JP2021034572A - キャリア板の除去方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ワークからキャリア板を容易に除去できるキャリア板の除去方法を提供する。【解決手段】キャリア板の表面の全体に設けられた仮接着層によってキャリア板の表面の外縁部を除く領域に接着されたワークからキャリア板を除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、仮接着層の外縁部の一部又は全部を除去する仮接着層除去工程と、仮接着層の外縁部の一部又は全部を除去した後に、ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、ワークを上方から保持した状態で、キャリア板の表面側からプッシュ部材でキャリア板の外縁部に下向きの力を加えてキャリア板をワークから離れる方向に移動させることによりワークからキャリア板を除去するキャリア板除去工程と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、仮接着層によってキャリア板の表面に接着されたワークからキャリア板を除去する際に用いられるキャリア板の除去方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を分割予定ライン（ストリート）で複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することにより得られる。
上述のような方法で得られたデバイスチップは、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）用のマザー基板に固定され、ワイヤボンディング等の方法でこのマザー基板の端子等に電気的に接続された後に、モールド樹脂で封止される。このように、モールド樹脂によってデバイスチップを封止してパッケージデバイスを形成することで、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップを保護できるようになる。
近年では、ウェーハレベルの再配線技術を用いてデバイスチップの領域外にパッケージ端子を形成するＦＯＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Package）と呼ばれるパッケージ技術が採用され始めている（例えば、特許文献１参照）。また、ウェーハよりサイズの大きいパネル（代表的には、液晶パネルの製造に用いられるガラス基板）のレベルでパッケージデバイスを一括して製造するＦＯＰＬＰ（Fan-Out Panel Level Packaging）と呼ばれるパッケージ技術も提案されている。
ＦＯＰＬＰでは、例えば、仮の基板となるキャリア板の表面に仮接着層を介して配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を形成し、この配線層にデバイスチップを接合する。次に、デバイスチップをモールド樹脂で封止して、パッケージパネルを得る。その後、パッケージパネルを研削等の方法によって薄くした上で、このパッケージパネルを分割することにより、パッケージデバイスが完成する。
特開２０１６−２０１５１９号公報
上述したＦＯＰＬＰでは、例えば、パッケージパネルをパッケージデバイスへと分割した後に、このパッケージデバイスからキャリア板が除去される。具体的には、キャリア板から各パッケージデバイスをピックアップする。ところが、パッケージデバイスのサイズが小さいと、このパッケージデバイスをキャリア板からピックアップするのは難しい。
一方で、パッケージパネルをパッケージデバイスへと分割する前に、パッケージパネルからキャリア板を剥離し、除去することも考えられる。しかしながら、仮接着層の接着力はある程度に強いので、パッケージパネルやキャリア板を損傷させることなくキャリア板をパッケージパネルから剥離するのが難しかった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パッケージパネル等のワークからキャリア板を容易に除去できるキャリア板の除去方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、キャリア板の表面の全体に設けられた仮接着層によって該キャリア板の該表面の外縁部を除く領域に接着されたワークから該キャリア板を除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、該仮接着層の外縁部の一部又は全部を除去する仮接着層除去工程と、該仮接着層の該外縁部の一部又は全部を除去した後に、該ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、該ワークを上方から保持した状態で、該キャリア板の該表面側からプッシュ部材で該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えて該キャリア板を該ワークから離れる方向に移動させることにより該ワークから該キャリア板を除去するキャリア板除去工程と、を含むキャリア板の除去方法が提供される。
