JP4862507B2 - センサ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、物理量として角速度の検出に用いられる角速度センサに対して本発明の一実施形態を適用したセンサ装置について説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるセンサ装置の概略断面図である。また、図2は、図1の部分拡大図である。以下、これらの図を参照して、本実施形態の製造方法により製造するセンサ装置の構成について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、シリコン基板50をダイシングカットすることで完全に切断した後にコーティング剤17を配置するようにしているが、完全に切断しなくても良い。
本発明の第3実施形態について説明する。上記第1、第2実施形態では、半導体チップ2の切断面2aにコーティング剤17を配置するようにしているが、本実施形態では、切断面2aにおける切り屑やカケをエッチングによる除去するエッチング工程を行う。なお、これ以外の点に関しては、本実施形態のセンサ装置の製造方法は、第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同様の部分に関しては説明を省略する。
上記実施形態では、シリコン基板50のうち振動体12が形成された側の面にカバーフィルム20を介してテープ30が貼り付けられるものについて説明したが、振動体12が形成された側の面とは反対側の面にテープ30が貼り付けられるものであっても良い。この場合にも、カバーリフィルム20がシリコン基板50のうち振動体12が形成された側の面に配置されるため、振動体12は上述したコーティング剤17の形成工程やエッチング工程の影響を受けないようにできる。
Claims (1)
- 力学量を検出するセンシング部(12)がチップ単位毎に形成されたウェハ(50)を用意し、該ウェハ(50)をダイシングカットすることによりチップ単位に分割することで半導体チップ(2)を形成するセンサ装置の製造方法であって、
前記ウェハ(50)を前記ダイシングカットによって完全に切断してチップ単位に分割する工程と、
前記ダイシングカットを行ったのち、前記半導体チップ(2)の各切断面(2a)毎に有機系樹脂で構成されるコーティング剤(17)を分離した状態で覆う工程と、を有しており、
前記チップ単位に分割する工程は、前記ウェハ(50)に対してテープ(30)を貼り付けたのち、該テープ(30)に貼り付けた状態で前記ウェハ(50)をチップ単位に分割するように前記ダイシングカットを行うことで、前記半導体チップ(2)を形成しており、
前記コーティング剤(17)で覆う工程は、前記テープ(30)に前記ウェハ(50)を貼り付けた状態で行われ、前記半導体チップ(2)の前記切断面(2a)を前記コーティング剤(17)で覆った状態で、前記半導体チップ(2)を前記テープ(30)から剥がすことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006162363A JP4862507B2 (ja) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | センサ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006162363A JP4862507B2 (ja) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | センサ装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007335456A JP2007335456A (ja) | 2007-12-27 |
JP4862507B2 true JP4862507B2 (ja) | 2012-01-25 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4862507B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4985291B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2012-07-25 | 株式会社デンソー | ウェハの加工方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148357A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPH04305945A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Sony Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JPH07273068A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Kansai Ltd | ダイシング装置 |
JPH11126762A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001127206A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Citizen Watch Co Ltd | チップスケールパッケージの製造方法及びicチップの製造方法 |
JP4258105B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2009-04-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2003249465A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003294556A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
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- 2006-06-12 JP JP2006162363A patent/JP4862507B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JP2007335456A (ja) | 2007-12-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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