主面の結晶面が（１１１）面でも、切断面が厚さ方向に平行になるように加工対象物を切断することができる。

また、改質領域を形成する工程では、加工対象物の厚さ方向に複数の改質領域を形成し、改質領域をエッチングする工程では、複数の改質領域のうち少なくとも１つが切断の基点となる切断用改質領域として残存するように、エッチング処理を施すことが好ましい。これにより、エッチングで加工対象物を完全に切断しない場合（例えば、デバイス面に到達しないようエッチングする場合）においても、切断用改質領域を切断の起点として加工対象物が切断されるため、加工対象物を容易に且つ精度よく切断することが可能となる。

本発明によれば、加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断することが可能となる。

実施形態のレーザ加工装置の概略構成図である。 実施形態の加工対象物を示す図である。 図１の加工対象物のIII−III線に沿った断面図である。 レーザ加工後の加工対象物の平面図である。 図４の加工対象物のV−V線に沿った断面図である。 図４の加工対象物のVI−VI線に沿った断面図である。 電界強度とクラックスポットの大きさとの関係を示す線図である。 レーザ光が照射されたシリコンウェハの一部における断面の写真図である。 レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示す線図である。 ディッピング方式によるエッチング処理の一例を示す図である。 スピンエッチング方式によるエッチング処理の一例を示す図である。 図１１の続きを示す図である。 図１１のエッチング処理の他の一例を示す図である。 図１１のエッチング処理のさらに他の一例を示す図である。 図１４の続きを示す図である。 図１１のエッチング処理のさらに他の一例を示す図である。 図１６の続きを示す図である。 保持具の材質の適否を示す図表である。 保持具の材質の適否を示す図表である。 エッチング液の一例を示す図表である。 エッチングの効果の優劣を材料別に示す図表である。 加工対象物を示す正面図である。 第１実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図２３の続きを示す図である。 図２４の続きを示す図である。 図２５の続きを示す図である。 第２実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図２７の続きを示す図である。 第３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図２９の続きを示す図である。 図３０の続きを示す図である。 図３１の続きを示す図である。 第５実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第６実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図３４の続きを示す図である。 図３５の続きを示す図である。 第７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図３７の続きを示す図である。 第８実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図３９の続きを示す図である。 第９実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図４１の続きを示す図である。 第１０実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図４３の続きを示す図である。 図４４の続きを示す図である。 第１２実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図４６の続きを示す図である。 第１３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図４８の続きを示す図である。 第１４実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第１５実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図５１の続きを示す図である。 第１７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図５３の続きを示す図である。 図５４の続きを示す図である。 第１９実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図５６の続きを示す図である。 第２０実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図５８の続きを示す図である。 図５９の続きを示す図である。 第２１実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第２２実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第２３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図６３の続きを示す図である。 図６４の続きを示す図である。 第２４実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第２５実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図６７の続きを示す図である。 図６８の続きを示す図である。 第２７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第２８実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図７１の続きを示す図である。 第３０実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第３１実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図７４の続きを示す図である。 図７５の続きを示す図である。 第３３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図７７の続きを示す図である。 第３５実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図７９の続きを示す図である。 図８０の続きを示す図である。 第３７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図８２の続きを示す図である。 第３９実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図８４の続きを示す図である。 図８５の続きを示す図である。 第４０実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第４１実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第４２実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図８９の続きを示す図である。 図９０の続きを示す図である。 第４３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第４４実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図９３の続きを示す図である。 図９４の続きを示す図である。 第４６実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第４７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図９７の続きを示す図である。 図９８の続きを示す図である。 第４８実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第４９実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図１０１の続きを示す図である。 第５１実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図１０３の続きを示す図である。 図１０４の続きを示す図である。 第５３実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 第５４実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図１０７の続きを示す図である。 第５６実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 他の実施形態の切断用加工方法における加工対象物を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 レーザ加工後の加工対象物における表面を示す写真図である。 図１１１の加工対象物における裏面を示す写真図である。 図１１１の加工対象物における切断面を示す写真図である。 ポリオレフィンからなる保持具におけるエッチング液に浸漬した後の状態を示す写真図である。 ポリオレフィンからなる保持具のエッチング液に対する耐性の評価結果を示す図表である。 ＰＥＴからなる保持具のエッチング液に対する耐性の評価結果を示す図表である。 常温のエッチング液に対する保持具の耐性の評価結果を示す図表である。 エッチング液に対する保持具の耐性の評価結果をエッチング液の温度毎に示す図表である。 第５７実施形態の切断用加工方法を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。 図１１９の変形例を説明するための図２２のXXIII−XXIII線に沿う概略断面図である。

符号の説明

１…加工対象物、３…加工対象物の表面（外表面）、５…切断予定ライン、１１…シリコンウェハ（加工対象物）、１１ａ…シリコンウェハの表面（主面）、１１ｂ…シリコンウェハの裏面（外表面，主面）、１６，２２…保持具，ダイシングテープ（保持手段）、２１…加工対象物の裏面（外表面，主面）、４１…外周面（外表面）、Ｃ１〜Ｃ７…亀裂、Ｅ…エッチング液（エッチング材）、Ｌ…レーザ光、Ｍ１〜Ｍ１５…改質領域、Ｍ１６…切断用改質領域（改質領域）、Ｐ…集光点。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態に係る切断用加工方法では、加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、改質領域を加工対象物に形成する。そして、改質領域のエッチングレートがその他の領域（非改質領域）よりもエッチングレートが高いエッチング材（以下、「エッチング液」ともいう）を利用して、改質領域が形成された加工対象物にエッチング処理を施すことにより、改質領域をエッチングする。そこで、まず、本実施形態の切断用加工方法における改質領域の形成及びエッチング処理について、それぞれ説明する。
［改質領域の形成］

本実施形態の切断用加工方法における改質領域の形成について、図１〜図９を参照して説明する。

図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光（加工用レーザ光）Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を載置するための載置台１０７と、載置台１０７をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。

このレーザ加工装置１００によれば、レーザ光源１０１から照射されたレーザ光Ｌが、ダイクロイックミラー１０３でその光軸が９０°変えられ、集光レンズ１０５で載置台１０７上の加工対象物１の内部に集光される。これと共に、ステージ１１１が移動され、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動される。これにより、切断予定ライン５に沿って、加工対象物１に改質領域が形成されることとなる。以下、この改質領域について詳細に説明する。

図２に示すように、板状の加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成される。

なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。

ちなみに、本実施形態に係る切断用加工方法は、レーザ光Ｌが、加工対象物１に透過されると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。よって、除去部の近傍にはエッチングレートを急伸させる改質領域が形成されない。

ここで、本実施形態に係る切断用加工方法にて形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、（１）溶融処理領域、（２）クラック領域、絶縁破壊領域、（３）屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。

本実施形態に係る対象物加工方法にて形成される改質領域としては、レーザ光の局所的な吸収や多光子吸収という現象が利用することで形成することができる。多光子吸収とは、材料の吸収のバンドギャップＥＧよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となるため、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥＧであるが、光学的に透明でも、レーザ光Ｌの強度を非常に大きくするとｎｈν＞ＥＧの条件（ｎ＝２，３，４，・・・）で材料に吸収が生じる現象をいう。多光子吸収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」に記載されている。

また、D.Du,X.Liu,G.Korn,J.Squier,and G.Mourou,”Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO2 with Pulse Widths from 7ns to 150fs”,Appl.Phys.Lett64(23),Jun.6,1994 に記載されているようにパルス幅が数ｐｓからフェムト秒の超短パルスレーザ光を利用することにより形成される改質領域を利用しても良い。

（１）改質領域が溶融処理領域を含む場合
加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。これにより、集光点近傍にてレーザ光Ｌが吸収されて加工対象物の内部が局所的に加熱され、この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。

溶融処理領域とは、一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。

図７は、レーザ光が照射されたシリコンウェハ（半導体基板）の一部における断面の写真を表した図である。図７に示すように、シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。

入射するレーザ光の波長に対して透過性の材料の内部に溶融処理領域１３が形成されたことを説明する。図８は、レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示す線図である。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シリコン基板の厚さｔが５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍの各々について上記関係を示した。

例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長である１０６４ｎｍにおいて、シリコン基板の厚さが５００μｍ以下の場合、シリコン基板の内部ではレーザ光Ｌが８０％以上透過することが分かる。図７に示すシリコンウェハ１１の厚さは３５０μｍであるので、溶融処理領域１３はシリコンウェハ１１の中心付近、つまり表面から１７５μｍの部分に形成される。この場合の透過率は、厚さ２００μｍのシリコンウェハを参考にすると、９０％以上なので、レーザ光Ｌがシリコンウェハ１１の内部で吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。しかし、１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌをシリコンウェハ内部に集光することで集光点とその近傍で局所的にレーザ光が吸収され溶融処理領域１３がシリコンウェハ１１の内部に形成される。

