KR101506355B1 - 절단용 가공방법 - Google Patents

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Abstract

가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단한다. 가공대상물(1)에 집광점(集光点)을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 절단예정라인(5)에 따라서, 가공대상물(1)에 개질(改質)영역(M1)을 형성한다. 이 개질영역(M1)이 형성된 가공대상물(1)에 개질영역의 에칭 레이트(rate)가 비(非)개질영역의 에칭 레이트보다 높은 에칭액을 이용하여 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 개질영역(M1)을 에칭한다. 이것에 의해, 개질영역(M1)에서의 높은 에칭 레이트가 이용되어 가공대상물(1)이 절단예정라인(5)에 따라서 선택적이고 또한 신속하게 에칭된다.

Description

절단용 가공방법{WORKING METHOD FOR CUTTING}
본 발명은 판상(板狀)의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 절단용 가공방법에 관한 것이다.
종래의 레이저 가공방법으로서, 판상의 가공대상물에 집광점(集光点)을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서 가공대상물의 내부에 개질(改質)영역을 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이와 같은 절단용 가공방법에서는 개질영역이 형성된 가공대상물에 대해서, 예를 들면 절단예정라인을 따라서 외부 응력을 인가하는 것에 의해, 개질영역을 기점(起点)으로 하여 가공대상물을 복수의 칩으로 절단한다.
[특허문헌 1] 일본국 특개2004-343008호 공보
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그렇지만, 상술한 바와 같은 절단용 가공방법에서는 가공대상물에 외부 응력을 인가할 때에, 예를 들면 칩 사이즈가 작아짐에 따라서 칩 1개소당 작용되는 힘이 작아지기 때문에, 경우에 따라서는 가공대상물을 확실히 절단할 수 없을 우려가 있다. 한편, 플라스마 에칭(plasma etching)법에 의해, 가공대상물을 절단하는 경우도 있다. 그러나, 이 경우, 에칭이 가능한 시간에는 한계가 있는 것에 대해, 가공대상물이 두꺼운 것이면 에칭처리에 긴 시간이 요구되기 때문에, 에칭이 불완전하고 가공대상물을 확실히 절단할 수 없을 우려가 있다.
그래서, 본 발명은 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단할 수 있는 절단용 가공방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 절단용 가공방법은 판상의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 절단용 가공방법으로서, 가공대상물에 집광점을 맞추어 레이저광을 조사(照射)하는 것에 의해, 절단예정라인에 따라서 가공대상물에 개질영역을 형성하는 공정과, 가공대상물에 상기 개질영역을 형성한 후, 개질영역의 에칭 레이트(rate)가 비(非)개질영역의 에칭 레이트보다 높은 에칭재(材)를 이용하여 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 절단예정라인에 따라서 형성된 개질영역을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 절단용 가공방법에서는 절단예정라인에 따라서 개질영역을 가공대상물에 형성하고, 이 가공대상물에 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 당해 개질영역을 에칭한다. 이것에 의해, 개질영역에서의 높은 에칭 레이트를 이용하여, 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 선택적이고 또한 신속하게 에칭할 수 있다. 따라서, 예를 들면 가공대상물을 절단하기 위해서 외부 응력을 인가하는 경우, 그 외부 응력이 작은 경우에서도 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단하는 것이 가능하게 된다. 또, 상술한 바와 같이, 신속하게 에칭되기 때문에, 예를 들면 가공대상물이 두꺼운 것이라도 절단예정라인에 따라서 확실히 에칭하는 것이 가능하게 된다.
또, 가공대상물을 유지하는 유지수단에 가공대상물을 부착하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 절단 후의 가공대상물이 뿔뿔이 흩어지게 산란(散亂)하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 유지수단에 가공대상물을 부착한 다음 에칭을 실시하는 경우에는 개질영역 및 개질영역으로부터 발생한 균열이 유지수단과의 계면(界面)에 이르지 않게 하는(계면보다 앞에서 개질영역 및 균열의 형성을 멈춤) 것이 바람직하다. 이것은 에칭재가 개질영역 및 균열을 전달하여 계면에 도달하면, 예를 들면, 이 에칭재에 의해 가공대상물이 유지수단으로부터 박리(剝離)하거나, 디바이스면을 오염하거나 하는 경우가 있기 때문이다.
여기서, 가공대상물에 에칭처리를 시행한 후, 유지수단을 확장하는 것에 의해, 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 경우가 있다. 또, 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 경우가 있다.
또, 가공대상물의 에칭된 절단면이 소정의 면형상이 되도록 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성함으로써, 개질영역에서의 높은 에칭 레이트를 이용하여, 가공대상물의 에칭된 절단면을 V자나 반원형 등의 소망의 면형상으로 할 수 있고, 따라서, 예를 들면 가공대상물의 항절(抗折, deflecting)강도를 원하는 대로 설정할 수 있다.
또, 개질영역으로부터 균열이 발생하도록 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 예를 들면 균열을 이용하여 에칭재를 침투시켜 에칭의 진행을 촉진할 수 있어 에칭 속도를 빠르게 하는 것이 가능하게 된다.
또, 개질영역 또는 개질영역으로부터 발생한 균열이 가공대상물의 외표면에 노출되도록 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 예를 들면 에칭재가 노출되는 개질영역 또는 균열로부터 가공대상물의 내부로 적극적으로 침투되기 때문에, 가공대상물의 외표면이 에칭되는 것을 억제할 수 있어, 가공대상물의 외표면으로의 데미지를 억제할 수 있다.
또, 개질영역 또는 개질영역으로부터 발생한 균열이 가공대상물의 외표면에 노출되지 않도록 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 개질영역을 형성할 때에 가공대상물이 주변에 비산해 버리는 것을 억제할 수 있다.
또, 가공대상물의 주면(主面)의 결정면이 (111)면이면, 가공대상물이 그 두께방향으로 경사지는 방향으로 벽개면(劈開面)을 가지기 때문에, 절단면이 두께방향에 대해서 경사지기 쉬운 것이 일반적이지만, 본 발명에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물이 절단예정라인에 따라서 선택적으로 에칭되기 때문에, 가공대상물의 주면의 결정면이 (111)면에서도 절단면이 두께방향으로 평행하게 되도록 가공대상물을 절단할 수 있다.
또, 개질영역을 형성하는 공정에서는 가공대상물의 두께방향으로 복수의 개질영역을 형성하고, 개질영역을 에칭하는 공정에서는 복수의 개질영역 중 적어도 1개가 절단의 기점(基点)이 되는 절단용 개질영역으로서 잔존하도록 에칭처리를 시행하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 에칭으로 가공대상물을 완전히 절단하지 않는 경우(예를 들면, 디바이스면에 도달하지 않도록 에칭하는 경우)에 있어서도 절단용 개질영역을 절단의 기점(起点)으로 하여 가공대상물이 절단되기 때문에, 가공대상물을 용이하고 또한 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다.
<발명의 효과>
본 발명에 의하면, 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 실시형태의 레이저 가공장치의 개략 구성도이다.
도 2는 실시형태의 가공대상물을 나타내는 도이다.
도 3은 도 1의 가공대상물의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도이다.
도 4는 레이저가공 후의 가공대상물의 평면도이다.
도 5는 도 4의 가공대상물의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도이다.
도 6은 도 4의 가공대상물의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도이다.
도 7은 전계강도와 크랙 스폿의 크기와의 관계를 나타내는 선도이다.
도 8은 레이저광이 조사된 실리콘 웨이퍼의 일부에서의 단면의 사진도이다.
도 9는 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 선도이다.
도 10은 디핑(dipping) 방식에 의한 에칭처리의 일례를 나타내는 도이다.
도 11은 스핀 에칭 방식에 의한 에칭처리의 일례를 나타내는 도이다.
도 12는 도 11에 이어서 나타내는 도이다.
도 13은 도 11의 에칭처리의 다른 일례를 나타내는 도이다.
도 14는 도 11의 에칭처리의 또 다른 일례를 나타내는 도이다.
도 15는 도 14에 이어서 나타내는 도이다.
도 16은 도 11의 에칭처리의 또 다른 일례를 나타내는 도이다.
도 17은 도 16에 이어서 나타내는 도이다.
도 18은 유지도구의 재질의 적부(適否)를 나타내는 도표이다.
도 19는 유지도구의 재질의 적부를 나타내는 도표이다.
도 20은 에칭액의 일례를 나타내는 도표이다.
도 21은 에칭의 효과의 우열(優劣)을 재료별로 나타내는 도표이다.
도 22는 가공대상물을 나타내는 정면도이다.
도 23은 제1 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 24는 도 23에 이어서 나타내는 도이다.
도 25는 도 24에 이어서 나타내는 도이다.
도 26은 도 25에 이어서 나타내는 도이다.
도 27은 제2 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 28은 도 27에 이어서 나타내는 도이다.
도 29는 제3 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 30은 도 29에 이어서 나타내는 도이다.
도 31은 도 30에 이어서 나타내는 도이다.
도 32는 도 31에 이어서 나타내는 도이다.
도 33은 제5 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 34는 제6 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 35는 도 34에 이어서 나타내는 도이다.
도 36은 도 35에 이어서 나타내는 도이다.
도 37은 제7 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 38은 도 37에 이어서 나타내는 도이다.
도 39는 제8 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 40은 도 39에 이어서 나타내는 도이다.
도 41은 제9 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 42는 도 41에 이어서 나타내는 도이다.
도 43은 제10 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 44는 도 43에 이어서 나타내는 도이다.
도 45는 도 44에 이어서 나타내는 도이다.
도 46은 제12 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 47은 도 46에 이어서 나타내는 도이다.
도 48은 제13 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 49는 도 48에 이어서 나타내는 도이다.
도 50은 제14 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 51은 제15 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 52는 도 51에 이어서 나타내는 도이다.
도 53은 제17 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 54는 도 53에 이어서 나타내는 도이다.
도 55는 도 54에 이어서 나타내는 도이다.
도 56은 제19 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 57은 도 56에 이어서 나타내는 도이다.
도 58은 제20 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 59는 도 58에 이어서 나타내는 도이다.
도 60은 도 59에 이어서 나타내는 도이다.
도 61은 제21 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 62는 제22 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 63은 제23 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 64는 도 63에 이어서 나타내는 도이다.
도 65는 도 64에 이어서 나타내는 도이다.
도 66은 제24 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 67은 제25 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 68은 도 67에 이어서 나타내는 도이다.
도 69는 도 68에 이어서 나타내는 도이다.
도 70은 제27 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 71은 제28 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 72는 도 71에 이어서 나타내는 도이다.
도 73은 제30 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 74는 제31 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 75는 도 74에 이어서 나타내는 도이다.
도 76은 도 75에 이어서 나타내는 도이다.
도 77은 제33 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 78은 도 77에 이어서 나타내는 도이다.
도 79는 제35 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 80은 도 79에 이어서 나타내는 도이다.
도 81은 도 80에 이어서 나타내는 도이다.
도 82는 제37 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 83은 도 82에 이어서 나타내는 도이다.
도 84는 제39 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XX Ⅲ선에 따른 개략 단면도이다.
도 85는 도 84에 이어서 나타내는 도이다.
도 86은 도 85에 이어서 나타내는 도이다.
도 87은 제40 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 88은 제41 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 89는 제42 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 90은 도 89에 이어서 나타내는 도이다.
도 91은 도 90에 이어서 나타내는 도이다.
도 92는 제43 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 93은 제44 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 94는 도 93에 이어서 나타내는 도이다.
도 95는 도 94에 이어서 나타내는 도이다.
도 96은 제46 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 97은 제47 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XX Ⅲ선에 따른 개략 단면도이다.
도 98은 도 97에 이어서 나타내는 도이다.
도 99는 도 98에 이어서 나타내는 도이다.
도 100은 제48 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 101은 제49 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 102는 도 101에 이어서 나타내는 도이다.
도 103은 제51 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 104는 도 103에 이어서 나타내는 도이다.
도 105는 도 104에 이어서 나타내는 도이다.
도 106은 제53 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 107은 제54 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 108은 도 107에 이어서 나타내는 도이다.
도 109는 제56 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 110은 다른 실시형태의 절단용 가공방법에서의 가공대상물을 설명하기 위 한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 111은 레이저가공 후의 가공대상물에서의 표면을 나타내는 사진도이다.
도 112는 도 111의 가공대상물에서의 이면을 나타내는 사진도이다.
도 113은 도 111의 가공대상물에서의 절단면을 나타내는 사진도이다.
도 114는 폴리올레핀(polyolefin)으로 이루어진 유지도구에서의 에칭액에 침지한 후 상태를 나타내는 사진도이다.
도 115는 폴리올레핀으로 이루어진 유지도구의 에칭액에 대한 내성(耐性)의 평가결과를 나타내는 도표이다.
도 116은 PET로 이루어진 유지도구의 에칭액에 대한 내성의 평가결과를 나타내는 도표이다.
도 117은 상온의 에칭액에 대한 유지도구의 내성의 평가결과를 나타내는 도표이다.
도 118은 에칭액에 대한 유지도구의 내성의 평가결과를 에칭액의 온도마다 나타내는 도표이다.
도 119는 제57 실시형태의 절단용 가공방법을 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
도 120은 도 119의 변형예를 설명하기 위한 도 22의 XXⅢ-XXⅢ선에 따른 개략 단면도이다.
<부호의 설명>
1 … 가공대상물, 3 … 가공대상물의 표면(외표면), 5 … 절단예정라인, 11 … 실리콘 웨이퍼(가공대상물), 11a … 실리콘 웨이퍼의 표면(주면), 11b … 실리콘 웨이퍼의 이면(裏面)(외표면, 주면), 16, 22 … 유지도구, 다이싱(dicing) 테이프(유지수단), 21 … 가공대상물의 이면(외표면, 주면), 41 … 외주면(외표면), C1 ~ C7 … 균열, E … 에칭액(에칭재), L … 레이저광, M1 ~ M15 … 개질영역, M16 … 절단용 개질영역(개질영역), P … 집광점.
<발명을 실시하기 위한 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에서 동일 또는 상당 요소에는 동일 부호를 부여하여 중복하는 설명은 생략한다.
본 실시형태에 관한 절단용 가공방법에서는 가공대상물에 집광점을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서 개질영역을 가공대상물에 형성한다. 그리고, 개질영역의 에칭 레이트가 그 외의 영역(비개질영역)보다 에칭 레이트가 높은 에칭재(이하, 「에칭액」이라고도 함)를 이용하여 개질영역이 형성된 가공대상물에 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 개질영역을 에칭한다. 그래서, 우선, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서의 개질영역의 형성 및 에칭처리에 대해서 각각 설명한다.
[개질영역의 형성]
본 실시형태의 절단용 가공방법에서의 개질영역의 형성에 대해서, 도 1 ~ 도 9를 참조하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공장치(100)는 레이저광(가공용 레이저광)(L)을 펄스 발진(發振)하는 레이저광원(101)과, 레이저광(L)의 광축의 방향을 90° 변경하도록 배치된 다이클로익 미러(dichroic mirror)(103)와, 레이저광(L)을 집광하기 위한 집광용 렌즈(105)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공장치(100)는 집광용 렌즈(105)로 집광된 레이저광(L)이 조사되는 가공대상물(1)을 실어놓기 위한 재치대(載置臺)(107)와, 재치대(107)를 X, Y, Z축방향으로 이동시키기 위한 스테이지(111)와, 레이저광(L)의 출력이나 펄스 폭 등을 조절하기 위해서 레이저광원(101)을 제어하는 레이저광원 제어부(102)와, 스테이지(111)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비하고 있다.
이 레이저 가공장치(100)에 의하면, 레이저광원(101)으로부터 조사된 레이저광(L)이 다이클로익 미러(103)에서 그 광축이 90° 변경되고, 집광렌즈(105)에서 재치대(107)상의 가공대상물(1)의 내부에 집광된다. 이와 함께, 스테이지(111)가 이동되어 가공대상물(1)이 레이저광(L)에 대해서 절단예정라인(5)에 따라서 상대 이동된다. 이것에 의해, 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)에 개질영역이 형성되게 된다. 이하, 이 개질영역에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 판상의 가공대상물(1)에는 가공대상물(1)을 절단하기 위한 절단예정라인(5)이 설정되어 있다. 절단예정라인(5)은 직선 모양으로 연장된 가상선(假想線)이다. 가공대상물(1)의 내부에 개질영역을 형성하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춘 상태로 레이저광(L)을 절단예정라인(5)에 따라서(즉, 도 2의 화살표 A방향으로) 상대적으로 이동시킨다. 이것에 의해, 도 4 ~ 도 6에 나타내는 바와 같이, 개질영역(7)이 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)의 내부에 형성된다.
또한, 집광점(P)이란, 레이저광(L)이 집광하는 개소이다. 또, 절단예정라인(5)은 직선 모양으로 한정하지 않고 곡선 모양이어도 되며, 가상선에 한정하지 않고 가공대상물(1)의 표면(3)에 실제로 그은 선이어도 된다. 또, 개질영역(7)은 연속적으로 형성되는 경우도 있고, 단속적으로 형성되는 경우도 있다. 또, 개질영역은 적어도 가공대상물(1)의 내부에 형성되어 있으면 된다. 또, 개질영역을 기점으로 균열이 형성되는 경우가 있어, 균열 및 개질영역은 가공대상물(1)의 외표면(표면, 이면 혹은 외주면)에 노출되어 있어도 된다.
덧붙여서, 본 실시형태에 관한 절단용 가공방법은 레이저광(L)이 가공대상물(1)에 투과됨과 동시에 가공대상물(1)의 내부의 집광점 근방에서 특히 흡수되고, 이것에 의해, 가공대상물(1)에 개질영역(7)이 형성된다(즉, 내부흡수형 레이저가공). 따라서, 가공대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저광(L)이 거의 흡수되지 않으므로, 가공대상물(1)의 표면(3)이 용융하지 않는다. 일반적으로, 표면(3)으로부터 용융되어 제거되어 구멍이나 홈 등의 제거부가 형성되는(표면흡수형 레이저가공) 경우, 가공영역은 표면(3) 측으로부터 서서히 이면 측으로 진행한다. 따라서, 제거부의 근방에는 에칭 레이트를 급신장시키는 개질영역이 형성되지 않는다.
여기서, 본 실시형태에 관한 절단용 가공방법에서 형성되는 개질영역은 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 다른 상태가 된 영역을 말한다. 예를 들면, (1) 용융처리영역, (2) 크랙영역, 절연파괴영역, (3) 굴절 률 변화영역 등이 있고, 이들이 혼재한 영역도 있다.
본 실시형태에 관한 대상물 가공방법으로 형성되는 개질영역으로서는 레이저광의 국소적(局所的)인 흡수나 다광자(多光子) 흡수라고 하는 현상을 이용함으로써 형성할 수 있다. 다광자 흡수란, 재료의 흡수의 밴드 갭(EG)보다 광자의 에너지(hυ)가 작으면 광학적으로 투명하게 되기 때문에, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hυ > EG이지만, 광학적으로 투명해도 레이저광(L)의 강도를 매우 크게 하면 nhυ > EG의 조건(n = 2, 3, 4, …)에서 재료에 흡수가 생기는 현상을 말한다. 다광자 흡수에 의한 용융처리영역의 형성은, 예를 들면, 용접학회 전국대회강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72페이지 ~ 제73페이지의 「피코(pico)초(秒) 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공특성평가」에 기재되어 있다.
또, D.Du, Ⅹ.Liu, G.Korn, J.Squier, and G.Mourou, "Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO2 with Pulse Widths from 7㎱ to 150fs", Appl.Phys.Lett64(23), Jun.6, 1994에 기재되어 있는 바와 같이, 펄스 폭이 수ps로부터 펨토(femto)초의 초단(超短) 펄스 레이저광을 이용하는 것에 의해 형성되는 개질영역을 이용하여도 된다.
(1) 개질영역이 용융처리영역을 포함하는 경우
가공대상물(예를 들면 실리콘과 같은 반도체 재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광(L)을 조사한다. 이것에 의해, 집광점 근방에서 레이저광(L)이 흡수되어 가공대상물의 내부가 국소적으로 가열되고, 이 가열에 의해 가공대상물의 내부에 용융처리영역이 형성된다.
용융처리영역이란, 일단 용융후 재고화한 영역이나, 확실히 용융상태의 영역이나, 용융상태로부터 재고화하는 상태의 영역으로, 상(相)변화한 영역이나 결정구조가 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 또, 용융처리영역은, 단결정구조, 비정질(非晶質)구조, 다결정구조에서, 어느 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 즉, 예를 들면, 단결정구조로부터 비정질구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 다결정구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 비정질구조 및 다결정구조를 포함한 구조로 변화한 영역을 의미한다. 가공대상물이 실리콘 단결정구조인 경우, 용융처리영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다.
도 7은 레이저광이 조사된 실리콘 웨이퍼(반도체 기판)의 일부에서의 단면의 사진을 나타낸 도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융처리영역(13)이 형성되어 있다.
입사(入射)하는 레이저광의 파장에 대해서 투과성 재료의 내부에 용융처리영역(13)이 형성된 것을 설명한다. 도 8은 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 선도(線圖)이다. 다만, 실리콘 기판의 표면 측과 이면 측 각각의 반사성분을 제거하고, 내부의 투과율만을 나타내고 있다. 실리콘 기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛의 각각에 대해 상기 관계를 나타냈다.
예를 들면, Nd : YAG 레이저의 파장인 1064㎚에서, 실리콘 기판의 두께가 500㎛이하인 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저광(L)이 80％이상 투과하는 것을 알 수 있다. 도 7에 나타내는 실리콘 웨이퍼(11)의 두께는 350㎛이므로, 용융처리영역(13)은 실리콘 웨이퍼(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛의 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은, 두께 200㎛의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면, 90％이상이므로, 레이저광(L)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 적고, 대부분이 투과한다. 그러나, 1 × 108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하인 조건에서 레이저광(L)을 실리콘 웨이퍼 내부에 집광함으로써, 집광점과 그 근방에서 국소적으로 레이저광이 흡수되어 용융처리영역(13)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 형성된다.
또한, 실리콘 웨이퍼에는 용융처리영역을 기점으로 하여 균열이 발생하는 경우가 있다. 또, 용융처리영역에 균열이 내포되어 형성되는 경우가 있고, 이 경우에는 그 균열이 용융처리영역에서의 전면(全面)에 걸쳐 형성되어 있거나, 일부분만이나 복수 부분에 형성되어 있거나 하는 일이 있다. 또한, 이 균열은 자연히 성장하는 경우도 있고, 실리콘 웨이퍼에 힘이 인가되는 것에 의해 성장하는 경우도 있다. 용융처리영역으로부터 균열이 자연히 성장하는 경우에는 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 성장하는 경우와, 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 재고화할 때에 성장하는 경우 모두 있다. 다만, 어느 쪽의 경우도 용융처리영역은 실리콘 웨이퍼의 내부에만 형성되며, 절단면에는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 내부에만 용융처리영역이 형성되고 있다.
(2) 개질영역이 크랙영역을 포함한 경우
가공대상물(예를 들면 유리나 LiTaO3로 이루어진 압전(壓電)재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하인 조건에서 레이저광(L)을 조사한다. 이 펄스 폭의 크기는 가공대상물의 내부에 레이저광(L)이 흡수되어 크랙영역이 형성되는 조건이다. 이것에 의해, 가공대상물의 내부에는 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. 이 광학적 손상에 의해 가공대상물의 내부에 열변형이 야기되고, 이것에 의해 가공대상물의 내부에 1개 또는 복수의 크랙을 포함하는 크랙영역이 형성된다. 크랙영역은 절연파괴영역이라고도 말할 수 있다.
도 9는 전계강도와 크랙의 크기와의 관계의 실험결과를 나타내는 선도이다. 가로축은 피크 파워 밀도이고, 레이저광(L)이 펄스 레이저광이므로 전계강도는 피크 파워 밀도로 나타낸다. 세로축은 1펄스의 레이저광(L)에 의해 가공대상물의 내부에 형성된 크랙 부분(크랙 스폿)의 크기를 나타내고 있다. 크랙 스폿이 모여 크랙영역이 된다. 크랙 스폿의 크기는 크랙 스폿의 형상 가운데, 최대 길이가 되는 부분의 크기이다. 그래프 중의 검은점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구 수(NA)가 0.80인 경우이다. 한편, 그래프 중의 흰점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구 수(NA)가 0.55인 경우이다. 피크 파워 밀도가 1011(W/㎠) 정도로부터 가공대상물의 내부에 크랙 스폿이 발생하며, 피크 파워 밀도가 커짐에 따라 크랙 스폿도 커지는 것을 알 수 있다.
(3) 개질영역이 굴절률 변화영역을 포함하는 경우
가공대상물(예를 들면 유리)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스 폭이 1㎱이하의 조건에서 레이저광(L)을 조사한다. 이와 같이, 펄스 폭이 지극히 짧은 상태로 가공대상물의 내부에 레이저광(L)이 흡수되면, 그 에너지가 열에너지에 전화(轉化)하지 않고, 가공대상물의 내부에는 이온가수변화, 결정화 또는 분극배향(分極配向) 등의 영속적인 구조변화가 야기되어 굴절률 변화영역이 형성된다.
또한, 개질영역이란, 용융처리영역, 절연파괴영역이나 굴절률 변화영역 등이나 그들이 혼재한 영역을 포함하고, 그 재료에서 개질영역의 밀도가 비개질영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역이기도 하고, 격자결함(格子缺陷)이 형성된 영역이기도 하다. 이들을 모아 고밀전이(高密轉移)영역이라고 할 수도 있다.
또, 용융처리영역이나 굴절률 변화영역, 개질영역의 밀도가 비개질영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역, 격자결함이 형성된 영역은 더욱 그들 영역의 내부나 개질영역과 비개질영역과의 계면에 균열(갈라짐, 마이크로 크랙)을 내포하고 있는 경우가 있다. 내포되는 균열은 개질영역의 전면에 걸치는 경우나 일부분만이나 복수 부분에 형성되는 경우가 있다. 이와 같이 균열을 내포하는 경우, 균열을 통해서 개질영역 전면이나 개질영역 내부에 에칭재가 침윤(浸潤)하고, 개질영역의 두께방향뿐만이 아니라, 두께방향을 건너 개질영역의 측면방향에도 에칭을 하므로, 통상 알려져 있는 에칭과 같이 두께방향에 대해서 위에서부터 아래로 에칭이 진행되는 것에 비해 에칭의 반응영역을 많게 할 수 있어 에칭 속도를 보다 높인다고 하는 본 발명에 유리한 효과를 가져온다.
덧붙여서, 가공대상물의 결정구조나 그 벽개성 등을 고려하여, 개질영역을 다음과 같이 형성하면, 정밀도 좋게 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정반도체로 이루어진 기판의 경우는 (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)에 따른 방향으로 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광형(閃亞鉛鑛型) 구조의 Ⅲ-V족 화합물 반도체로 이루어진 기판의 경우는 (110)면에 따른 방향으로 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 사파이어(Al2O3) 등의 육방정계(六方晶系)의 결정구조를 가지는 기판의 경우는 (0001)면(C면)을 주면으로 하여 (1120)면(A면) 혹은 (1100) 면(M면)에 따른 방향으로 개질영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또, 상술한 개질영역을 형성해야 하는 방향(예를 들면, 단결정 실리콘 기판에서의 (111)면에 따른 방향) 혹은 개질영역을 형성해야 하는 방향에 직교하는 방향에 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써, 개질영역을 용이하고 또한 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
[에칭처리]
다음으로, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서의 에칭처리에 대해서, 도 10 ~ 도 21을 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 에칭처리에서는 개질영역의 에칭 레이트가 높다고 하는 특징을 이용하여, 가공대상물에서 절단예정라인에 따라서 형성된 개질영역을 선택적으로 에칭하여 제거한다. 예를 들면, 가공대상물이 실리콘 웨이퍼인 경우, 개질영역이 300㎛/분 이상의 에칭 레이트(단결정 Si영역의 약 10배)를 가진다고 하는 특징이 있기 때문에, 100㎛ 이하의 두께의 실리콘 웨이퍼에서는 칩을 소편화(小片化) 하기 위한 에칭처리가 몇 초로부터 수십 초로 완료된다.
여기서, 이 에칭처리로서는 에칭액에 가공대상물을 침지하는 경우(디핑 방식 : Dipping)와, 가공대상물을 회전시키면서 에칭액을 도포하는 경우(스핀 에칭 방식 : SpinEtching)가 있다.
디핑 방식으로는, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 우선, 개질영역(7)이 형성된 가공대상물(1)이 유지 테이프 등의 테이프재인 유지도구(유지수단)(16)에 부착된 상태로 액조(液槽)(17) 내에 배치된다. 이어서, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭액(예를 들면, KOH 용액)(E)이 액조(17) 내에 유입되어 가공대상물(1)이 에칭액에 침지됨으로써, 가공대상물(1)에 형성된 개질영역(7)이 선택적으로 에칭되고, 이것에 의해, 가공대상물이 복수의 칩으로 소편화 된다. 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이, 액조(17) 내의 에칭액(E)이 제거된 후, 가공대상물(1)이 세정·건조되며, 그리고, 도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(16)가 확장되어 인접하는 칩 간격이 확장된다.
이 디핑 방식으로는 액조(17) 내에 에칭액(E)을 저장하고, 이 에칭액(E)으로 가공대상물(1)을 에칭하기 때문에, 에칭액(E)의 온도제어가 용이하며, 또한, 에칭 처리에 불균일이 생기기 어렵다고 하는 이점이 있다. 또한, 액조(17)의 구조를 비교적 용이하게 되어 액조(17)의 설계가 비교적 용이하게 된다. 또, 일반적인 KOH 용액으로 에칭할 수 있기 때문에, 폐수처리의 문제가 생기기 어렵다.
또한, 유지도구(16)로서는, 상술한 바와 같이, 확장시키기 때문에, 확장성을 가지는 테이프 부재가 적절하지만, 예를 들면 확장시킬 필요가 없는 경우에는 확장성이 없는 부재라도 된다. 또, 확장된 칩 간격을 치구 등에 의해 유지하여도 되고, 가공대상물(1)을 지지하는 지지구(지지수단)라도 된다. 또, 상기 에칭처리에서는 개질영역(7)을 에칭하는 것으로 복수의 칩으로 소편화 했지만, 유지도구(16)를 확장하는 것으로, 복수의 칩으로 최종적으로 소편화 해도 된다. 또, 유지도구(16)의 재질은 내열성 및 내약액성(耐藥液性)이 뛰어난 것이 바람직하고, 여기서는, 폴리올레핀으로 하고 있다(자세한 것은 후술). 또, 다이싱 프레임(18)의 재질도 내약액성이 뛰어난 것으로 하는 것이 바람직하며, 여기서는 실리콘제의 수지 등을 이용하고 있다. 이들에 대해서는 이후의 에칭처리의 설명에서도 마찬가지이다.
한편, 스핀 에칭 방식으로는 (i) 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 면(디바이스면)을 유지도구 측으로 하여 가공대상물을 유지도구에 부착하여 에칭액을 위쪽으로부터 도포하는 경우와, (ii) 디바이스면을 위쪽 측으로 하여 가공대상물을 유지도구에 부착하여 에칭액을 위쪽으로부터 도포하는 경우의 2개의 경우가 있다.
(i) 디바이스면이 유지도구 측인 경우
우선, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 개질영역(7)이 형성된 가공대상 물(1)이 디바이스(15)가 형성된 디바이스면(3)을 테이프재 등의 유지도구(16) 측(가공대상물(1)의 이면(21)이 위쪽 측)으로 하여, 당해 유지도구(16)에 실어 놓인다. 이어서, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭액(E)이 노즐(19)에서 위쪽으로부터 도포되면서 가공대상물이 소정의 속도로 회전되어, 에칭액(E)이 이면(21) 전체에 널리 퍼지도록 도포된다.
이어서, 에칭액(E)이 개질영역(7)에 침윤됨과 동시에, 당해 개질영역(7)이 선택적으로 에칭되고, 이것에 의해, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)이 복수의 칩으로 소편화 된다. 이어서, 가공대상물(1)이 세정·건조되어, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, UV조사되는 것으로 가공대상물(1)과 유지도구(16)와의 박리성을 높일 수 있다(접착강도를 저하시킴). 그리고, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(16)가 확장되어 인접하는 칩의 간격이 확장된 후, 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 칩이 픽업된다.
여기서, 가공대상물(1)에 DAF(Die Attach Film)를 형성하는 경우에서는 가공대상물(1)이 UV조사된 후, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 DAF 테이프(20) 및 유지도구(22)가 이 순서로 부착된다(전사(轉寫)). 이어서, 가공대상물(1)이 상하 반전(反轉)되어, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(16)가 박리된다. 그리고, 도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(22)가 확장되어 인접하는 칩의 간격이 확장됨과 동시에 DAF 테이프(20)가 칩마다 분단되며, 그 후, 도 13의 (d)에 나타내는 바와 같이, 칩이 픽업된다.
(ii) 디바이스면이 위쪽 측인 경우
우선, 도 14의 (a)에 나타내는 바와 같이, 개질영역(7)이 형성된 가공대상물(1)이 디바이스면(3)을 위쪽 측(가공대상물(1)의 이면(21)이 유지도구(16) 측)으로 하여 유지도구(16)에 실어 놓인다. 여기서는, 디바이스(15)에는 에칭액(E)으로부터 보호하기 위한 보호막(예를 들면, SiN 등)(23)이 형성되어 있다.
이어서, 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭액(E)이 위쪽으로부터 도포되면서 가공대상물(1)이 소정의 속도로 회전되어 에칭액(E)이 디바이스면(3) 전체에 널리 퍼지도록 도포된다. 에칭액(E)이 도포됨으로써, 에칭액(E)이 개질영역(7)에 침윤됨과 동시에 당해 개질영역(7)이 선택적으로 에칭되며, 이것에 의해, 도 14의 (c)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)이 복수의 칩으로 소편화 된다. 이어서, 가공대상물(1)이 세정·건조되어, 도 15의 (a)에 나타내는 바와 같이, UV조사되고, 가공대상물(1)과 유지도구(16)와의 박리성을 높일 수 있다. 그리고, 도 15의 (b)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(16)가 확장되어 인접하는 칩의 간격이 확장된 후, 도 15의 (c)에 나타내는 바와 같이, 칩이 픽업된다.
여기서, 가공대상물(1)에 DAF를 형성하는 경우에서는, 도 16의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)과 보호도구(16)와의 사이에 DAF 테이프(20)를 개재시켜 가공대상물(1)이 유지도구(16)에 실어 놓인다. 이어서, 도 16의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭액(E)이 위쪽으로부터 도포되면서 가공대상물(1)이 소정의 속도로 회전되어 에칭액(E)이 디바이스면(3) 전체에 널리 퍼지도록 도포된다. 에칭액(E)이 도포됨으로써, 에칭액(E)이 개질영역(7)에 침윤됨과 동시에 당해 개질영역(7)이 선택적으로 에칭되며, 이것에 의해, 도 16의 (c)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)이 복수의 칩으로 소편화 된다. 그리고, 도 17의 (a)에 나타내는 바와 같이, 유지도구(16)가 확장되어 인접하는 칩의 간격이 확장됨과 동시에 DAF 테이프(20)가 칩마다 분단되고, 그 후, 도 17의 (b)에 나타내는 바와 같이, 칩이 픽업된다.