本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板との間に流体を吹き付けた後に、又は該ワークと該キャリア板との間に流体を吹き付けながら、該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えて該ワークから該キャリア板を除去することがある。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを液体に沈めた状態で、該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えても良い。また、該液体には、界面活性剤を含ませても良い。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該プッシュ部材に振動を付与しながら該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えても良い。
また、本発明の一態様において、該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該液体に振動を付与しながら該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えても良い。
本発明の一態様にかかるキャリア板の除去方法では、仮接着層の外縁部の少なくとも一部を除去することで、キャリア板とワークとを接着する仮接着層の中央部から、仮接着層の外縁部のキャリア板に固着した部分を切り離す。
よって、ワークを上方から保持ユニットで保持して、キャリア板の外縁部に下向きの力を加えることで、外縁部のキャリア板に固着した部分による影響を受けることなくワークからキャリア板を容易に除去できる。また、キャリア板の外縁部に加える下向きの力とともに、キャリア板に作用する重力を利用できるので、ワークからキャリア板を除去する際に大きな力を必要としない。
図１（Ａ）は、キャリア板とワークとを含む複合基板の構成例を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一部を拡大して示す断面図である。 図２（Ａ）は、仮接着層の外縁部の一部が除去される様子を示す断面図であり、図２（Ｂ）は、仮接着層の外縁部の一部が除去された状態を示す断面図である。 図３（Ａ）は、ワークが上方から保持される様子を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、キャリア板の外縁部に下向きの力が加えられる様子を示す断面図であり、図３（Ｃ）は、ワークからキャリア板が除去された状態を示す断面図である。 図４（Ａ）は、第１変形例にかかるキャリア板の除去方法でワークからキャリア板が除去される様子を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、第２変形例にかかるキャリア板の除去方法でワークからキャリア板が除去される様子を示す断面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様にかかる実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態にかかるキャリア板の除去方法で使用される複合基板１の構成例を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一部を拡大して示す断面図である。複合基板１は、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料で形成されたキャリア板３を含んでいる。
このキャリア板３は、概ね平坦な第１面（表面）３ａと、第１面３ａとは反対側の第２面（裏面）３ｂとを有し、第１面３ａ側又は第２面３ｂ側から見た形状が矩形の平板状に構成されている。キャリア板３の厚みは、例えば、２ｍｍ以下、代表的には、１．１ｍｍである。
なお、本実施形態では、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の絶縁体材料でなるキャリア板３を用いるが、キャリア板３の材質、形状、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる板をキャリア板３として用いることもできる。半導体ウェーハ等の円盤状の板をキャリア板３としても良い。
キャリア板３の第１面３ａには、仮接着層５を介してワーク７が接着されている。仮接着層５は、例えば、金属膜や絶縁体膜等を重ねることによって第１面３ａの概ね全体に設けられている。なお、この仮接着層５は、接着剤として機能する樹脂膜等によって構成されることもある。
仮接着層５の厚みは、例えば、２０μｍ以下、代表的には、５μｍである。この仮接着層５は、キャリア板３とワーク７とを接着する中央部５ａと、キャリア板３の第１面３ａの外縁部等を被覆する外縁部５ｂと、を含む。つまり、ワーク７は、キャリア板３の第１面３ａの外縁部を除く領域に接着される。なお、この外縁部５ｂの一部は、キャリア板３に固着しており容易には剥がれない。
ワーク７からキャリア板３を剥離して除去する際には、仮接着層５の中央部５ａが、キャリア板３側に密着した第１部分５ｃ（図３（Ｃ）参照）と、ワーク７側に密着した第２部分５ｄ（図３（Ｃ）参照）と、に分離される。ワーク７からキャリア板３を剥離する前には、この中央部５ａが適切に分離されるように、キャリア板３に固着した外縁部５ｂの一部を中央部５ａから切り離す。
