JPH07273068A - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
- Publication number
- JPH07273068A JPH07273068A JP5963694A JP5963694A JPH07273068A JP H07273068 A JPH07273068 A JP H07273068A JP 5963694 A JP5963694 A JP 5963694A JP 5963694 A JP5963694 A JP 5963694A JP H07273068 A JPH07273068 A JP H07273068A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- etching
- dicing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハのダイシング、エッチング及
び洗浄の各処理での工数低減化及びインデックス向上を
図ることにある。 【構成】 粘着シート１上に貼着された半導体ウェーハ
２をステージ３上に吸着保持し、その半導体ウェーハ２
をダイサ５による不完全カットで素子ごとに切削溝によ
り区画するダイシング装置において、前記半導体ウェー
ハ２をステージ３上に吸着保持したままの状態で、ダイ
シングを完了した半導体ウェーハ２上にエッチング液を
吹き付けるエッチングノズル９と、前記ステージ３に吸
着保持され、エッチングを完了した半導体ウェーハ２上
に純水を吹き付ける洗浄ノズル１０とを付設する。
び洗浄の各処理での工数低減化及びインデックス向上を
図ることにある。 【構成】 粘着シート１上に貼着された半導体ウェーハ
２をステージ３上に吸着保持し、その半導体ウェーハ２
をダイサ５による不完全カットで素子ごとに切削溝によ
り区画するダイシング装置において、前記半導体ウェー
ハ２をステージ３上に吸着保持したままの状態で、ダイ
シングを完了した半導体ウェーハ２上にエッチング液を
吹き付けるエッチングノズル９と、前記ステージ３に吸
着保持され、エッチングを完了した半導体ウェーハ２上
に純水を吹き付ける洗浄ノズル１０とを付設する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイシング装置に関し、
詳しくは、赤外発光ダイオード等の半導体装置の製造に
使用され、多数個の素子を形成した半導体ウェーハを各
素子ごとに区画するダイシング装置に関する。
詳しくは、赤外発光ダイオード等の半導体装置の製造に
使用され、多数個の素子を形成した半導体ウェーハを各
素子ごとに区画するダイシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、赤外発光ダイオードは、一般的
に、多数個の素子を形成したＧａＡｓ等の半導体ウェー
ハを、ダイシング装置を利用することにより各素子ごと
に分割することによって一括して製造される。
に、多数個の素子を形成したＧａＡｓ等の半導体ウェー
ハを、ダイシング装置を利用することにより各素子ごと
に分割することによって一括して製造される。
【０００３】具体的に、この赤外発光ダイオードの製造
で使用されるダイシング装置は、図４に示すように粘着
シート１上に貼着された半導体ウェーハ２が載置される
ステージ３と、その半導体ウェーハ２を各素子ごとに区
画する回転自在なダイサ５とを具備する。前記ステージ
３はＸＹ駆動機構〔図示せず〕によりＸＹ方向に移動可
能に配置され、更に、真空吸引手段〔図示せず〕により
半導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１を吸着保持す
ることにより前記半導体ウェーハ２を位置決め固定す
る。一方、ダイサ５は、昇降機構〔図示せず〕により上
下動可能に配置されている。
で使用されるダイシング装置は、図４に示すように粘着
シート１上に貼着された半導体ウェーハ２が載置される
ステージ３と、その半導体ウェーハ２を各素子ごとに区
画する回転自在なダイサ５とを具備する。前記ステージ
３はＸＹ駆動機構〔図示せず〕によりＸＹ方向に移動可
能に配置され、更に、真空吸引手段〔図示せず〕により
半導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１を吸着保持す
ることにより前記半導体ウェーハ２を位置決め固定す
る。一方、ダイサ５は、昇降機構〔図示せず〕により上
下動可能に配置されている。
【０００４】前記赤外発光ダイオードの製造におけるダ
イシング工程では、半導体ウェーハ２を貼着した粘着シ
ート１をステージ３に吸着保持することにより前記半導
体ウェーハ２を位置決め固定した上で、回転するダイサ
５を下降させると共にステージ３をＸＹ方向に移動させ
ることにより、前記ダイサ５でもって半導体ウェーハ２
を格子状に切削して各素子ごとに区画する。このダイサ
５による半導体ウェーハ２の切削によって、図５に示す
ように半導体ウェーハ２は各素子４ごとに完全カットさ
れて分割される。
イシング工程では、半導体ウェーハ２を貼着した粘着シ
ート１をステージ３に吸着保持することにより前記半導
体ウェーハ２を位置決め固定した上で、回転するダイサ
５を下降させると共にステージ３をＸＹ方向に移動させ
ることにより、前記ダイサ５でもって半導体ウェーハ２
を格子状に切削して各素子ごとに区画する。このダイサ
５による半導体ウェーハ２の切削によって、図５に示す
ように半導体ウェーハ２は各素子４ごとに完全カットさ
れて分割される。
【０００５】ここで、上述したダイシングは機械的な切
削であるため、各素子４の露呈した側面である切削面６
にダメージ層が残存する。このダメージ層を除去するた
め、ダイシング後に半導体ウェーハ２をエッチング処理
する必要がある。
削であるため、各素子４の露呈した側面である切削面６
にダメージ層が残存する。このダメージ層を除去するた
め、ダイシング後に半導体ウェーハ２をエッチング処理
する必要がある。
【０００６】そこで、前記ダイシング後、ペレッタイズ
された半導体ウェーハ２を粘着シート１ごとステージ３
から取り外し、その粘着シート１を放射状に展延させて
リング部材に張り付け保持することにより各素子４を離
隔させた上で、後工程であるエッチング工程へ移送す
る。このエッチング工程では、リング部材に保持された
粘着シート１上の多数個の素子４をエッチング液に浸漬
することにより、各素子４の切削面６に残存したダメー
ジ層を除去するようにしている。
された半導体ウェーハ２を粘着シート１ごとステージ３
から取り外し、その粘着シート１を放射状に展延させて
リング部材に張り付け保持することにより各素子４を離
隔させた上で、後工程であるエッチング工程へ移送す
る。このエッチング工程では、リング部材に保持された
粘着シート１上の多数個の素子４をエッチング液に浸漬
することにより、各素子４の切削面６に残存したダメー
ジ層を除去するようにしている。
【０００７】このようにしてエッチングが完了した時点
でそのエッチングの進行を停止させるため、エッチング
処理とは別のポジションで粘着シート１上の各素子４を
純水で洗浄することによりエッチング液を除去する。こ
の洗浄工程が完了すると、後工程であるペレットマウン
ト工程へ移送される。
でそのエッチングの進行を停止させるため、エッチング
処理とは別のポジションで粘着シート１上の各素子４を
純水で洗浄することによりエッチング液を除去する。こ
の洗浄工程が完了すると、後工程であるペレットマウン
ト工程へ移送される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のダイシングでは、半導体ウェーハ２が完全カットさ
れ、また、エッチング液に強酸類が使用されているた
め、そのエッチング液が各素子４の切削面６に残存した
ダメージ層を除去する一方で、各素子４と粘着シート１
との界面に浸透する。ここで、前記粘着シート１の接着
力は後工程であるペレットマウント工程での各素子４の
剥離を容易にするために一般的に弱く設定されているの
で、上述した各素子４と粘着シート１との界面へエッチ
ング液が浸透し易い。この場合、各素子４の粘着シート
１との貼着面には裏面電極７が形成されているため、浸
透したエッチング液が各素子４の裏面電極７を侵食し、
その裏面電極７が剥離するという問題があった。
来のダイシングでは、半導体ウェーハ２が完全カットさ
れ、また、エッチング液に強酸類が使用されているた
め、そのエッチング液が各素子４の切削面６に残存した
ダメージ層を除去する一方で、各素子４と粘着シート１
との界面に浸透する。ここで、前記粘着シート１の接着
力は後工程であるペレットマウント工程での各素子４の
剥離を容易にするために一般的に弱く設定されているの
で、上述した各素子４と粘着シート１との界面へエッチ