이러한 스핀 에칭 방식으로는 가공대상물(1)에 에칭액(E)을 도포하는 것에 의해, 단시간에 선택적인 에칭처리를 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 항상 청정한 에칭액(E)으로 에칭처리되기 때문에, 가공대상물(1)의 2차 오염을 억제할 수 있다. 또한, 세정공정을 겸한 에칭기구를 용이하게 채용할 수 있다. 또, 일반적인 KOH 용액으로 에칭할 수 있기 때문에, 폐수처리의 문제가 생기기 어렵다.
덧붙여서, 개질영역(7)이 균열을 포함한 경우, 모세관 현상에 의해, 가공대상물(1)의 균열영역으로 에칭액(E)이 침윤하고, 에칭 속도가 빠른 개질영역의 에칭이 균열면을 따라 진행하며, 따라서, 에칭 속도는 한층 빨라진다. 한편, 개질영역(7)이 균열을 포함하지 않을 때에는 에칭액(E)의 침윤이 진행하기 어렵고, 에칭 속도가 늦어지는 경우가 있다.
그런데, 본 실시형태의 에칭처리에 적절한 유지도구로서는 다음의 3개의 특징을 가지는 것이 바람직하다. 즉, 1) 에칭액에 대해서 칩 유지능력의 저하가 경미한 것, 2) 에칭 후에 확장성을 가지고 있는 것, 3) 온도 이외의 외부 자극을 가하는 것으로 칩과 유지도구와의 사이의 박리강도가 저하되어 유지도구로부터 칩을 박리하기 쉽게 할 수 있는 것이 유지도구에 바람직하다.
알칼리성 에칭액(예를 들면, KOH)에 내성(내약액 및 내온도)이 있는 유지도 구로서는, 예를 들면, 염화 비닐, 폴리올레핀 및 PET를 들 수 있다. 그러나, 하기(下記)의 내성 한도에 나타내는 바와 같이, 이러한 에칭액에 대한 내성은 에칭액의 온도와 에칭액에 침지하는 시간(Dipping 시간)에 의존한다.
내구 한도 :
PET 온도 117℃(KOH 비점(沸點)), Dipping 시간 60분,
폴리올레핀 온도 50℃, Dipping 시간 60분
염화 비닐 온도 40℃, Dipping 시간 60분
도 18은 디바이스면을 유지도구 측으로 하여 가공대상물에 에칭처리를 시행한 경우의 유지도구에서의 재질의 적부(適否)를 나타내는 도표이고, 도 19는 디바이스면을 위쪽 측으로 하여 가공대상물에 에칭처리를 시행한 경우의 유지도구에서의 재질의 적부를 나타내는 도표이다. 도면 중에서, 재질의 적부는 상기 3개의 특징을 가지는지 아닌지로 판단되며, ×, △, ○, ◎은 이 순서로 유지도구에 적절하고 있는 것을 나타낸다.
디바이스면을 유지도구 측으로 하여 가공대상물에 에칭처리를 시행할 때, 도 18에 나타내는 바와 같이, 염화 비닐의 내열성이 낮기 때문에, 염화 비닐을 Dipping 방식으로 채용하는 경우가 바람직하지 않게(도면 중의 「×」) 되어 있다. 또, 폴리올레핀이 PET에 비해 내열성이 낮기 때문에, 폴리올레핀을 스핀 에칭 방식으로 채용하는 경우가 바람직하게(도면 중의 「○」) 되어 있다. 한편, PET는 확장성을 갖지 않지만, 에칭처리 후에 확장성이 있는 유지도구에 전사한 후에 유지도구를 확장하면 충분하고, 또한, PET는 에칭액에 대한 내성이 뛰어나기 때문에, PET를 스핀 에칭 방식으로 채용하는 경우가 매우 바람직하게(도면 중의 「◎」) 되어 있다.
디바이스면을 위쪽 측으로 하여 가공대상물에 에칭처리를 시행할 때, 도 19에 나타내는 바와 같이, 염화 비닐을 스핀 에칭 방식으로 채용하면, 에칭처리 후에 전사할 필요없이 그대로 유지도구를 확장할 수 있지만, 내열성이 다른 2개보다 낮기 때문에, 이 경우, 약간 바람직하게(도면 중의 「△」) 되어 있다. 또, 폴리올레핀을 스핀 에칭 방식으로 채용하면, 전사할 필요없이 그대로 유지도구를 확장할 수 있기 때문에, 매우 바람직하게(도면 중의 「◎」) 되며, PET를 스핀 에칭 방식으로 채용하면, 그대로 유지도구를 확장할 수 없기 때문에, 바람직하지 않게(도면 중의 「×」) 되어 있다.
또, 도 18 및 도 19에 나타내는 바와 같이, Dipping 방식으로는 유지도구로의 열영향이 크고, 따라서, 유지도구에 적합한 재질이 적다. 이에 대해서, 스핀 에칭 방식으로는 유지도구로의 열영향이 경도(輕度)이기 때문에, Dipping 방식에 비해, 어느 재질로도 유지도구에 적합하기 쉬운 것을 알 수 있다. 이상으로부터, 에칭액 도포방법으로서는 스핀 에칭 방식이 바람직하고, 유지도구로서는 폴리올레핀이 바람직하다.
도 20은 이용되는 에칭액의 일례를 기판의 재질별로 나타내는 도표이다. 여기서, 에칭액은 상온 ~ 100℃ 전후의 온도에서 이용되며, 필요로 하는 에칭 레이트 등에 따라 적당한 온도로 설정되는 것이다. 예를 들면, Si(이방성(異方性))를 KOH로 에칭처리하는 경우에는, 바람직한 것으로서, 약 60℃로 된다.
도 21은, 에칭의 효과의 우열(優劣)을 재료별로 나타내는 도표이다. 도면 중에서, ×, △, ○, ◎은 효과가 뛰어난 것을 이 순서로 나타낸 것으로, 끝까지 에칭처리에 의해 가공대상물이 최종적으로 절단되었을 경우에는 「◎」로 하고, 에칭처리 후에 외부 응력이 인가(브레이크)되어 가공대상물이 최종적으로 절단되었을 경우에는 「×」로 하고 있다. 또, RIE(반응성 이온 에칭 : Reactive Ion Etching)란, 드라이 에칭으로 분류되는 미세가공기술의 하나로, 미세가공에 적절한 높은 정밀도에서의 에칭이 행해지는 것이며, 통상의 드라이 에칭과 달리 이방성 에칭도 가능하다.
도면 중의 「▲」가 부여된 조건에서는 균열을 적극적으로 만들면 방사상으로 균열이 형성되기 쉽워 절단면이 요철화(凹凸化)하기 쉽다. 또, RIE를 채용하는 경우, 에칭용 마스크 패턴에 의존하여 에칭이 진행하기 때문에, 에칭처리에 의해 최종적으로 가공대상물이 절단된 조건(도시의 굵은 테두리 내)이 바람직하다. 이 도 21에 나타내는 바와 같이, 택트 타임(takt time)이라고 하는 관점에서 보면, 드라이 에칭은 1매 단위의 가공임에 대해, 웨트 에칭은 복수 매의 배치처리가 가능하기 때문에 택트 타임을 단축할 수 있고, 따라서, 에칭처리로서는 웨트 에칭이 바람직하다.
또한, 등방성(等方性) 에칭인 경우에는 비교적 얇은 가공대상물(예를 들면, 두께 10㎛ ~ 100㎛)에 적용할 수 있어 결정방위나 개질영역에 의존하지 않고, 등방향에 에칭을 진행시킬 수 있다. 또, 이 경우, 표면에 균열이 노출되어 있으면, 에칭액이 당해 균열을 전달하여 내부에 침윤되고, 개질영역에서 두께방향의 전면이 개질영역의 기점이 되기 때문에, 절단면이 반원형으로 오목하도록 에칭된 칩을 취출하는 것이 가능하게 된다. 다른 한편, 이방성 에칭인 경우에는 비교적 얇은 가공대상물뿐만이 아니라 두꺼운 것(예를 들면, 두께 800㎛ ~ 100㎛)에도 적용할 수 있다. 또, 이 경우, 개질영역을 형성하는 면이 면방위와 다를 때에도 이 개질영역을 따라서 에칭을 진행시킬 수 있다. 즉, 결정방향에 따른 면방위의 에칭에 더하여, 결정방위에 의존하지 않는 에칭도 가능하게 된다.
[제1 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다.
도 22 및 도 23의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)은 두께 300㎛, 직경 8인치의 실리콘 웨이퍼(기판)(11)와, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 복수 형성된 기능소자(15)(디바이스)와, 기능소자(15)를 덮도록 형성된 예를 들면 SiO2 로 이루어진 보호막(24)과, 보호막(24)을 덮도록 형성되어 에칭액에 대해 내성이 있는 예를 들면 Sin으로 이루어진 보호막(25)을 구비하고 있다.
실리콘 웨이퍼(11)는 그 표면(주면)(11a)의 결정면이 (111)면으로 되어 있다. 기능소자(15)는, 예를 들면, 결정 성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토 다이오드 등의 수광(受光)소자, 레이저 다이오드 등의 발광(發光)소자 혹은 회로로서 형성된 회로소자 등이며, 실리콘 웨이퍼(11)의 오리엔테이션 플랫(6)에 평행한 방향 및 수직인 방향으로 매트릭스 모양으로 다수 형성되어 있다. 이와 같은 가공대 상물(1)은 인접하는 기능소자 사이를 통과하도록 격자모양으로 설정된 절단예정라인(5)에 따라서 절단되며, 예를 들면 칩 사이즈가 0.5㎜ × 0.5㎜의 칩이 된다.
이 가공대상물(1)을 가공하는 경우, 우선, 도 23의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(유지부재)(16)가 부착되며, 이 가공대상물(1)의 이면(21)(실리콘 웨이퍼(11)의 이면(11b)) 측이 위쪽으로 되어 재치대에 실어 놓인다. 이어서, 가공대상물(1)의 이면(21) 측으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되고, 도 23의 (b)에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)(지면(紙面) 수직방향으로 연장해 있음)에 따라서 에칭 레이트를 급신장시키는 개질영역(M1)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 이면(11b)에 이르고(표면(11a) 및 이면(11b)에 노출됨), 보호막(24)에는 이르지 않은 개질영역(M1)이 가공대상물(1)에 형성된다. 여기서는 개질영역(M1)으로부터 발생한 균열이 당해 개질영역(M1)에 내포되어 형성되어 있다. 또한, 이 균열의 내포에 대해서는 이하의 실시형태의 개질영역에서도 마찬가지이다.
이어서, 도 24에 나타내는 바와 같이, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 개질영역(M1)에 따라서 에칭이 진행되어, 개질영역(M1)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 25의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 25의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되며, 그리고 나서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다.
이어서, 도 26의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 (즉, 절단예정라인(5)에 따라서 외부 응력이 인가되어), 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화(절단) 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간(칩 사이 거리가 확보)된다. 그리고, 도 26의 (b)에 나타내는 바와 같이, 칩(26)이 취출되어, 그 후, 예를 들면 플립 칩(flip chip) 본딩으로 실장(實裝)되게 된다.
이상, 본 실시형태의 절단용 가공방법에 의하면, 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)에 개질영역(M1)이 형성된 후, 이 가공대상물(1)에 에칭처리가 시행되는 것으로 개질영역(M1)에 따라서 에칭이 진행되기 때문에, 개질영역(M1)에서의 높은 에칭 레이트(여기서는, 300㎛t/분)를 이용하여 가공대상물(1)을 절단예정라인(5)에 따라서 선택적이고 또한 신속하게 에칭할 수 있다.
그런데, 종래, 절단용 가공방법으로서, 개질영역(M1)이 형성된 가공대상물(1)에 대해서 절단예정라인(5)에 따라서 외부 응력이 인가되어 개질영역(M1)을 기점으로 하여 가공대상물(1)이 절단예정라인(5)에 따라서 절단되는 것이 알려져 있다. 그러나, 이 경우, 칩(26)의 사이즈가 작게(예를 들면 0.5㎜ × 0.5㎜ 이하) 되는 만큼, 칩(26)의 1개소당 작용되는 힘이 작아지기 때문에, 가공대상물(1)에 인장(引張)응력을 인가(테이프 확장 방식)하거나, 굽힘응력을 인가(브레이킹 방식)하거나 하여도, 경우에 따라서는 미(未)분할의 칩이 발생해 버릴 우려가 있다.
한편, 플라스마 에칭법에 의해, 가공대상물(1)을 절단하는 경우가 있지만, 이 경우, 에칭용 마스크 패턴을 형성할 필요가 있다. 또, 예를 들면, 일본국 특개2005-74663호 공보에 기재되어 있는 가공방법도 있지만, 이 경우에서도 에칭처리가 행해지기 전에 마스크 패턴을 형성할 필요가 있다. 따라서, 이러한 경우에서는, 가 공 공정수가 증가하여 택트 타임이 지연됨과 동시에 코스트가 높아지기 때문에, 현실적이지 않다.
또한, 에칭 시간에는 에칭 레이트에 의존한 물리적인 한계가 있는데 대해서, 플라스마 에칭법에서는 가공대상물(1)이 두꺼운 것이면 에칭처리에 긴 시간이 요구되기 때문에, 에칭이 불완전하고 가공대상물(1)을 확실히 절단할 수 없을 우려가 있다.
이들에 대해, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서는, 상술한 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 형성되어 에칭 레이트를 급신장시키는 개질영역(M1)에 따라서 에칭이 진행되기 때문에, 개질영역(M1)에서의 높은 에칭 레이트를 이용하여, 가공대상물(1)을 절단예정라인에 따라서 선택적이고 또한 신속하게 에칭할 수 있다. 따라서, 칩(26)의 사이즈가 작아도 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단할 수 있고, 또한, 가공대상물(1)이 두꺼워도 절단예정라인(5)에 따라서 확실히 에칭할 수 있다.
즉, 본 실시형태의 절단용 가공방법에 의하면, 레이저 가공기술에서 응력의 인가로 절단하는 것이 곤란한 초미소(超微小) 칩의 절단을 용이하게 실시할 수 있다. 또, 신속한 에칭이 가능하기 때문에, 플라스마 에칭법에서 과제가 된 가공대상물(1)의 두께 의존성은 해결할 수 있다. 또한, 별도로 마스크 패턴을 형성할 필요가 없기 때문에, 코스트 및 공정수의 저감이 가능하게 됨과 동시에, 택트 타임을 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 절단면의 개질영역(M1)이 에칭에 의해 대부분 제거되어 버리기 때문에, 절단면이 매우 기려(綺麗)하며 그 후의 공정(다이 본딩 공정이나 패키지 공정 등)에서의 칩핑(chipping)을 줄일 수 있음과 함께, 칩(26)의 항절강도를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)이 다이싱 테이프(16, 22)에 부착되기 때문에, 절단 후의 가공대상물(1)이 뿔뿔이 흩어지게 산란하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 칩(26, 26)이 이간되기 때문에, 후단의 공정에서 칩(26)의 취출을 쉽게 할 수 있다. 이것은 칩 사이즈가 극소가 되면 될수록 그 효과가 현저하게 된다.
여기서, 일반적으로, 유리에 레이저광을 조사하여 변질부(變質部)를 형성한 후에 당해 변질부를 에칭함으로써, 유리에 구멍이나 홈을 형성하는 방법이 있다. 이 경우, 변질부로부터 균열이 발생하는 현상은 생기지 않는 것으로 되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 균열이 발생(균열을 내포)하도록 가공대상물(1)에 개질영역(M1)이 형성되어 있다. 그 때문에, 이 균열이 이용되어 에칭액이 침투되고, 가공대상물(1)의 두께방향(이하, 간단히 「두께방향」이라고 함)으로의 에칭이 진행됨에 더하여, 개질영역(M1)으로부터 도시 좌우방향(두께방향 및 절단예정라인의 방향과 교차하는 방향)으로도 에칭액이 침윤되어 에칭이 진행된다. 즉, 개질영역(M1)의 전역을 에칭의 기점으로 하여 그 진행을 촉진할 수 있어 에칭 속도를 빠르게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 유리에 대한 에칭 기술로서는, 예를 들면, 일본국 특개2006-290630호 공보나, 일본국 특개2004-351494호 공보가 알려져 있다.
또, 상술한 바와 같이, 개질영역(M1)이 가공대상물(1)의 이면(21)(외표면)에 노출되도록 가공대상물(1)에 개질영역(M1)이 형성되어 있다. 즉, 에칭 개시점(開始点)이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 개질영역(M1)으로부터 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있고, 에칭 개시면인 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 개질영역(M1)이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 이면(11b)에 이를 때까지 형성되어 있기 때문에, 가공대상물(1)의 두께방향 전면에 걸쳐 개질영역(M1)이 가지는 높은 에칭 레이트를 이용할 수 있어 절단면 정밀도가 높은 가공이 가능하게 된다.
또, 실리콘 웨이퍼(11)에서의 표면(11a)의 결정면이 (111)면이면, 실리콘 웨이퍼(11)의 두께방향으로 경사지는 방향으로 벽개면을 가지기 때문에, 절단면이 두께방향에 대해서 경사지기 쉬운 것이 일반적이다. 이것에 대해, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)이 절단예정라인(5)에 따라서 선택적으로 에칭되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)의 결정면이 (111)면에서도 절단면이 두께방향으로 평행하게 되도록(두께방향으로 곧바르게) 가공대상물(1)을 절단할 수 있다.
또한, 상기의 설명에서는 2개의 칩(26, 26)으로 절단하는 경우를 예시하여 설명했지만, 복수의 칩으로 절단하는 경우도 이것과 동일하다(이하의 실시형태에서 동일).
[제2 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제2 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 개질영역(M1)이 에칭된 후(도 24 참조), 도 27의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 27의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 27의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져, 도 28의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 도 28의 (b)에 나타내는 바와 같이, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제3 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제3 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되고, 도 29에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M2)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 가공대상물(1)의 표면(3)으로부터 이면(21)에 이르는(표면(3) 및 이면(21)에 노출되는) 개질영역(M2)이 가공대상물(1)에 형성된다.
이어서, 도 30에 나타내는 바와 같이, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 개질영역(M2)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M2)이 선택적으로 에칭되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된다. 이어서, 도 31의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 31의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 31의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 도 32에 나타내는 바와 같이, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)의 확장시키지 않고 칩(26)을 취출하기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제4 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제4 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제3 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설 명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 31의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제3 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후에 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제5 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제5 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제3 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M2)이 에칭된 후(도 29 참조), 도 33의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 33의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 33의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제3 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행된 후에 다이싱 테이프(16)가 확장되고, 또한, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제6 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제6 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제3 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 34에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M3)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M3)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M3)으로부터 두께방향으로 연장해 있는 균열(C1, C2)이 발생된다. 여기서는, 이러한 균열(C1, C2)은 가공대상물(1)의 이면(21) 및 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 각각 도달되어 있지 않다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 35에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 균열(C1), 개질영역(M3) 및 균열(C2)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어, 균열(C1, C2) 및 개질영역(M3)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 36의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 36의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 36의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 두께방향의 상하방향으로 연장해 있는 균열(C1, C2)이 형성되어 있기 때문에, 이러한 균열(C1, C2)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있으며, 따라서, 절단속도를 빠르게 할 수 있다. 또, 풀 컷(full cut) 하지 않기(즉, 가공대상물(1)의 표면(3) 및 이면(21)에 개질영역 또는 균열이 노출되지 않음) 때문에, 다이싱 테이프(16, 22)의 바꾸어 붙임을 용이하게 실시할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질영역(M3) 및 균열(C1, C2)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, Si나 디바이스 표면물질 등이 주변에 비산(飛散)하는 것을 억제할 수 있어 주변 오염을 억제할 수 있다. 또, 이와 같이, 개질영역(M3) 및 균열(C1, C2)이 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, 개질영역(M3)이 형성된 가공대상물(1)에서는 비교적 갈라지기 어렵고, 반송성이 우수하다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M3)의 두께방향에서의 길이를 제어하는 것으로, 측면방향 등의 개질영역 이외의 영역(예를 들면, 영역(31))에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
[제7 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제7 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제6 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C1, C2)을 가지는 개질영역(M3)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 36 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 37에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 균열(C1) 및 개질영역(M3)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 균열(C1) 및 개질영역(M3)이 선택적으로 에칭된다.
또한, 여기서는, 가공대상물(1)의 표면(3)이 이면(21)보다 위쪽에 위치하는 방향으로 가공대상물(1)을 배치하고(다이싱 테이프(16)를 위쪽 측으로 하여), 이 상태로 아래쪽으로부터 위쪽으로 내뿜도록 에칭액을 도포하고 있으며, 이것에 의해, 균열(C2)은 에칭되지 않고 잔존(殘存)되어 있다. 이하의 실시형태에서 균열이 잔존되는 경우, 이와 같은 에칭액의 도포방법이 동일하게 행해진다.
이어서, 도 38의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 38의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 38의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제6 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다.
[제8 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제8 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제6 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C1, C2)을 가지는 개질영역(M3)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 36 참조), 가공대상물(1)의 외주면(41)(도 22 참조) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 39에 나타내는 바와 같이, 균열(C1, C2) 및 개질영역(M3)이 선택적으로 에칭된다. 가공대상물(1)의 외주면(41)은 절단예정라인(5)에 따라서 형성한 개질영역이 외주면(41) 즉 절단예정라인(5)의 단(端)에서 노출되어 있고, 이 노출된 개질영역을 이용하여 에칭을 실시한다.
이어서, 도 40의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 40의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 40의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26) 사이가 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제6 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되어 있다. 즉, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있다. 이것에 의해, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
[제9 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제9 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제6 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C1, C2)을 가지는 개질영역(M3)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 36 참조), 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 41에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M3)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C1, C2)은 에칭되지 않고 잔존되어 있다.
이어서, 도 42의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 42의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 42의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26) 사이가 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제6 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되며, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되어 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
[제10 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제10 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 43에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M4)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M4)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M4)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 노출되는 균열(C3)이 발생된다.
이어서, 가공대상물(1)의 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 44에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 개질영역(M4) 및 균열(C3)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M4) 및 균열(C3)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 45의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 45의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 45의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표 면(11a)에 노출된 균열(C3)이 형성되어 있기 때문에, 이 균열(C3)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있어 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질영역(M4) 및 균열(C3)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, Si나 디바이스 표면물질 등이 주변에 비산하는 것을 억제할 수 있어 주변 오염을 억제할 수 있다. 또, 이와 같이, 개질영역(M4) 및 균열(C3)이 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, 개질영역(M4)이 형성된 가공대상물(1)에서는 비교적 갈라지기 어렵고, 반송성이 우수하다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M4)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 측면방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제11 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제11 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제10 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 45의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26) 사이가 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제12 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제12 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제10 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C3)을 가지는 개질영역(M4)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 43 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 46에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 개질영역(M4)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M4)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C3)은 에칭되지 않고 잔존되고 있다.
이어서, 도 47의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 47의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 47의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과 를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제13 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제13 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제10 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C3)을 가지는 개질영역(M4)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 43 참조), 외주면(41) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 48에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M4) 및 균열(C3)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 49의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 49의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 49의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지 를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제14 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제14 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제13 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 49의 (c) 참조), 도 50의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지(knife edge) 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 그리고, 도 50의 (b)에 나타내는 바와 같이, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지 를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제15 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제15 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제10 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C3)을 가지는 개질영역(M4)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 43 참조), 외주면(41) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 51에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M4)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C3)은 에칭되지 않고 잔존되고 있다. 이어서, 도 52의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 52의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 52의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이 면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제16 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제16 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제15 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 52의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제10 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지 를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제17 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제17 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 53에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M5)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M5)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M5)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 표면(3)에 노출되는 균열(C4)이 발생된다.
이어서, 가공대상물(1)의 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 54에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 영역(M5) 및 균열(C4)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M5) 및 균열(C4)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 55의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 55의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 55의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 균열(C4)이 형성되고 있기 때문에, 이 균열(C4)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있어 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질영역(M5) 및 균열(C4)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, Si나 디바이스 표면물질 등이 주변에 비산하는 것을 억제할 수 있어 주변 오염을 억제할 수 있다. 또, 이와 같이, 개질영역(M5) 및 균열(C4)이 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, 개질영역(M5)이 형성된 가공대상물(1)에서는 비교적 갈라지기 어렵고, 반송성이 우수하다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M5)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 측면방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출 되기 때문에, 택트 업이 가능하게 된다.
[제18 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제18 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제17 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 55의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26) 사이가 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제17 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제19 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제19 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제17 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C4)을 가지는 개질영역(M5)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 53 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 56에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 개질영역(M5)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M5)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C4)은 에칭되지 않고 잔존되고 있다.
이어서, 도 57의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 57의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 57의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제17 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제20 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제20 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 58에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M6)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M6)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M6)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되는 균열(하프 컷(half cut))(C5)이 발생된다.
이어서, 도 59에 나타내는 바와 같이, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 에칭액이 균열(C5), 개질영역(M6)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어, 균열(C5) 및 개질영역(M6)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 60의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 60의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 60의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 상술한 바와 같이 균열(C5)이 형성되고 있기 때문에, 이 균열(C5)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있고, 따라서, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 균열(C5)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 균열(C5)로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M6)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
[제21 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제21 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제20 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 균열(C5) 및 개질영역(M6)이 에칭된 후(도 59 참조), 도 61의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 61의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 61의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제20 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제22 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제22 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한 다. 또한, 상기 제20 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 균열(C5) 및 개질영역(M6)이 에칭된 후(도 59 참조), 도 62의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 62의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 62의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제20 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 다이싱 테이프(16) 및 브레이크 장치(32)에 의해 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제23 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제23 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한 다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 63에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M7)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M7)이 형성된다. 이와 함께, 당해 개질영역(M7)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되는 균열(C5)과 두께방향으로 연장해 있고 또한 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 노출되는 균열(C3)이 발생된다.
이어서, 도 64에 나타내는 바와 같이, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 균열(C5), 개질영역(M7) 및 균열(C3)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 균열(C5, C3) 및 개질영역(M7)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 65의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 65의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 65의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 균열(C5, C3)이 형성되고 있기 때문에, 이러한 균열(C5, C3)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있고, 따라서, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 균열(C5)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 균열(C5)로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M7)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 저감하는 것이 가능하게 된다.
[제24 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제24 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제23 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 균열(C5) 및 개질영역(M7)이 에칭된 후(도 64 참조), 도 66의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 66의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 66의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제23 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제25 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제25 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 67에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M8)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(두께방향에서의 대략 중앙)에 개질영역(M8)이 형성된다. 이와 함께, 당해 개질영역(M8)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되는 균열(C5)과, 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 표면(3)에 노출되는 균열(C4)이 발생된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 68에 나타내는 바와 같이, 균열(C5), 개질영역(M8) 및 균열(C4)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어, 개질영역(M8) 및 균열(C4, C5)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 69의 (a)에 나타내 는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 69의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 69의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 상술한 바와 같이 균열(C4, C5)이 형성되고 있기 때문에, 이러한 균열(C4, C5)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있고, 따라서, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 균열(C5)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 균열(C5)로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M8)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리를 시행함으로써 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 최종적으로 소편화 할 수 있다. 따라서, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제26 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제26 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제25 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 69의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제25 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리를 시행함으로써 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제27 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제27 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제25 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 균열(C5, C4) 및 개질영역(M8)이 에칭된 후(도 68 참조), 도 70의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 70의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상 물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 70의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제25 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제28 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제28 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제25 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C4, C5)을 가지는 개질영역(M8)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 67 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 71에 나타내는 바와 같이, 균열(C5) 및 개질영역(M8)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 이들이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C4)은 에칭되지 않고 잔존되고 있다. 이어서, 도 72의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 72의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 72의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제25 실시형태와 동일한 효과 를 나타낸다.
[제29 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제29 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제28 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 72의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제25 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제30 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제30 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제28 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 에칭처리가 시행되어 균열(C5) 및 개질영역(M8)이 에칭된 후(도 71 참조), 도 73의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 73의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 73의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제25 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제31 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제31 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 74에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M9)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(이면(21) 근방)에서 표면(11a)에 이르는(표면(11a)에 노출되는) 개질영역(M9)이 가공대상물(1)에 형성된다.
이어서, 가공대상물(1)의 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 75에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된 다. 그리고, 개질영역(M9)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M9)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 76의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 76의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 76의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질영역(M9)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, Si나 디바이스 표면물질 등이 주변에 비산하는 것을 억제할 수 있어 주변 오염을 억제할 수 있다. 또, 이와 같이, 개질영역(M9)이 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, 개질영역(M9)이 형성된 가공대상물(1)에서는 비교적 갈라지기 어렵고, 반송성이 우수하다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M9)에서 가공대상물(1)의 두께방향의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 저감하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다. 또, 풀 컷 하지 않기 때문에, 다이싱 테이프(16, 22)의 바꾸어 붙임을 용이하게 실시할 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)와 같이, 그 표면(11a)이 (111)면 등이고, 두께방향으로 경사지는 방향으로 벽개면을 가지는 경우에는, 본 실시형태는 특히 유효하다.
[제32 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제32 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제31 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 76의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제31 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제33 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제33 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제31 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M9)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 74 참조), 외주면(41) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 77에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M9)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 78의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 78의 (b)에 나타내는 바 와 같이, 상하 반전되고, 도 78의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제31 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제34 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제34 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제33 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 78의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상 물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제31 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제35 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제35 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 79에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M10)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(이면(21) 근방)로부터 가공대 상물(1)의 표면(3)에 이르는(표면(3)에 노출되는) 개질영역(M10)이 가공대상물(1)에 형성된다.
이어서, 가공대상물(1)의 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 80에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 개질영역(M10)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M10)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 81의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭된 후의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 81의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 81의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질영역(M10)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, Si나 디바이스 표면물질 등이 주변에 비산하는 것을 억제할 수 있어 주변 오염을 억제할 수 있다. 또, 이와 같이, 개질영역(M10)이 이면(21)에 노출되지 않기 때문에, 개질영역(M10)이 형성된 가공대상물(1)에서는 비교적 갈라지기 어렵고, 반송성이 우수하다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M10)에서 가공대상물(1)의 두께방향의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다. 또, 풀 컷 하지 않기 때문에, 다이싱 테이프(16, 22)의 바꾸어 붙임을 용이하게 실시할 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)와 같이, 그 표면(11a)이 (111)면 등이고, 두께방향으로 경사지는 방향으로 벽개면을 가지는 경우에는, 본 실시형태는 특히 유효하다.
[제36 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제36 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제35 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 81의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제35 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제37 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제37 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제35 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M10)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 79 참조), 외주면(41) 측으로부터 에칭액이 도포되어, 도 82에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M10)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 83의 (a)에 나타내는 바와 같이, 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 83의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 83의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제35 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제38 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제38 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제37 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설 명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 83의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제35 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공대상물(1)의 외주면(41) 측으로부터 에칭처리가 시행되고, 에칭처리의 개시점이 제어되어 가공대상물의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투되고 있기 때문에, 가공대상물(1)의 이면(21) 측이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제39 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제39 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 84에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M11)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부(표면(11a) 근방)로부터 가공대상물(1)의 이면(21)에 이르는(이면(21)에 노출되는) 개질영역(M11)이 가공대상물(1)에 형성된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 85에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M11)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M11)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 86의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 86의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 86의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 상술한 바와 같이, 개질영역(M11)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 개질영역(M11)으로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M11)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)와 같이, 그 표면(11a)이 (111)면 등이고, 두께방향으로 경사지는 방향으로 벽개면을 가지는 경우에는, 본 실시형태는 특히 유효하다.
[제40 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제40 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제39 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M11)이 에칭된 후(도 85 참조), 도 87의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 87의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 87의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제39 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제41 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제41 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제39 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M11)이 에칭된 후(도 85 참조), 도 88의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장됨과 동시에, 나이프 엣지 등의 브레이크 장치(32)가 다이싱 테이프(22)의 아래쪽으로부터 가공대상물(1)의 절단예정라인(5)에 따라서 눌러진다. 이것에 의해, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 88의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 88의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제39 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16) 및 브레이크 장치(32)에 의해 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 브레이크 장치(32)가 눌러져 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제42 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제42 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는, 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 89에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M12)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 표면(11a)에 이르는(표면(11a)에 노출되는) 개질영역(M12)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M12)으로부터, 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되는 균열(C5)이 발생된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 90에 나타내는 바와 같이, 균열(C5) 및 개질영역(M12)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어, 균열(C5) 및 개질영역(M12)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 91의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 91의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전되고, 도 91의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과 를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 균열(C5)이 형성되고 있기 때문에, 이러한 균열(C5)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있고, 따라서, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 균열(C5)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 균열(C5)로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M12)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
[제43 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제43 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제42 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C5) 및 개질영역(M12)이 에칭된 후(도 90 참조), 도 92의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되고, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 92의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 92의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어 서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제42 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제44 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제44 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 93에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M13)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부로부터 가공대상물(1)의 표면(3)에 이르는(표면(3)에 노출되는) 개질영역(M13)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M13)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되는 균열(C5)이 발생된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 94에 나타내는 바와 같이, 균열(C5) 및 개질영역(M13)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 균열(C5) 및 개 질영역(M13)이 선택적으로 에칭되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된다. 이어서, 도 95의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 95의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 95의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 도 32에 나타내는 바와 같이, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리를 시행함으로써 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 최종적으로 소편화 할 수 있다. 따라서, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제45 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제45 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제44 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 95의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제44 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제46 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제46 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제44 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M13) 및 균열(C5)이 에칭된 후(도 94 참조), 도 96의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되고, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 96의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 96의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제44 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행된 후에, 다이싱 테이프(16)가 확장되며, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 한층 확실히 소편화 할 수 있다.
[제47 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제47 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테 이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 97에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 개질영역(M14)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 가공대상물(1)의 내부에서 이면(21)에 이르는(이면(21)에 노출되는) 개질영역(M14)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M14)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 노출되는 균열(C3)이 발생된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 98에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M14) 및 균열(C3)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M14) 및 균열(C3)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 99의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 99의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 99의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 이어서, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이 균열(C3)이 형성되고 있기 때문에, 이 균열(C3)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있어 따르고, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 개질영역(M14)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되 어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 개질영역(M14)으로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M14)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제48 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제48 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제47 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M14) 및 균열(C3)이 에칭된 후(도 98 참조), 도 100의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 100의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 100의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제47 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제49 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제49 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제47 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M14) 및 균열(C3)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 97 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 101에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M14)에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M14)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C3)은 에칭되지 않고 잔존되고 있다. 이어서, 도 102의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 102의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 102의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제47 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제50 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제50 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제49 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 102의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제47 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제51 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제51 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제1 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 103 에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 균열(C4)을 가지는 개질영역(M15)이 가공대상물(1)에 형성된다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부로부터 가공대상물의 이면(21)에 이르는(이면(21)에 노출되는) 개질영역(M15)이 형성됨과 동시에, 당해 개질영역(M15)으로부터 두께방향으로 연장해 있고 또한 가공대상물(1)의 표면(3)에 노출되는 균열(C4)이 발생된다.
이어서, 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 104에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M15) 및 균열(C4)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어 개질영역(M15) 및 균열(C4)이 선택적으로 에칭된다. 이어서, 도 105의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 105의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 105의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 균열(C4)이 형성되어 있기 때문에, 이 균열(C4)을 이용하여 에칭액을 침윤시켜 가공대상물을 절단할 수 있고, 따라서, 절단 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 개질영역(M15)이 가공대상물(1)의 이면(21)에 노출되어 있다, 즉, 에칭 개시점이 노출되어 있다. 그 때문에, 이 노출되는 개질영역(M15)으로부터 가공대상물(1)의 내부에 에칭액이 적극적으로 침투된다. 따라서, 가공대상물(1)의 이면(21)이 에칭되는 것을 억제할 수 있어 가공대상물(1)의 이면(21)으로의 데미지를 억제할 수 있음과 동시에, 에칭 속도를 빠르게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 형성되는 개질영역(M15)의 두께방향에서의 길이를 제어함으로써, 도시 좌우방향 등의 개질영역 이외의 영역에서의 에칭량을 제어하는 것이 가능하게 된다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 테이프(16)를 확장시키지 않고 칩(26)이 취출되기 때문에, 택트 업이 가능하게 됨과 동시에, 외부 응력을 인가할 수 없는 극소 칩도 가공할 수 있다.
[제52 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제52 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제51 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 105의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제51 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 시행될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제53 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제53 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한 다. 또한, 상기 제51 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M15) 및 균열(C4)이 에칭된 후(도 104 참조), 도 106의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 106의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 106의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제51 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제54 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제54 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제51 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 균열(C4)을 가지는 개질영역(M15)이 가공대상물(1)에 형성된 후(도 103 참조), 이면(21) 측으로부터 에칭액이 도포되고, 도 107에 나타내는 바와 같이, 개질영역(M15)에 따라서 에칭이 진행되어 개질 영역(M15)이 선택적으로 에칭된다. 또한, 여기서는, 균열(C4)은 에칭되지 않고 잔존되어 있다. 이어서, 도 108의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 108의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 도 108의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 벗겨지며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제51 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다.
[제55 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제55 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제54 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 다이싱 테이프(16)가 벗겨진 후(도 108의 (c) 참조), 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제51 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 에칭처리가 될 뿐만 아니라, 다이싱 테이프(22)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제56 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제56 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제54 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 개질영역(M15)이 에칭된 후(도 107 참조), 도 109의 (a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(16)가 확장되어, 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간된다. 이어서, 도 109의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어, 도 109의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상하 반전된다. 이어서, 다이싱 테이프(16)가 벗겨져 다이싱 테이프(22)가 확장되며, 그리고 나서, 칩(26)이 취출된다.
이 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제51 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 또, 본 실시형태에서는 다이싱 테이프(16)가 확장되어 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 된 후, 더욱, 다이싱 테이프(22)가 확장되기 때문에, 가공대상물(1)을 칩(26, 26)으로 확실히 소편화 할 수 있다.
[제57 실시형태]
다음으로, 본 발명의 제57 실시형태에 관한 절단용 가공방법에 대해 설명한다. 또한, 상기 제6 실시형태와 동일한 설명은 생략하고, 다른 점에 대해 주로 설명한다.
본 실시형태의 절단용 가공방법에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)가 부착되어 재치대에 실어 놓인 후(도 23의 (a) 참조), 가공대상물(1)의 이면(21)으로부터 가공대상물(1)에 집광점을 맞추어 레이저광이 조사되어, 도 119의 (a)에 나타내는 바와 같이, 절단예정라인(5)에 따라서 두께방향으로 복수의 개질영역(여기서는, 개질영역(M3, M16))이 가공대상물(1)에 형성된다.
구체적으로는, 가공대상물(1)의 내부에서 개질영역(M3)이 형성됨과 동시에, 이 개질영역(M3)의 디바이스면(3) 측에 병설(竝設)되도록 개질영역(M16)이 형성된다. 그리고, 두께방향으로 연장해 있는 균열(C1, C2)이 개질영역(M3)으로부터 발생됨과 동시에, 두께방향으로 연장해 있는 균열(C6, C7)이 개질영역(M16)으로부터 발생된다. 또한, 여기서의 균열(C2, C6)은 서로 연결되어 있다.
이어서, 도 119의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭액에 대해 내성이 있는 예를 들면 Sin으로 이루어진 마스크(35)가 이면(21)에 장착된다. 이 마스크(35)에는 에칭 폭에 대응하는 개구 면적의 개구(33)가 형성되어 있다.
이어서, 마스크(35)의 개구(33)를 통하여 가공대상물(1)의 이면(21)에 에칭액이 도포되고, 가공대상물(1)의 이면(21) 측의 영역(31)이 에칭되어 제거된다. 그리고, 균열(C1), 개질영역(M3) 및 균열(C2)의 순서에 따라서 에칭이 진행되어, 균열(C1, C2) 및 개질영역(M3)이 선택적으로 에칭된다. 이 때, 에칭 시간을 제어하여, 가공대상물(1)을 세정 등을 함으로써, 디바이스면(3)에 에칭이 도달하지 않고 또한 개질영역(M16)이 잔존하도록 에칭의 진행을 정지시킨다.
이어서, 마스크(35)가 벗겨져 이면(21)에 다이싱 테이프(22)가 전사되어 상하 반전됨과 동시에, 다이싱 테이프(16)가 벗겨진다. 그리고, 도 119의 (c)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(22)가 확장됨으로써, 개질영역(M16)을 절단의 기점 으로 하여(즉, 개질영역(M16)을 절단의 기점이 되는 절단용 개질영역(16)으로 하여), 가공대상물(1)이 칩(26, 26)으로 소편화 됨과 동시에 칩(26, 26)이 이간되게 된다. 또한, 마스크(35)는 필요에 따라서 벗기면 되고, 마스크(35)를 남긴 채로 칩으로 소편화 해도 된다.
이상, 본 실시형태의 절단용 가공방법에서도 상기 제6 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다. 특히 본 실시형태에서는, 디바이스면(3)에 도달하지 않도록 가공대상물(1)이 에칭되기 때문에, 에칭액에 의한 디바이스(15)로의 악영향을 저감할 수 있어, 품질이 좋은 칩(26)을 얻는 것이 가능하게 된다.
여기서, 이와 같이 디바이스면(3)에 도달하지 않도록 에칭된 경우(즉, 에칭으로 가공대상물(1)이 완전하게 절단되지 않는 경우)에서는, 통상, 에칭으로 제거된 영역(31)의 선단부(31a)로부터 균열을 발생시켜 절단한다. 그러나, 이 경우, 선단부(31a)로부터 발생하는 균열의 진전(進展)방향을 제어하는 것은 곤란하기 때문에, 가공대상물(1)을 정밀도 좋게 절단할 수 없는 것이 있다.
이 점, 본 실시형태에서는 두께방향에 따라서 늘어선 개질영역(M3, M16)이 가공대상물(1)의 내부에 형성됨과 동시에, 절단용 개질영역(M16)을 남기도록 에칭처리가 시행되어 있다. 따라서, 디바이스면(3)에 도달하지 않도록 에칭한 경우에서도 절단용 개질영역(16)을 절단의 기점으로 하여 가공대상물(1)이 절단되기 때문에, 가공대상물(1)을 용이하고 또한 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 에칭액에 의한 디바이스(15)로의 악영향을 저감하여 품질이 좋은 칩(26)을 얻을 수 있음과 동시에, 가공대상물(1)을 용이하고 또한 정 밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 디바이스(15)에 따라서는 절단에 이를 때까지 가공대상물(1)을 완전하게 에칭하면, 디바이스(15)와 실리콘 웨이퍼(11)와의 계면에서 에칭액이 악영향을 미치기도 한다. 이것에 대해, 본 실시형태에서는 디바이스면(3)에 도달하지 않도록 가공대상물(1)이 에칭되기 때문에, 이러한 계면으로의 악영향도 저감할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 마스크(35)의 개구(33)를 통하여 가공대상물(1)의 이면(21)을 에칭액에 노출시키고 있다. 이것에 의해, 이면(21)이 에칭됨으로써 에칭 깊이(이면(21)으로부터 영역(31)의 선단부(31a)까지의 거리)에 불균형이 생겨 버린다고 하는 것을 억제하여 에칭 깊이의 균일성을 높일 수 있다. 그 결과, 가공대상물(1)을 안정적(安定的)으로 절단할 수 있어, 한층 품질이 좋은 칩(26)을 얻는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서는 균열(C6, C7)을 개질영역(M16)으로부터 발생시켰지만, 균열(C6, C7) 중 어느 한쪽만을 발생시켜도 된다. 또한, 도 120에 나타내는 바와 같이, 균열(C6, C7)의 쌍방을 발생시키지 않는 경우도 있다. 균열(C6)을 발생시키지 않는 경우, 절단용 개질영역(M16)의 이면(21) 측에 존재하는 비개질영역(N)은 그 에칭 레이트가 개질영역의 에칭 레이트보다 낮기 때문에, 에칭의 진행을 늦추는 에칭 스토퍼로서 기능한다. 또, 이 경우에는 균열(C6)(도 119 참조)을 통하여 에칭액이 절단용 개질영역(M16)에 침투한다고 하는 것도 없다. 따라서, 균열(C6)을 발생시키지 않는 경우, 개질영역(M16)이 잔존하도록 에칭의 진행을 정지시키는 것이 용이하게 실시 가능하게 된다.
덧붙여서, 본 실시형태에서는 개질영역(M3)을 형성해 당해 개질영역(M3)을 에칭했지만, 에칭되는 개질영역은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 디바이스면(3)에 도달하지 않도록 가공대상물(1)이 에칭되면, 에칭되는 개질영역은 여러 가지의 것이어도 된다.
또, 본 실시형태에서는 두께방향으로 병설되도록 개질영역(M3, M16)을 형성하고, 절단용 개질영역(M16)이 잔존하도록 에칭처리를 시행했지만, 두께방향으로 3개 이상의 개질영역을 형성하고, 이러한 개질영역 중 적어도 1개가 절단용 개질영역으로서 잔존하도록 에칭처리를 시행하면 된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)를 부착하고, 이면(21) 측을 위쪽에 하여 가공대상물(1)을 재치대에 실어 놓으며, 이면(21) 측으로부터 레이저광을 조사(이면 입사)했지만, 이하의 경우도 있다. 즉, 도 110의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다이싱 테이프(16)를 부착하고, 표면(3) 측을 위쪽에 하여 재치대에 실어 놓으며, 표면(3) 측(도시 위쪽 측)으로부터 레이저광을 조사(표면 입사)해도 된다.
또, 도 110의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 표면(3)에 다이싱 테이프(16)를 부착하고, 표면(3) 측(다이싱 테이프(16) 측)을 위쪽에 하여 재치대에 실어 놓으며, 표면(3) 측으로부터 레이저광을 다이싱 테이프(16) 넘어로 조사해도 된다. 또, 도 110의 (c)에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(21)에 다 이싱 테이프(16)를 부착하고, 이면(21) 측을 위쪽에 하여 재치대에 실어 놓으며, 이면(21) 측으로부터 레이저광을 다이싱 테이프(16) 넘어로 조사해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는 기능소자(15)를 에칭액으로부터 보호하기 위해서 바람직한 것으로서, 보호막(25)을 구비하였지만, 기능소자(15)의 보호가 그다지 필요없는 경우에는 이 보호막은 없어도 된다.