ワーク７は、例えば、パッケージパネルやパッケージウェーハ等とも呼ばれ、仮接着層５の中央部５ａに接する配線層（ＲＤＬ）（不図示）と、配線層に接合された複数のデバイスチップ９と、各デバイスチップ９を封止するモールド樹脂層１１と、を含む。このワーク７は、例えば、キャリア板３と同様の平板状に構成されている。
また、このワーク７を第１面（表面）７ａ側（仮接着層５とは反対側）から見た大きさは、キャリア板３を第１面３ａ側又は第２面３ｂ側から見た大きさよりも小さくなっている。そして、ワーク７の厚みは、例えば、１．５ｍｍ以下、代表的には、０．６ｍｍである。
なお、ワーク７の第１面７ａ側は、研削等の方法で加工されても良い。また、ワーク７内で隣接するデバイスチップ９の間の領域には、分割予定ラインが設定される。例えば、任意の分割予定ラインに沿ってワーク７を切断することで、ワーク７は、それぞれ１又は複数のデバイスチップ９を含む複数のワーク片に分割される。
そして、全ての分割予定ラインに沿ってワーク７（又はワーク片）を切断すれば、各デバイスチップ９に対応する複数のパッケージデバイスが得られる。ただし、ワーク７の材質、形状、構造、大きさ等に特段の制限はない。例えば、ワーク７は、主に配線層で構成され、デバイスチップ９やモールド樹脂層１１等を含まないこともある。
本実施形態にかかるキャリア板の除去方法では、まず、仮接着層５の外縁部５ｂの少なくとも一部を除去する（仮接着層除去工程）。図２（Ａ）は、仮接着層５の外縁部５ｂの一部が除去される様子を示す断面図であり、図２（Ｂ）は、仮接着層５の外縁部５ｂの一部が除去された状態を示す断面図である。
外縁部５ｂの一部を除去する際には、図２（Ａ）に示すレーザー加工装置２が用いられる。レーザー加工装置２は、複合基板１を保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、例えば、ステンレスに代表される金属材料でなる円筒状の枠体６と、多孔質材料でなり枠体６の上部に配置される保持板８とを含む。
保持板８の上面は、複合基板１のキャリア板３を吸引し、保持するための保持面８ａとなっている。この保持板８の下面側は、枠体６の内部に設けられた流路６ａやバルブ１０等を介して吸引源１２に接続されている。そのため、バルブ１０を開けば、吸引源１２の負圧を保持面８ａに作用させることができる。
チャックテーブル４（枠体６）は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面８ａに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４（枠体６）は、移動機構（不図示）によって支持されており、上述した保持面８ａに対して概ね平行な加工送り方向と、保持面８ａに対して概ね平行で加工送り方向に対して概ね垂直な割り出し送り方向と、に移動する。
図２（Ａ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、レーザー照射ユニット１４が配置されている。レーザー照射ユニット１４は、仮接着層５に吸収される波長のレーザービーム１６を生成できるレーザー発振器（不図示）と、このレーザービーム１６をチャックテーブル４によって保持される複合基板１へと導く光学系（不図示）と、を含む。
外縁部５ｂの一部を除去する際には、まず、複合基板１のキャリア板３をチャックテーブル４によって保持し、ワーク７側を上方に露出させる。すなわち、図２（Ａ）に示すように、キャリア板３の第２面３ｂをチャックテーブル４の保持面８ａに接触させた上で、バルブ１０を開いて、吸引源１２の負圧を保持面８ａに作用させる。
複合基板１をチャックテーブル４によって保持した後には、上方に露出する仮接着層５の外縁部５ｂにレーザービーム１６を照射して、図２（Ｂ）に示すように、この外縁部５ｂの一部５ｅを除去する。具体的には、レーザー照射ユニット１４のレーザービーム射出口から下方にレーザービーム１６を照射しながら、このレーザー照射ユニット１４のレーザービーム射出口を仮接着層５の外縁部５ｂの一部５ｅに沿って相対的に移動させる。
なお、除去の対象となる外縁部５ｂの一部５ｅは、例えば、仮接着層５の中央部５ａを囲むように、この仮接着層５（又はキャリア板３）の外縁から１ｍｍ〜３ｍｍの距離の位置に設定される。すなわち、中央部５ａを囲む環状の領域が、除去の対象として設定される。ただし、この外縁部５ｂの一部５ｅの位置に特段の制限はない。また、レーザービーム１６を照射する条件は、外縁部５ｂの一部５ｅをアブレーションにより除去できる範囲内で調整される。
これにより、図２（Ａ）に示すように、外縁部５ｂの一部５ｅに上方からレーザービーム１６を照射して、この外縁部５ｂの一部５ｅを除去できる。つまり、キャリア板３に固着した外縁部５ｂの一部が中央部５ａから切り離され、ワーク７からキャリア板３を容易に剥離できるようになる。なお、本実施形態では、外縁部５ｂの一部５ｅのみを除去しているが、外縁部５ｂの全部を除去しても良い。
