JP2006040914A - 半導体ウェハの分割方法及び分割装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄化された半導体ウェハの分割において、それぞれの半導体素子を損傷させることなく、高抗折強度を備えさせる。
【解決手段】 複数の半導体素子が形成された第１の表面６ａに保護シート３０が配置され、上記第１の表面６ａの反対側の第２の表面６ｂに上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線３１ｂを画定するマスク３１ａが配置された半導体ウェハ６に対して、上記第２の表面６ｂよりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線３１ｂに沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割方法において、上記プラズマエッチングにおいて、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施し、その後、いずれか他方を実施する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、複数の半導体素子を有する半導体ウェハを分割することで、上記それぞれの半導体素子を個片に分割する半導体ウェハの分割方法及び装置に関する。

従来、この種の半導体ウェハの分割処理、すなわち半導体素子製造プロセスにおけるダイシングとしては様々なものが知られている。例えば、ダイサーと呼ばれるダイヤモンド等を用いた円盤型カッターを用いて、半導体ウェハに形成されたそれぞれの半導体素子を分割位置に沿って機械的に切断することで、それぞれの半導体素子への分割を行う方法がある（例えば、特許文献１参照）。また、このようなダイサーを用いてダイシングを行う方法の他にも、半導体ウェハの分割線に沿ってレーザ光を照射することで分割を行う方法もある（例えば、特許文献２参照）。

特開２００３−１７３９８７号公報 特開２００３−１５１９２４号公報

近年、このような半導体素子が用いられた電子回路を内蔵する電子機器の小型化が進んでおり、このような小型化に伴い電子回路自体の小型化が図られつつある。中でも、半導体素子を薄くする取り組み、すなわち半導体ウェハの薄化が活発に行われており、その厚みが１００μｍ以下の半導体ウェハが用いられるようになっている。

しかしながら、このように薄化された半導体素子は外力に対する強度が弱く、特にウェハ状態の半導体素子を切断して個片毎に分割するダイシングにおいては、切断時にはダメージを受けやすく、加工歩留まりの低下が避けられないという問題点がある。

具体的には、ダイサーが用いられるような場合にあっては、上記切断時にそれぞれの半導体素子における切断端部近傍に残留応力によるダメージ部分が形成されるだけでなく、当該切断の際に半導体ウェハの欠片が発生し、この欠片がそれぞれの半導体素子の表面に飛び散り、当該表面が損傷を受ける場合があるという問題がある。

また、レーザ光が用いられるような場合にあっても、上記欠片の飛散という問題が生じる場合があることに加えて、それぞれの半導体素子が熱的な影響を受けて、熱的に損傷する場合があるという問題もある。

さらに、このような機械的なダイシングにより個片への分割が行われると、それぞれの半導体素子にはエッジ部分が形成されることとなり、このようなエッジ部分の存在は、欠片の発生や破損しやすいという問題をより顕著なものとしている。

従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、薄化された半導体ウェハの分割において、それぞれの半導体素子を損傷させることなく、高抗折強度を備えさせることができる半導体ウェハの分割方法及び分割装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。

本発明の第１態様によれば、複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが配置された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割方法において、
上記プラズマエッチングにおいて、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施し、その後、いずれか他方を実施することを特徴とする半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第２態様によれば、上記等方性エッチングの実施により、上記分割線に接する上記それぞれの半導体素子におけるそれぞれの端部に湾曲凸面部を形成する第１態様に記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第３態様によれば、上記異方性エッチングと上記等方性エッチングとの切り替えは、プラズマ発生用ガスの圧力、ガス組成、高周波出力、又は放電周波数の中の１のパラメータ又は複数のパラメータの組み合わせにより決定される上記異方性エッチング用のプラズマ条件と上記等方性エッチング用のプラズマ条件を、上記プラズマエッチングの際に切り替えることにより行う第１態様又は第２態様に記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第４態様によれば、上記異方性エッチングは、上記分割線の線幅寸法及び上記半導体ウェハの厚み寸法に基づいて決定される処理時間だけ実施され、
上記等方性エッチングは、上記分割線の線幅寸法及び上記湾曲凸面部の形成領域の大きさに基づいて決定される処理時間だけ実施される第１態様から第３態様のいずれか１つに記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第５態様によれば、上記プラズマエッチングにおいて、上記異方性エッチングの実施により、上記第２の表面における上記分割線に相当する部分に対して、上記半導体ウェハの厚み方向を主方向としてエッチングを行い、当該分割線に相当する部分に溝部を形成し、
その後、上記異方性エッチングから上記等方性エッチングに切り替えて、
当該等方性エッチングの実施により、上記半導体ウェハの厚み方向及び当該厚み方向と直行する方向に上記溝部の内側表面をエッチングして、上記湾曲凸面部を形成するとともに、当該溝部の除去を行う第２態様に記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。
本発明の第６態様によれば、上記プラズマエッチングにおいて、上記等方性エッチングの実施により、上記第２の表面における上記分割線に相当する部分に対して、上記半導体ウェハの厚み方向及び当該厚み方向と直行する方向にエッチングを行い、当該分割線に相当する部分に溝部を形成するとともに、上記湾曲凸面部を形成し、
その後、上記等方性エッチングから上記異方性エッチングに切り替えて、
当該異方性エッチングの実施により、上記半導体ウェハの厚み方向を主方向として上記溝部の底面をエッチングして、当該溝部の除去を行う第２態様に記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第７態様によれば、上記溝部の深さ寸法が当該半導体ウェハの厚み寸法の略１／２の寸法に達したときに、上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方から他方への切り替えを行う第５態様又は第６態様に記載の半導体ウェハの分割方法を提供する。

本発明の第８態様によれば、上記第１の表面に上記保護シートが配置され、上記第２の表面に上記マスクが形成された上記半導体ウェハに対して、第１態様から第７態様のいずれか１つに記載の半導体ウェハの分割方法を施して、上記プラズマエッチングにより上記それぞれの半導体素子の分割を行い、
その後、当該半導体ウェハの第２の表面に対してアッシングを施すことにより、上記それぞれのマスクの除去を行い、個片化された上記それぞれの半導体素子を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。

本発明の第９態様によれば、複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが配置された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割装置において、
上記プラズマエッチングが行われる処理室と、
上記処理室内において上記半導体ウェハを上記保護シートを介して保持する保持部を備える第１の電極と、
上記処理室内において上記第１の電極に対して対向配置された第２の電極と、
上記第１の電極に高周波電力を印加する高周波電力印加装置と、
上記処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給装置と、
上記処理室内の圧力を減圧する真空排気装置と、
上記高周波電力印加装置、上記プラズマ発生用ガス供給装置、及び上記真空排気装置を各々の運転条件に基づいて制御して上記第１の電極と上記第２の電極との間にプラズマを発生させ、上記プラズマエッチングにより上記分割線に沿って上記半導体ウェハの分割処理を実行する制御装置とを備え、
上記制御装置は、上記高周波電力印加装置、プラズマ発生用ガス供給装置、又は上記真空排気装置の上記それぞれの運転条件のうちの少なくとも１つの上記運転条件を変更することで上記プラズマエッチングの状態を異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を選択可能であって、当該いずれか一方の状態で上記分割処理を開始し、当該分割処理の途中で上記運転条件の変更を行うことで他方の状態へ切り替えるプロセス制御部を備えることを特徴とする半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１０態様によれば、上記運転条件には、プラズマ発生用ガスのガス組成条件を含み、
上記プラズマ発生用ガス供給装置がプラズマ発生用ガスのガス組成を調整するガス組成調整部を備え、
上記プロセス制御部は、上記ガス組成条件に基づいて上記ガス組成調整部の制御を行い、当該ガス組成条件を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１１態様によれば、上記ガス組成調整部は、
異なる種類の複数のガスを個別に供給する複数のガス供給部と、
上記それぞれのガス供給部から供給されるガスの流量を個別に調整可能な複数のガス流量調整部とを備え、
上記プロセス制御部は、上記ガス組成条件に基づいて、上記それぞれのガス流量調整部を制御して、上記プラズマ発生用ガスのガス組成の変更を行う第１０態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１２態様によれば、上記運転条件には、上記プラズマ発生用ガス供給部から上記処理室内へ供給するプラズマ発生用ガスの供給流量条件を含み、
上記プラズマ発生用ガス供給装置が、プラズマ発生用ガスの供給流量を調整するガス流量調整部を備え、
上記プロセス制御部は、上記プラズマ発生用ガスの供給流量条件に基づいて、上記ガス流量調整部を制御して上記供給流量を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１３態様によれば、上記運転条件には、上記処理室内の圧力条件を含み、
上記プラズマ発生用ガス供給装置が、プラズマ発生用ガスの供給流量を調整するガス流量調整部を備え、
上記プロセス制御部は、上記処理室内の圧力条件に基づいて、上記ガス流量調整部を制御して上記供給流量を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１４態様によれば、上記運転条件には、上記処理室内の圧力条件を含み、
上記プロセス制御部は、上記処理室内の圧力条件に基づいて、上記真空排気装置を制御して上記処理室内の圧力を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１５態様によれば、上記運転条件には、上記高周波電力の周波数条件を含み、
上記プロセス制御部は、上記高周波電力の周波数条件に基づいて、上記高周波電力印加装置を制御して上記周波数を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１６態様によれば、上記半導体ウェハに対する上記プラズマエッチングの処理時間を計測する処理時間計測部をさらに備え、
上記プロセス制御部は、上記処理時間計測部により計測された処理時間に基づいて、上記プラズマエッチングの状態の切り替えを行う第９態様に記載の半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明の第１７態様によれば、複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが形成された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割装置において、
上記半導体ウェハが配置されるとともに、当該半導体ウェハに対してプラズマエッチングが行われる処理室と、
上記処理室内においてプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
運転条件に基づいて上記プラズマ発生装置を制御して上記処理室内にプラズマを発生させ、上記プラズマエッチングにより上記分割線に沿って上記半導体ウェハの分割処理を実行する制御装置とを備え、
上記制御装置は、上記運転条件として、上記プラズマエッチングの状態を異方性エッチングの状態とする異方性エッチング用運転条件と、等方性エッチングの状態とする等方性エッチング用運転条件とを選択可能に有し、いずれか一方の運転条件に基づいて上記プラズマを発生させて上記分割処理を開始し、当該分割処理の途中で他方の上記運転条件を選択して当該他方の運転条件に基づいて上記プラズマを発生させるプロセス制御部を備えることを特徴とする半導体ウェハの分割装置を提供する。

本発明によれば、半導体ウェハの分割のためのプラズマエッチングにおいて、互いにエッチング特性が異なる異方性エッチングと等方性エッチングとのいずれか一方を実施して、その後、いずれか他方を実施することにより、分割されたそれぞれの半導体素子の抗折強度を向上させることができるような加工を、当該分割処理とともに施すことができる。

具体的には、プラズマエッチングにおいて、上記半導体ウェハの表面沿いの方向よりも厚み方向に強いエッチング特性を有する上記異方性エッチングを行うことで、マスクにより画定された分割線に沿って、微細な幅でもって上記厚み方向にエッチングを行うことができ、一方、上記半導体ウェハの表面沿いの方向と厚み方向とに略同様なエッチング特性を有する等方性エッチングを行うことで、上記厚み方向だけでなく上記分割線の幅方向にもエッチングを行うことができる。

このように、特性の異なる２つのエッチングを組み合わせて行うことにより、上記半導体ウェハを上記分割線に沿って分割するとともに、当該分割線に接する上記それぞれの半導体素子におけるそれぞれの端部に湾曲凸面部を形成することができる。このような上記湾曲凸面部が形成されることで、上記それぞれの半導体素子においては角（エッジ）部分が除去されることとなり、構造的な強度を向上させることができ、高い抗折強度を有する半導体素子を提供することができる。

また、このような上記異方性エッチングと上記等方性エッチングとの切り替えは、プラズマ発生用ガスの圧力、ガス組成、高周波出力、又は放電周波数の中の１又は複数のパラメータの組み合わせにより決定される上記異方性エッチング用と上記等方性エッチング用のプラズマ条件（運転条件）を、上記プラズマエッチングの途中において切り換えることで行うことが可能であり、当該エッチング特性の切り替えを容易に行うことができる。

また、このような切り替えのタイミングは、上記それぞれのエッチング特性毎に要求される処理時間に基づいて行うことができるため、例えば、処理時間を計測して所定の時間が経過した時に当該切り替えを行うようにすることで当該切り換えのタイミングの管理（制御）を容易なものとすることができる。

また、半導体ウェハの分割装置において、プラズマエッチングにより半導体ウェハの分割処理を実行する制御装置が、高周波電力印加装置、プラズマ発生用ガス供給装置、又は真空排気装置のそれぞれの運転条件のうちの少なくとも１つの上記運転条件を変更することで上記プラズマエッチングの状態を異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を選択的に実行するプロセス制御部を備えていることにより、当該プロセス制御部にて分割処理の途中で上記運転条件の変更を行うことで、上記異方性エッチングと上記等方性エッチングとを組み合わせたプラズマエッチングを具体的に実現することができる。従って、このような分割処理を行うことで、その端部に湾曲凸面部が形成されて高い抗折強度を有する半導体素子を、上記半導体ウェハの分割処理を行うことで得ることができる半導体ウェハの分割装置を提供することができる。

以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

本発明の一の実施形態にかかる半導体ウェハの分割装置の一例であるプラズマ処理装置１０１の構成を模式的に示す模式構成図を図１に示す。なお、図１は、プラズマ処理装置１０１の縦断面を示す模式構成図である。このプラズマ処理装置１０１は、複数の半導体素子が回路形成面（第１の表面）に形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割することで、それぞれの半導体素子を製造する装置であって、例えば、その厚みが１００μｍ以下というように薄化された半導体素子の製造に用いられる。

また、このような半導体素子の一連の製造工程では、まず半導体ウェハの回路形成面に半導体の主材質であるシリコンよりもプラズマエッチングされにくい材質からなる保護シートが貼り付けられ、回路形成面の反対側表面であるマスク配置側面には、半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割するための切断線（分割線）を画定するマスクが形成される。そしてこの状態の半導体ウェハを対象として本プラズマ処理装置１０１によって、プラズマダイシング及びマスク除去の各工程が行われる。

具体的に、プラズマ処理装置１０１の構成について図１を用いて説明する。

図１のプラズマ処理装置１０１において、真空チャンバ１の内部は上述の半導体ウェハを対象としたプラズマ処理を行う処理室２となっており、減圧下でプラズマを発生させるための密閉空間が形成可能となっている。処理室２内部の下方には下部電極３（第１の電極）が配置されており、下部電極３の上方には上部電極４（第２の電極）が下部電極３に対して対向配置されている。下部電極３と上部電極４とはそれぞれ略円筒形状を有しており、処理室２内において同心配置されている。

下部電極３は、処理室２の底部を埋める形で装着された２つの層である絶縁部材５Ａ、５Ｂに周囲を取り囲まれ、処理室２の底部の中央部に処理対象物を保持する上面が露出されかつ固定された状態で配設されている。下部電極３はアルミニウムなどの導電体によって製作されており、上記処理対象物を保持する円盤状の電極部３ａと、この電極部３ａの下面より下方に突出し、その一端が真空チャンバ１の外部に露出するように形成された円柱状の支持部３ｂとを一体的な状態として備えている。また、この支持部３ｂは絶縁部材５Ｃを介して真空チャンバ１に保持されており、このように保持されることで、下部電極３が電気的に絶縁された状態で真空チャンバ１に装着されている。

上部電極４は、下部電極３と同様にアルミニウムなどの導電体で製作されており、円盤状の電極部４ａと、この電極部４ａの上面より上方に突出し、その一端が真空チャンバ１の外部に露出するように形成された円柱状の支持部４ｂとを一体的な状態として備えている。また、この支持部４ｂは真空チャンバ１と電気的に導通されるとともに、電極昇降装置２４（図７参照）によって昇降可能となっている。この電極昇降装置２４により上部電極４は、その昇降の上端位置であって、下部電極３との間に半導体ウェハの搬出入を行うための大きな空間が形成される位置であるウェハ搬出入位置と、その昇降の下端位置であって、上部電極４と下部電極３との間にプラズマ処理のためのプラズマ放電を発生させる放電空間が形成される位置である放電空間形成位置との間にて昇降されることが可能となっている。なお、電極昇降装置２４は電極間距離変更手段として機能し、上部電極４を昇降させることにより、下部電極３と上部電極４との間の電極間距離Ｄ（図２参照）を変更することができる。

次に、下部電極３の詳細な構造および処理対象の半導体ウェハについて説明する。図１に示すように、下部電極３の電極部３ａの上面は、半導体ウェハ６を載置する平面状の保持面（保持部の一例である）となっており、保持面の外縁部にはその全周渡って絶縁被覆層３ｆが設けられている。この絶縁被覆層３ｆはアルミナなどのセラミックによって形成されており、下部電極３が真空チャンバ１内に装着された状態では、図１に示すように、絶縁被覆層３ｆの外縁部は部分的に絶縁部材５Ａによって覆われる。このような構造を有することにより、下部電極３の外縁部は放電空間内に発生したプラズマから絶縁され、異常放電の発生を防止することが可能とされている。

図２は、プラズマダイシングが開始される前の半導体ウェハ６を下部電極３に載置した状態を示す部分模式断面図である。半導体ウェハ６はシリコンを主材質とする半導体基板であり、半導体ウェハ６の表面（図２の下面側）の回路形成面６ａ（第１の表面）には保護シート３０が貼着されている。半導体ウェハ６を下部電極３の上面である電極部３ａの保持面３ｇの上に載置した状態では、保護シート３０は保持面３ｇに密着することとなる。