ング液が浸透し易い。この場合、各素子４の粘着シート
１との貼着面には裏面電極７が形成されているため、浸
透したエッチング液が各素子４の裏面電極７を侵食し、
その裏面電極７が剥離するという問題があった。
【０００９】上述のようにエッチング液が各素子４の裏
面電極７を侵食しないようにするため、半導体ウェーハ
２のダイシング時、完全カットではなく、図６に示すよ
うに裏面電極７の近傍までカットする不完全カット方法
を採用すればよい。即ち、半導体ウェーハ２をダイサ５
による不完全カットでもって各素子４ごとに切削溝８で
区画し、その後、ダイシングされた半導体ウェーハ２を
エッチング工程でエッチング液に浸漬することにより各
素子４の切削面６に露呈するダメージ層を除去する。そ
して、半導体ウェーハ２を適宜の手段により各素子４ご
とに分割した後、粘着シート１を放射状に展延させた上
で後工程であるペレットマウント工程へ移送する。この
ようにすれば、エッチング処理時、各素子４の裏面電極
７がエッチング液に晒されることがなくなるので、その
エッチング液が裏面電極７を侵食することはない。
面電極７を侵食しないようにするため、半導体ウェーハ
２のダイシング時、完全カットではなく、図６に示すよ
うに裏面電極７の近傍までカットする不完全カット方法
を採用すればよい。即ち、半導体ウェーハ２をダイサ５
による不完全カットでもって各素子４ごとに切削溝８で
区画し、その後、ダイシングされた半導体ウェーハ２を
エッチング工程でエッチング液に浸漬することにより各
素子４の切削面６に露呈するダメージ層を除去する。そ
して、半導体ウェーハ２を適宜の手段により各素子４ご
とに分割した後、粘着シート１を放射状に展延させた上
で後工程であるペレットマウント工程へ移送する。この
ようにすれば、エッチング処理時、各素子４の裏面電極
７がエッチング液に晒されることがなくなるので、その
エッチング液が裏面電極７を侵食することはない。
【００１０】しかしながら、前述した半導体ウェーハ２
を完全カットする方法或いは不完全カットする方法のい
ずれであっても、その半導体ウェーハ２のダイシング
後、ステージ３上から半導体ウェーハ２を取り外し上で
エッチング処理工程へ移送し、更に、そのエッチング処
理完了後、エッチング処理とは別のポジションで半導体
ウェーハ２を洗浄するようにしていた。その結果、ダイ
シング工程、エッチング処理工程及び洗浄工程がそれぞ
れ別のポジションで行なわれていたため、工数の増加を
招来し、インデックスの向上を図ることが困難であっ
た。
を完全カットする方法或いは不完全カットする方法のい
ずれであっても、その半導体ウェーハ２のダイシング
後、ステージ３上から半導体ウェーハ２を取り外し上で
エッチング処理工程へ移送し、更に、そのエッチング処
理完了後、エッチング処理とは別のポジションで半導体
ウェーハ２を洗浄するようにしていた。その結果、ダイ
シング工程、エッチング処理工程及び洗浄工程がそれぞ
れ別のポジションで行なわれていたため、工数の増加を
招来し、インデックスの向上を図ることが困難であっ
た。
【００１１】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、半導体ウェー
ハのダイシング、エッチング及び洗浄の各処理での工数
低減化及びインデックス向上を図り得るダイシング装置
を提供することにある。
されたもので、その目的とするところは、半導体ウェー
ハのダイシング、エッチング及び洗浄の各処理での工数
低減化及びインデックス向上を図り得るダイシング装置
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、粘着シート上に貼着さ
れた半導体ウェーハをステージ上に吸着保持し、その半
導体ウェーハをダイサによる不完全カットで素子ごとに
切削溝により区画するダイシング装置において、前記半
導体ウェーハをステージ上に吸着保持したままの状態
で、ダイシングを完了した半導体ウェーハ上にエッチン
グ液を吹き付けるエッチングノズルと、前記ステージに
吸着保持され、エッチングを完了した半導体ウェーハ上
に純水を吹き付ける洗浄ノズルとを付設したことを特徴
とする。
の技術的手段として、本発明は、粘着シート上に貼着さ
れた半導体ウェーハをステージ上に吸着保持し、その半
導体ウェーハをダイサによる不完全カットで素子ごとに
切削溝により区画するダイシング装置において、前記半