なお、シリコンウェハには、溶融処理領域を起点として亀裂が発生する場合がある。また、溶融処理領域に亀裂が内包されて形成される場合があり、この場合には、その亀裂が、溶融処理領域においての全面に渡って形成されていたり、一部分のみや複数部分に形成されていたりすることがある。さらに、この亀裂は、自然に成長する場合もあるし、シリコンウェハに力が印加されることにより成長する場合もある。溶融処理領域から亀裂が自然に成長する場合には、溶融処理領域が溶融している状態から成長する場合と、溶融処理領域が溶融している状態から再固化する際に成長する場合とのいずれもある。ただし、どちらの場合も溶融処理領域はシリコンウェハの内部のみに形成され、切断面には、図８に示すように、内部にのみ溶融処理領域が形成されている。

（２）改質領域がクラック領域を含む場合
加工対象物（例えばガラスやＬｉＴａＯ_３からなる圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。このパルス幅の大きさは、加工対象物の内部にレーザ光Ｌが吸収されてクラック領域が形成される条件である。これにより、加工対象物の内部には光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部に、１つ又は複数のクラックを含むクラック領域が形成される。クラック領域は絶縁破壊領域とも言える。

図９は電界強度とクラックの大きさとの関係の実験結果を示す線図である。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光Ｌがパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。縦軸は１パルスのレーザ光Ｌにより加工対象物の内部に形成されたクラック部分（クラックスポット）の大きさを示している。クラックスポットが集まりクラック領域となる。クラックスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち、最大の長さとなる部分の大きさである。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８０の場合である。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が５０倍、開口数（ＮＡ）が０．５５の場合である。ピークパワー密度が１０^１１（Ｗ／ｃｍ^２）程度から加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。

（３）改質領域が屈折率変化領域を含む場合
加工対象物（例えばガラス）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上で且つパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光Ｌを照射する。このように、パルス幅が極めて短い状態で加工対象物の内部にレーザ光Ｌが吸収されると、そのエネルギーが熱エネルギーに転化せず、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起され、屈折率変化領域が形成される。

なお、改質領域とは、溶融処理領域、絶縁破壊領域や屈折率変化領域等やそれらが混在した領域を含めて、その材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域であったり、格子欠陥が形成された領域でもある。これらをまとめて高密転移領域と言うこともできる。

また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、さらにそれら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。このように亀裂を内包する場合、亀裂を通じて改質領域全面や改質領域内部にエッチング材が浸潤し、改質領域の厚さ方向だけでなく、厚さ方向に渡って改質領域の側面方向にもエッチングが行われるので、通常知られているエッチングのように厚さ方向に対して上から下へとエッチングが進むものに比べてエッチングの反応領域を多くすることができ、エッチング速度をより高めるという本発明に有利な効果をもたらす。

ちなみに、加工対象物の結晶構造やその劈開性などを考慮して、改質領域を次のように形成すれば、精度よく加工対象物を切断することが可能になる。

すなわち、シリコンなどのダイヤモンド構造の単結晶半導体からなる基板の場合は、（１１１）面（第１劈開面）や（１１０）面（第２劈開面）に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。また、ＧａＡｓなどの閃亜鉛鉱型構造のIII−V族化合物半導体からなる基板の場合は、（１１０）面に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。さらに、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）などの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、（０００１）面（Ｃ面）を主面として（１１２０）面（Ａ面）或いは（１１００）面（Ｍ面）に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。

また、上述した改質領域を形成すべき方向（例えば、単結晶シリコン基板における（１１１）面に沿った方向）、或いは改質領域を形成すべき方向に直交する方向に沿って基板にオリエンテーションフラットを形成すれば、そのオリエンテーションフラットを基準とすることで、改質領域を容易且つ正確に基板に形成することが可能になる。
［エッチング処理］

次に、本実施形態の切断用加工方法におけるエッチング処理について、図１０〜図２１を参照して説明する。

本実施形態のエッチング処理では、改質領域のエッチングレートが高いという特徴を利用して、加工対象物において切断予定ラインに沿って形成された改質領域を選択的にエッチングし除去する。例えば、加工対象物がシリコンウェハの場合、改質領域が３００μｍ／分以上のエッチングレート（単結晶Ｓｉ領域の約１０倍）を有するという特徴があるため、１００μｍ以下の厚さのシリコンウェハでは、チップに小片化するためのエッチング処理が、数秒から数十秒で完了する。

ここで、このエッチング処理としては、エッチング液に加工対象物を浸漬する場合（ディッピング方式：Dipping）と、加工対象物を回転させつつエッチング液を塗布する場合（スピンエッチング方式：SpinEtching）とがある。

ディッピング方式では、図１０（ａ）に示すように、まず、改質領域７が形成された加工対象物１が、保持テープ等のテープ材である保持具（保持手段）１６に貼り付けられた状態で液槽１７内に配置される。続いて、図１０（ｂ）に示すように、エッチング液（例えば、ＫＯＨ溶液）Ｅが液槽１７内に流入され、加工対象物１がエッチング液に浸漬されることで、加工対象物１に形成された改質領域７が選択的にエッチングされ、これにより、加工対象物が複数のチップに小片化される。図１０（ｃ）に示すように、液槽１７内のエッチング液Ｅが除去された後、加工対象物１が洗浄・乾燥され、そして、図１０（ｄ）に示すように、保持具１６が拡張されて、隣接するチップ間隔が拡張される。

このディッピング方式では、液槽１７内にエッチング液Ｅを貯留し、このエッチング液Ｅで加工対象物１をエッチングすることから、エッチング液Ｅの温度制御が容易であり、且つ、エッチング処理にムラが生じ難いという利点がある。さらに、液槽１７の構造を比較的容易となり、液槽１７の設計が比較的容易となる。また、一般的なＫＯＨ溶液でエッチングできるため、廃液処理の問題が生じ難い。

なお、保持具１６としては、上述したように、拡張させることから拡張性を有するテープ部材が適切であるが、例えば拡張させる必要がない場合には拡張性の無い部材でもよい。また、拡張されたチップ間隔を冶具等により保持してもよいし、加工対象物１を支持する支持具（支持手段）でもよい。また、上記エッチング処理では、改質領域７をエッチングすることで複数のチップに小片化したが、保持具１６を拡張することで、複数のチップに最終的に小片化してもよい。また、保持具１６の材質は、耐熱性及び耐薬液性に優れたものが好ましく、ここでは、ポリオレフィンとしている（詳しくは後述）。また、ダイシングフレーム１８の材質も耐薬液性に優れたものにすることが好ましく、ここでは、シリコン製の樹脂等を用いている。これらについては、以降のエッチング処理の説明においても同様である。

一方、スピンエッチング方式では、（ｉ）加工対象物においてデバイスが形成された側の面（デバイス面）を保持具側にして加工対象物を保持具に貼り付けてエッチング液を上方から塗布する場合と、（ｉｉ）デバイス面を上方側にして加工対象物を保持具に貼り付けてエッチング液を上方から塗布する場合と、の２つの場合がある。

（ｉ）デバイス面が保持具側の場合
まず、図１１（ａ）に示すように、改質領域７が形成された加工対象物１が、デバイス１５が形成されたデバイス面３をテープ材等の保持具１６側（加工対象物１の裏面２１が上方側）にして、当該保持具１６に載置される。続いて、図１１（ｂ）に示すように、エッチング液Ｅがノズル１９で上方から塗布されながら加工対象物が所定の速度で回転され、エッチング液Ｅが裏面２１全体に行き渡るように塗布される。

続いて、エッチング液Ｅが改質領域７に浸潤されると共に、当該改質領域７が選択的にエッチングされ、これにより、図１１（ｃ）に示すように、加工対象物１が複数のチップに小片化される。続いて、加工対象物１が洗浄・乾燥され、図１２（ａ）に示すように、ＵＶ照射されることで加工対象物１と保持具１６との剥離性が高められる（接着強度を低下させる）。そして、図１２（ｂ）に示すように、保持具１６が拡張されて、隣接するチップの間隔が拡張された後、図１２（ｃ）に示すように、チップがピックアップされる。

ここで、加工対象物１にＤＡＦ（Die Attach Film）を形成する場合においては、加工対象物１がＵＶ照射された後、図１３（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１に、ＤＡＦテープ２０及び保持具２２がこの順に取り付られる（転写）。続いて、加工対象物１が上下反転され、図１３（ｂ）に示すように、保持具１６が剥離される。そして、図１３（ｃ）に示すように、保持具２２が拡張されて、隣接するチップの間隔が拡張されると共にＤＡＦテープ２０がチップ毎に分断され、その後、図１３（ｄ）に示すように、チップがピックアップされる。

（ｉｉ）デバイス面が上方側の場合
まず、図１４（ａ）に示すように、改質領域７が形成された加工対象物１が、デバイス面３を上方側（加工対象物１の裏面２１が保持具１６側）にして、保持具１６に載置される。ここでは、デバイス１５には、エッチング液Ｅから保護するための保護膜（例えば、ＳｉＮ等）２３が形成されている。

続いて、図１４（ｂ）に示すように、エッチング液Ｅが上方から塗布されながら加工対象物１が所定の速度で回転され、エッチング液Ｅがデバイス面３全体に行き渡るように塗布される。エッチング液Ｅが塗布されることで、エッチング液Ｅが改質領域７に浸潤されると共に当該改質領域７が選択的にエッチングされ、これにより、図１４（ｃ）に示すように、加工対象物１が複数のチップに小片化される。続いて、加工対象物１が洗浄・乾燥され、図１５（ａ）に示すように、ＵＶ照射されて、加工対象物１と保持具１６との剥離性が高められる。そして、図１５（ｂ）に示すように、保持具１６が拡張されて、隣接するチップの間隔が拡張された後、図１５（ｃ）に示すように、チップがピックアップされる。

ここで、加工対象物１にＤＡＦを形成する場合においては、図１６（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１と保護具１６との間にＤＡＦテープ２０を介在させて、加工対象物１が保持具１６に載置される。続いて、図１６（ｂ）に示すように、エッチング液Ｅが上方から塗布されながら加工対象物１が所定の速度で回転され、エッチング液Ｅがデバイス面３全体に行き渡るように塗布される。エッチング液Ｅが塗布されることで、エッチング液Ｅが改質領域７に浸潤されると共に当該改質領域７が選択的にエッチングされ、これにより、図１６（ｃ）に示すように、加工対象物１が複数のチップに小片化される。そして、図１７（ａ）に示すように、保持具１６が拡張されて、隣接するチップの間隔が拡張されると共にＤＡＦテープ２０がチップ毎に分断され、その後、図１７（ｂ）に示すように、チップがピックアップされる。

これらのスピンエッチング方式では、加工対象物１にエッチング液Ｅを塗布することにより、短時間に選択的なエッチング処理をすることが可能となる。さらに、常に清浄なエッチング液Ｅでエッチング処理されるため、加工対象物１の二次汚染を抑制することができる。さらに、洗浄工程を兼ねたエッチング機構を容易に採用することができる。また、一般的なＫＯＨ溶液でエッチングできるため、廃液処理の問題が生じ難い。

ちなみに、改質領域７が亀裂を含む場合、毛細管現象により、加工対象物１の亀裂領域へエッチング液Ｅが浸潤し、エッチング速度の速い改質領域のエッチングが亀裂面に沿って進み、よって、エッチング速度は一層速くなる。一方、改質領域７が亀裂を含まないときには、エッチング液Ｅの浸潤が進行しにくく、エッチング速度が遅くなる場合がある。

さて、本実施形態のエッチング処理に適した保持具としては、次の３つの特徴を有することが望まれる。つまり、１）エッチング液に対してチップ保持能力の低下が軽微であること、２）エッチング後に拡張性を有していること、３）温度以外の外部刺激を加えることでチップと保持具との間の剥離強度が低下され、保持具からチップを剥離し易くできること、が保持具に望まれる。

アルカリ性エッチング液（例えば、ＫＯＨ）に耐性（耐薬液及び耐温度）のある保持具としては、例えば、塩化ビニル、ポリオレフィン及びＰＥＴが挙げられる。しかし、下記の耐性限度に示すように、これらのエッチング液に対する耐性は、エッチング液の温度とエッチング液に浸漬する時間（Dipping時間）に依存する。
耐久限度：
ＰＥＴ 温度１１７℃（ＫＯＨ沸点），Dipping時間６０分、
ポリオレフィン 温度５０℃ ，Dipping時間６０分
塩化ビニル 温度４０℃ ，Dipping時間６０分

図１８はデバイス面を保持具側にして加工対象物にエッチング処理を施した場合の保持具における材質の適否を示す図表であり、図１９はデバイス面を上方側にして加工対象物にエッチング処理を施した場合の保持具における材質の適否を示す図表である。図中において、材質の適否は、上記３つの特徴を有するかどうかで判断され、×，△，○，◎は、この順に保持具に適しているものを表す。

デバイス面を保持具側にして加工対象物にエッチング処理を施す際、図１８に示すように、塩化ビニルの耐熱性が低いことから、塩化ビニルをDipping方式に採用する場合が、好ましくない（図中の「×」）となっている。また、ポリオレフィンがＰＥＴに比べて耐熱性が低いことから、ポリオレフィンをスピンエッチング方式に採用する場合が、好ましい（図中の「○」）に留まっている。一方、ＰＥＴは拡張性を有さないが、エッチング処理後に拡張性のある保持具に転写した後に保持具を拡張すれば足り、且つ、ＰＥＴはエッチング液に対する耐性が優れることから、ＰＥＴをスピンエッチング方式に採用する場合が、非常に好ましい（図中の「◎」）となっている。

デバイス面を上方側にして加工対象物にエッチング処理を施す際、図１９に示すように、塩化ビニルをスピンエッチング方式に採用すると、エッチング処理後に転写する必要なくそのまま保持具を拡張することができるが、耐熱性が他の２つより低いことから、この場合、やや好ましい（図中の「△」）となっている。また、ポリオレフィンをスピンエッチング方式に採用すると、転写する必要なくそのまま保持具を拡張することできるため、非常に好ましい（図中の「◎」）とされ、ＰＥＴをスピンエッチング方式に採用すると、そのまま保持具を拡張することできないため、好ましくない（図中の「×」）とされている。

また、図１８及び図１９に示すように、Dipping方式では、保持具への熱影響が大きく、よって、保持具に適合する材質が少ない。これに対し、スピンエッチング方式では、保持具への熱影響が軽度であることから、Dipping方式に比べ、いずれの材質でも保持具に適合し易いことがわかる。以上より、エッチング液塗布方法としては、スピンエッチング方式が好ましく、保持具としては、ポリオレフィンが好ましい。

図２０は、用いられるエッチング液の一例を基板の材質別に示す図表である。ここで、エッチング液は、常温〜１００℃前後の温度で用いられ、必要とされるエッチングレート等に応じて適宜の温度に設定されるものである。例えば、Ｓｉ（異方性）をＫＯＨでエッチング処理する場合には、好ましいとして、約６０℃とされる。

図２１は、エッチングの効果の優劣を材料別に示す図表である。図中において、×、△、○、◎は、効果が優れるものをこの順に表したものであり、最後までエッチング処理により加工対象物が最終的に切断された場合には「◎」とし、エッチング処理後に外部応力を印加（ブレイク）されて加工対象物が最終的に切断された場合には「×」としている。また、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング：Reactive Ion Etching）とは、ドライエッチングに分類される微細加工技術の一つで、微細加工に適した高い精度でのエッチングが行えるものであり、通常のドライエッチングと違って異方性エッチングも可能である。

図中の「▲」が付された条件では、亀裂を積極的に作ると放射状に亀裂が形成され易く、切断面が凸凹化し易い。また、ＲＩＥを採用する場合、エッチング用のマスクパターンに依存してエッチングが進行することから、エッチング処理により最終的に加工対象物が切断された条件（図示の太枠内）が好ましい。この図２１に示すように、タクトタイムという見方をすると、ドライエッチングは１枚単位の加工であるのに対し、ウェットエッチングは複数枚のバッチ処理が可能のためにタクトタイムを短縮でき、よって、エッチング処理としては、ウェットエッチングが好ましい。

なお、等方性エッチングの場合には、比較的薄い加工対象物（例えば、厚さ１０μｍ〜１００μｍ）に適用でき、結晶方位や改質領域に依存せずに、等方向にエッチングを進行させることができる。また、この場合、表面に亀裂が露出していると、エッチング液が当該亀裂を伝わって内部に浸潤され、改質領域において厚さ方向の全面が改質領域の起点とされることから、切断面が半円形に窪むようにエッチングされたチップを取り出すことが可能となる。他方、異方性エッチングの場合には、比較的薄い加工対象物だけでなく厚いもの（例えば、厚さ８００μｍ〜１００μｍ）にも適用できる。また、この場合、改質領域を形成する面が面方位と異なるときにも、この改質領域に沿ってエッチングを進行させることができる。つまり、結晶方向に倣った面方位のエッチングに加えて、結晶方位に依存しないエッチングも可能となる。
［第１実施形態］

次に、本発明の第１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。

図２２及び図２３（ａ）に示すように、加工対象物１は、厚さ３００μｍ、直径８インチのシリコンウェハ（基板）１１と、シリコンウェハ１１の表面１１ａに複数形成された機能素子１５（デバイス）と、機能素子１５を覆うように形成された例えばＳｉＯ_２からなる保護膜２４と、保護膜２４を覆うように形成されエッチング液に対し耐性がある例えばＳｉｎからなる保護膜２５と、を備えている。

シリコンウェハ１１は、その表面（主面）１１ａの結晶面が（１１１）面となっている。機能素子１５は、例えば、結晶成長により形成された半導体動作層、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、或いは回路として形成された回路素子等であり、シリコンウェハ１１のオリエンテーションフラット６に平行な方向及び垂直な方向にマトリックス状に多数形成されている。このような加工対象物１は、隣り合う機能素子間を通るように格子状に設定された切断予定ライン５に沿って切断され、例えばチップサイズが０．５ｍｍ×０．５ｍｍのチップとなる。

この加工対象物１を加工する場合、まず、図２３（ａ）に示すように、加工対象物１の表面３にダイシングテープ（保持部材）１６が貼り付けられ、この加工対象物１の裏面２１（シリコンウェハ１１の裏面１１ｂ）側が上方にされて載置台に載置される。続いて、加工対象物１の裏面２１側から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図２３（ｂ）に示すように、切断予定ライン５（紙面垂直方向に延在している）に沿って、エッチングレートを急伸させる改質領域Ｍ１が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の表面１１ａから裏面１１ｂに至り（表面１１ａ及び裏面１１ｂに露出する）、保護膜２４には達していない改質領域Ｍ１が加工対象物１に形成される。ここでは、改質領域Ｍ１から発生した亀裂が、当該改質領域Ｍ１に内包されて形成されている。なお、この亀裂の内包については、以下の実施形態の改質領域においても同様である。

続いて、図２４に示すように、裏面２１側からエッチング液が塗布され、改質領域Ｍ１に沿ってエッチングが進行されて、改質領域Ｍ１が選択的にエッチングされる。続いて、図２５（ａ）に示すように、この裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図２５（ｂ）に示すように、上下反転され、そして、ダイシングテープ１６が剥がされる。

続いて、図２６（ａ）に示すように、ダイシングテープ２２が拡張され（つまり、切断予定ライン５に沿って外部応力を印加され）、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化（切断）されると共にチップ２６，２６が離間（チップ間距離が確保）される。そして、図２６（ｂ）に示すように、チップ２６が取り出されて、その後、例えばフリップチップボンディングで実装されることとなる。

以上、本実施形態の切断用加工方法によれば、切断予定ライン５に沿って加工対象物１に改質領域Ｍ１が形成された後、この加工対象物１にエッチング処理が施されることで改質領域Ｍ１に沿ってエッチングを進行されるため、改質領域Ｍ１における高いエッチングレート（ここでは、３００μｍｔ／分）を利用して、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って選択的且つ迅速にエッチングすることができる。

ところで、従来、切断用加工方法として、改質領域Ｍ１が形成された加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って外部応力が印加され、改質領域Ｍ１を起点として、加工対象物１が切断予定ライン５に沿って切断されるものが知られている。しかし、この場合、チップ２６のサイズが小さく（例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下）なる程、チップ２６の１箇所当たりに作用される力が小さくなるため、加工対象物１に引張応力を印加（テープ拡張方式）したり、曲げ応力を印加（ブレーキング方式）したりしても、場合によっては、未分割のチップが発生してしまうおそれがある。

一方、プラズマエッチング法により、加工対象物１を切断する場合があるが、この場合、エッチング用のマスクパターンを形成する必要がある。また、例えば、特開２００５−７４６６３号公報に記載されているような加工方法もあるが、この場合でも、エッチング処理が行なわれる前にマスクパターンが形成する必要がある。よって、これらの場合においては、加工工数が増加し、タクトタイムが遅延すると共にコストが高くなるため、現実的ではない。

さらに、エッチング時間にはエッチングレートに依存した物理的な限界があるのに対し、プラズマエッチング法では、加工対象物１が厚いものであるとエッチング処理に長い時間が要されるため、エッチングが不完全で加工対象物１を確実に切断することができないおそれがある。

これらに対し、本実施形態の切断用加工方法では、上述したように、切断予定ライン５に沿って形成されエッチングレートを急伸させる改質領域Ｍ１に沿ってエッチングが進行されるため、改質領域Ｍ１における高いエッチングレートを利用して、加工対象物１を切断予定ラインに沿って選択的且つ迅速にエッチングすることができる。よって、チップ２６のサイズが小さくとも、加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断することができ、且つ、加工対象物１が厚くとも、切断予定ライン５に沿って確実にエッチングすることができる。

すなわち、本実施形態の切断用加工方法によれば、レーザ加工技術おいて応力の印加で切断するのが困難である超微小チップの切断を容易に行うことができる。また、迅速なエッチングが可能であるため、プラズマエッチング法で課題となった加工対象物１の厚さ依存性は解決することができる。さらに、別途にマスクパターンを形成する必要が無いことから、コスト及び工数の低減が可能となると共に、タクトタイムを速めることができる。

また、本実施形態の切断用加工方法では、切断面の改質領域Ｍ１がエッチングにより殆ど除去されてしまうため、切断面が非常に綺麗でその後の工程（ダイボンディング工程やパッケージ工程等）でのチッピングを少なくすることができる共に、チップ２６の抗折強度を一層向上することができる。

また、上述したように、加工対象物１がダイシングテープ１６，２２に貼り付けられるため、切断後の加工対象物１がばらばらに散乱するのを防止することができる。さらに、上述したように、ダイシングテープ２２が拡張されてチップ２６，２６が離間されることから、後段の工程においてチップ２６を取り出し易くすることができる。このことは、チップサイズが極小になればなる程、その効果が顕著となる。

ここで、一般的に、ガラスにレーザ光を照射して変質部を形成した後に当該変質部をエッチングすることで、ガラスに孔や溝を形成する方法がある。この場合、変質部から亀裂が発生する現象は生じないとされている。一方、本実施形態では、上述したように、亀裂が発生（亀裂を内包）するように加工対象物１に改質領域Ｍ１が形成されている。そのため、この亀裂が利用されてエッチング液が浸透され、加工対象物１の厚さ方向（以下、単に「厚さ方向」という）へのエッチングが進行されるに加えて、改質領域Ｍ１から図示左右方向（厚さ方向及び切断予定ラインの方向と交差する方向）へも、エッチング液が浸潤されてエッチングが進行される。すなわち、改質領域Ｍ１の全域をエッチングの起点としてその進行を促進することができ、エッチング速度を速めることが可能となる。なお、ガラスに対するエッチング技術としては、例えば、特開２００６−２９０６３０号公報や、特開２００４−３５１４９４号公報が知られている。

また、上述したように、改質領域Ｍ１が加工対象物１の裏面２１（外表面）に露出するように、加工対象物１に改質領域Ｍ１が形成されている。つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する改質領域Ｍ１から加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、エッチング開始面である加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、上述したように、改質領域Ｍ１がシリコンウェハ１１の表面１１ａから裏面１１ｂに至るまで形成されているため、加工対象物１の厚さ方向全面に渡って、改質領域Ｍ１が有する高いエッチングレートを利用することができ、切断面精度の高い加工が可能となる。

また、シリコンェハ１１における表面１１ａの結晶面が（１１１）面であると、シリコンウェハ１１の厚さ方向に傾斜する方向に劈開面を有するため、切断面が厚さ方向に対して傾斜し易いのが一般的である。これに対し、本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１が切断予定ライン５に沿って選択的にエッチングされるため、シリコンウェハ１１の表面１１ａの結晶面が（１１１）面でも、切断面が厚さ方向に平行になるように（厚さ方向に真っ直ぐに）、加工対象物１を切断することができる。

なお、上記の説明では、２つのチップ２６，２６に切断する場合を例示して説明したが、複数のチップに切断する場合もこれと同様である（以下の実施形態において、同じ）。
［第２実施形態］

次に、本発明の第２実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて改質領域Ｍ１がエッチングされた後（図２４参照）、図２７（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図２７（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図２７（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、図２８（ａ）に示すように、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、図２８（ｂ）に示すように、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３実施形態］

次に、本発明の第３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図２９に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ２が加工対象物１に形成される。具体的には、加工対象物１の表面３から裏面２１に至る（表面３及び裏面２１に露出する）改質領域Ｍ２が加工対象物１に形成される。

続いて、図３０に示すように、裏面２１側からエッチング液が塗布され、改質領域Ｍ２に沿ってエッチングが進行されて改質領域Ｍ２が選択的にエッチングされ、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化される。続いて、図３１（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図３１（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図３１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、図３２に示すように、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第４実施形態］

次に、本発明の第４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、ダイシングテープ１６が剥がされた後（図３１（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後にダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５実施形態］

次に、本発明の第５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ２がエッチングされた後（図２９参照）、図３３（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図３３（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図３３（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施された後に、ダイシングテープ１６が拡張され、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第６実施形態］

次に、本発明の第６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図３４に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ３が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ３が形成されると共に、当該改質領域Ｍ３から、厚さ方向に延在する亀裂Ｃ１，Ｃ２が発生される。ここでは、これらの亀裂Ｃ１，Ｃ２は、加工対象物１の裏面２１及びシリコンウェハ１１の表面１１ａにそれぞれ到達されていない。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図３５に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、亀裂Ｃ１、改質領域Ｍ３、及び亀裂Ｃ２にこの順に沿ってエッチングが進行されて、亀裂Ｃ１，Ｃ２及び改質領域Ｍ３が選択的にエッチングされる。続いて、図３６（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図３６（ｂ）に示すように、上下反転され、図３６（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、厚さ方向の上下方向に延在する亀裂Ｃ１，Ｃ２が形成されているため、これらの亀裂Ｃ１，Ｃ２を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。また、フルカットしない（すなわち、加工対象物１の表面３及び裏面２１に、改質領域又は亀裂が露出しない）ため、ダイシングテープ１６，２２の貼り替えを容易に行うことができる。

また、本実施形態では、上述したように、改質領域Ｍ３及び亀裂Ｃ１，Ｃ２が、加工対象物１の裏面２１に露出しないため、Ｓｉやデバイス表面物質等が周辺に飛散するのを抑制でき、周辺汚染を抑制することができる。また、このように、改質領域Ｍ３及び亀裂Ｃ１，Ｃ２が裏面２１に露出しないことから、改質領域Ｍ３が形成された加工対象物１にあっては、比較的割れにくく、搬送性に優れている。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ３の厚さ方向における長さを制御することで、側面方向等の改質領域以外の領域（例えば、領域３１）におけるエッチング量を制御することが可能となる。
［第７実施形態］

次に、本発明の第７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第６実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ１，Ｃ２を有する改質領域Ｍ３が加工対象物１に形成された後（図３６参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図３７に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、亀裂Ｃ１及び改質領域Ｍ３にこの順に沿ってエッチングが進行され、亀裂Ｃ１及び改質領域Ｍ３が選択的にエッチングされる。

なお、ここでは、加工対象物１の表面３が裏面２１よりも上方に位置するような向きで加工対象物１を配置し（ダイシングテープ１６を上方側にし）、この状態で、下方から上方に噴き上げるようにエッチング液を塗布しており、これにより、亀裂Ｃ２は、エッチングされずに残存されている。以下の実施形態において、亀裂を残存される場合、このようなエッチング液の塗布方法が同様に行なわれる。

続いて、図３８（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図３８（ｂ）に示すように、上下反転され、図３８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第６実施形態と同様な効果を奏する。
［第８実施形態］

次に、本発明の第８実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第６実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ１，Ｃ２を有する改質領域Ｍ３が加工対象物１に形成された後（図３６参照）、加工対象物１の外周面４１（図２２参照）側からエッチング液が塗布され、図３９に示すように、亀裂Ｃ１，Ｃ２及び改質領域Ｍ３が選択的にエッチングされる。加工対象物１の外周面４１は切断予定ライン５に沿って形成した改質領域が外周面４１すなわち切断予定ライン５の端で露出しており、この露出した改質領域を利用してエッチングを行う。

続いて、図４０（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図４０（ｂ）に示すように、上下反転され、図４０（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６間が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第６実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施されている。つまり、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されている。これにより、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。
［第９実施形態］

次に、本発明の第９実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第６実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ１，Ｃ２を有する改質領域Ｍ３が加工対象物１に形成された後（図３６参照）、加工対象物１の外周面４１側からエッチング液が塗布され、図４１に示すように、改質領域Ｍ３が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ１，Ｃ２は、エッチングされずに残存されている。

続いて、図４２（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図４２（ｂ）に示すように、上下反転され、図４２（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６間が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第６実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。
［第１０実施形態］

次に、本発明の第１０実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図４３に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ４が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ４が形成されると共に、当該改質領域Ｍ４から、厚さ方向に延在し且つシリコンウェハ１１の表面１１ａに露出する亀裂Ｃ３が発生される。

続いて、加工対象物１の裏面２１側からエッチング液が塗布され、図４４に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、改質領域Ｍ４及び亀裂Ｃ３にこの順に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ４及び亀裂Ｃ３が選択的にエッチングされる。続いて、図４５（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図４５（ｂ）に示すように、上下反転され、図４５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、シリコンウェハ１１の表面１１ａに露出した亀裂Ｃ３が形成されているため、この亀裂Ｃ３を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、切断速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、改質領域Ｍ４及び亀裂Ｃ３が、加工対象物１の裏面２１に露出しないため、Ｓｉやデバイス表面物質等が周辺に飛散するのを抑制でき、周辺汚染を抑制することができる。また、このように、改質領域Ｍ４及び亀裂Ｃ３が裏面２１に露出しないことから、改質領域Ｍ４が形成された加工対象物１にあっては、比較的割れにくく、搬送性に優れている。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ４の厚さ方向における長さを制御することで、側面方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第１１実施形態］

次に、本発明の第１１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図４５（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６間が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第１２実施形態］

次に、本発明の第１２実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ３を有する改質領域Ｍ４が加工対象物１に形成された後（図４３参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図４６に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、改質領域Ｍ４に沿ってエッチングが進行されて、改質領域Ｍ４が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ３は、エッチングされずに残存されている。

続いて、図４７（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図４７（ｂ）に示すように、上下反転され、図４７（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第１３実施形態］

次に、本発明の第１３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ３を有する改質領域Ｍ４が加工対象物１に形成された後（図４３参照）、外周面４１側からエッチング液が塗布され、図４８に示すように、改質領域Ｍ４及び亀裂Ｃ３が選択的にエッチングされる。続いて、図４９（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図４９（ｂ）に示すように、上下反転され、図４９（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第１４実施形態］

次に、本発明の第１４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図４９（ｃ）参照）、図５０（ａ）に示すように、ダイシングテープ２２が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。そして、図５０（ｂ）に示すように、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第１５実施形態］

次に、本発明の第１５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ３を有する改質領域Ｍ４が加工対象物１に形成された後（図４３参照）、外周面４１側からエッチング液が塗布され、図５１に示すように、改質領域Ｍ４が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ３は、エッチングされずに残存されている。続いて、図５２（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図５２（ｂ）に示すように、上下反転され、図５２（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第１６実施形態］

次に、本発明の第１６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図５２（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第１７実施形態］

次に、本発明の第１７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図５３に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ５が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ５が形成されると共に、当該改質領域Ｍ５から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の表面３に露出する亀裂Ｃ４が発生される。

続いて、加工対象物１の裏面２１側からエッチング液が塗布され、図５４に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、領域Ｍ５及び亀裂Ｃ４にこの順に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ５及び亀裂Ｃ４が選択的にエッチングされる。続いて、図５５（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図５５（ｂ）に示すように、上下反転され、図５５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、亀裂Ｃ４が形成されているため、この亀裂Ｃ４を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、切断速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、改質領域Ｍ５及び亀裂Ｃ４が、加工対象物１の裏面２１に露出しないため、Ｓｉやデバイス表面物質等が周辺に飛散するのを抑制でき、周辺汚染を抑制することができる。また、このように、改質領域Ｍ５及び亀裂Ｃ４が裏面２１に露出しないことから、改質領域Ｍ５が形成された加工対象物１にあっては、比較的割れにくく、搬送性に優れている。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ５の厚さ方向における長さを制御することで、側面方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となる。
［第１８実施形態］

次に、本発明の第１８実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１７実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図５５（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６間が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１７実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第１９実施形態］

次に、本発明の第１９実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１７実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ４を有する改質領域Ｍ５が加工対象物１に形成された後（図５３参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図５６に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、改質領域Ｍ５に沿ってエッチングが進行されて、改質領域Ｍ５が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ４は、エッチングされずに残存されている。

続いて、図５７（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図５７（ｂ）に示すように、上下反転され、図５７（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１７実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第２０実施形態］

次に、本発明の第２０実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図５８に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ６が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ６が形成されると共に、当該改質領域Ｍ６から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の裏面２１に露出する亀裂（ハーフカット）Ｃ５が発生される。

続いて、図５９に示すように、裏面２１側からエッチング液が塗布され、エッチング液が亀裂Ｃ５、改質領域Ｍ６にこの順に沿ってエッチングが進行され、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ６が選択的にエッチングされる。続いて、図６０（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６０（ｂ）に示すように、上下反転され、図６０（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ５が形成されているため、この亀裂Ｃ５を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、亀裂Ｃ５が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する亀裂Ｃ５から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ６の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外のエッチング量を制御することが可能となる。
［第２１実施形態］

次に、本発明の第２１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ６がエッチングされた後（図５９参照）、図６１（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図６１（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６１（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２０実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第２２実施形態］

次に、本発明の第２２実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２０実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ６がエッチングされた後（図５９参照）、図６２（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図６２（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６２（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２０実施形態と同様な効果を奏する。ダイシングテープ１６及びブレーク装置３２により加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第２３実施形態］

次に、本発明の第２３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図６３に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ７が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ７が形成される。これと共に、当該改質領域Ｍ７から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の裏面２１に露出する亀裂Ｃ５と、厚さ方向に延在し且つシリコンウェハ１１の表面１１ａに露出する亀裂Ｃ３と、が発生される。

続いて、図６４に示すように、裏面２１側からエッチング液が塗布され、亀裂Ｃ５、改質領域Ｍ７及び亀裂Ｃ３にこの順に沿ってエッチングが進行され、亀裂Ｃ５，Ｃ３及び改質領域Ｍ７が選択的にエッチングされる。続いて、図６５（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６５（ｂ）に示すように、上下反転され、図６５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ５，Ｃ３が形成されているため、これらの亀裂Ｃ５，Ｃ３を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、亀裂Ｃ５が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する亀裂Ｃ５から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ７の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を低減することが可能となる。
［第２４実施形態］

次に、本発明の第２４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ７がエッチングされた後（図６４参照）、図６６（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図６６（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６６（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２３実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第２５実施形態］