保護シート３０は、ポリイミドなどの絶縁体の樹脂を１００μｍ程度の厚みの膜に形成した絶縁層を含んだ構成となっており、粘着材により半導体ウェハ６の回路形成面６ａに剥離可能に貼り付けられる。保護シート３０が貼り付けられた半導体ウェハ６を下部電極３に保持させる際には、後述するようにこの絶縁層が半導体ウェハ６を電極部３ａの保持面３ｇによって静電吸着する際の誘電体として機能する。

また保護シート３０の材質としては、後述のプラズマダイシングにおいて半導体ウェハ６の主材質であるシリコンよりもエッチングされにくい材質が選定されることが好ましい。このようにすることで、プラズマダイシングの過程でプラズマによるエッチングレート分布が均一でなく、半導体ウェハのエッチングレートに部分的なばらつきが生じる場合が生じても、保護シート３０がエッチングストップ層として機能するようになっている。

また、回路形成面６ａの反対側（図２において上側）の表面には、後述するプラズマダイシングにおける切断線（分割線）を画定するマスクが配置されるマスク配置面６ｂ（第２の表面）となっている。このマスクは、後述するようにマスク配置面６ｂとなる側の表面を例えば機械加工によって研削した後に、レジスト膜３１ａでパターニングすることにより形成され、これによりプラズマエッチングの対象となる切断線３１ｂの部分を除く領域がレジスト膜３１ａで覆われる。すなわち、半導体ウェハ６における個々の半導体素子のマスク配置面６ｂがレジスト膜３１ａにて覆われる。

また、図２に示すように、下部電極３には保持面３ｇに開口する吸着孔３ｅが複数設けられており、吸着孔３ｅは下部電極３の内部に設けられた吸引孔３ｃに連通している。吸引孔３ｃは図１に示すように、ガスライン切換バルブ１１を介して真空吸着ポンプ１２に接続されており、ガスライン切換バルブ１１はＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給部１３に接続されている。ガスライン切換バルブ１１を切り換えることにより、吸引孔３ｃを、真空吸着ポンプ１２またはＮ_２ガス供給部１３に選択的に接続させることが可能となっている。

具体的には、ガスライン切換バルブ１１により真空吸着ポンプ１２が選択されて、吸引孔３ｃが真空吸着ポンプ１２と連通された状態において真空吸着ポンプ１２を駆動することにより、それぞれの吸着孔３ｅから真空吸引を行って下部電極３に載置された半導体ウェハ６を真空吸着して保持することができる。従って、それぞれの吸着孔３ｅ、吸引孔３ｃ、及び真空吸着ポンプ１２は、下部電極３の保持面３ｇに開口したそれぞれの吸着孔３ｅから真空吸引することで、保護シート３０を電極部３ａの保持面３ｇに密着させた状態で、半導体ウェハ６を真空吸着により保持する真空吸着手段となっている。

また、ガスライン切換バルブ１１によりＮ_２ガス供給部１３が選択されて、吸引孔３ｃをＮ_２ガス供給部１３に接続させることにより、それぞれの吸着孔３ｅから保護シート３０の下面に対してＮ_２ガスを噴出させることができるようになっている。後述するようにこのＮ_２ガスは、保護シート３０を保持面３ｇから強制的に離脱させる目的のブロー用ガスである。

また、図１に示すように。下部電極３には冷却用の冷媒流路３ｄが設けられており、冷媒流路３ｄは冷却装置１０と接続されている。冷却装置１０を駆動することにより、冷媒流路３ｄ内を冷却水などの冷媒が循環し、これによりプラズマ処理時に発生した熱によって昇温した下部電極３や下部電極３上の保護シート３０を介して半導体ウェハ６が冷却される。なお、冷媒流路３ｄおよび冷却機構１０は、下部電極３を冷却する冷却手段となっている。

また、図１のプラズマ処理装置１０１において、処理室２に連通して設けられた排気ポート１ａには、排気切換バルブ７を介して真空ポンプ８が接続されている。排気切換バルブ７を排気側に切り換えて真空ポンプ８を駆動することにより、真空チャンバ１の処理室２内部が真空排気され、処理空２内を減圧することが可能となっている。また、処理室２は圧力センサ２８（図１において図示省略、図４参照）を備えており、この圧力センサ２８の圧力計測結果に基づいて、後述する制御装置３３（図４参照）によって真空ポンプ８が制御されることにより、処理室２内を所望の圧力に減圧することが可能とされている。なお、このような所望の圧力に減圧するための真空ポンプ８の制御は、例えば、真空ポンプ８として可変容量型のものを用いて真空ポンプ８自体の真空排気能力を直接的に制御すること、あるいは、開度調整弁（バタフライ弁等）を真空排気経路に設け、その開度を制御することで間接的に真空排気能力を制御することにより行うことができる。なお、真空ポンプ８及び排気切換バルブ７が、処理室２内を所望の圧力に減圧する真空排気装置（減圧手段）となっている。また、排気切換バルブ７を大気開放側に切り換えることにより、排気ポート１ａを通して処理空２内には大気が導入され、処理室２内部の圧力を大気圧に復帰させることが可能となっている。

次に上部電極４の詳細構造について説明する。上部電極４は、中央の電極部４ａと電極部４ａを囲むようにその外周部に固定して設けられた絶縁体からなる環状部材４ｆを備えている。環状部材４ｆの内径は下部電極３の電極部４ａの外径と略同じとされており、下部電極３の周面よりも外側に広がるような形状で同心配置されており、環状部材４ｆは、上部電極４の下方中央部に配置された円盤状のガス吹出部４ｅを保持する機能を担っている。

ガス吹出部４ｅは、上部電極４と下部電極３の間に形成される放電空間においてプラズマ放電を発生させるためのプラズマ発生用ガスを供給する。ガス吹出部４ｅは、内部に多数の微細孔を有する多孔質材料を円盤状に加工した部材であり、上部電極４の電極部４ａの下面、ガス吹出部４ｅの上面、および環状部材４ｆの内周面にて囲まれたガス滞留空間４ｇ内に供給されたプラズマ発生用ガスを、これらの微細孔を介して放電空間内に満遍なく吹き出させて均一な状態で供給することが可能となっている。

支持部４ｂ内には、ガス滞留空間４ｇに連通するガス供給孔４ｃが設けられており、ガス供給孔４ｃは、真空チャンバ１の外部に配置されたプラズマ発生用ガス供給装置に接続されている。このプラズマ発生装置は、異なる種類のガスを個別に供給する複数のガス供給部として第１のガス供給部２０Ａ、第２のガス供給部２０Ｂ、及び第３のガス供給部２０Ｃと、それぞれのガス供給部２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃより供給されるガスを混合してガス組成を均一な状態とするガス混合部（配管の結合部）１９と、このガス混合部１９とそれぞれのガス供給部２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃとの間に配置され、ガス混合部１９に供給されるそれぞれのガスの供給流量を個別的に調整するガス流量調整部２１とを備えている。

ガス流量調整部２１は、第１のガス供給部２０Ａより供給されるガス流量を独自に調整する第１の流量制御バルブ２３Ａとガスの供給を遮断可能な第１の開閉バルブ２２Ａと、第２のガス供給部２０Ｂより供給されるガス流量を独自に調整する第２の流量制御バルブ２３Ｂとガスの供給を遮断可能な第２の開閉バルブ２２Ｂと、第３のガス供給部２０Ｃより供給されるガス流量を独自に調整する第３の流量制御バルブ２３Ｃとガスの供給を遮断可能な第３の開閉バルブ２２Ｃとを備えており、それぞれのバルブの開度制御及び開閉制御は、後述する制御装置３３により行われる。

本実施形態のプラズマ処理装置１０１においては、例えば、第１のガス供給部２０Ａより六フッ化硫黄ガス（ＳＦ_６）が供給可能であり、第２のガス供給部２０Ｂよりヘリウムガス（Ｈｅ）が供給可能であり、第３のガス供給部２０Ｃより酸素（Ｏ_２）が供給可能とされている。このようにプラズマ発生用ガス供給装置が構成されていることにより、それぞれのガス供給部２０Ａ、２０Ｂ、及び２０Ｃより選択された１又は複数のガス供給部より供給されたガスの供給流量をガス流量調整部２１にて個別に調整して、所望のガス組成及び流量の混合ガス（あるいは単独のガス）をガス混合部１９に供給するとともに、ガス混合部１９にて混合されたガス（混合ガス）を、ガス供給孔４ｃ、ガス滞留空間４ｇ、及びガス吹出部４ｅを通して放電空間内に供給することが可能となっている。

また、それぞれのガスの流量を個別に調整できるというガス流量調整部２１の機能を用いて、ガス組成、すなわちガスの供給比率を変更することなく、供給流量のみを変更することで、処理室２内の圧力を制御することができる。具体的には、予め設定された圧力条件と圧力センサ２８により検出される処理室２内の圧力に基づいて、制御装置３３によりガス流量調整部２１を制御することにより、処理室２内の圧力を上記圧力条件に合致するように調整することができる。従って、ガス流量調整部２１は処理室２内に供給されるガス組成を調整する機能と、処理室２内の圧力を制御する機能とを併せ持っている。