導体ウェーハをステージ上に吸着保持したままの状態
で、ダイシングを完了した半導体ウェーハ上にエッチン
グ液を吹き付けるエッチングノズルと、前記ステージに
吸着保持され、エッチングを完了した半導体ウェーハ上
に純水を吹き付ける洗浄ノズルとを付設したことを特徴
とする。
【００１３】
【作用】本発明に係るダイシング装置では、エッチング
ノズルと洗浄ノズルとを具備したことにより、半導体ウ
ェーハをダイシングした同一ポジションでその半導体ウ
ェーハをエッチングノズルから供給されるエッチング液
によりエッチング処理することができ、更に、洗浄ノズ
ルから供給される純水によりエッチング液を除去してエ
ッチング処理を終了させることができる。
ノズルと洗浄ノズルとを具備したことにより、半導体ウ
ェーハをダイシングした同一ポジションでその半導体ウ
ェーハをエッチングノズルから供給されるエッチング液
によりエッチング処理することができ、更に、洗浄ノズ
ルから供給される純水によりエッチング液を除去してエ
ッチング処理を終了させることができる。
【００１４】
【実施例】本発明に係るダイシング装置の一実施例を図
１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図６と同一
部分には同一参照符号を付す。
１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図６と同一
部分には同一参照符号を付す。
【００１５】例えば、赤外発光ダイオードの製造で使用
される本発明のダイシング装置は、従来と同様、図１に
示すように粘着シート１上に貼着され、多数個の素子を
形成したＧａＡｓ等の半導体ウェーハ２が載置されるス
テージ３と、その半導体ウェーハ２を各素子ごとに区画
する回転自在なダイサ５とを具備する。前記ステージ３
はＸＹ駆動機構〔図示せず〕によりＸＹ方向に移動可能
に配置され、更に、真空吸引手段〔図示せず〕により半
導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１を吸着保持する
ことにより前記半導体ウェーハ２を位置決め固定する。
一方、ダイサ５は、昇降機構〔図示せず〕により上下動
可能に配置されている。
される本発明のダイシング装置は、従来と同様、図１に
示すように粘着シート１上に貼着され、多数個の素子を
形成したＧａＡｓ等の半導体ウェーハ２が載置されるス
テージ３と、その半導体ウェーハ２を各素子ごとに区画
する回転自在なダイサ５とを具備する。前記ステージ３
はＸＹ駆動機構〔図示せず〕によりＸＹ方向に移動可能
に配置され、更に、真空吸引手段〔図示せず〕により半
導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１を吸着保持する
ことにより前記半導体ウェーハ２を位置決め固定する。
一方、ダイサ５は、昇降機構〔図示せず〕により上下動
可能に配置されている。
【００１６】本発明では、ダイシングを完了した半導体
ウェーハ２上に、硫酸・過酸化水素〔Ｈ2 ＳＯ4 ・Ｈ2
Ｏ2 〕等のエッチング液を吹き付けるエッチングノズル
９と、前記ステージ３に吸着保持され、エッチングを完
了した半導体ウェーハ２上に純水を吹き付ける洗浄ノズ
ル１０とをステージ３の上方に付設する。
ウェーハ２上に、硫酸・過酸化水素〔Ｈ2 ＳＯ4 ・Ｈ2
Ｏ2 〕等のエッチング液を吹き付けるエッチングノズル
９と、前記ステージ３に吸着保持され、エッチングを完
了した半導体ウェーハ２上に純水を吹き付ける洗浄ノズ
ル１０とをステージ３の上方に付設する。
【００１７】本発明では、半導体ウェーハ２のダイシン
グ時、半導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１をステ
ージ３に吸着保持することにより前記半導体ウェーハ２
を位置決め固定した上で、回転するダイサ５を下降させ
ると共にステージ３をＸＹ方向に移動させることによ
り、前記ダイサ５でもって半導体ウェーハ２を格子状に
切削して各素子４ごとに区画する。この時、ダイサ５に
よる半導体ウェーハ２の切削によって、半導体ウェーハ
２を各素子４ごとに不完全カットして切削溝８を形成す
ることにより区画する〔図６参照〕。
グ時、半導体ウェーハ２を貼着した粘着シート１をステ
ージ３に吸着保持することにより前記半導体ウェーハ２
を位置決め固定した上で、回転するダイサ５を下降させ
ると共にステージ３をＸＹ方向に移動させることによ
