JP6820682B2 - 基板の分離方法及び半導体素子 - Google Patents
基板の分離方法及び半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6820682B2 JP6820682B2 JP2016149327A JP2016149327A JP6820682B2 JP 6820682 B2 JP6820682 B2 JP 6820682B2 JP 2016149327 A JP2016149327 A JP 2016149327A JP 2016149327 A JP2016149327 A JP 2016149327A JP 6820682 B2 JP6820682 B2 JP 6820682B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- region
- separating
- along
- altered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 208
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 39
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 28
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本実施の形態では、Ga2O3系基板のような強い劈開面を有する基板を、劈開を発生させずに高速で分離する方法について述べる。
図2(a)〜(f)は、第1の実施の形態に係る基板10の分離方法を示す垂直断面図である。
本発明の実施の形態は、ウェットエッチング工程における素子部へのダメージを防ぐために、第1の実施の形態の基板の分離工程に新たな工程が追加されている。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
図4(a)〜(g)は、第2の実施の形態に係る基板10の分離方法を示す垂直断面図である。
上記第1の実施の形態によれば、Ga2O3系基板のような強い劈開面を有する基板を、劈開を発生させずに高速で分離することができる。さらに、第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態のウェットエッチング工程において素子部がダメージを受けるおそれがある場合には、これを防ぐことができる。
Claims (7)
- 第1の面に素子部が搭載された基板の内部の分離予定面に沿ってレーザー光の集光点を走査させて、前記分離予定面に沿って連続し、前記基板の前記第1の面の反対側の第2の面に達する変質領域を形成する工程と、
ウェットエッチングにより、前記基板から前記変質領域を選択的に除去して空隙を形成する工程と、
前記空隙を形成した後、前記第1の面と前記空隙との間の領域にレーザー光の集光点を走査させて、前記領域を除去する工程と、
前記領域を除去した後、前記分離予定面に沿って前記基板を分離する工程と、
を含む、基板の分離方法。 - 前記第1の面と前記変質領域の間の領域の厚さが20μm以上かつ50μm以下となるように、前記変質領域を形成する、
請求項1に記載の基板の分離方法。 - 前記基板がGa2O3系基板である、
請求項1又は2に記載の基板の分離方法。 - 前記ウェットエッチングは、フッ化水素酸又はアルカリエッチャントをエッチャントとして用いて実施される、
請求項3に記載の基板の分離方法。 - 第1の面に素子部が搭載されたGa2O3系基板の内部の分離予定面に沿ってレーザー光の集光点を走査させて、前記分離予定面に沿って連続し、少なくとも前記Ga2O3系基板の前記第1の面の反対側の第2の面に達する変質領域を形成する工程と、
ウェットエッチングにより、前記Ga2O3系基板から前記変質領域を選択的に除去して空隙を形成する工程と、
前記空隙を形成した後、前記分離予定面に沿って前記Ga2O3系基板を分離する工程と、
を含み、
前記Ga2O3系基板の主面及び分離予定面が(100)面以外の面であり、
前記レーザー光のパルス幅が10ps以下である、
基板の分離方法。 - Ga2O3系単結晶からなる基板と、
前記基板上に形成された素子部と、
を有し、
前記基板が、露出したGa2O3単結晶の劈開面を有さず、
前記基板の側面に縞状の凹凸が存在し、
前記縞状の凹凸が、前記基板の側面の上端から厚さ20μm以上かつ50μm以下の領域を除いた領域に形成された、
半導体素子。 - 前記縞状の凹凸の最大高低差が3μm以下である、
請求項6に記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016149327A JP6820682B2 (ja) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 基板の分離方法及び半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016149327A JP6820682B2 (ja) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 基板の分離方法及び半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018018999A JP2018018999A (ja) | 2018-02-01 |
JP6820682B2 true JP6820682B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=61082041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016149327A Active JP6820682B2 (ja) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 基板の分離方法及び半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6820682B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022102475A (ja) * | 2020-12-25 | 2022-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62249418A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 分離方法 |
CN102623373B (zh) * | 2007-05-25 | 2015-07-15 | 浜松光子学株式会社 | 切断用加工方法 |
JP5939752B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2013188785A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 被加工物の加工方法および分割方法 |
JP2014203954A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-07-29 JP JP2016149327A patent/JP6820682B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018018999A (ja) | 2018-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5232375B2 (ja) | 半導体発光素子の分離方法 | |
JP4781661B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4829781B2 (ja) | レーザ加工方法及び半導体チップ | |
JP5312761B2 (ja) | 切断用加工方法 | |
JP5537081B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
TWI476085B (zh) | Processing object cutting method | |
KR101282509B1 (ko) | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 | |
JP5138219B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4907965B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR100853057B1 (ko) | 레이저 가공 방법 | |
JP5162163B2 (ja) | ウェーハのレーザ加工方法 | |
JP5476063B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP6223801B2 (ja) | 光デバイスウェーハの加工方法 | |
JP2007317935A (ja) | 半導体基板、基板割断方法、および素子チップ製造方法 | |
KR20150099428A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2005109432A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2006173520A (ja) | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 | |
JP6820682B2 (ja) | 基板の分離方法及び半導体素子 | |
JP2016111119A (ja) | 光デバイスの加工方法 | |
JP5598801B2 (ja) | レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置 | |
JP2019126838A (ja) | 切断方法、及び、チップ | |
JP2020142964A (ja) | ガラス基板製造方法 | |
JP2013118413A (ja) | Ledチップ | |
JP2013118277A (ja) | Ledパターン付き基板の加工方法 | |
JP2018182135A (ja) | 加工対象物切断方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180327 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190718 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200901 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20200901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6820682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |