KR20210024961A - 캐리어판의 제거 방법 - Google Patents

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가츠히코 스즈키
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 워크피스로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있는 캐리어판의 제거 방법을 제공한다.
(해결 수단) 캐리어판의 표면 전체에 형성된 가접착층에 의해 캐리어판의 표면의 외측 가장자리부를 제외한 영역에 접착된 워크피스로부터 캐리어판을 제거할 때에 사용되는 캐리어판의 제거 방법으로서, 가접착층의 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거하는 가접착층 제거 공정과, 가접착층의 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거한 후에, 워크피스를 상방에서 유지 유닛으로 유지하는 유지 공정과, 워크피스를 상방에서 유지한 상태에서, 캐리어판의 표면측으로부터 푸시 부재로 캐리어판의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여 캐리어판을 워크피스로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 워크피스로부터 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함한다.

Description

캐리어판의 제거 방법{METHOD FOR REMOVING CARRIER PLATE}
본 발명은 가접착층에 의해 캐리어판의 표면에 접착된 워크피스로부터 캐리어판을 제거할 때에 사용되는 캐리어판의 제거 방법에 관한 것이다.
휴대 전화기나 퍼스널 컴퓨터로 대표되는 전자 기기에서는, 전자 회로 등의 디바이스를 구비하는 디바이스 칩이 필수의 구성 요소로 되어 있다. 디바이스 칩은, 예를 들어, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼의 표면을 분할 예정 라인 (스트리트) 으로 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 디바이스를 형성한 후, 이 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할함으로써 얻어진다.
상기 서술한 바와 같은 방법으로 얻어진 디바이스 칩은, 예를 들어, CSP (Chip Size Package) 용의 마더 기판에 고정되고, 와이어 본딩 등의 방법으로 이 마더 기판의 단자 등에 전기적으로 접속된 후에, 몰드 수지로 봉지 (封止) 된다. 이와 같이, 몰드 수지에 의해 디바이스 칩을 봉지하여 패키지 디바이스를 형성함으로써, 충격, 광, 열, 물 등의 외적인 요인으로부터 디바이스 칩을 보호할 수 있게 된다.
최근에는, 웨이퍼 레벨의 재배선 기술을 사용하여 디바이스 칩의 영역 외에 패키지 단자를 형성하는 FOWLP (Fan-Out Wafer Level Package) 라고 불리는 패키지 기술이 채용되기 시작하고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또, 웨이퍼보다 사이즈가 큰 패널 (대표적으로는, 액정 패널의 제조에 사용되는 유리 기판) 의 레벨로 패키지 디바이스를 일괄적으로 제조하는 FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging) 라고 불리는 패키지 기술도 제안되어 있다.
FOPLP 에서는, 예를 들어, 임시 기판이 되는 캐리어판의 표면에 가접착층을 개재하여 배선층 (RDL : Redistribution Layer) 을 형성하고, 이 배선층에 디바이스 칩을 접합한다. 다음으로, 디바이스 칩을 몰드 수지로 봉지하여, 패키지 패널을 얻는다. 그 후, 패키지 패널을 연삭 등의 방법에 의해 얇게 한 후에, 이 패키지 패널을 분할함으로써, 패키지 디바이스가 완성된다.
일본 공개특허공보 2016-201519호
상기 서술한 FOPLP 에서는, 예를 들어, 패키지 패널을 패키지 디바이스로 분할한 후에, 이 패키지 디바이스로부터 캐리어판이 제거된다. 구체적으로는, 캐리어판으로부터 각 패키지 디바이스를 픽업한다. 그런데, 패키지 디바이스의 사이즈가 작으면, 이 패키지 디바이스를 캐리어판으로부터 픽업하는 것은 어렵다.