り、前記ダイサ５でもって半導体ウェーハ２を格子状に
切削して各素子４ごとに区画する。この時、ダイサ５に
よる半導体ウェーハ２の切削によって、半導体ウェーハ
２を各素子４ごとに不完全カットして切削溝８を形成す
ることにより区画する〔図６参照〕。
【００１８】上述のようにしてダイシングが完了する
と、そのダイシングされた半導体ウェーハ２を粘着シー
ト１を介してステージ３上に吸着保持した状態のままで
同一ポジションにてエッチング処理を開始する。即ち、
図２に示すようにダイシングを完了すると同時にエッチ
ングノズル９から前記エッチング液ｍを噴射して半導体
ウェーハ２の全面に吹き付ける。これにより、ダイサ５
により形成された切削溝８によって露呈した半導体ウェ
ーハ２の各素子４の切削面６に残存したダメージ層をエ
ッチング液ｍにより除去する。この時、不完全カットに
より、各素子４の裏面電極７がエッチング液ｍに晒され
ることがないので、そのエッチング液ｍにより裏面電極
７が侵食されることはない。
と、そのダイシングされた半導体ウェーハ２を粘着シー
ト１を介してステージ３上に吸着保持した状態のままで
同一ポジションにてエッチング処理を開始する。即ち、
図２に示すようにダイシングを完了すると同時にエッチ
ングノズル９から前記エッチング液ｍを噴射して半導体
ウェーハ２の全面に吹き付ける。これにより、ダイサ５
により形成された切削溝８によって露呈した半導体ウェ
ーハ２の各素子４の切削面６に残存したダメージ層をエ
ッチング液ｍにより除去する。この時、不完全カットに
より、各素子４の裏面電極７がエッチング液ｍに晒され
ることがないので、そのエッチング液ｍにより裏面電極
７が侵食されることはない。
【００１９】そして、所定時間が経過してエッチング処
理が完了すると、そのエッチングされた半導体ウェーハ
２を粘着シート１を介してステージ３上に吸着保持した
状態のままで同一ポジションにて洗浄処理を開始する。
即ち、図３に示すようにエッチングを完了すると同時に
洗浄ノズル１０から純水ｎを噴射して半導体ウェーハ２
の全面に吹き付けることにより、その半導体ウェーハ２
の全面を純水ｎで洗浄することによりエッチング液ｍを
除去してエッチングの進行を停止させる。このようにし
て、半導体ウェーハ２のダイシング、エッチング及び洗
浄の各処理をすべて同一ポジションにて実行する。
理が完了すると、そのエッチングされた半導体ウェーハ
２を粘着シート１を介してステージ３上に吸着保持した
状態のままで同一ポジションにて洗浄処理を開始する。
即ち、図３に示すようにエッチングを完了すると同時に
洗浄ノズル１０から純水ｎを噴射して半導体ウェーハ２
の全面に吹き付けることにより、その半導体ウェーハ２
の全面を純水ｎで洗浄することによりエッチング液ｍを
除去してエッチングの進行を停止させる。このようにし
て、半導体ウェーハ２のダイシング、エッチング及び洗
浄の各処理をすべて同一ポジションにて実行する。
【００２０】その後、半導体ウェーハ２を適宜の手段に
より各素子４ごとに分割した後、粘着シート１を放射状
に展延させてリング部材に張り付け保持することにより
各素子４を離隔させた上で後工程であるペレットマウン
ト工程へ移送する。尚、前述した半導体ウェーハの洗浄
後、その同一ポジションにてエアノズル〔図示せず〕に
より半導体ウェーハの表面をエアブローすることにより
乾燥させることも可能である。
より各素子４ごとに分割した後、粘着シート１を放射状
に展延させてリング部材に張り付け保持することにより
各素子４を離隔させた上で後工程であるペレットマウン
ト工程へ移送する。尚、前述した半導体ウェーハの洗浄
後、その同一ポジションにてエアノズル〔図示せず〕に
より半導体ウェーハの表面をエアブローすることにより
乾燥させることも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係るダイシング装置によれば、
半導体ウェーハをダイシングするダイサに加えて、各素
子の切削面に形成されたダメージ層を除去するエッチン
グ処理とエッチング後の半導体ウェーハに残存したエッ
チング液を除去する洗浄ノズルとを付設したことによ
り、前記ダイシング、エッチング及び洗浄の各工程を同
一ポジションで実現でき、前記ダイシングが不完全カッ
トであるため、半導体ウェーハの裏面電極がエッチング
液に晒されることがないので裏面電極が侵食されること
もない。このようにして半導体装置の製造における工数
を低減させることができると共にインデックスを向上さ
せることが容易となる。
半導体ウェーハをダイシングするダイサに加えて、各素
子の切削面に形成されたダメージ層を除去するエッチン
グ処理とエッチング後の半導体ウェーハに残存したエッ
チング液を除去する洗浄ノズルとを付設したことによ
り、前記ダイシング、エッチング及び洗浄の各工程を同
一ポジションで実現でき、前記ダイシングが不完全カッ
トであるため、半導体ウェーハの裏面電極がエッチング
液に晒されることがないので裏面電極が侵食されること
もない。このようにして半導体装置の製造における工数
を低減させることができると共にインデックスを向上さ
せることが容易となる。
【図１】本発明に係るダイシング装置の一実施例を示す
正面図
正面図
【図２】図１のダイシング装置においてダイシング完了
後にエッチング液を吹き付ける状態を示す正面図
後にエッチング液を吹き付ける状態を示す正面図
【図３】図１のダイシング装置においてエッチング完了
後に純水を吹き付ける状態を示す正面図
後に純水を吹き付ける状態を示す正面図
【図４】ダイシング装置の従来例を示す正面図
【図５】半導体ウェーハを完全カットした状態を示す部
分拡大断面図
分拡大断面図
【図６】半導体ウェーハを不完全カットした状態を示す
部分拡大断面図
部分拡大断面図
１ 粘着シート ２ 半導体ウェーハ ３ ステージ ４ 素子 ５ ダイサ ８ 切削溝 ９ エッチングノズル １０ 洗浄ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｑ Ｓ
Claims (2)
- 【請求項１】 粘着シート上に貼着された半導体ウェー
ハをステージ上に吸着保持し、その半導体ウェーハをダ
イサによる不完全カットで素子ごとに切削溝により区画
するダイシング装置において、前記半導体ウェーハをス
テージ上に吸着保持したままの状態で、ダイシングを完
了した半導体ウェーハ上にエッチング液を吹き付けるエ
ッチングノズルと、前記ステージに吸着保持され、エッ
チングを完了した半導体ウェーハ上に純水を吹き付ける
洗浄ノズルとを付設したことを特徴とするダイシング装
置。 - 【請求項２】 乾燥用のエアノズルを有する請求項１記
載のダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5963694A JPH07273068A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5963694A JPH07273068A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273068A true JPH07273068A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13118921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5963694A Withdrawn JPH07273068A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335456A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置の製造方法 |
| JP2010147488A (ja) * | 2004-11-01 | 2010-07-01 | Xsil Technology Ltd | ダイシング中あるいは後のエッチングによるダイ強度の増加 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP5963694A patent/JPH07273068A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147488A (ja) * | 2004-11-01 | 2010-07-01 | Xsil Technology Ltd | ダイシング中あるいは後のエッチングによるダイ強度の増加 |
| JP2007335456A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置の製造方法 |
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |