JP2007335456A - センサ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイシング法によりシリコン基板50をチップ単位に分割して半導体チップ2を形成した直後に、半導体チップ2の切断面2aを覆うようにコーティング剤17を配置する。これにより、この後、テープ30やカバーフィルム20を剥がす工程等を行っても、ダイシングカット時に発生した切り屑やカケをコーティング剤17にて固着させられるため、これらがセンシング部を構成する振動体12に付着したりすることを防止することができる。このため、センサ特性の悪化を防止することが可能となる。
【選択図】図4
Description
本実施形態では、物理量として角速度の検出に用いられる角速度センサに対して本発明の一実施形態を適用したセンサ装置について説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるセンサ装置の概略断面図である。また、図2は、図1の部分拡大図である。以下、これらの図を参照して、本実施形態の製造方法により製造するセンサ装置の構成について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、シリコン基板50をダイシングカットすることで完全に切断した後にコーティング剤17を配置するようにしているが、完全に切断しなくても良い。
本発明の第3実施形態について説明する。上記第1、第2実施形態では、半導体チップ2の切断面2aにコーティング剤17を配置するようにしているが、本実施形態では、切断面2aにおける切り屑やカケをエッチングによる除去するエッチング工程を行う。なお、これ以外の点に関しては、本実施形態のセンサ装置の製造方法は、第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同様の部分に関しては説明を省略する。
上記実施形態では、シリコン基板50のうち振動体12が形成された側の面にカバーフィルム20を介してテープ30が貼り付けられるものについて説明したが、振動体12が形成された側の面とは反対側の面にテープ30が貼り付けられるものであっても良い。この場合にも、カバーリフィルム20がシリコン基板50のうち振動体12が形成された側の面に配置されるため、振動体12は上述したコーティング剤17の形成工程やエッチング工程の影響を受けないようにできる。
Claims (7)
- 力学量を検出するセンシング部(12)がチップ単位毎に形成されたウェハ(50)を用意し、該ウェハ(50)をダイシングカットすることによりチップ単位に分割することで半導体チップ(2)を形成するセンサ装置の製造方法であって、
前記ダイシングカットを行ったときに、前記半導体チップ(2)の切断面(2a)を有機系樹脂で構成されるコーティング剤(17)で覆う工程を行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。 - 前記ウェハ(50)に対してテープ(30)を貼り付けたのち、該テープ(30)に貼り付けた状態で前記ウェハ(50)をチップ単位に分割するように前記ダイシングカットを行うことで、前記半導体チップ(2)を形成しており、
前記コーティング剤(17)で覆う工程は、前記テープ(30)に前記ウェハ(50)を貼り付けた状態で行われ、前記半導体チップ(2)の前記切断面(2a)を前記コーティング剤(17)で覆った状態で、前記半導体チップ(2)を前記テープ(30)から剥がすことを特徴とするセンサ装置の製造方法。 - 前記コーティング剤(17)で覆う工程を前記ダイシングカットにより前記ウェハ(50)の途中までハーフカットしたときに行うことを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ装置の製造方法。
- 力学量を検出するセンシング部(12)がチップ単位毎に形成されたウェハ(50)を用意し、該ウェハ(50)をダイシングカットすることによりチップ単位に分割することで半導体チップ(2)を形成するセンサ装置の製造方法であって、
前記半導体チップ(2)の切断面(2a)に前記ウェハのエッチング材料となる液体、気体もしくはミストを供給するエッチング工程を行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。 - 前記ウェハ(50)に対してテープ(30)を貼り付けたのち、該テープ(30)に貼り付けた状態で前記ウェハ(50)をチップ単位に分割するように前記ダイシングカットを行うことで、前記半導体チップ(2)を形成しており、
前記エッチング工程は、前記テープ(30)に前記ウェハ(50)を貼り付けた状態で行われ、前記エッチング工程後に、前記半導体チップ(2)を前記テープ(30)から剥がす工程とを行うことを特徴とする請求項4に記載のセンサ装置の製造方法。 - 前記半導体チップ(2)を形成する工程では、前記エッチング工程後に、純水にて前記半導体チップ(2)の切断面を洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項4または5に記載のセンサ装置の製造方法。
- 前記エッチング工程を前記ダイシングカットにより前記ウェハ(50)の途中までハーフカットしたときに行うことを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1つに記載のセンサ装置の製造方法。
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