次に、本発明の第２５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図６７に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ８が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（厚さ方向における略中央）に改質領域Ｍ８が形成される。これと共に、当該改質領域Ｍ８から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の裏面２１に露出する亀裂Ｃ５と、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の表面３に露出する亀裂Ｃ４と、が発生される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図６８に示すように、亀裂Ｃ５、改質領域Ｍ８及び亀裂Ｃ４にこの順に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ８及び亀裂Ｃ４，Ｃ５が選択的にエッチングされる。続いて、図６９（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図６９（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図６９（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ４，Ｃ５が形成されているため、これらの亀裂Ｃ４，Ｃ５を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、亀裂Ｃ５が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する亀裂Ｃ５から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ８の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施すことで加工対象物１をチップ２６，２６に最終的に小片化することができる。よって、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第２６実施形態］

次に、本発明の第２６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図６９（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施すことで加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第２７実施形態］

次に、本発明の第２７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて亀裂Ｃ５，Ｃ４及び改質領域Ｍ８がエッチングされた後（図６８参照）、図７０（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図７０（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図７０（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第２８実施形態］

次に、本発明の第２８実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ４，Ｃ５を有する改質領域Ｍ８が加工対象物１に形成された後（図６７参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図７１に示すように、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ８にこの順に沿ってエッチングが進行され、これらが選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ４は、エッチングされずに残存されている。続いて、図７２（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図７２（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図７２（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２５実施形態と同様な効果を奏する。
［第２９実施形態］

次に、本発明の第２９実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２８実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図７２（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３０実施形態］

次に、本発明の第３０実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第２８実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、エッチング処理が施されて亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ８がエッチングされた後（図７１参照）、図７３（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図７３（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図７３（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第２５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３１実施形態］

次に、本発明の第３１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図７４に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ９が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（裏面２１近傍）から表面１１ａに至る（表面１１ａに露出する）改質領域Ｍ９が、加工対象物１に形成される。

続いて、加工対象物１の裏面２１側からエッチング液が塗布され、図７５に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、改質領域Ｍ９に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ９が選択的にエッチングされる。続いて、図７６（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図７６（ｂ）に示すように、上下反転され、図７６（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、改質領域Ｍ９が、加工対象物１の裏面２１に露出しないため、Ｓｉやデバイス表面物質等が周辺に飛散するのを抑制でき、周辺汚染を抑制することができる。また、このように、改質領域Ｍ９が裏面２１に露出しないことから、改質領域Ｍ９が形成された加工対象物１にあっては、比較的割れにくく、搬送性に優れている。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ９において加工対象物１の厚さ方向の長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を低減することが可能となる。

また、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。また、フルカットしないため、ダイシングテープ１６，２２の貼り替えを容易に行うことができる。

なお、シリコンウェハ１１のように、その表面１１ａが（１１１）面等であり、厚さ方向に傾斜する方向に劈開面を有する場合には、本実施形態は、特に有効である。
［第３２実施形態］

次に、本発明の第３２実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図７６（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３３実施形態］

次に、本発明の第３３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ９が加工対象物１に形成された後（図７４参照）、外周面４１側からエッチング液が塗布され、図７７に示すように、改質領域Ｍ９が選択的にエッチングされる。続いて、図７８（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図７８（ｂ）に示すように、上下反転され、図７８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３４実施形態］

次に、本発明の第３４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３３実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図７８（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第３５実施形態］

次に、本発明の第３５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図７９に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ１０が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（裏面２１近傍）から加工対象物１の表面３に至る（表面３に露出する）改質領域Ｍ１０が、加工対象物１に形成される。

続いて、加工対象物１の裏面２１側からエッチング液が塗布され、図８０に示すように、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、改質領域Ｍ１０に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１０が選択的にエッチングされる。続いて、図８１（ａ）に示すように、エッチングされた後の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図８１（ｂ）に示すように、上下反転され、図８１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、改質領域Ｍ１０が、加工対象物１の裏面２１に露出しないため、Ｓｉやデバイス表面物質等が周辺に飛散するのを抑制でき、周辺汚染を抑制することができる。また、このように、改質領域Ｍ１０が裏面２１に露出しないことから、改質領域Ｍ１０が形成された加工対象物１にあっては、比較的割れにくく、搬送性に優れている。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ１０において加工対象物１の厚さ方向の長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。また、フルカットしないため、ダイシングテープ１６，２２の貼り替えを容易に行うことができる。

なお、シリコンウェハ１１のように、その表面１１ａが（１１１）面等であり、厚さ方向に傾斜する方向に劈開面を有する場合には、本実施形態は、特に有効である。
［第３６実施形態］

次に、本発明の第３６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図８１（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３７実施形態］

次に、本発明の第３７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３５実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１０が加工対象物１に形成された後（図７９参照）、外周面４１側からエッチング液が塗布され、図８２に示すように、改質領域Ｍ１０が選択的にエッチングされる。続いて、図８３（ａ）に示すように、裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図８３（ｂ）に示すように、上下反転され、図８３（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第３８実施形態］

次に、本発明の第３８実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３７実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図８３（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３５実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１の外周面４１側からエッチング処理が施され、エッチング処理の開始点が制御されて加工対象物の内部へエッチング液が積極的に浸透されていることから、加工対象物１の裏面２１側がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１側のダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第３９実施形態］

次に、本発明の第３９実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図８４に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ１１が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部（表面１１ａ近傍）から加工対象物１の裏面２１に至る（裏面２１に露出する）改質領域Ｍ１１が、加工対象物１に形成される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図８５に示すように、改質領域Ｍ１１に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１１が選択的にエッチングされる。続いて、図８６（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図８６（ｂ）に示すように、上下反転され、図８６（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、上述したように、改質領域Ｍ１１が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する改質領域Ｍ１１から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ１１の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

なお、シリコンウェハ１１のように、その表面１１ａが（１１１）面等であり、厚さ方向に傾斜する方向に劈開面を有する場合には、本実施形態は、特に有効である。
［第４０実施形態］

次に、本発明の第４０実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３９実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１１がエッチングされた後（図８５参照）、図８７（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図８７（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図８７（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３９実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第４１実施形態］

次に、本発明の第４１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第３９実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１１がエッチングされた後（図８５参照）、図８８（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されると共に、ナイフエッジ等のブレーク装置３２がダイシングテープ２２の下方から加工対象物１の切断予定ライン５に沿って押し当てられる。これにより、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図８８（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図８８（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第３９実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６及びブレーク装置３２により加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。また、本実施形態では、上述したように、ブレーク装置３２が押し当てられて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第４２実施形態］

次に、本発明の第２３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図８９に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ１２が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部から表面１１ａに至る（表面１１ａに露出する）改質領域Ｍ１２が形成されると共に、当該改質領域Ｍ１２から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の裏面２１に露出する亀裂Ｃ５が発生される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図９０に示すように、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ１２にこの順に沿ってエッチングが進行され、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ１２が選択的にエッチングされる。続いて、図９１（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図９１（ｂ）に示すように、上下反転され、図９１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ５が形成されているため、これらの亀裂Ｃ５を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、亀裂Ｃ５が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する亀裂Ｃ５から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ１２の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。
［第４３実施形態］

次に、本発明の第４３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４２実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ１２がエッチングされた後（図９０参照）、図９２（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図９２（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図９２（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４２実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第４４実施形態］

次に、本発明の第４４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図９３に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ１３が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部から加工対象物１の表面３に至る（表面３に露出する）改質領域Ｍ１３が形成されると共に、当該改質領域Ｍ１３から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の裏面２１に露出する亀裂Ｃ５が発生される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図９４に示すように、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ１３にこの順に沿ってエッチングが進行され、亀裂Ｃ５及び改質領域Ｍ１３が選択的にエッチングされ、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化される。続いて、図９５（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図９５（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図９５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、図３２に示すように、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施すことで加工対象物１をチップ２６，２６に最終的に小片化することができる。よって、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第４５実施形態］

次に、本発明の第４５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４４実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、ダイシングテープ１６が剥がされた後（図９５（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４４実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第４６実施形態］

次に、本発明の第４６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４４実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１３及び亀裂Ｃ５がエッチングされた後（図９４参照）、図９６（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図９６（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図９６（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４４実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施された後に、ダイシングテープ１６が拡張され、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に一層確実に小片化することができる。
［第４７実施形態］

次に、本発明の第４７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図９７に示すように、切断予定ライン５に沿って、改質領域Ｍ１３が加工対象物１に形成される。具体的には、加工対象物１の内部から裏面２１に至る（裏面２１に露出する）改質領域Ｍ１４が形成されると共に、当該改質領域Ｍ１４から、厚さ方向に延在し且つシリコンウェハ１１の表面１１ａに露出する亀裂Ｃ３が発生される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図９８に示すように、改質領域Ｍ１４及び亀裂Ｃ３にこの順に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１４及び亀裂Ｃ３が選択的にエッチングされる。続いて、図９９（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図９９（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図９９（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされる。続いて、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ３が形成されているため、この亀裂Ｃ３を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、改質領域Ｍ１４が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する改質領域Ｍ１４から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ１４の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理がされるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第４８実施形態］

