JP6925900B2 - 切断加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態に係る切断加工方法によれば、加工対象物(半導体基板)1に改質領域7が形成された後に、切断予定ライン5に沿って加工対象物(半導体基板)1に溝9が形成される。溝9を形成する工程では、非改質領域のエッチングレートよりも改質領域7のエッチングレートのほうが高いことを利用して、第1のドライエッチング処理が施されることにより、切断予定ライン5に沿って加工対象物(半導体基板)1に溝9が形成される。第1のドライエッチング処理の後に、第1の減圧処理が施されることにより、反応済み滞在反応副生成物が排出される。第1の減圧処理の後に、第2のドライエッチング処理が施されることにより、第1のドライエッチング処理で形成された溝9にエッチングガスが入り込みやすくなる。これにより、第2のドライエッチング処理のエッチング速度を向上させることができる。
Claims (10)
- 板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するための切断加工方法であって、
前記加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に改質領域を形成する工程と、
前記加工対象物に前記改質領域を形成した後に、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に溝を形成する工程とを備え、
前記溝を形成する工程では、
前記加工対象物の表面から裏面に向かって第1のドライエッチング処理が施され、
前記第1のドライエッチング処理の後に、前記加工対象物が前記第1のドライエッチング処理時よりも減圧の雰囲気下に置かれる第1の減圧処理が施され、
前記第1の減圧処理の後に、前記加工対象物の前記表面から前記裏面に向かって第2のドライエッチング処理が施される、切断加工方法。 - 前記溝を形成する工程では、前記溝が前記加工対象物の前記表面から前記裏面に至るように形成されることにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される、請求項1に記載の切断加工方法。
- 前記溝を形成する工程では、
前記第2のドライエッチング処理の後に、前記加工対象物が前記第2のドライエッチング処理時よりも減圧の雰囲気下に置かれる第2の減圧処理が施され、
前記第2の減圧処理の後に、前記加工対象物の前記表面から前記裏面に向かって第3のドライエッチング処理が施される、請求項1または2に記載の切断加工方法。 - 前記溝を形成する工程では、前記第1のドライエッチング処理および前記第2のドライエッチング処理のそれぞれにハロゲン系エッチングガスが用いられる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の切断加工方法。
- 前記ハロゲン系エッチングガスは、それぞれ三フッ化塩素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、フッ素、塩素、臭化水素、四フッ化炭素、八フッ化シクロブタン、三フッ化メタン、三塩化ホウ素の少なくともいずれかを含む、請求項4に記載の切断加工方法。
- 前記加工対象物の材料は、珪素、タングステン、チタン、窒化チタンおよびモリブデンの少なくともいずれかを含み、
前記溝を形成する工程では、前記ハロゲン系エッチングガスとしてプラズマレスの三フッ化塩素ガスが用いられ、10Pa以上90kPa(abs)以下の圧力および上記材料の各フッ化物の沸点以上200℃未満の温度で、前記第1のドライエッチング処理および前記第2のドライエッチング処理が施される、請求項5に記載の切断加工方法。 - 前記加工対象物の材料は、二酸化珪素、窒酸化珪素および窒化珪素の少なくともいずれかを含み、
前記溝を形成する工程では、前記ハロゲン系エッチングガスに無水フッ化水素が添加された状態で前記第1のドライエッチング処理および前記第2のドライエッチング処理が施される、請求項6に記載の切断加工方法。 - 前記加工対象物の材料は、珪素、タングステン、チタン、窒化チタンおよびモリブデン、二酸化珪素、窒酸化珪素および窒化珪素の少なくともいずれかを含み、
前記溝を形成する工程は、エッチングガスとしてプラズマの四フッ化炭素、六フッ化硫黄、三フッ化メタン、フッ化水素、酸素の少なくともいずれかが用いられ、10Pa以上0.8kPa(abs)以下の圧力および200℃未満の温度で、前記第1のドライエッチング処理および前記第2のドライエッチング処理が施される、請求項1に記載の切断加工方法。 - 前記加工対象物の材料は、アルミニウム、珪素、タングステン、チタン、窒化チタンおよびモリブデンの少なくともいずれかを含み、
前記溝を形成する工程は、エッチングガスとしてプラズマの塩素、臭化水素、塩化水素、三塩化ホウ素の少なくともいずれかが用いられ、10Pa以上0.8kPa(abs)以下の圧力および200℃未満の温度で、前記第1のドライエッチング処理および前記第2のドライエッチング処理が施される、請求項1に記載の切断加工方法。 - 前記加工対象物に前記改質領域を形成する工程では、前記表面側の前記改質領域の形成状態と、前記裏面側の前記改質領域の形成状態とが略同一となるように前記改質領域が形成される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の切断加工方法。
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