한편, 패키지 패널을 패키지 디바이스로 분할하기 전에, 패키지 패널로부터 캐리어판을 박리하여, 제거하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 가접착층의 접착력은 어느 정도 강하기 때문에, 패키지 패널이나 캐리어판을 손상시키는 일 없이 캐리어판을 패키지 패널로부터 박리하는 것이 어려웠다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 점은, 패키지 패널 등의 워크피스로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있는 캐리어판의 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 캐리어판의 표면 전체에 형성된 가접착층에 의해 그 캐리어판의 그 표면의 외측 가장자리부를 제외한 영역에 접착된 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거할 때에 사용되는 캐리어판의 제거 방법으로서, 그 가접착층의 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거하는 가접착층 제거 공정과, 그 가접착층의 그 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거한 후에, 그 워크피스를 상방에서 유지 유닛으로 유지하는 유지 공정과, 그 워크피스를 상방에서 유지한 상태에서, 그 캐리어판의 그 표면측으로부터 푸시 부재로 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여 그 캐리어판을 그 워크피스로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 그 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함하는 캐리어판의 제거 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사한 후에, 또는 그 워크피스와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사하면서, 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여 그 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거하는 경우가 있다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가해도 된다. 또, 그 액체에는, 계면 활성제를 포함시켜도 된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 그 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 푸시 부재에 진동을 부여하면서 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가해도 된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 그 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 액체에 진동을 부여하면서 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가해도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 가접착층의 외측 가장자리부의 적어도 일부를 제거함으로써, 캐리어판과 워크피스를 접착하는 가접착층의 중앙부로부터, 가접착층의 외측 가장자리부의 캐리어판에 고착된 부분을 떼어낸다.
따라서, 워크피스를 상방에서 유지 유닛으로 유지하고, 캐리어판의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가함으로써, 외측 가장자리부의 캐리어판에 고착된 부분에 의한 영향을 받지 않고 워크피스로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있다. 또, 캐리어판의 외측 가장자리부에 가하는 하향의 힘과 함께, 캐리어판에 작용하는 중력을 이용할 수 있으므로, 워크피스로부터 캐리어판을 제거할 때에 큰 힘을 필요로 하지 않는다.
도 1(A) 는, 캐리어판과 워크피스를 포함하는 복합 기판의 구성예를 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 도 1(A) 의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 2(A) 는, 가접착층의 외측 가장자리부의 일부가 제거되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 2(B) 는, 가접착층의 외측 가장자리부의 일부가 제거된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3(A) 는, 워크피스가 상방에서 유지되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 3(B) 는, 캐리어판의 외측 가장자리부에 하향의 힘이 가해지는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 3(C) 는, 워크피스로부터 캐리어판이 제거된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4(A) 는, 제 1 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법으로 워크피스로부터 캐리어판이 제거되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 4(B) 는, 제 2 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법으로 워크피스로부터 캐리어판이 제거되는 모습을 나타내는 단면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 도 1(A) 는, 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서 사용되는 복합 기판 (1) 의 구성예를 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 도 1(A) 의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다. 복합 기판 (1) 은, 예를 들어, 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 절연체 재료로 형성된 캐리어판 (3) 을 포함하고 있다.
이 캐리어판 (3) 은, 대체로 평탄한 제 1 면 (표면) (3a) 과, 제 1 면 (3a) 과는 반대측의 제 2 면 (이면) (3b) 을 갖고, 제 1 면 (3a) 측 또는 제 2 면 (3b) 측에서 본 형상이 사각형의 평판상으로 구성되어 있다. 캐리어판 (3) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎜ 이하, 대표적으로는, 1.1 ㎜ 이다.
또한, 본 실시형태에서는, 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 절연체 재료로 이루어지는 캐리어판 (3) 을 사용하지만, 캐리어판 (3) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 판을 캐리어판 (3) 으로서 사용할 수도 있다. 반도체 웨이퍼 등의 원반상의 판을 캐리어판 (3) 으로 해도 된다.
캐리어판 (3) 의 제 1 면 (3a) 에는, 가접착층 (5) 을 개재하여 워크피스 (7) 가 접착되어 있다. 가접착층 (5) 은, 예를 들어, 금속막이나 절연체막 등을 중첩함으로써 제 1 면 (3a) 의 대체로 전체에 형성되어 있다. 또한, 이 가접착층 (5) 은, 접착제로서 기능하는 수지막 등에 의해 구성되는 경우도 있다.
가접착층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 20 ㎛ 이하, 대표적으로는, 5 ㎛ 이다. 이 가접착층 (5) 은, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 접착하는 중앙부 (5a) 와, 캐리어판 (3) 의 제 1 면 (3a) 의 외측 가장자리부 등을 피복하는 외측 가장자리부 (5b) 를 포함한다. 요컨대, 워크피스 (7) 는, 캐리어판 (3) 의 제 1 면 (3a) 의 외측 가장자리부를 제외한 영역에 접착된다. 또한, 이 외측 가장자리부 (5b) 의 일부는, 캐리어판 (3) 에 고착되어 있어 용이하게는 박리되지 않는다.
워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여 제거할 때에는, 가접착층 (5) 의 중앙부 (5a) 가, 캐리어판 (3) 측에 밀착된 제 1 부분 (5c) (도 3(C) 참조) 과, 워크피스 (7) 측에 밀착된 제 2 부분 (5d) (도 3(C) 참조) 으로 분리된다. 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하기 전에는, 이 중앙부 (5a) 가 적절히 분리되도록, 캐리어판 (3) 에 고착된 외측 가장자리부 (5b) 의 일부를 중앙부 (5a) 로부터 떼어낸다.
워크피스 (7) 는, 예를 들어, 패키지 패널이나 패키지 웨이퍼 등이라고도 불리고, 가접착층 (5) 의 중앙부 (5a) 에 접하는 배선층 (RDL) (도시 생략) 과, 배선층에 접합된 복수의 디바이스 칩 (9) 과, 각 디바이스 칩 (9) 을 봉지하는 몰드 수지층 (11) 을 포함한다. 이 워크피스 (7) 는, 예를 들어, 캐리어판 (3) 과 동일한 평판상으로 구성되어 있다.
또, 이 워크피스 (7) 를 제 1 면 (표면) (7a) 측 (가접착층 (5) 과는 반대측) 에서 본 크기는, 캐리어판 (3) 을 제 1 면 (3a) 측 또는 제 2 면 (3b) 측에서 본 크기보다 작게 되어 있다. 그리고, 워크피스 (7) 의 두께는, 예를 들어, 1.5 ㎜ 이하, 대표적으로는, 0.6 ㎜ 이다.
또한, 워크피스 (7) 의 제 1 면 (7a) 측은, 연삭 등의 방법으로 가공되어도 된다. 또, 워크피스 (7) 내에서 인접하는 디바이스 칩 (9) 사이의 영역에는, 분할 예정 라인이 설정된다. 예를 들어, 임의의 분할 예정 라인을 따라 워크피스 (7) 를 절단함으로써, 워크피스 (7) 는, 각각 하나 또는 복수의 디바이스 칩 (9) 을 포함하는 복수의 워크피스편 (片) 으로 분할된다.
그리고, 모든 분할 예정 라인을 따라 워크피스 (7) (또는 워크피스편) 를 절단하면, 각 디바이스 칩 (9) 에 대응하는 복수의 패키지 디바이스가 얻어진다. 단, 워크피스 (7) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 워크피스 (7) 는, 주로 배선층으로 구성되고, 디바이스 칩 (9) 이나 몰드 수지층 (11) 등을 포함하지 않는 경우도 있다.
본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 먼저, 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부를 제거한다 (가접착층 제거 공정). 도 2(A) 는, 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 일부가 제거되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 2(B) 는, 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 일부가 제거된 상태를 나타내는 단면도이다.
외측 가장자리부 (5b) 의 일부를 제거할 때에는, 도 2(A) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (2) 가 사용된다. 레이저 가공 장치 (2) 는, 복합 기판 (1) 을 유지하기 위한 척 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 척 테이블 (4) 은, 예를 들어, 스테인리스로 대표되는 금속 재료로 이루어지는 원통상의 프레임체 (6) 와, 다공질 재료로 이루어지는 프레임체 (6) 의 상부에 배치되는 유지판 (8) 을 포함한다.
유지판 (8) 의 상면은, 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 을 흡인하여, 유지하기 위한 유지면 (8a) 으로 되어 있다. 이 유지판 (8) 의 하면측은, 프레임체 (6) 의 내부에 형성된 유로 (6a) 나 밸브 (10) 등을 개재하여 흡인원 (12) 에 접속되어 있다. 그 때문에, 밸브 (10) 를 개방하면, 흡인원 (12) 의 부압 (負壓) 을 유지면 (8a) 에 작용시킬 수 있다.
척 테이블 (4) (프레임체 (6)) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 이 회전 구동원이 발생시키는 힘에 의해, 상기 서술한 유지면 (8a) 에 대해 대체로 수직인 회전축 둘레로 회전한다. 또, 척 테이블 (4) (프레임체 (6)) 은, 이동 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 상기 서술한 유지면 (8a) 에 대해 대체로 평행한 가공 이송 방향과, 유지면 (8a) 에 대해 대체로 평행하고 가공 이송 방향에 대해 대체로 수직인 산출 이송 방향으로 이동한다.
도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (4) 의 상방에는, 레이저 조사 유닛 (14) 이 배치되어 있다. 레이저 조사 유닛 (14) 은, 가접착층 (5) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔 (16) 을 생성할 수 있는 레이저 발진기 (도시 생략) 와, 이 레이저 빔 (16) 을 척 테이블 (4) 에 의해 유지되는 복합 기판 (1) 으로 유도하는 광학계 (도시 생략) 를 포함한다.
외측 가장자리부 (5b) 의 일부를 제거할 때에는, 먼저, 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 을 척 테이블 (4) 에 의해 유지하고, 워크피스 (7) 측을 상방으로 노출시킨다. 즉, 도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (3b) 을 척 테이블 (4) 의 유지면 (8a) 에 접촉시킨 후에, 밸브 (10) 를 개방하고, 흡인원 (12) 의 부압을 유지면 (8a) 에 작용시킨다.
복합 기판 (1) 을 척 테이블 (4) 에 의해 유지한 후에는, 상방으로 노출되는 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 에 레이저 빔 (16) 을 조사하여, 도 2(B) 에 나타내는 바와 같이, 이 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 를 제거한다. 구체적으로는, 레이저 조사 유닛 (14) 의 레이저 빔 사출구로부터 하방으로 레이저 빔 (16) 을 조사하면서, 이 레이저 조사 유닛 (14) 의 레이저 빔 사출구를 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 를 따라 상대적으로 이동시킨다.
또한, 제거의 대상이 되는 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 는, 예를 들어, 가접착층 (5) 의 중앙부 (5a) 를 둘러싸도록, 이 가접착층 (5) (또는 캐리어판 (3)) 의 외측 가장자리로부터 1 ㎜ ∼ 3 ㎜ 의 거리의 위치에 설정된다. 즉, 중앙부 (5a) 를 둘러싸는 환상의 영역이, 제거의 대상으로서 설정된다. 단, 이 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 의 위치에 특별한 제한은 없다. 또, 레이저 빔 (16) 을 조사하는 조건은, 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 를 어블레이션에 의해 제거할 수 있는 범위 내에서 조정된다.
이로써, 도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 에 상방으로부터 레이저 빔 (16) 을 조사하여, 이 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 를 제거할 수 있다. 요컨대, 캐리어판 (3) 에 고착된 외측 가장자리부 (5b) 의 일부가 중앙부 (5a) 로부터 떼어내져, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 용이하게 박리할 수 있게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 만을 제거하고 있지만, 외측 가장자리부 (5b) 전부를 제거해도 된다.
가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 일부 (5e) 를 제거한 후에는, 복합 기판 (1) 의 워크피스 (7) 를 상방에서 유지한다 (유지 공정). 도 3(A) 는, 워크피스 (7) 가 상방에서 유지되는 모습을 나타내는 단면도이다. 워크피스 (7) 를 상방에서 유지할 때에는, 도 3(A) 등에 나타내는 박리 장치 (22) 가 사용된다. 박리 장치 (22) 는, 복합 기판 (1) 의 워크피스 (7) 를 상방에서 유지하기 위한 유지 유닛 (24) 을 구비하고 있다.
유지 유닛 (24) 의 하부에는, 워크피스 (7) 의 제 1 면 (7a) 과 동일한 정도의 크기를 갖는 유지면 (24a) 이 형성되어 있다. 이 유지면 (24a) 에는, 유로 (도시 생략) 나 밸브 (도시 생략) 등을 개재하여 흡인원 (도시 생략) 이 접속되어 있다. 그 때문에, 밸브를 개방하면, 유지면 (24a) 에 흡인원의 부압이 작용한다. 또, 유지 유닛 (24) 은, 승강 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 연직 방향으로 이동한다.
워크피스 (7) 를 상방에서 유지할 때에는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 캐리어판 (3) 의 상방에 워크피스 (7) 가 위치된 상태에서, 이 워크피스 (7) 의 제 1 면 (7a) 에 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 을 접촉시킨다. 그리고, 밸브를 개방하고, 흡인원의 부압을 유지면 (24a) 에 작용시킨다. 이로써, 복합 기판 (1) 의 워크피스 (7) 가 상방에서 유지 유닛 (24) 에 의해 유지된다.
또한, 본 실시형태에서는, 워크피스 (7) 의 제 1 면 (7a) 을 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 에 대해 직접 접촉시키고 있지만, 워크피스 (7) 의 제 1 면 (7a) 과 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 사이에 포러스 시트 등을 개재시켜도 된다. 이로써, 유지면 (24a) 과의 접촉에서 기인하는 워크피스 (7) 의 손상이나 오염 등을 방지할 수 있게 된다.
워크피스 (7) 를 상방에서 유지한 후에는, 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가함으로써, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여 제거한다 (캐리어판 제거 공정). 도 3(B) 는, 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘이 가해지는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 3(C) 는, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 이 제거된 상태를 나타내는 단면도이다. 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여 제거할 때에는, 계속해서 박리 장치 (22) 가 사용된다.
도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 유지 유닛 (24) 의 측방에는, 이 유지 유닛 (24) 에 의해 유지되는 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 상당하는 위치에, 봉상의 푸시 부재 (26) 가 배치되어 있다. 푸시 부재 (26) 는, 예를 들어, 유지 유닛 (24) 을 이동시키는 승강 기구와는 다른 승강 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 유지 유닛 (24) 으로부터 독립적으로 연직 방향으로 이동한다.
워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 제거할 때에는, 먼저, 유지 유닛 (24) 과 푸시 부재 (26) 를 함께 상방으로 이동시키고, 유지 유닛 (24) 에 유지되어 있는 복합 기판 (1) 을 들어올린다. 즉, 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (3b) 측을 하방으로 노출시킨다. 다음으로, 유지 유닛 (24) 의 위치를 유지한 채로 푸시 부재 (26) 를 하방으로 이동시켜, 이 푸시 부재 (26) 의 하단을 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 접촉시킨다. 즉, 푸시 부재 (26) 에 의해 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가한다.
상기 서술한 바와 같이, 복합 기판 (1) 의 워크피스 (7) 는, 유지 유닛 (24) 에 의해 상방에서 유지되고 있다. 그 때문에, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하면, 캐리어판 (3) 은 가접착층 (5) 을 경계로 워크피스 (7) 로부터 박리되어, 낙하한다. 즉, 캐리어판 (3) 은, 워크피스 (7) 로부터 멀어지는 방향으로 이동한다. 본 실시형태에서는, 캐리어판 (3) 에 고착된 외측 가장자리부 (5b) 의 일부가 중앙부 (5a) 로부터 떼어내져 있으므로, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 용이하게 박리하여 제거할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 가접착층 (5) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔 (16) 을 가접착층 (5) 에 조사하여 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 제거함으로써, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 접착하는 가접착층 (5) 의 중앙부 (5a) 로부터, 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 캐리어판 (3) 에 고착된 부분을 떼어내고 있다.
따라서, 워크피스 (7) 를 상방에서 유지 유닛 (24) 으로 유지하고, 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가함으로써, 외측 가장자리부 (5b) 의 캐리어판 (3) 에 고착된 부분에 의한 영향을 받지 않고 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 용이하게 제거할 수 있다. 또, 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 가하는 하향의 힘과 함께, 캐리어판 (3) 에 작용하는 중력을 이용할 수 있으므로, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 제거할 때에 큰 힘을 필요로 하지 않는다.
또한, 본 발명은, 상기 서술한 실시형태의 기재에 제한되지 않고 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 서술한 실시형태에서는, 상방의 워크피스 (7) 측으로부터 레이저 빔 (16) 을 조사하는 방법으로 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 제거하고 있지만, 하방의 캐리어판 (3) 측으로부터 레이저 빔을 조사하는 방법으로 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 제거할 수도 있다. 또한, 이 경우에는, 캐리어판 (3) 을 투과하여 가접착층 (5) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔이 사용된다.
동일하게, 상기 서술한 실시형태에서는, 가접착층 (5) 에 레이저 빔 (16) 을 조사하는 방법으로 가접착층 (5) 의 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 제거하고 있지만, 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 다른 방법으로 제거해도 된다. 예를 들어, 가접착층 (5) 에 절삭 블레이드 등을 절입시키는 방법으로, 외측 가장자리부 (5b) 의 적어도 일부 (5e) 를 제거할 수 있다.
또, 예를 들어, 상기 서술한 실시형태의 푸시 부재 (26) 는, 유지 유닛 (24) 으로부터 독립적으로 연직 방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있지만, 이 푸시 부재 (26) 는, 적어도 유지 유닛 (24) 에 대해 상대적으로 이동할 수 있으면 된다.
그 때문에, 예를 들어, 푸시 부재 (26) 를 박리 장치 (22) 의 케이싱 (도시 생략) 등에 고정시키고, 유지 유닛 (24) 만을 이동시킴으로써, 유지 유닛 (24) 에 대해 푸시 부재 (26) 를 상대적으로 이동시켜도 된다. 또, 상기 서술한 실시형태에서는, 1 개의 푸시 부재 (26) 를 사용하고 있지만, 복수의 푸시 부재 (26) 를 사용할 수도 있다.
또, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여 제거할 때, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 사이에서 노출되는 가접착층 (5) 에 유체를 분사할 수도 있다. 도 4(A) 는, 제 1 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법으로 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 이 제거되는 모습을 나타내는 단면도이다. 또한, 제 1 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법의 많은 부분은, 상기 서술한 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법과 공통되어 있다. 따라서, 이하에서는, 주로 상이점에 대해 설명하고, 공통되는 부분의 상세한 설명을 생략한다.
도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 이 제 1 변형예에서 사용되는 박리 장치 (22) 의 유지 유닛 (24) 의 측방에는, 노즐 (32) 이 배치되어 있다. 노즐 (32) 에는, 유로 (도시 생략) 나 밸브 (도시 생략) 등을 개재하여 유체 (34) 의 공급원 (도시 생략) 이 접속되어 있다.
이 노즐 (32) 로부터, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 사이에서 노출되는 가접착층 (5) 에 유체 (34) 를 분사한 후에, 또는, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 사이에서 노출되는 가접착층 (5) 에 유체 (34) 를 분사하면서, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가함으로써, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있다. 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 사이에 분사하는 유체 (34) 로는, 예를 들어, 에어나 물 등을 사용할 수 있다. 단, 유체 (34) 의 종류 등에 특별한 제한은 없다.
또, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여 제거할 때, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 액체에 가라앉혀도 된다. 도 4(B) 는, 제 2 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법으로 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 이 제거되는 모습을 나타내는 단면도이다. 또한, 제 2 변형예에 관련된 캐리어판의 제거 방법의 많은 부분은, 상기 서술한 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법과 공통되어 있다. 따라서, 이하에서는, 주로 상이점에 대해 설명하고, 공통되는 부분의 상세한 설명을 생략한다.
도 4(B) 에 나타내는 바와 같이, 이 제 2 변형예에서 사용되는 박리 장치 (22) 의 유지 유닛 (24) 의 하방에는, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 수용할 수 있는 크기의 조 (槽) (42) 가 배치되어 있다. 조 (42) 내에는, 물 등의 액체 (44) 가 모인다.
조 (42) 내의 액체 (44) 에 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 가라앉힌 상태에서, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하면, 워크피스 (7) 로부터 박리된 캐리어판 (3) 은 액체 (44) 중을 낙하한다. 그 결과, 캐리어판 (3) 을 공기 중에서 낙하시키는 경우에 비해 낙하에 수반하는 충격이 작아져, 캐리어판 (3) 의 파손이나, 박리 장치 (22) 의 진동 등을 방지할 수 있다.
또한, 이 액체 (44) 에는 계면 활성제를 포함시켜도 된다. 액체 (44) 에 포함시키는 계면 활성제로는, 가접착층 (5) 에 침입하기 쉬운 아니온 계면 활성제나 카티온 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 이와 같이, 가접착층 (5) 에 침입하기 쉬운 계면 활성제를 액체 (44) 에 포함시킴으로써, 계면 활성제가 침입한 영역으로부터 가접착층 (5) 이 분리되기 쉬워져, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 제거할 수 있다.
또, 제 2 변형예에서는, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 액체 (44) 에 가라앉힌 후, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가할 때, 이 푸시 부재 (26) 에 초음파 등의 진동을 부여해도 된다. 구체적으로는, 초음파 등의 진동을 푸시 부재 (26) 에 부여하면서, 이 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가한다. 이 경우에는, 푸시 부재 (26) 로부터 전해지는 진동의 작용에 의해, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있게 된다.
동일하게, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 액체 (44) 에 가라앉힌 후, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가할 때, 액체 (44) 에 초음파 등의 진동을 부여해도 된다. 구체적으로는, 초음파 등의 진동을 액체 (44) 에 부여하면서, 푸시 부재 (26) 로 캐리어판 (3) 의 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가한다. 이 경우에는, 액체 (44) 로부터 전해지는 진동의 작용에 의해, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있게 된다.
또, 제 2 변형예에 대해, 추가로 제 1 변형예를 조합해도 된다. 즉, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 를 액체 (44) 에 가라앉히기 전, 또는 가라앉힌 후에, 캐리어판 (3) 과 워크피스 (7) 사이에서 노출되는 가접착층 (5) 에 유체를 분사할 수도 있다. 이 경우에도, 워크피스 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있다.
그 밖에, 상기 서술한 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 복합 기판
3 : 캐리어판
3a : 제 1 면 (표면)
3b : 제 2 면 (이면)
5 : 가접착층
5a : 중앙부
5b : 외측 가장자리부
5c : 제 1 부분
5d : 제 2 부분
5e : 일부
7 : 워크피스
7a : 제 1 면 (표면)
9 : 디바이스 칩
11 : 몰드 수지층
2 : 레이저 가공 장치
4 : 척 테이블
6 : 프레임체
6a : 유로
8 : 유지판
8a : 유지면
10 : 밸브
12 : 흡인원
14 : 레이저 조사 유닛
16 : 레이저 빔
22 : 박리 장치
24 : 유지 유닛
24a : 유지면
26 : 푸시 부재
32 : 노즐
34 : 유체
42 : 조
44 : 액체

Claims (8)

  1. 캐리어판의 표면 전체에 형성된 가접착층에 의해 그 캐리어판의 그 표면의 외측 가장자리부를 제외한 영역에 접착된 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거할 때에 사용되는 캐리어판의 제거 방법으로서,
    그 가접착층의 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거하는 가접착층 제거 공정과,
    그 가접착층의 그 외측 가장자리부의 일부 또는 전부를 제거한 후에, 그 워크피스를 상방에서 유지 유닛으로 유지하는 유지 공정과,
    그 워크피스를 상방에서 유지한 상태에서, 그 캐리어판의 그 표면측으로부터 푸시 부재로 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여 그 캐리어판을 그 워크피스로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 그 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함하는 캐리어판의 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사한 후에, 또는 그 워크피스와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사하면서, 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하여 그 워크피스로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판의 제거 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하는 캐리어판의 제거 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    그 액체에는, 계면 활성제를 포함시킨 캐리어판의 제거 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하는 캐리어판의 제거 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    그 액체에는, 계면 활성제를 포함시킨 캐리어판의 제거 방법.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 그 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 푸시 부재에 진동을 부여하면서 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하는 캐리어판의 제거 방법.
  8. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크피스와 그 캐리어판을 그 액체에 가라앉힌 상태에서, 그 액체에 진동을 부여하면서 그 캐리어판의 그 외측 가장자리부에 하향의 힘을 가하는 캐리어판의 제거 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133377A (ko) * 2021-03-24 2022-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
JP4271409B2 (ja) * 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
JP4965485B2 (ja) * 2008-02-29 2012-07-04 東京応化工業株式会社 処理液浸透ユニットおよび処理装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
EP2381464B1 (de) * 2010-04-23 2012-09-05 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP5580805B2 (ja) * 2011-10-21 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015018061A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 セイコーエプソン株式会社 電気泳動装置、電気泳動装置の製造方法、及び電子機器
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP2015225881A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ディスコ テープの貼着方法
JP2016051779A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークの剥離方法
DE102015002542B4 (de) * 2015-02-27 2023-07-20 Disco Corporation Waferteilungsverfahren
JP2016187004A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR101898121B1 (ko) * 2015-10-22 2018-09-12 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리 방법 및 그러한 방법을 위해 설계된 장치
JP2018092963A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018195770A (ja) * 2017-05-22 2018-12-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6914587B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6887313B2 (ja) * 2017-05-31 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6877585B2 (ja) * 2017-12-19 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

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