또, 상기 실시형태에서는 개질영역을 가공대상물(1)의 에칭된 절단면이 두께방향과 평행하게 되도록 형성했지만, 예를 들면 레이저광의 레이저 조건이나 개질영역을 형성하는 위치 등을 조정하여, 이러한 절단면이 소정의 면형상이 되도록 형성해도 된다. 이 경우, 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성함으로써, 개질영역에서의 높은 에칭 레이트를 이용하여, 가공대상물의 에칭된 절단면을 V자나 반원형 등의 소망의 면형상으로 할 수 있으며, 따라서, 예를 들면 가공대상물의 항절강도를 소망으로 설정할 수 있다. 예를 들면, 절단면에서 두께방향의 중앙 부분이 특히 에칭되도록 개질영역을 형성하면, 측방으로부터 절단예정라인에 따른 방향으로 보아, 두께방향의 중앙이 움푹 패인 오목한 상태의 절단면을 얻을 수 있다. 이 경우, 칩의 항절강도가 향상된다.
또, 예를 들면, 절단면에서 두께방향의 단부가 특히 에칭되도록 개질영역을 형성하면, 측방으로부터 절단예정라인에 따른 방향으로 보아, 두께방향의 단부를 절단하기 시작한 것 같은 절단면을 얻을 수 있다. 이 경우, 모따기 등의 후처리를 별도로 실시하는 것이 불필요하게 된다.
[실시예]
이하, 실시예를 설명한다.
(실시예 1)
두께 300㎛, 저항값 1Ω·㎝ 이상의 실리콘 베어(bare) 웨이퍼(표면 : 거울, 이면 : BG)를 준비하고, 이 실리콘 베어 웨이퍼의 이면에 PET기재(基材) 테이프(UV타입)를 부착하여 표면 측으로부터 레이저광을 조사하며, 각 절단예정라인에 따라서 개질영역을 두께방향으로 7열 형성했다(7 scan). 이 때, 실리콘 베어 웨이퍼의 표면에는 하프 컷을 형성(균열이 표면에 노출)했다. 그리고, 이 실리콘 베어 웨이퍼에 에칭처리를 시행하여 가공대상물을 복수의 칩으로 소편화(분단) 했다. 에칭액에는 온도 약 70℃, 농도 32wt％의 KOH를 이용하여 에칭 시간을 약 10분으로 했다.
이 결과, 도 111의 (a) 및 도 112의 (a)에 나타내는 바와 같이, 분단율 100％으로 복수의 칩으로 소편화(분단) 되었다. 또, 도 111의 (b) 및 도 112의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭 폭(인접하는 칩의 간격)은 표면 측의 에칭 폭(L1)이 20㎛(16㎛ ~ 20㎛), 이면 측의 에칭 폭(L2)이 12㎛가 되었다. 또, 칩핑도 볼 수 없었다(치핑 없음). 이것에 의해, 가공대상물(1)을 절단예정라인(5)에 따라서 확실히 절단한다고 하는 상기 효과를 확인할 수 있었다.
도 113에 나타내는 바와 같이, 절단면의 요철이 최대 4㎛가 되고, 또, 개질영역은 완전하게 에칭되어 제거되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, 개질영역에 잔존하는 Si편(片) 등도 모두 제거되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 여기서, 절단면에서 이면 측의 단부가 표면 측의 단부에 대해, 4㎛(도면 중의 L3)만 볼록하게 되어 있고, 절단면이 가는 V홈 상태로 되어 있지만, 이것은 표면 측(도면 중의 위 쪽 측)으로부터 화살표 Q방향 에칭이 진행된 것을 나타내고 있다.
(실시예 2)
다음으로, 유지도구의 에칭액에 대한 내성을 유지도구의 재질마다 평가했다. 구체적으로는, 각 유지도구가 부착된 가공대상물을 KOH에 소정 시간 침지하고, 유지도구 상태를 관찰하여 평가했다. 에칭액의 농도를 32wt％로 했다. 그 결과를 도 114 ~ 도 118에 나타낸다.
도 114는 폴리올레핀으로 이루어진 유지도구에서의 에칭액에 침지한 후 상태를 나타내는 사진도, 도 115는 폴리올레핀으로 이루어진 유지도구의 에칭액에 대한 내성의 평가결과를 나타내는 도표, 도 116은 PET로 이루어진 유지도구의 에칭액에 대한 내성의 평가결과를 나타내는 도표이다. 도 114 및 도 115에 나타내는 바와 같이, 폴리올레핀으로 이루어진 유지도구에서는 물결침(유지도구가 물결친 것 같은 상태)와 벗겨짐(유지도구의 주연부(周緣部)가 가공대상물로부터 벗겨져 버린 상태)은 발생했지만, 주연부 이외의 영역에서는 충분히 사용 가능하다. 도 114에 나타내는 바와 같이, 벗겨짐은 하나의 단부(도면 중의 아래쪽 단부)에서 많이 생기고 있고, 이것에 의해, 재질의 열변형이 이방성의 특성을 가지는 것을 알 수 있다. 또한, 도 116에 나타내는 바와 같이, PET로 이루어진 유지도구에서는 30초까지의 에칭의 내성은 양호하다. 이상으로부터, 유지도구에서의 에칭액의 온도 및 에칭 시간의 사용범위를 확인할 수 있었다. 또한, EVA재로 이루어진 유지도구에서는 에칭액의 온도 67℃, 에칭 시간 30초에서 NG가 되었다.
도 117은 상온의 에칭액에 대한 유지도구의 내성의 평가결과를 나타내는 도 표, 도 118은 에칭액에 대한 유지도구의 내성의 평가결과를 에칭액의 온도마다 나타내는 도표이다. 도 117에 나타내는 바와 같이, 상온에서는 어느 재질의 유지도구(테이프)에서 변화를 보지 못하고(물결침 및 벗겨짐 「○」), 어느 재질에서도 유지도구에 적절하고 있다(판정 「○」). 유지도구의 접착성은 충분히 확보할 수 있고, 또, 에칭처리 후의 실리콘 표면의 친수성(親水性)을 확인할 수 있었다. 또, 도 118에 나타내는 바와 같이, 유지도구로서는 폴리올레핀의 다이싱 테이프 및 PET의 BG 테이프가 바람직한 것을 확인할 수 있었다.
본 발명에 의하면, 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 확실히 절단하는 것이 가능하게 된다.

Claims (49)

  1. 판상(板狀)의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 대상물 가공방법으로서,
    상기 가공대상물에 집광점(集光点)을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물에 개질(改質)영역을 형성하는 공정과,
    상기 가공대상물에 상기 개질영역을 형성한 후, 상기 개질영역의 에칭 레이트(rate)가 비(非)개질영역의 에칭 레이트보다 높은 에칭재(材)를 이용하여 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 형성된 상기 개질영역을 에칭하는 공정을 포함하고,
    상기 개질영역 또는 상기 개질영역으로부터 발생한 균열이 상기 가공대상물의 외표면에 노출되지 않도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하며,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 가공대상물을 유지하는 유지수단에 상기 가공대상물을 부착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 가공대상물에 상기 에칭처리를 시행한 후, 상기 유지수단을 확장하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  7. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 가공대상물의 에칭된 절단면이 소정의 면형상이 되도록 상기 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  8. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 개질영역으로부터 균열이 발생하도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  9. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 가공대상물의 주면(主面)의 결정면은 (111)면인 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  10. 판상의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 대상물 가공방법으로서,
    상기 가공대상물에 집광점을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 공정과,
    상기 가공대상물에 상기 개질영역을 형성한 후, 상기 개질영역의 에칭 레이트가 비개질영역의 에칭 레이트보다 높은 에칭재를 이용하여 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 형성된 상기 개질영역을 에칭하는 공정을 포함하고,
    상기 개질영역을 형성하는 공정에서는 상기 가공대상물의 두께방향으로 복수의 상기 개질영역을 형성하며,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 복수의 상기 개질영역 중 적어도 1개가 절단의 기점(基点)이 되는 절단용 개질영역으로서 잔존하도록 상기 에칭처리를 시행하고, 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  12. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 가공대상물을 유지하는 유지수단에 상기 가공대상물을 부착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 가공대상물에 상기 에칭처리를 시행한 후, 상기 유지수단을 확장하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  14. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  16. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 가공대상물의 에칭된 절단면이 소정의 면형상이 되도록 상기 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  17. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 개질영역으로부터 균열이 발생하도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  18. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 개질영역 또는 상기 개질영역으로부터 발생하는 균열이 상기 가공대상물의 외표면에 노출되도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  19. 청구항 10 또는 11에 있어서,
    상기 가공대상물의 주면(主面)의 결정면은 (111)면인 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  20. 판상의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 대상물 가공방법으로서,
    상기 가공대상물에 집광점을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 공정과,
    상기 가공대상물에 상기 개질영역을 형성한 후, 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 상기 개질영역에 내포되는 균열로 에칭재를 침윤시켜, 상기 절단예정라인에 따라서 형성된 상기 개질영역을 에칭하는 공정을 포함하고,
    상기 개질영역 또는 상기 개질영역으로부터 발생한 균열이 상기 가공대상물의 외표면에 노출되지 않도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  22. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 가공대상물을 유지하는 유지수단에 상기 가공대상물을 부착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 가공대상물에 상기 에칭처리를 시행한 후, 상기 유지수단을 확장하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  24. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  25. 청구항 22에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  26. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 가공대상물의 에칭된 절단면이 소정의 면형상이 되도록 상기 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  27. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 개질영역으로부터 균열이 발생하도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  28. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 개질영역 또는 상기 개질영역으로부터 발생하는 균열이 상기 가공대상물의 외표면에 노출되도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  29. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 가공대상물의 주면(主面)의 결정면은 (111)면인 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  30. 청구항 20 또는 21에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  31. 청구항 22에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  32. 청구항 23에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  33. 청구항 24에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  34. 청구항 25에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  35. 판상의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 대상물 가공방법으로서,
    상기 가공대상물에 집광점을 맞추어 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 공정과,
    상기 가공대상물에 상기 개질영역을 형성한 후, 에칭처리를 시행하는 것에 의해, 상기 개질영역에 내포되는 균열로 에칭재를 침윤시켜, 상기 절단예정라인에 따라서 형성된 상기 개질영역을 에칭하는 공정을 포함하며,
    상기 개질영역을 형성하는 공정에서는 상기 가공대상물의 두께방향으로 복수의 상기 개질영역을 형성하고,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 복수의 상기 개질영역 중 적어도 1개가 절단의 기점이 되는 절단용 개질영역으로서 잔존하도록 상기 에칭처리를 시행하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  36. 청구항 35에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  37. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 가공대상물을 유지하는 유지수단에 상기 가공대상물을 부착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  38. 청구항 37에 있어서,
    상기 가공대상물에 상기 에칭처리를 시행한 후, 상기 유지수단을 확장하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  39. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  40. 청구항 37에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 것에 의해, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  41. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 가공대상물의 에칭된 절단면이 소정의 면형상이 되도록 상기 가공대상물의 소정의 위치에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  42. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 개질영역으로부터 균열이 발생하도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  43. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 개질영역 또는 상기 개질영역으로부터 발생하는 균열이 상기 가공대상물의 외표면에 노출되도록 상기 가공대상물에 개질영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  44. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 가공대상물의 주면(主面)의 결정면은 (111)면인 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  45. 청구항 35 또는 36에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  46. 청구항 37에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  47. 청구항 38에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  48. 청구항 39에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
  49. 청구항 40에 있어서,
    상기 개질영역을 에칭하는 공정에서는 상기 가공대상물에서 디바이스가 형성된 측의 디바이스면에 도달하지 않도록 상기 가공대상물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 절단용 가공방법.
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