次に、本発明の第４８実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４７実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１４及び亀裂Ｃ３がエッチングされた後（図９８参照）、図１００（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図１００（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１００（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４７実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第４９実施形態］

次に、本発明の第４９実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４７実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１４及び亀裂Ｃ３が加工対象物１に形成された後（図９７参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図１０１に示すように、改質領域Ｍ１４に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１４が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ３は、エッチングされずに残存されている。続いて、図１０２（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１０２（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図１０２（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４７実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、ダイシングテープ１６の拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第５０実施形態］

次に、本発明の第５０実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第４９実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図１０２（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第４７実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理が施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５１実施形態］

次に、本発明の第５１実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図１０３に示すように、切断予定ライン５に沿って、亀裂Ｃ４を有する改質領域Ｍ１５が加工対象物１に形成される。具体的には、シリコンウェハ１１の内部から加工対象物の裏面２１に至る（裏面２１に露出する）改質領域Ｍ１５が形成されると共に、当該改質領域Ｍ１５から、厚さ方向に延在し且つ加工対象物１の表面３に露出する亀裂Ｃ４が発生される。

続いて、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図１０４に示すように、改質領域Ｍ１５及び亀裂Ｃ４にこの順に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１５及び亀裂Ｃ４が選択的にエッチングされる。続いて、図１０５（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１０５（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図１０５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように亀裂Ｃ４が形成されているため、この亀裂Ｃ４を利用してエッチング液を浸潤させて加工対象物を切断することができ、よって、切断速度を速めることができる。

また、上述したように、改質領域Ｍ１５が加工対象物１の裏面２１に露出されている、つまり、エッチング開始点が露出している。そのため、この露出する改質領域Ｍ１５から加工対象物１の内部へエッチング液が積極的に浸透される。よって、加工対象物１の裏面２１がエッチングされるのを抑制でき、加工対象物１の裏面２１へのダメージを抑制することができると共に、エッチング速度を速めることができる。

また、本実施形態では、形成される改質領域Ｍ１５の厚さ方向における長さを制御することで、図示左右方向等の改質領域以外の領域におけるエッチング量を制御することが可能となる。

また、本実施形態では、上述したように、ダイシングテープ１６を拡張させることなくチップ２６を取り出されるため、タクトアップが可能となると共に、外部応力を印加することができない極小チップも加工することができる。
［第５２実施形態］

次に、本発明の第５２実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第５１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図１０５（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第５１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理を施されるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５３実施形態］

次に、本発明の第５３実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第５１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１５及び亀裂Ｃ４がエッチングされた後（図１０４参照）、図１０６（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図１０６（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１０６（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第５１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５４実施形態］

次に、本発明の第５４実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第５１実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、亀裂Ｃ４を有する改質領域Ｍ１５が加工対象物１に形成された後（図１０３参照）、裏面２１側からエッチング液が塗布され、図１０７に示すように、改質領域Ｍ１５に沿ってエッチングが進行され、改質領域Ｍ１５が選択的にエッチングされる。なお、ここでは、亀裂Ｃ４は、エッチングされずに残存されている。続いて、図１０８（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１０８（ｂ）に示すように、上下反転される。続いて、図１０８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１６が剥がされ、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第５１実施形態と同様な効果を奏する。
［第５５実施形態］

次に、本発明の第５５実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第５４実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の裏面２１からダイシングテープ１６が剥がされた後（図１０８（ｃ）参照）、ダイシングテープ２２が拡張され、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第５１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、エッチング処理をされるだけでなく、ダイシングテープ２２が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５６実施形態］

次に、本発明の第５６実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第５４実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、改質領域Ｍ１５がエッチングされた後（図１０７参照）、図１０９（ａ）に示すように、ダイシングテープ１６が拡張されて、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間される。続いて、図１０９（ｂ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ２２が転写され、図１０９（ｃ）に示すように、上下反転される。続いて、ダイシングテープ１６が剥がされ、ダイシングテープ２２が拡張され、そして、チップ２６が取り出される。

この本実施形態の切断用加工方法においても、上記第５１実施形態と同様な効果を奏する。また、本実施形態では、ダイシングテープ１６が拡張されて加工対象物１がチップ２６，２６に小片化された後、さらに、ダイシングテープ２２が拡張されるため、加工対象物１をチップ２６，２６に確実に小片化することができる。
［第５７実施形態］

次に、本発明の第５７実施形態に係る切断用加工方法について説明する。なお、上記第６実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。

本実施形態の切断用加工方法では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６が貼り付けられて載置台に載置された後（図２３（ａ）参照）、加工対象物１の裏面２１から加工対象物１に集光点を合わせてレーザ光が照射され、図１１９（ａ）に示すように、切断予定ライン５に沿って、厚さ方向に複数の改質領域（ここでは、改質領域Ｍ３，Ｍ１６）が加工対象物１に形成される。

具体的には、加工対象物１の内部において、改質領域Ｍ３が形成されると共に、この改質領域Ｍ３のデバイス面３側に並設されるように改質領域Ｍ１６が形成される。そして、厚さ方向に延在する亀裂Ｃ１，Ｃ２が改質領域Ｍ３から発生されると共に、厚さ方向に延在する亀裂Ｃ６，Ｃ７が改質領域Ｍ１６から発生される。なお、ここでの亀裂Ｃ２，Ｃ６は、互いに連結されている。

続いて、図１１９（ｂ）に示すように、エッチング液に対し耐性がある例えばＳｉｎからなるマスク３５が、裏面２１に取り付けられる。このマスク３５には、エッチング幅に対応する開口面積の開口３３が設けられている。

続いて、マスク３５の開口３３を介して加工対象物１の裏面２１にエッチング液が塗布され、加工対象物１の裏面２１側の領域３１がエッチングされて除去される。そして、亀裂Ｃ１、改質領域Ｍ３、及び亀裂Ｃ２にこの順に沿ってエッチングが進行されて、亀裂Ｃ１，Ｃ２及び改質領域Ｍ３が選択的にエッチングされる。このとき、エッチング時間を制御し、加工対象物１を洗浄等することで、デバイス面３にエッチングが到達せず且つ改質領域Ｍ１６が残存するようにエッチングの進行を停止させる。

続いて、マスク３５が剥がされ、裏面２１にダイシングテープ２２が転写されて上下反転されると共に、ダイシングテープ１６が剥がされる。そして、図１１９（ｃ）に示すように、ダイシングテープ２２が拡張されることで、改質領域Ｍ１６を切断の起点として（すなわち、改質領域Ｍ１６を切断の基点となる切断用改質領域１６として）、加工対象物１がチップ２６，２６に小片化されると共にチップ２６，２６が離間されることとなる。なお、マスク３５は必要に応じて剥がせばよく、マスク３５を残したままチップに小片化してもよい。

以上、本実施形態の切断用加工方法においても、上記第６実施形態と同様な効果を奏する。特に本実施形態では、デバイス面３に到達しないように加工対象物１がエッチングされるため、エッチング液によるデバイス１５への悪影響を低減することができ、品質のよいチップ２６を得ることが可能となる。

ここで、このようにデバイス面３に到達しないようエッチングされた場合（つまり、エッチングで加工対象物１が完全に切断されない場合）においては、通常、エッチングで除去された領域３１の先端部３１ａから亀裂を発生させて切断する。しかし、この場合、先端部３１ａから発生する亀裂の進展方向を制御するのは困難であることから、加工対象物１を精度よく切断できないことがある。

この点、本実施形態では、厚さ方向に沿って並ぶ改質領域Ｍ３，Ｍ１６が加工対象物１の内部に形成されると共に、切断用改質領Ｍ１６を残すようにエッチング処理が施されている。よって、デバイス面３に到達しないようエッチングした場合でも、切断用改質領域１６を切断の起点として加工対象物１が切断されるため、加工対象物１を容易に且つ精度よく切断することが可能となる。従って、本実施形態によれば、エッチング液によるデバイス１５への悪影響を低減して品質のよいチップ２６を得ることできると共に、加工対象物１を容易に且つ精度よく切断することが可能となる。

また、デバイス１５によっては、切断に至るまで加工対象物１を完全にエッチングすると、デバイス１５とシリコンウェハ１１との界面でエッチング液が悪影響を及ぼすこともある。これに対し、本実施形態では、デバイス面３に到達しないように加工対象物１がエッチングされることから、かかる界面での悪影響をも低減することができる。

また、本実施形態では、上述したように、マスク３５の開口３３を介して、加工対象物１の裏面２１をエッチング液に曝している。これにより、裏面２１がエッチングされることでエッチング深さ（裏面２１から領域３１の先端部３１ａまでの距離）にバラツキが生じてしまうということを抑制し、エッチング深さの均一性を高めることができる。その結果、加工対象物１を安定して切断することができ、一層品質のよいチップ２６を得ることが可能となる。

なお、本実施形態では、亀裂Ｃ６，Ｃ７を改質領域Ｍ１６から発生させたが、亀裂Ｃ６，Ｃ７の何れか一方のみを発生させてもよい。さらに、図１２０に示すように、亀裂Ｃ６，Ｃ７の双方を発生させない場合もある。亀裂Ｃ６を発生させない場合、切断用改質領域Ｍ１６の裏面２１側に存在する非改質領域Ｎは、そのエッチングレートが改質領域のエッチングレートより低いため、エッチングの進行を遅らせるエッチングストッパとして機能する。また、この場合には、亀裂Ｃ６（図１１９参照）を介してエッチング液が切断用改質領域Ｍ１６に浸透するということもない。よって、亀裂Ｃ６を発生させない場合、改質領域Ｍ１６が残存するようエッチングの進行を停止させることが、容易に実施可能となる。

ちなみに、本実施形態では、改質領域Ｍ３を形成し当該改質領域Ｍ３をエッチングしたが、エッチングされる改質領域はこれに限定されるものではない。デバイス面３に到達しないように加工対象物１がエッチングされれば、エッチングされる改質領域は種々のものであってもよい。

また、本実施形態では、厚さ方向に並設されるように改質領域Ｍ３，Ｍ１６を形成し、切断用改質領Ｍ１６が残存するようにエッチング処理を施したが、厚さ方向に３つ以上の改質領域を形成し、これらの改質領域のうち少なくとも１つが切断用改質領域として残存するようにエッチング処理を施せばよい。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、上記実施形態では、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６を貼り付け、裏面２１側を上方にして加工対象物１を載置台に載置し、裏面２１側からレーザ光を照射（裏面入射）したが、以下の場合もある。すなわち、図１１０（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ１６を貼り付け、表面３側を上方にして載置台に載置し、表面３側（図示上方側）からレーザ光を照射（表面入射）してもよい。

また、図１１０（ｂ）に示すように、加工対象物１の表面３にダイシングテープ１６を貼り付け、表面３側（ダイシングテープ１６側）を上方にして載置台に載置し、表面３側からレーザ光をダイシングテープ１６越しに照射してもよい。また、図１１０（ｃ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ１６が貼り付け、裏面２１側を上方にして載置台に載置し、裏面２１側からレーザ光をダイシングテープ１６越しに照射してもよい。

また、上記実施形態では、機能素子１５をエッチング液から保護するために好ましいとして、保護膜２５を備えたが、機能素子１５の保護が然程必要ない場合には、この保護膜はなくともよい。

また、上記実施形態では、改質領域を、加工対象物１のエッチングされた切断面が厚さ方向と平行になるように形成したが、例えばレーザ光のレーザ条件や改質領域を形成する位置等を調整して、かかる切断面が所定の面形状となるように形成してもよい。この場合、加工対象物の所定の位置に改質領域を形成することで、改質領域における高いエッチングレートを利用して、加工対象物のエッチングされた切断面をＶ字や半円形等の所望の面形状とすることができ、よって、例えば加工対象物の抗折強度を所望に設定することができる。例えば、切断面において厚さ方向の中央部分が特にエッチングされるように改質領域を形成すると、側方から切断予定ラインに沿う方向に見て、厚さ方向の中央が窪むような凹状の切断面を得ることができる。この場合、チップの抗折強度が向上される。

また、例えば、切断面において厚さ方向の端部が特にエッチングされるように改質領域を形成すると、側方から切断予定ラインに沿う方向に見て、厚さ方向の端部が切りかかれたような切断面を得ることができる。この場合、面取り等の後処理を別途に行うことが不要となる。

以下、実施例を説明する。

（実施例１）
厚さ３００μｍ、抵抗値１Ω・ｃｍ以上のシリコンベアウエハ（表面：ミラー、裏面：ＢＧ）を用意し、このシリコンベアウエハの裏面にＰＥＴ基材テープ（ＵＶタイプ）を貼り付け、表面側からレーザ光を照射し、各切断予定ラインに沿って改質領域を厚さ方向に７列形成した（７ｓｃａｎ）。このとき、シリコンベアウエハの表面には、ハーフカットを形成（亀裂が表面に露出）した。そして、このシリコンベアウエハにエッチング処理を施して、加工対象物を複数のチップに小片化（分断）した。エッチング液には、温度約７０℃、濃度３２ｗｔ％のＫＯＨを用い、エッチング時間を約１０分とした。

この結果、図１１１（ａ）及び図１１２（ａ）に示すように、分断率１００％で複数のチップに小片化（分断）された。また、図１１１（ｂ）及び図１１２（ｂ）に示すように、エッチング幅（隣接するチップの間隔）は、表面側のエッチング幅Ｌ１が２０μｍ（１６μｍ〜２０μｍ）、裏面側のエッチング幅Ｌ２が１２μｍとなった。また、チッピングも見られなかった（チッピングレス）。これにより、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って確実に切断するという上記効果が確認できた。

図１１３に示すように、切断面の凹凸が最大４μｍとなり、また、改質領域は完全にエッチングされ除去されていることが確認できた。また、改質領域に残存するＳｉ片なども全て除去されていることを確認できた。ここで、切断面において裏面側の端部が表面側の端部に対し、４μｍ（図中のＬ３）だけ凸となっており、切断面が細いＶ溝状になっているが、これは、表面側（図中の上方側）から矢印Ｑ方向エッチングが進んだことを表している。

（実施例２）
次に、保持具のエッチング液に対する耐性を、保持具の材質毎に評価した。具体的には、各保持具が貼り付けられた加工対象物をＫＯＨに所定時間浸漬し、保持具の状態を観察して評価した。エッチング液の濃度を３２ｗｔ％とした。その結果を図１１４〜図１１８に示す。

図１１４はポリオレフィンからなる保持具におけるエッチング液に浸漬した後の状態を示す写真図、図１１５はポリオレフィンからなる保持具のエッチング液に対する耐性の評価結果を示す図表、図１１６はＰＥＴからなる保持具のエッチング液に対する耐性の評価結果を示す図表である。図１１４及び図１１５に示すように、ポリオレフィンからなる保持具では、波打ち（保持具が波打ったような状態）と剥がれ（保持具の周縁部が加工対象物から剥がれてしまった状態）とは発生したが、周縁部以外の領域では十分に使用可能である。図１１４に示すように、ハガレは一の端部（図中の下側端部）で多く生じており、これにより、材質の熱変形が異方性の特性を有することがわかる。さらに、図１１６に示すように、ＰＥＴからなる保持具では、３０秒までのエッチングの耐性は良好である。以上より、保持具におけるエッチング液の温度及びエッチング時間の使用範囲が確認できた。なお、ＥＶＡ材からなる保持具では、エッチング液の温度６７℃、エッチング時間３０秒でＮＧとなった。

図１１７は常温のエッチング液に対する保持具の耐性の評価結果を示す図表、図１１８はエッチング液に対する保持具の耐性の評価結果をエッチング液の温度毎に示す図表である。図１１７に示すように、常温ではいずれの材質の保持具（テープ）において変化が見られず（波打ち及びハガレ「○」）、いずれの材質でも保持具に適している（判定「○」）。保持具の粘着性は十分に確保でき、また、エッチング処理後のシリコン表面の親水性が確認できた。また、図１１８に示すように、保持具としては、ポリオレフィンのダイシングテープ及びＰＥＴのＢＧテープが好ましいことが確認できた。

本発明によれば、加工対象物を切断予定ラインに沿って確実に切断することが可能となる。

Claims (10)

1. 板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するための対象物加工方法であって、
   前記加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って、前記加工対象物に改質領域を形成する工程と、
   前記加工対象物に前記改質領域を形成した後、前記改質領域のエッチングレートが非改質領域のエッチングレートより高いエッチング材を利用してエッチング処理を施すことにより、前記切断予定ラインに沿って形成された前記改質領域をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする切断用加工方法。
2. 前記加工対象物を保持する保持手段に前記加工対象物を取り付ける工程を含むことを特徴とする請求項１記載の切断用加工方法。
3. 前記加工対象物に前記エッチング処理を施した後、前記保持手段を拡張することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断することを特徴とする請求項２記載の切断用加工方法。
4. 前記改質領域をエッチングすることにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断することを特徴とする請求項１又は２記載の切断用加工方法。
5. 前記加工対象物のエッチングされた切断面が所定の面形状となるように、前記加工対象物の所定の位置に改質領域を形成することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項記載の切断用加工方法。
6. 前記改質領域から亀裂が発生するように、前記加工対象物に改質領域を形成することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項記載の切断用加工方法。
7. 前記改質領域又は前記改質領域から発生する亀裂が前記加工対象物の外表面に露出するように、前記加工対象物に改質領域を形成することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項記載の切断用加工方法。
8. 前記改質領域又は前記改質領域から発生した亀裂が前記加工対象物の外表面に露出しないように、前記加工対象物に改質領域を形成することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項記載の切断用加工方法。
9. 前記加工対象物の主面の結晶面は、（１１１）面であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項記載の切断用加工方法。
10. 前記改質領域を形成する工程では、前記加工対象物の厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し、
    前記改質領域をエッチングする工程では、複数の前記改質領域のうち少なくとも１つが切断の基点となる切断用改質領域として残存するように、前記エッチング処理を施すことを特徴とする請求項１記載の切断用加工方法。