仮接着層５の外縁部５ｂの一部５ｅを除去した後には、複合基板１のワーク７を上方から保持する（保持工程）。図３（Ａ）は、ワーク７が上方から保持される様子を示す断面図である。ワーク７を上方から保持する際には、図３（Ａ）等に示す剥離装置２２が用いられる。剥離装置２２は、複合基板１のワーク７を上方から保持するための保持ユニット２４を備えている。
保持ユニット２４の下部には、ワーク７の第１面７ａと同程度の大きさを持つ保持面２４ａが形成されている。この保持面２４ａには、流路（不図示）やバルブ（不図示）等を介して吸引源（不図示）が接続されている。そのため、バルブを開けば、保持面２４ａに吸引源の負圧が作用する。また、保持ユニット２４は、昇降機構（不図示）によって支持されており、鉛直方向に移動する。
ワーク７を上方から保持する際には、図３（Ａ）に示すように、例えば、キャリア板３の上方にワーク７が位置付けられた状態で、このワーク７の第１面７ａに保持ユニット２４の保持面２４ａを接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させる。これにより、複合基板１のワーク７が上方から保持ユニット２４によって保持される。
なお、本実施形態では、ワーク７の第１面７ａを保持ユニット２４の保持面２４ａに対して直に接触させているが、ワーク７の第１面７ａと保持ユニット２４の保持面２４ａとの間にポーラスシート等を介在させても良い。これにより、保持面２４ａとの接触に起因するワーク７の損傷や汚染等を防止できるようになる。
ワーク７を上方から保持した後には、キャリア板３の外縁部に下向きの力を加えることで、ワーク７からキャリア板３を剥離して除去する（キャリア板除去工程）。図３（Ｂ）は、キャリア板３の外縁部に下向きの力が加えられる様子を示す断面図であり、図３（Ｃ）は、ワーク７からキャリア板３が除去された状態を示す断面図である。ワーク７からキャリア板３を剥離して除去する際には、引き続き剥離装置２２が用いられる。
図３（Ｂ）に示すように、保持ユニット２４の側方には、この保持ユニット２４によって保持される複合基板１のキャリア板３の外縁部に相当する位置に、棒状のプッシュ部材２６が配置されている。プッシュ部材２６は、例えば、保持ユニット２４を移動させる昇降機構とは別の昇降機構（不図示）によって支持されており、保持ユニット２４から独立して鉛直方向に移動する。
ワーク７からキャリア板３を除去する際には、まず、保持ユニット２４とプッシュ部材２６とをともに上方に移動させて、保持ユニット２４に保持されている複合基板１を持ち上げる。すなわち、キャリア板３の第２面３ｂ側を下方に露出させる。次に、保持ユニット２４の位置を保ったままプッシュ部材２６を下方に移動させ、このプッシュ部材２６の下端をキャリア板３の外縁部に接触させる。すなわち、プッシュ部材２６によってキャリア板３の外縁部に下向きの力を加える。
上述のように、複合基板１のワーク７は、保持ユニット２４によって上方から保持されている。そのため、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加えると、キャリア板３は仮接着層５を境にワーク７から剥離し、落下する。すなわち、キャリア板３は、ワーク７から離れる方向に移動する。本実施形態では、キャリア板３に固着した外縁部５ｂの一部が中央部５ａから切り離されているので、ワーク７からキャリア板３を容易に剥離して除去できる。
以上のように、本実施形態にかかるキャリア板の除去方法では、仮接着層５に吸収される波長のレーザービーム１６を仮接着層５に照射して仮接着層５の外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを除去することで、キャリア板３とワーク７とを接着する仮接着層５の中央部５ａから、仮接着層５の外縁部５ｂのキャリア板３に固着した部分を切り離している。
よって、ワーク７を上方から保持ユニット２４で保持して、キャリア板３の外縁部に下向きの力を加えることで、外縁部５ｂのキャリア板３に固着した部分による影響を受けることなくワーク７からキャリア板３を容易に除去できる。また、キャリア板３の外縁部に加える下向きの力とともに、キャリア板３に作用する重力を利用できるので、ワーク７からキャリア板３を除去する際に大きな力を必要としない。
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、上方のワーク７側からレーザービーム１６を照射する方法で外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを除去しているが、下方のキャリア板３側からレーザービームを照射する方法で外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを除去することもできる。なお、この場合には、キャリア板３を透過し仮接着層５に吸収される波長のレーザービームが使用される。
同様に、上述した実施形態では、仮接着層５にレーザービーム１６を照射する方法で仮接着層５の外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを除去しているが、外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを他の方法で除去しても良い。例えば、仮接着層５に切削ブレード等を切り込ませる方法で、外縁部５ｂの少なくとも一部５ｅを除去できる。
また、例えば、上述した実施形態のプッシュ部材２６は、保持ユニット２４から独立して鉛直方向に移動できるように構成されているが、このプッシュ部材２６は、少なくとも保持ユニット２４に対して相対的に移動できれば良い。
そのため、例えば、プッシュ部材２６を剥離装置２２の筐体（不図示）等に固定し、保持ユニット２４のみを移動させることで、保持ユニット２４に対してプッシュ部材２６を相対的に移動させても良い。また、上述した実施形態では、１個のプッシュ部材２６を使用しているが、複数のプッシュ部材２６を使用することもできる。
また、ワーク７からキャリア板３を剥離して除去する際に、キャリア板３とワーク７との間で露出する仮接着層５に流体を吹き付けることもできる。図４（Ａ）は、第１変形例にかかるキャリア板の除去方法でワーク７からキャリア板３が除去される様子を示す断面図である。なお、第１変形例にかかるキャリア板の除去方法の多くの部分は、上述した実施形態にかかるキャリア板の除去方法と共通している。よって、以下では、主に相違点について説明し、共通する部分の詳細な説明を省略する。
図４（Ａ）に示すように、この第１変形例で使用される剥離装置２２の保持ユニット２４の側方には、ノズル３２が配置されている。ノズル３２には、流路（不図示）やバルブ（不図示）等を介して流体３４の供給源（不図示）が接続されている。
このノズル３２から、キャリア板３とワーク７との間で露出する仮接着層５に流体３４を吹き付けた後に、又は、キャリア板３とワーク７との間で露出する仮接着層５に流体３４を吹き付けながら、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加えることで、ワーク７からキャリア板３をより容易に剥離できる。キャリア板３とワーク７との間に吹き付ける流体３４としては、例えば、エアーや水等を用いることができる。ただし、流体３４の種類等に特段の制限はない。
また、ワーク７からキャリア板３を剥離して除去する際に、キャリア板３とワーク７とを液体に沈めても良い。図４（Ｂ）は、第２変形例にかかるキャリア板の除去方法でワーク７からキャリア板３が除去される様子を示す断面図である。なお、第２変形例にかかるキャリア板の除去方法の多くの部分は、上述した実施形態にかかるキャリア板の除去方法と共通している。よって、以下では、主に相違点について説明し、共通する部分の詳細な説明を省略する。
図４（Ｂ）に示すように、この第２変形例で使用される剥離装置２２の保持ユニット２４の下方には、キャリア板３とワーク７とを収容できる大きさの槽４２が配置されている。槽４２内には、水等の液体４４がためられる。
槽４２内の液体４４にキャリア板３とワーク７とを沈めた状態で、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加え、ワーク７からキャリア板３を剥離すると、ワーク７から剥離されたキャリア板３は液体４４中を落下する。その結果、キャリア板３を空気中で落下させる場合に比べて落下に伴う衝撃が小さくなり、キャリア板３の破損や、剥離装置２２の振動等を防止できる。
なお、この液体４４には界面活性剤を含ませても良い。液体４４に含ませる界面活性剤としては、仮接着層５に侵入し易いアニオン界面活性剤やカチオン界面活性剤等を用いることができる。このように、仮接着層５に侵入し易い界面活性剤を液体４４に含ませることで、界面活性剤が侵入した領域から仮接着層５が分離し易くなって、ワーク７からキャリア板３をより容易に除去できる。
また、第２変形例では、キャリア板３とワーク７とを液体４４に沈めた後、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加える際に、このプッシュ部材２６に超音波等の振動を付与しても良い。具体的には、超音波等の振動をプッシュ部材２６に付与しながら、このプッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加える。この場合には、プッシュ部材２６から伝わる振動の作用により、ワーク７からキャリア板３をより容易に剥離できるようになる。
同様に、キャリア板３とワーク７とを液体４４に沈めた後、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加える際に、液体４４に超音波等の振動を付与しても良い。具体的には、超音波等の振動を液体４４に付与しながら、プッシュ部材２６でキャリア板３の外縁部に下向きの力を加える。この場合には、液体４４から伝わる振動の作用により、ワーク７からキャリア板３をより容易に剥離できるようになる。
また、第２変形例に対して、更に第１変形例を組み合わせても良い。すなわち、キャリア板３とワーク７とを液体４４に沈める前、又は沈めた後に、キャリア板３とワーク７との間で露出する仮接着層５に流体を吹き付けることもできる。この場合にも、ワーク７からキャリア板３をより容易に剥離できる。
その他、上述した実施形態にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１ ：複合基板
３ ：キャリア板
３ａ ：第１面（表面）
３ｂ ：第２面（裏面）
５ ：仮接着層
５ａ ：中央部
５ｂ ：外縁部
５ｃ ：第１部分
５ｄ ：第２部分
５ｅ ：一部
７ ：ワーク
７ａ ：第１面（表面）
９ ：デバイスチップ
１１ ：モールド樹脂層
２ ：レーザー加工装置
４ ：チャックテーブル
６ ：枠体
６ａ ：流路
８ ：保持板
８ａ ：保持面
１０ ：バルブ
１２ ：吸引源
１４ ：レーザー照射ユニット
１６ ：レーザービーム
２２ ：剥離装置
２４ ：保持ユニット
２４ａ ：保持面
２６ ：プッシュ部材
３２ ：ノズル
３４ ：流体
４２ ：槽
４４ ：液体

Claims (6)

  1. キャリア板の表面の全体に設けられた仮接着層によって該キャリア板の該表面の外縁部を除く領域に接着されたワークから該キャリア板を除去する際に用いられるキャリア板の除去方法であって、
    該仮接着層の外縁部の一部又は全部を除去する仮接着層除去工程と、
    該仮接着層の該外縁部の一部又は全部を除去した後に、該ワークを上方から保持ユニットで保持する保持工程と、
    該ワークを上方から保持した状態で、該キャリア板の該表面側からプッシュ部材で該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えて該キャリア板を該ワークから離れる方向に移動させることにより該ワークから該キャリア板を除去するキャリア板除去工程と、を含むことを特徴とするキャリア板の除去方法。
  2. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板との間に流体を吹き付けた後に、又は該ワークと該キャリア板との間に流体を吹き付けながら、該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えて該ワークから該キャリア板を除去することを特徴とする請求項１に記載のキャリア板の除去方法。
  3. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを液体に沈めた状態で、該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のキャリア板の除去方法。
  4. 該液体には、界面活性剤を含ませたことを特徴とする請求項３に記載のキャリア板の除去方法。
  5. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該プッシュ部材に振動を付与しながら該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のキャリア板の除去方法。
  6. 該キャリア板除去工程では、該ワークと該キャリア板とを該液体に沈めた状態で、該液体に振動を付与しながら該キャリア板の該外縁部に下向きの力を加えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のキャリア板の除去方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133377A (ko) * 2021-03-24 2022-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338475A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Lintec Corp 脆質材料の加工方法
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013089922A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013229610A (ja) * 2010-04-23 2013-11-07 Ev Group Gmbh キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置
WO2019124031A1 (ja) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
JP4965485B2 (ja) * 2008-02-29 2012-07-04 東京応化工業株式会社 処理液浸透ユニットおよび処理装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338475A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Lintec Corp 脆質材料の加工方法
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013229610A (ja) * 2010-04-23 2013-11-07 Ev Group Gmbh キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
JP2013089922A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置
WO2019124031A1 (ja) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体

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