また、図１に示すように、下部電極３は、マッチング回路１６を介して高周波電源部１７に電気的に接続されている。高周波電源部１７を駆動することにより、接地部９に接地された真空チャンバ１と導通した上部電極４と下部電極３の間には高周波電圧が印加される。これにより、処理室２内部では上部電極４と下部電極３との間の放電空間においてプラズマ放電が発生し、処理室２内に供給されたプラズマ発生用ガスがプラズマ状態に移行する。また、マッチング回路１６は、このプラズマ発生時において処理室２内のプラズマ放電回路と高周波電源部１７のインピーダンスを整合させる機能を有している。なお、本実施形態においては、高周波電源部１７とマッチング回路１６とが高周波電力印加装置の一例となっている。

さらに下部電極３には、ＲＦフィルタ１５を介して静電吸着用ＤＣ電源部１８が接続されている。静電吸着用ＤＣ電源部１８を駆動することにより、図３（ａ）のプラズマ処理装置１０１の模式図に示すように、下部電極３の表面には負電荷（図中「−」にて示す）が蓄積される。そしてこの状態で図３（ｂ）のプラズマ処理装置１０１の模式図に示すように、高周波電源部１７を駆動して処理室２内にプラズマ３４（図中点表示部分にて示す）を発生させると、保持面３ｇ上に保護シート３０を介して載置された半導体ウェハ６と接地部９とを接続する直流印加回路３２が処理室２内のプラズマ３４を介して形成される。これにより、下部電極３、ＲＦフィルタ１５、静電吸着用ＤＣ電源部１８、接地部９、プラズマ３４、及び半導体ウェハ６を順次結ぶ閉じた回路が形成され、半導体ウェハ６には正電荷（図中「＋」にて示す）が蓄積される。

そして導電体により形成された下部電極３の保持面３ｇに蓄積された負電荷「−」と、半導体ウェハ６に蓄積された正電荷「＋」との間には、誘電体としての絶縁層を含む保護シート３０を介してクーロン力が作用し、このクーロン力によって半導体ウェハ６は下部電極３に保持される。このとき、ＲＦフィルタ１５は、高周波電源部１７の高周波電圧が、静電吸着用ＤＣ電源部１８に直接印加されることを防止する。なお、静電吸着用ＤＣ電源部１８の極性は正負逆でもよい。なお、このようにプラズマ処理装置１０１において、実質的にプラズマの発生に寄与している構成部分をまとめて、プラズマ発生装置ということもできる。

また、上記構成において、静電吸着用ＤＣ電源部１８は、下部電極３に直流電圧を印加することにより、保護シート３０で隔てられた半導体ウェハ６と下部電極３の保持面３ｇとの間に作用するクーロン力を利用して、半導体ウェハ６を静電吸着する静電吸着手段となっている。すなわち、下部電極３に半導体ウェハ６を保持させる保持手段は、保持面３ｇに開口する複数の吸着孔３ｅを介して保護シート３０を真空吸着する真空吸着手段と、上述の静電吸着手段との２種類を使い分けできるようになっている。

また、下部電極３と同様に上部電極４にも冷却用の冷媒流路４ｄが設けられており、冷媒流路４ｄは冷却装置１０と接続されている。冷却装置１０を駆動することにより、冷媒流路４ｄ内を冷却水などの冷媒が循環し、これによりプラズマ処理時に発生した熱によって昇温した上部電極４を冷却することが可能となっている。

また、処理室２の側面には、処理対象物である半導体ウェハ６の出し入れ用の開口部１ｂが設けられている（図７参照）。開口部１ｂの外側には扉開閉装置２６によって昇降する扉２５が設けられており、扉２５を昇降させることにより開口部１ｂが開閉される。図７は、扉開閉装置２６により扉２５を下降させて開口部１ｂを開放した状態で半導体ウェハ６を出し入れする状態を示している。

また、図７に示すように、半導体ウェハ６の出し入れ時には、電極昇降装置２４により上部電極４を上昇させてウェハ搬出入位置に位置させて、上部電極４と下部電極３との間に搬送用のスペースを確保する。そしてこの状態で、半導体ウェハ６を吸着保持した吸着ヘッド２７を、アーム２７ａを操作することによって開口部１ｂを介して処理室２内に進入させる。これにより、下部電極３上への半導体ウェハ６の搬入および処理済みの半導体ウェハ６（半導体装置）の搬出が行われる。

次にこのような構成を有するプラズマ処理装置１０１における制御系の構成について、図４に示す制御系のブロック図を用いて以下に説明する。

図４に示すように、制御装置３３は、各種のデータや処理プログラムを記憶する記憶部９２と、これらのデータや処理プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１０１における各構成部の動作制御を行うことでプラズマ処理の制御を行うプロセス制御部９１とを備えている。記憶部９２は、プラズマ処理条件８１（プラズマ条件または運転条件というような場合であってもよい）や、プラズマ処理の動作プログラム８２を記憶しており、プロセス制御部９１は、動作プログラム８２及びプラズマ処理条件８１に基づいてプラズマ処理の制御を行う。操作・入力部９４はキーボードなどの入力手段であり、プラズマ処理条件などのデータ入力や操作コマンドの入力を行う。表示部９３はディスプレイ装置であり、操作入力時の案内画面などの表示を行う。なお、図示しないが、制御装置３３が外部入出力インターフェースを備えて、装置外部との情報の受け渡しが行われるような場合であってもよい。

ここで、本実施形態のプラズマ処理装置１０１において用いられるプラズマ処理条件について説明する。プラズマエッチングにおいては、半導体ウェハ６の表面沿いの方向よりも厚み方向に強いエッチング特性（すなわち、当該厚み方向を主方向としたエッチング特性）を有する異方性エッチングと、当該表面沿いの方向と厚み方向とに略等しいエッチング特性を有する等方性エッチングというエッチング特性が異なる２種類のエッチングがある。本発明においては、プラズマダイシング処理の途中において、エッチング特性を切り換える（すなわち変更する）ことにより、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施した後、他方に切り換えて実施することにより、半導体ウェハのダイシング処理が行われる。

このような異方性エッチングと等方性エッチングを行うためのプラズマ処理条件８１の一例を図１０のデータテーブルに示す。図１０に示すように、プラズマ処理条件８１は、例えば、それぞれのプラズマ発生用ガスのガス組成と、処理室２内の圧力と、上部電極４と下部電極３との間に印加される高周波の周波数（放電周波数）との組み合わせ条件により決定される。具体的には、異方性エッチング用のプラズマ処理条件８１Ａとしては、混合ガスのガス組成（すなわち、それぞれのガスの混合比）がＳＦ_６とＯ_２とを１０：２の比率として、圧力を１００Ｐａとし、そして周波数を６０ＭＨｚとする組み合わせの条件となっている。また、等方性エッチング用のプラズマ処理条件８１Ｂとしては、ガス組成がＳＦ_６とＨｅとを１０：３０の比率として、圧力を１０Ｐａとし、そして周波数を１３．５６ＭＨｚとする組み合わせの条件となっている。

なお、このようなエッチング特性の切り換えは、上述のようにガス組成、圧力、及び周波数の組み合わせにより決定されるプラズマ条件８１Ａと８１Ｂとを切り換えることにより行うが好ましいが、このような条件のみに限られるものではない。このような場合に代えて、例えば、ガス組成、圧力、及び周波数のうちのいずれか１つのパラメータのみを切り換えるような場合であっても、エッチング特性の切り換えを行うことができる。このようなエッチング特性の切り換えにおいては、ガス組成が最も有効なパラメータであり、その次に、圧力、周波数の順序となる。例えば、ガス組成のみを変更することで上記エッチング特性の切り換えを行うような場合にあっては、ＳＦ_６：Ｏ_２：Ｈｅのガス組成を、１０：２：０から１０：０：３０と変更することで、異方性エッチングから等方性エッチングへの切り換えを行うことができる。また、処理室２内の圧力のみを変更することで上記エッチング特性の切り換えを行うような場合にあっては、圧力を低下させる（例えば、１００Ｐａから１０Ｐａとする）ことで、異方性エッチングから等方性エッチングへの切り換えを行うことができる。また、高周波の周波数のみを変更することで上記エッチング特性の切り換えを行うような場合にあっては、周波数を低くする（例えば、６０Ｈｚから１３．５６Ｈｚとする）ことで、異方性エッチングから等方性エッチングへの切り換えを行うことができる。なお、これらのパラメータの他にも、例えば、高周波出力（例えば、５００〜３０００Ｗの範囲で設定される）やガス供給流量も一のパラメータとして用いられる。

また、異方性エッチング用のガス組成としては、デポジション（deposition:蒸着又は堆積）しやすい反応生成物を生じるようなガス組成を用いることが好ましい。例えば、異方性エッチング用のガス組成として、酸素を含むガス組成を用いることで、反応生成物としてシリコンのフッ素酸化物（Ｓｉ_ｘＦ_ｙＯ_ｚ）を生成することができる（ここで、ｘ、ｙ、ｚは整数）。このフッ素酸化物は、シリコンよりもエッチングされ難いという特性を有している。このような特性を利用することで、半導体ウェハにおいて、異方性エッチングの実施によりその表面に溝部を形成するとともに、当該形成された溝部の内側面に生成されたフッ素酸化物を付着させて膜を形成することができる（側壁デポジション）。一方、加速されたイオンによる物理的エッチングにより、上記溝部の底面にはフッ素酸化物が付着し難い。これにより、上記溝部の内側面は底面に比べてエッチングされ難くすることができ、その結果として当該エッチングを半導体ウェハの厚み方向に強く行うことが可能となり、より理想に近い異方性エッチングを実現することができる。従って、異方性エッチング用のガス組成としては、異方性エッチングを促進させるようなガス組成、すなわち側壁デポジションを起こし易いガス組成を用いることが好ましい。

また、プラズマ処理装置１０１においては、プラズマダイシング工程とアッシング工程とを行うことができ、プラズマダイシング工程における上述以外の条件としては、上部電極４と下部電極３との間の電極間距離Ｄの条件があり、例えば電極間距離Ｄとして５〜５０ｍｍの範囲で最適と考えられる値（電極間距離Ｄ１とする）が、プラズマ処理条件８１Ａ及び８１Ｂとして設定されている。一方、アッシング工程におけるプラズマ処理条件としては、例えば、高周波出力が１００〜１０００Ｗ、圧力が５〜１００Ｐａ、電極間距離Ｄが５０〜１００ｍｍの範囲内で最適と考えられる値（電極間距離Ｄ２とする）が設定されている。

なお、このような異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａ、等方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ｂ、及びアッシング工程用のプラズマ処理条件のそれぞれは、制御装置３３の記憶部９２に記憶されており、動作プログラム８２に基づいて、各工程毎に必要なプラズマ処理条件８１が選択されて、プロセス制御部９１により、当該選択されたプラズマ処理条件８１に基づいて、プラズマ処理が行われる。

動作プログラム８２に基づいて行われるプラズマ処理においては、図４に示すように、ガス流量調整部２１、ガスライン切換バルブ１１、高周波電源部１７、静電吸着用ＤＣ電源部１８、排気切換バルブ７、真空ポンプ８、真空吸着ポンプ１２、扉開閉装置２６、及び電極昇降装置２４の各部が、プロセス制御部９１により制御される。

また、圧力センサ２８の圧力検出結果に基づいて、プロセス制御部９１のよりガス流量調整部２１が制御されてそれぞれのガスの供給量の総量が調整されることで、処理室２の内部の圧力を、プラズマ処理条件８１に合致させるように制御することができる。

さらに、図４に示すように、制御装置３３には、プラズマ処理時間の計測を行う処理時間計測部９５が備えられており、異方性エッチング又は等方性エッチングの処理時間の計測を行い、当該計測結果が、例えば、それぞれのプラズマ処理条件８１に含まれている処理時間の条件に到達したときに、プロセス制御部９１により当該処理を終了させるような制御を行うことが可能となっている。

次に、このような構成を有するプラズマ処理装置１０１を用いて行われる半導体素子の製造方法およびこの半導体素子の製造方法の過程において実行される半導体ウェハの分割方法（ダイシング処理）について、以下に説明する。また、半導体ウェハ６に対する処理内容を説明するための模式説明図を図５（Ａ）〜（Ｈ）に示し、当該製造方法の手順を示すフローチャートを図６に示し、これらの図面を中心に参照しながら説明を行う。

まず、図５（Ａ）に示す状態において、半導体ウェハ６には複数の半導体素子が形成されており、さらにその厚みが１００μｍ以下となるように薄化処理が施された後の半導体ウェハである。また、半導体ウェハ６の回路形成面６ａには、粘着剤を介して保護シート３０が剥離可能に貼り付けられており、以降において施されるそれぞれの処理の際に回路形成面６ａが損傷を受けることを防止している。なお、保護シート３０は、回路形成面６ａの全面を覆い且つ半導体ウェハ６から外側にはみ出すことのないよう、半導体ウェハ６の外形形状と同じ形状に整形したものが用いられる。これにより、プラズマ処理において保護シート３０がプラズマに対して露呈することがなく、プラズマによる保護シート３０のダメージを防止することができる。

次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ６の回路形成面６ａの裏面であるマスク配置面６ｂに、半導体ウェハ６を半導体素子の個片毎に分割するための切断線を画定するマスクを形成する。樹脂より成るレジスト膜３１を半導体ウェハ６のマスク配置面６ｂの全面を覆って形成する。その後、図５（Ｃ）に示すように、レジスト膜３１をフォトリソグラフィによってパターニングして、切断線３１ｂに相当する部分のみを約２０μｍ幅で除去する。これにより、半導体ウェハ６のマスク配置面６ｂには切断線３１ｂの部分を除く領域がレジスト膜３１ａによって覆われたマスクが形成され、この状態のマスク付きの半導体ウェハ６が、プラズマ処理の対象となる。

以下、このマスク付きの半導体ウェハ６を対象としたプラズマ処理方法について、図６のフローチャートに沿って、図７から図９に示すプラズマ処理装置１０１の模式図を参照しながら説明する。なお、プラズマ処理装置１０１における以降のそれぞれの動作の制御は、制御装置３３の記憶部９２内に保持されている動作プログラム８２に基づいて、プロセス制御部９１により各構成部が制御されることにより行われる。

まず、図６のフローチャートのステップＳ１において、図７に示すように、マスク付きの半導体ウェハ６が処理室２内に搬入される。この搬入動作に際しては、上部電極４を電極昇降装置２４によって上昇させた状態で、アーム２７ａを操作して、吸着ヘッド２７にマスクを介して保持された半導体ウェハ６を開口部１ｂから処理室２内に搬入し、半導体ウェハ６を下部電極３上に保護シート３０を介して載置する。

次に、真空吸着ポンプ１２を駆動してそれぞれの吸着孔３ｅから真空吸引し、半導体ウェハ６の真空吸着をＯＮ状態にするとともに、静電吸着用ＤＣ電源部１８をＯＮ状態にする（ステップＳ２）。この真空吸着により、処理室内２において保護シート３０を下部電極３の保持面３ｇに密着させた状態で、半導体ウェハ６を下部電極３によって保持する。

この後、図８に示すように扉２５が閉じられ、電極昇降装置２４により上部電極４を下降させる（ステップＳ３）。このとき、制御装置３３において、記憶部９２に保持されているそれぞれのプラズマ処理条件８１の中から、動作プログラム８２に基づいてプロセス制御部９１によりプラズマダイシング工程における異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａが選択されて取り出されるとともに、この異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａに含まれる電極間距離Ｄの条件に基づいて、上部電極４と下部電極３との間の電極間距離Ｄが例えば５〜５０ｍｍの範囲内の所定の条件（すなわち、電極間距離Ｄ１）に設定される。

次いで真空ポンプ８を作動させ、処理室２内の減圧を開始する（ステップＳ４）。処理室２内が所定の真空度に到達したならば、上記選択された異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａに基づいて、ガス流量調整部２１により選択されたガスが所定のガス組成かつ所定の流量に調整されて処理室２内に供給される（ステップＳ５）。具体的には、異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａに基づいて、第１の開閉バルブ２２Ａが開放されて、第１のガス供給部２０ＡからＳＦ_６が第１の流量制御バルブ２３Ａによりその供給流量が調整されてガス混合部１９に供給されるとともに、第３の開閉バルブ部２２Ｃが開放されて、第３のガス供給部２０ＣからＯ_２が第３の流量制御バルブ２３Ｃによりその供給流量が調整されてガス混合部１９に供給される。なお、このとき、第２の開閉バルブ２２Ｂは閉止された状態とされ、Ｈｅの供給は行われない。また、ガス混合部１９において、ＳＦ_６とＯ_２とが１０：２のガス組成となるように混合されて、処理室２内に供給される。

そしてガス供給過程において、処理室２内の圧力を圧力センサ２８により検出してプラズマ処理条件８１Ａの中の圧力条件（例えば、１００Ｐａ）と比較し、当該検出された圧力が当該圧力条件に示す圧力に到達したことを確認する（ステップＳ６）。すなわち、下部電極３と上部電極４との電極間距離Ｄ、処理室２に供給されるガス組成、ならびに処理室２内の圧力を、異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａに設定する。

そして上記条件設定が完了した後、プラズマ処理条件８１Ａの高周波の周波数及び出力条件に基づいて、高周波電源部１８を駆動して上部電極４と下部電極３との間に、当該条件に合致する高周波電圧を印加し、プラズマ放電を開始する（ステップＳ７）。これにより、上部電極４と下部電極３との間の放電空間において、供給された混合ガスをプラズマ状態に移行させる。このプラズマ発生により、当該プラズマがマスク側（レジスト膜３１ａ側）から半導体ウェハ６に照射される。このプラズマの照射により、半導体ウェハ６の主材質であるシリコンのうち、レジスト膜３１ａに覆われていない切断線３１ｂの部分のみが、当該プラズマによってプラズマエッチングされる。

これとともに、プラズマによって上部電極４と下部電極３との間の放電空間には直流印加回路３２が形成される（図３参照）。これにより、下部電極３と半導体ウェハ６との間には静電吸着力が発生し、半導体ウェハ６は下部電極３に静電吸着力により保持される。このため保護シート３０は下部電極３の保持面３ｇに良好に密着し、半導体ウェハ６はプラズマ処理過程において安定して保持されるとともに、下部電極３に備えられた冷却機能によって保護シート３０が良好に冷却され、プラズマ放電によって発生する熱による熱ダメージが防止される。

また、このプラズマエッチングは、異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａに基づいて行われていることより、そのエッチング特性は、半導体ウェハ６の厚み方向に大きくなる。従って、図５（Ｄ）に示すように、それぞれの切断線３１ｂに相当する半導体ウェハ６の表面を、その厚み方向にエッチングを行い、この切断線３１ｂの幅に略相当するような幅の切断溝６ｃが形成される。

また、ステップＳ８において、この切断溝６ｃの深さが所定の深さに到達するまで、例えば、処理時間計測部９５により計測された時間が、異方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ａの処理時間の条件を経過するまで、ステップＳ７の異方性エッチングによるプラズマダイシングが行われる。

ステップＳ８において、当該所定時間を経過したものと判断された場合には、異方性エッチングを終了するとともに、プロセス制御部９１により等方性エッチング用プラズマ
処理条件８１Ｂが選択されて、当該条件に基づいて、ガス流量調整部２１により選択されたガスが所定のガス組成かつ所定の流量に調整されて処理室２内に供給される（ステップＳ９）。具体的には、等方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ｂに基づいて、第１の開閉バルブ２２Ａが開放されて、第１のガス供給部２０ＡからＳＦ_６が第１の流量制御バルブ２３Ａによりその供給流量が調整されてガス混合部１９に供給されるとともに、第２の開閉バルブ部２２Ｂが開放されて、第２のガス供給部２０ＢからＨｅが第２の流量制御バルブ２３Ｂによりその供給流量が調整されてガス混合部１９に供給される。なお、このとき、第３の開閉バルブ２２Ｃは閉止された状態とされ、Ｏ_２の供給は行われない。また、ガス混合部１９において、ＳＦ_６とＨｅとが１０：３０のガス組成となるように混合されて、処理室２内に供給される。

そしてガス供給過程において、圧力センサ２８により検出される処理室２内の圧力がプラズマ処理条件８１Ｂの中の圧力条件（例えば、１０Ｐａ）に到達したことを確認する（ステップＳ１０）。なお、下部電極３と上部電極４との電極間距離Ｄ１はそのままの状態に保たれる

その後、プラズマ処理条件８１Ｂの高周波の周波数及び出力条件に基づいて、高周波電源部１８を駆動して上部電極４と下部電極３との間に、当該条件に合致する高周波電圧を印加し、プラズマ放電を開始することで、等方性エッチングによるプラズマダイシングを開始する（ステップＳ１１）。

この等方性エッチングは、半導体ウェハ６の表面沿いの方向のエッチング特性と、厚み方向のエッチング特性とが略同じであるという特徴を有していることにより、プラズマが照射される部分においては、上記それぞれの方向に略均等にエッチングが施されることとなる。ただし実際には、等方性エッチングにおいても厚み方向のエッチング特性が表面沿いの方向のエッチング特性よりもやや強くなる傾向にあるが、上記異方性エッチングとは明らかに異なるエッチング特性を示すことには変わりはない。

このように等方性エッチングを用いたプラズマダイシングが行われると、図５（Ｅ）に示すように、上記異方性エッチングにより形成されたそれぞれの切断溝６ｃは、半導体ウェハ６の厚み方向だけでなく、表面沿いの方向にもその内周面の全体に対してエッチングが施されることとなる。従って、それぞれの切断溝６ｃは、その幅方向にやや拡大されながらその深さ方向にも拡大され、当該深さが半導体ウェハ６の全厚みに到達することで、半導体ウェハ６はそれぞれの半導体素子６ｄの個片毎に分割される（プラズマダイシング工程）。また、エッチング特性は、それぞれの切断溝６ｃの上部である入り口付近程強く、底部へ行くに従って弱くなる傾向にある。従って、このような等方性エッチングを施すことにより、図５（Ｅ）に示すように、それぞれの半導体素子６ｄにおける切断線に接する端部に湾曲凸面部であるＲ（アール）部６ｅを形成することができ、特に、それぞれの半導体素子６ｄのマスク配置面６ｂ側に位置される端部（角部分）及びその矩形状平面の四隅部のそれぞれにＲ部６ｅが形成される。

なお、ステップＳ１２において、この切断溝６ｃの深さが半導体ウェハ６の全厚みに到達するまで、例えば、処理時間計測部９５により計測された時間が、等方性エッチング用プラズマ処理条件８１Ｂの処理時間の条件を経過するまで、ステップＳ１１の等方性エッチングによるプラズマダイシングが行われる。

ステップＳ１２において、当該所定時間を経過したものと判断された場合には、等方性エッチングを終了する。これにより、半導体ウェハ６はそれぞれの半導体素子６ｄの個片に分割されるとともに、それぞれの半導体素子６ｄの端部にＲ部６ｅが形成されて、プラズマダイシング工程が完了する。

このプラズマダイシング工程が完了する際には、混合ガスの供給や高周波電圧の印加が停止されることとなる。その後、プラズマアッシング工程に移行するための電極間距離変更をおこなう（ステップＳ１３）。具体的には、プロセス制御部９１によりプラズマアッシング用のプラズマ処理条件が選択されて、当該条件に基づいて、図９に示すように電極昇降装置２４により上部電極４を上昇させて、上部電極４と下部電極３との間の電極間距離を電極間距離Ｄ２に設定する。このようなプラズマアッシングによりマスク除去を行う際の電極間距離Ｄ２は、上述のプラズマダイシングにおける電極間距離Ｄ１よりも広く設定するようにしている。

その後、上記プラズマ処理条件に基づいてそれぞれのガス供給部２０Ａ〜２０Ｃの中より選択されたガス供給部からプラズマアッシング用ガス（例えば、酸素）を、そのガス組成及び供給流量を調整しながら供給する（ステップＳ１４）。そしてガス供給過程において処理室２内のガス圧力を検出して上記プラズマ処理条件と比較し、当該圧力が上記条件に示す圧力に到達したことを確認する（ステップＳ１５）。

その後、高周波電源部１８を駆動して上部電極４と下部電極３との間に高周波電圧を印加し、プラズマ放電を開始する（ステップＳ１６）。これにより、上部電極４と下部電極３との間の放電空間において、供給されたガスをプラズマ状態に移行させる。このようにして発生したプラズマが、半導体ウェハ６のマスク配置面６ｂ側に作用することにより、有機物よりなるレジスト膜３１ａはプラズマによってアッシング（灰化）される。

そしてこのアッシングが進行することにより、レジスト膜３１ａが徐々に消滅し、最終的には、図５（Ｆ）に示すように半導体ウェハ６のマスク配置面６ａからマスクが完全に除去される。このマスク除去工程における高周波電源の出力は、上記プラズマ処理条件に基づいて、例えば１００〜１０００Ｗの範囲で設定された所定の値とされる。そしてマスクが完全に除去された後、プラズマ放電を停止する。

その後、真空ポンプ８の作動を停止し（ステップＳ１７）、排気切換バルブ７を切り換えて大気開放を行う（ステップＳ１８）。これにより、処理室２内の圧力が大気圧に復帰する。そして真空吸着をＯＦＦ状態にするとともに、静電吸着用ＤＣ電源をＯＦＦにする（ステップＳ１９）。これにより、それぞれの半導体素子６ｄの個片毎に分割され保護テープ３０に保持された状態の半導体ウェハ６の吸着保持が解除される。

さらにその後、プラズマ処理後の半導体ウェハ６の搬出が行われる（ステップＳ２０）。すなわち、吸着孔３ｅからＮ_２ガスをブローしながら、吸着ヘッド２７によって半導体ウェハ６を吸着保持して処理室２の外へ搬出する。これにより、プラズマ処理装置１０１において、プラズマダイシング及びアッシングの各工程を連続して行うプラズマ処理が終了する。

そして、保護シート３０とともに搬出された半導体ウェハ６は、シート剥離工程に送られ、半導体素子６ｃの個片毎に分割して得られた半導体装置の回路形成面６ａから、保護シート３０を剥離する。このシート剥離は、図５（Ｇ）及び（Ｈ）に示すように、保持用の粘着シート３７をそれぞれの半導体素子６ｄのマスク配置面６ｂに貼り付けて各半導体素子６ｄを粘着シート３７に保持させた後に行われる。これにより半導体素子の製造工程が完了する。

ここで、上述のようにエッチング特性の異なる２種類のプラズマエッチングを組み合わせて行うようなプラズマダイシングが施されることにより形成された半導体素子６ｄの部分拡大断面図及び上面図を図１１及び図１２に示す。

図１１に示すように、半導体素子６ｄのマスク配置面６ｂ側におけるそれぞれの端部（図示上面側の端部）には、Ｒ部６ｅが形成されている。また、図１２に示すように、半導体素子６ｄの矩形状の４つの隅（角）部分にもＲ部６ｅが形成されている。このように薄化された半導体素子６ｄの端部や角部分にＲ部６ｅを形成することにより、その抗折強度を向上させることができ、チップ欠け等の発生を抑制することができる半導体素子６ｄを、ダイシング処理を施すことで形成することができる。

また、このようなプラズマダイシングにおける異方性エッチングの処理時間は、例えば、マスクにより画定される切断線３１ｂの線幅寸法と半導体ウェハ６の厚み寸法とに基づいて決定することができ、例えば、上記線幅寸法に基づいて、半導体ウェハ６の厚み寸法の１／２程度の深さの切断溝６ｃを形成するのに要する時間を、当該処理時間として決定することができる。また、等方性エッチングの処理時間は、切断線３１ｂの線幅寸法と形成される半導体素子６ｄに求められる抗折強度から求めることができるＲ部６ｅの形成領域（形成範囲）の大きさとに基づいて決定することができる。例えば、抗折強度を高めたい場合には、Ｒ部６ｅの形成領域を大きくする（例えば、Ｒサイズを大きく採る）必要がある。

具体的な例を用いて、このようなそれぞれの処理時間の決定方法、すなわちプラズマエッチングの特性の切り換えのタイミングの決定方法について説明する。例えば、異方性エッチングを行った後に、等方性エッチングを行うような場合であって、厚さ５０μｍの半導体ウェハ６を用いて、要求される抗折強度より決定されるＲ部６ｅの大きさがＲ１５μｍであるそれぞれの半導体素子６ｄを形成するような場合について考えると、半導体ウェハ６の厚み方向における異方性エッチングによるエッチング量は３５μｍとなり、等方性エッチングによるエッチング量は１５μｍとなる。

ここで、異方性エッチングのエッチングレートをＳ_１μｍ／ｍｉｎとし、等方性エッチングのエッチングレートをＳ_２μｍ／ｍｉｎとすると、異方性エッチングの処理時間Ｔ_１（ｓｅｃ）と等方性エッチングの処理時間Ｔ_２（ｓｅｃ）は、数（１）、（２）のように算出することができる。
Ｔ_１＝（３５μｍ／Ｓ_１）×６０ ・・・（１）
Ｔ_２＝（１５μｍ／Ｓ_２）×６０ ・・・（２）

このようにして算出されたそれぞれの処理時間Ｔ_１、Ｔ_２は理論値であるので、これらに基づいて実際にプラズマエッチングを実験的に行って、その結果分割処理された半導体素子６ｄに形成されたＲ部６ｅの大きさを計測することで、それぞれの処理時間Ｔ_１、Ｔ_２の補正を行って、最適な処理時間を求めることができる。なお、異方性エッチングを先に行う場合においては、異方性エッチングの処理時間Ｔ_１が、エッチング特性の切り換えのタイミングとなる。

また、プラズマダイシング処理において、異方性エッチングと等方性エッチングとの切り換えを複数回繰り返して行う場合には、それぞれの等方性エッチングの処理時間の合計時間によって、Ｒ部６ｅの大きさを決定することができる。

なお、上述のプラズマダイシングにおいては、エッチング特性が異なる２種類のエッチングとして、異方性エッチングを施した後に、等方性エッチングを施すような場合について説明したが、本実施形態はこのような場合にのみ限定されるものではない。このような場合に代えて、先に等方性エッチングを施して、その後、異方性エッチングを施すことでプラズマダイシングを行うような場合であってもよい。このように先に等方性エッチングを施すような場合であっても、そのエッチング特性により切断線３１ｂの形成位置を厚み方向にエッチングを行うことで切断溝６ｃを形成することができるとともに、当該形成の際に切断溝６ｃを幅方向にもエッチングすることでＲ部６ｅの形成を行うことができる。さらに、このようにＲ部６ｅが形成された切断溝６ｃに対して、異方性エッチングを施すことで、Ｒ部６ｅの形状を保持しながら切断溝６ｃの深さを半導体ウェハ６の厚さにまで拡大してダイシングを行うことができる。

上記実施形態によれば、以下のような種々の効果を得ることができる。

まず、薄化された半導体ウェハ６をそれぞれの半導体素子６ｄの個片に分割するダイシング工程において、ダイサーやレーザ光を用いることなく、プラズマエッチングを施すことで行うことにより、当該ダイシングの際に半導体ウェハ６の欠片が発生することを確実に防止することができ、ダイシングにおける加工歩留まりの低下を抑制することができる。

また、このようなプラズマダイシングにおいて、互いにそのエッチング特性が異なる異方性エッチングと等方性エッチングとを使い分けて、いずれか一方の特性のエッチングを施した後、エッチング条件の変更（切り換え）を行い、他方の特性のエッチングを行うことで、抗折強度を向上させることができるような加工を半導体素子６ｄに対して施すことができる。

具体的には、例えば、プラズマダイシングにおいて、先に異方性エッチングを施すことで、マスクにより画定された切断線３１ｂが配置されている半導体ウェハ６の表面部分に、厚み方向に強いエッチング特性により微細な幅の溝として切断溝６ｃを形成することができる。その後、エッチング特性を等方性エッチングに切り換えて、当該形成された切断溝６ｃの内周面に対して、半導体ウェハ６の厚み方向だけでなく、その表面沿いの方向にもエッチングを施すことで、切断溝６ｃを深さ方向だけでなく、幅方向にもエッチングを行うことができる。このようなエッチングを施すことで、半導体素子６ｄの端部や角部分に湾曲凸面部であるＲ部６ｅを形成するとともに、切断溝６ｃの底部を保護シート３０の表面にまで到達させて、半導体ウェハ６の分割を行うことができる。このように分割されたそれぞれの半導体素子６ｄの端部や角部分にＲ部６ｅを形成することで、半導体素子６ｄ自体の抗折強度を向上させることができ、薄化された半導体素子であっても高い強度を有する半導体素子を提供することができる。

従って、薄化された半導体ウェハ６に対するダイシング処理を、欠片の発生を防止して損傷の発生を防止するだけでなく、それぞれの半導体素子６ｄにＲ部６ｅを形成することで、抗折強度を向上させることができる。

また、このようなプラズマダイシングの途中におけるエッチング特性の切り替えは、プラズマ発生用ガスのガス組成、処理室２内の圧力、印加される高周波の周波数、又は高周波出力の中の１又は複数のパラメータの組み合わせにより決定される異方性エッチング用プラズマ処理条件と等方性エッチング用プラズマ処理条件のいずれか一方から他方へと切り換えることにより行うことができ、このようなそれぞれのプラズマ処理条件を予め設定しておくことで、上記切り換えを容易に行うことができる。

特に、これらのパラメータの中でも上記切り換えにより有効なパラメータであるガス組成と圧力との双方を制御することができるガス流量調整部２１が備えられていることにより、上記エッチング特性の切り換えを容易なものとすることができるプラズマ処理装置を提供することができる。

なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。

本発明の一の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す模式構成図である。 上記プラズマ処理装置の下部電極の部分拡大断面図である。 上記プラズマ処理装置の模式構成図であって、（Ａ）は静電吸着用電源部の駆動により下部電極の表面に負電荷が蓄積された状態を示す模式構成図であって、（Ｂ）は高周波電源部の駆動により処理室内にプラズマが発生された状態を示す模式構成図である。 上記プラズマ発生装置の制御系の構成を示す制御ブロック図である。 上記実施形態にかかる半導体素子の製造方法におけるそれぞれの工程を示す半導体ウェハの模式説明図であって、（Ａ）は保護シートが貼着された状態の半導体ウェハを示し、（Ｂ）はレジスト膜が形成された状態の半導体ウェハを示し、（Ｃ）は切断線を画定するマスクが形成された状態の半導体ウェハを示し、（Ｄ）は異方性エッチングが施されている状態の半導体ウェハを示し、（Ｅ）は等方性エッチングが施されている状態の半導体ウェハを示し、（Ｆ）はアッシング工程が施された状態の半導体ウェハを示し、（Ｇ）はそれぞれの半導体素子におけるマスク配置面に粘着シートが貼着された状態を示し、（Ｈ）は回路形成面より保護シートが剥離された状態を示す。 上記実施形態にかかる半導体ウェハの分割方法の手順を示すフローチャートである。 半導体ウェハの搬入が行われている状態のプラズマ処理装置の模式断面図である。 プラズマダイシング工程が行われている状態のプラズマ処理装置の模式断面図である。 プラズマアッシング工程が行われている状態のプラズマ処理装置の模式断面図である。 上記プラズマダイシング工程において用いられるプラズマ処理条件のデータテーブルを示す図である。 上記プラズマダイシング工程が施された半導体素子の模式断面図である。 上記プラズマダイシング工程が施された半導体素子の模式上面図である。

符号の説明

１ 真空チャンバ
２ 処理室
３ 下部電極
４ 上部電極
５Ａ、５Ｂ、５Ｃ 絶縁部材
６ 半導体ウェハ
６ａ 回路形成面
６ｂ マスク配置面
８ 真空ポンプ
１７ 高周波電源部
１８ 静電吸着用ＤＣ電源部
１９ ガス混合部
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ 第１〜第３のガス供給部
２１ ガス流量調整部
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ 第１〜第３の開閉バルブ
２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ 第１〜第３の流量制御バルブ
２８ 圧力センサ
３０ 保護シート
３３ 制御装置
８１ プラズマ処理条件
８２ 動作プログラム
９１ プロセス制御部
９２ 記憶部
９５ 処理時間計測部
１０１ プラズマ処理装置

Claims (17)

1. 複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが配置された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割方法において、
   上記プラズマエッチングにおいて、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施し、その後、いずれか他方を実施することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
2. 上記等方性エッチングの実施により、上記分割線に接する上記それぞれの半導体素子におけるそれぞれの端部に湾曲凸面部を形成する請求項１に記載の半導体ウェハの分割方法。
3. 上記異方性エッチングと上記等方性エッチングとの切り替えは、プラズマ発生用ガスの圧力、ガス組成、高周波出力、又は放電周波数の中の１のパラメータ又は複数のパラメータの組み合わせにより決定される上記異方性エッチング用のプラズマ条件と上記等方性エッチング用のプラズマ条件を、上記プラズマエッチングの際に切り替えることにより行う請求項１又は２に記載の半導体ウェハの分割方法。
4. 上記異方性エッチングは、上記分割線の線幅寸法及び上記半導体ウェハの厚み寸法に基づいて決定される処理時間だけ実施され、
   上記等方性エッチングは、上記分割線の線幅寸法及び上記湾曲凸面部の形成領域の大きさに基づいて決定される処理時間だけ実施される請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体ウェハの分割方法。
5. 上記プラズマエッチングにおいて、上記異方性エッチングの実施により、上記第２の表面における上記分割線に相当する部分に対して、上記半導体ウェハの厚み方向を主方向としてエッチングを行い、当該分割線に相当する部分に溝部を形成し、
   その後、上記異方性エッチングから上記等方性エッチングに切り替えて、
   当該等方性エッチングの実施により、上記半導体ウェハの厚み方向及び当該厚み方向と直行する方向に上記溝部の内側表面をエッチングして、上記湾曲凸面部を形成するとともに、当該溝部の除去を行う請求項２に記載の半導体ウェハの分割方法。
6. 上記プラズマエッチングにおいて、上記等方性エッチングの実施により、上記第２の表面における上記分割線に相当する部分に対して、上記半導体ウェハの厚み方向及び当該厚み方向と直行する方向にエッチングを行い、当該分割線に相当する部分に溝部を形成するとともに、上記湾曲凸面部を形成し、
   その後、上記等方性エッチングから上記異方性エッチングに切り替えて、
   当該異方性エッチングの実施により、上記半導体ウェハの厚み方向を主方向として上記溝部の底面をエッチングして、当該溝部の除去を行う請求項２に記載の半導体ウェハの分割方法。
7. 上記溝部の深さ寸法が当該半導体ウェハの厚み寸法の略１／２の寸法に達したときに、上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方から他方への切り替えを行う請求項５又は６に記載の半導体ウェハの分割方法。
8. 上記第１の表面に上記保護シートが配置され、上記第２の表面に上記マスクが形成された上記半導体ウェハに対して、上記請求項１から７のいずれか１つに記載の半導体ウェハの分割方法を施して、上記プラズマエッチングにより上記それぞれの半導体素子の分割を行い、
   その後、当該半導体ウェハの第２の表面に対してアッシングを施すことにより、上記それぞれのマスクの除去を行い、個片化された上記それぞれの半導体素子を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
9. 複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが配置された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割装置において、
   上記プラズマエッチングが行われる処理室と、
   上記処理室内において上記半導体ウェハを上記保護シートを介して保持する保持部を備える第１の電極と、
   上記処理室内において上記第１の電極に対して対向配置された第２の電極と、
   上記第１の電極に高周波電力を印加する高周波電力印加装置と、
   上記処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給装置と、
   上記処理室内の圧力を減圧する真空排気装置と、
   上記高周波電力印加装置、上記プラズマ発生用ガス供給装置、及び上記真空排気装置を各々の運転条件に基づいて制御して上記第１の電極と上記第２の電極との間にプラズマを発生させ、上記プラズマエッチングにより上記分割線に沿って上記半導体ウェハの分割処理を実行する制御装置とを備え、
   上記制御装置は、上記高周波電力印加装置、プラズマ発生用ガス供給装置、又は上記真空排気装置の上記それぞれの運転条件のうちの少なくとも１つの上記運転条件を変更することで上記プラズマエッチングの状態を異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を選択可能であって、当該いずれか一方の状態で上記分割処理を開始し、当該分割処理の途中で上記運転条件の変更を行うことで他方の状態へ切り替えるプロセス制御部を備えることを特徴とする半導体ウェハの分割装置。
10. 上記運転条件には、プラズマ発生用ガスのガス組成条件を含み、
    上記プラズマ発生用ガス供給装置がプラズマ発生用ガスのガス組成を調整するガス組成調整部を備え、
    上記プロセス制御部は、上記ガス組成条件に基づいて上記ガス組成調整部の制御を行い、当該ガス組成条件を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
11. 上記ガス組成調整部は、
    異なる種類の複数のガスを個別に供給する複数のガス供給部と、
    上記それぞれのガス供給部から供給されるガスの流量を個別に調整可能な複数のガス流量調整部とを備え、
    上記プロセス制御部は、上記ガス組成条件に基づいて、上記それぞれのガス流量調整部を制御して、上記プラズマ発生用ガスのガス組成の変更を行う請求項１０に記載の半導体ウェハの分割装置。
12. 上記運転条件には、上記プラズマ発生用ガス供給部から上記処理室内へ供給するプラズマ発生用ガスの供給流量条件を含み、
    上記プラズマ発生用ガス供給装置が、プラズマ発生用ガスの供給流量を調整するガス流量調整部を備え、
    上記プロセス制御部は、上記プラズマ発生用ガスの供給流量条件に基づいて、上記ガス流量調整部を制御して上記供給流量を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
13. 上記運転条件には、上記処理室内の圧力条件を含み、
    上記プラズマ発生用ガス供給装置が、プラズマ発生用ガスの供給流量を調整するガス流量調整部を備え、
    上記プロセス制御部は、上記処理室内の圧力条件に基づいて、上記ガス流量調整部を制御して上記供給流量を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
14. 上記運転条件には、上記処理室内の圧力条件を含み、
    上記プロセス制御部は、上記処理室内の圧力条件に基づいて、上記真空排気装置を制御して上記処理室内の圧力を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
15. 上記運転条件には、上記高周波電力の周波数条件を含み、
    上記プロセス制御部は、上記高周波電力の周波数条件に基づいて、上記高周波電力印加装置を制御して上記周波数を変更することで、上記プラズマエッチングの状態を上記異方性エッチング又は上記等方性エッチングのいずれか一方の状態から他方の状態に選択的に切り替える請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
16. 上記半導体ウェハに対する上記プラズマエッチングの処理時間を計測する処理時間計測部をさらに備え、
    上記プロセス制御部は、上記処理時間計測部により計測された処理時間に基づいて、上記プラズマエッチングの状態の切り替えを行う請求項９に記載の半導体ウェハの分割装置。
17. 複数の半導体素子が形成された第１の表面に保護シートが配置され、上記第１の表面の反対側の第２の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが形成された半導体ウェハに対して、上記第２の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割装置において、
    上記半導体ウェハが配置されるとともに、当該半導体ウェハに対してプラズマエッチングが行われる処理室と、
    上記処理室内においてプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
    運転条件に基づいて上記プラズマ発生装置を制御して上記処理室内にプラズマを発生させ、上記プラズマエッチングにより上記分割線に沿って上記半導体ウェハの分割処理を実行する制御装置とを備え、
    上記制御装置は、上記運転条件として、上記プラズマエッチングの状態を異方性エッチングの状態とする異方性エッチング用運転条件と、等方性エッチングの状態とする等方性エッチング用運転条件とを選択可能に有し、いずれか一方の運転条件に基づいて上記プラズマを発生させて上記分割処理を開始し、当該分割処理の途中で他方の上記運転条件を選択して当該他方の運転条件に基づいて上記プラズマを発生させるプロセス制御部を備えることを特徴とする半導体ウェハの分割装置。

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