WO2005083764A1 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDF

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WO2005083764A1
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substrate
jetty
diaphragm
semiconductor device
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Inventor
Kenichi Kagawa
Masami Yakabe
Shinichi Saeki
Takahisa Ohtsuji
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Hosiden Corporation
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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device, for example, a MEMS (Micro-MEMS) having a micro movable structure.
  • a MEMS Micro-MEMS
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device such as a capacitance detection type sensor element as a component and a semiconductor device.
  • FIG. 4 is a diagram showing a microphone element as an example of a semiconductor device, (a) showing a plan view, and (b) being a cross-sectional view along line BB of (a).
  • the microphone element 10 includes a substrate 1, an oxide film 2, a diaphragm 3, a fixed part 4, and a back electrode 5a.
  • Oxide film 2 is formed on substrate 1
  • vibration plate 3 is formed on oxide film 2
  • fixed portion 4 is formed on vibration plate 3 with an insulating material.
  • a back electrode 5a is formed on the fixed part 4 so as to face the substrate 1.
  • the fixed portion 4 forms a gap region 6 between the substrate 1 and the back electrode 5a, and the back electrode 5a is provided with a number of through holes 7 serving as acoustic holes shown in FIG. 4 (b). .
  • the illustration of the through holes 7 is omitted.
  • the substrate 1 and the oxidizing film 2 are provided with an acoustic opening 8 having a concave force at the lower portion, and the lower surface of the diaphragm 3 is exposed.
  • each element is cut into semiconductor chips by dicing technology and divided, and a lead frame is mounted on the semiconductor chips. Connected and packaged.
  • the dicing technique involves cutting the silicon wafer 103 while spraying the cleaning water 102 by rotating the blade 101 coated with diamond powder at high speed. More done.
  • foreign matter 104 such as chips scatters.
  • a protective tape 9 for protecting the surface is attached to the back electrode 5a of each element, and the dicing is performed after the surface of the element is protected by the protective tape 9.
  • an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device, which do not cause damage to a structure body without foreign matter such as chips entering.
  • the present invention provides a process of forming sensor elements on a plurality of substrate areas to be separated along dicing lines extending in the vertical and horizontal directions, and enclosing the entire periphery of the sensor element on each substrate area.
  • the sensor element includes an insulating layer and a conductive layer thereon
  • the ridge portion includes an insulating layer and a conductive layer thereon, and the insulation between the insulating layer of the sensor element and the ridge portion is provided.
  • the layers are formed by the same process, and the conductive layer of the sensor element and the conductive layer of the jetty are formed by the same process. By forming in the same process, the number of processes to form the jetty It is not necessary to increase the cost, so that the cost does not increase.
  • the sensor element is supported by the fixed portion so as to form a gap between the diaphragm, a fixed portion formed on a substrate region located around the diaphragm, and the diaphragm.
  • the insulating layer of the sensor element constitutes a fixed portion
  • the conductive layer of the sensor element constitutes an electrode layer.
  • Another aspect of the present invention provides a sensor comprising: a rectangular substrate; a sensor element formed on the substrate; and a rectangular jetty formed on the substrate so as to surround the entire periphery of the sensor element.
  • the element and the jetty have substantially the same height.
  • Still another aspect of the present invention includes a rectangular substrate, a sensor element formed on the substrate, and a rectangular jetty formed on the substrate so as to surround the entire periphery of the sensor element.
  • the sensor element and the jetty have a common laminated structure.
  • the sensor element and the jetty have a common laminated structure, they can be manufactured using the same member, and an increase in cost due to the provision of the jetty can be suppressed.
  • the laminated structure of the sensor element and the laminated structure of the jetty are formed by the same process.
  • the same process can be used for manufacturing, a new process is not required, so that an increase in cost due to the provision of the jetty can be suppressed.
  • the sensor element is supported by the diaphragm, a fixing portion formed on a substrate region located around the diaphragm, and the fixing portion so as to form a gap between the diaphragm and the fixing portion. Electrode layer.
  • FIG. 1 is a diagram of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 A state in which a silicon wafer on which a plurality of semiconductor devices shown in FIG. 1 are formed is diced FIG.
  • FIG. 3 is a view continuously showing a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a conventional microphone element.
  • FIG. 5 is a view showing a conventional dicing step.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step of dicing a silicon wafer in a conventional dicing step.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a step of dicing in a state where the element surface is covered with a protective tape.
  • FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in particular, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line (lb)-(lb) of FIG. .
  • a sensor element 11 such as a microphone element as an example of a capacitance detection type sensor element constituting a semiconductor device includes a substrate 1, an oxide film 2, It includes a plate 3, a fixing part 4, and a back electrode 5.
  • the back electrode 5 as an electrode layer is supported by the four fixing portions 4 so as to form a gap region 6 with the diaphragm 3, and a gap is provided between each of the fixing portions 4. A part is provided.
  • the substrate 1 is formed in a rectangular shape having four sides along a dicing line extending in the vertical and horizontal directions, and the ridge 12 surrounds the sensor element 11 formed on the fixed part 4 so as to surround the sensor. It is formed so as to be located between the element 11 and the side.
  • the jetty 12 has a rectangular shape having four sides, and each side continuously extends in parallel with each side of the substrate 1.
  • the jetty portion 12 and the sensor element 11 have a common laminated structure and are formed by the same process.
  • the jetty portion 12 includes an insulating layer 12a formed of the same material and the same process as the fixing portion 4, and a conductive layer 12b formed of the same material and the same process as the back electrode 5.
  • the height of the jetty portion 12 becomes substantially equal to the height of the sensor element 11.
  • FIG. 2 shows dicing a silicon wafer on which a plurality of sensor elements 11 shown in FIG. 1 are formed. It is sectional drawing which shows a state. A plurality of sensor elements 11 having the layered structure described with reference to FIG. 1 are formed on a silicon wafer 13, and an insulating tape 9 is adhered to the back electrode 5 and the jetty 12 in close contact. Have been. Then, the silicon wafer 13 is diced along the side of the substrate 1 by the blade 101 so as to be guided between the ridges 12 and 12 of the adjacent sensor element 11, and cut into semiconductor chips.
  • the intervals between the ridge portions 12, 12 between the sensor elements 11 can be made equal, the force acting on the protective tape 9 when dicing is performed with a blade along the die cylinder line can be made uniform.
  • the protection tape 9 does not float or peel off. Even when the cleaning water containing the foreign matter 104 leaks to the lower part, the foreign matter 104 does not enter the inside of the sensor element 11 even if the cleaning water containing the foreign matter 104 leaks to the lower part. It is possible to prevent the structure of the sensor element 11 from being damaged due to a decrease in the protection ability.
  • FIG. 3 is a view sequentially showing a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • a method for manufacturing the sensor element shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
  • a wafer 200 having an insulating film 202 made of an oxide film and a conductive layer 203 made of a polycrystalline silicon film formed on the surface side of a substrate 201 is prepared.
  • an insulating film 204 is formed on the conductive layer 203 as shown in FIG. 3 (b), and a conductive layer 205 is formed on the insulating film 204 as shown in FIG. 3 (c).
  • the conductive layer 205 forms the back electrode 5 and the conductive layer 12b of the jetty portion 12.
  • a photoresist is applied to the conductive layer 205, unnecessary portions are removed by a photolithography technique to form a resist pattern, and etching is performed using the resist pattern as a mask, as shown in FIG. 3 (d).
  • the back electrode 5, the through hole 7 to be an acoustic hole, and the conductive layer 12b of the jetty 12 are formed as shown.
  • a resist pattern 206 is formed on the back side of the substrate 201 as shown in FIG. 3 (e), and etching is performed from the substrate 201 and the insulating film 202 to the portion of the conductive layer 203 as shown in FIG. 3 (f). Thereby, the acoustic opening 8 is formed, and the diaphragm 3 shown in FIG. 1 is formed by the conductive layer 203 exposed at the acoustic opening 8 portion. Further, as shown in FIG. 3 (g), the gap region 6 is formed between the diaphragm 3 and the back electrode 5 by etching the insulating film 204 in the downward and lateral directions.
  • the fixed portion 4 and the insulating layer 12a of the ridge 12 are formed so as to surround the fixed portion 4 by the insulating film 204 remaining on the outer peripheral portion of the diaphragm 3.
  • the substrate 201 becomes the substrate 1 shown in FIG. 1, and the insulating film 202 becomes the oxidation film 2.
  • the conductive layer 12b of the jetty 12 can be formed by the same material and the same process as the back electrode 5, and the insulating layer 12a of the jetty 12 can be formed by the same material and the same process as the fixing portion 4. Since there is no need to add a process that requires the use of new materials to form the jetty 12, the provision of the jetty 12 does not increase the cost.
  • the present invention is not limited to this, and may be applied to other sensor elements.
  • the semiconductor chip can be formed by dicing while preventing foreign substances from entering the gap region between the diaphragm and the back electrode, damage to the element structure is caused. And is effectively used for microphone elements and the like.

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Abstract

　センサ素子１１の酸化膜２は矩形の基板１上に形成され、酸化膜２上には振動板３が形成され、振動板３上には固定部４が形成されていて、固定部４上には基板１に対向するように背電極５が形成され、固定部４によって、基板１と背電極５との間に間隙領域６が形成されており、固定部４上に形成された背電極５の周囲を囲むように矩形の突堤部１２が、センサ素子１１と辺との間に位置するように形成されている。突堤部１２によりダイシング時に生じる異物１０４が半導体素子１１内に入り込むのを阻止できる。

Description

明 細 書
半導体装置の製造方法および半導体装置
技術分野
[0001] この発明は半導体装置に関し、例えば、微小可動構造体を有する MEMS (Micro
Electro Mechanical Systems)部品としての容量検出型センサ素子のような半 導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
背景技術
[0002] 図 4は半導体装置の一例のマイクロフォン素子を示す図であり、（a)は平面図を示 し、（b)は（a)の線 B-Bに沿う断面図である。
[0003] 図 4において、マイクロフォン素子 10は、基板 1と、酸化膜 2と、振動板 3と、固定部 4と、背電極 5aとを含む。酸化膜 2は基板 1上に形成されており、酸化膜 2上には振 動板 3が形成され、振動板 3上には絶縁材で固定部 4が形成されている。固定部 4上 には基板 1に対向するように背電極 5aが形成されている。固定部 4によって、基板 1と 背電極 5aとの間に間隙領域 6が形成されており、背電極 5aには図 4 (b)に示す多数 の音響ホールとなる貫通孔 7が設けられている。なお、図 4 (b)の平面図では貫通孔 7の図示を省略している。基板 1と酸ィ匕膜 2には下部に凹部力もなる音響開口 8が形 成されていて、振動板 3の下面が露出している。
[0004] 図 4に示したマイクロフォン素子 10は、基板 1であるシリコンウェハ上に複数形成さ れた後、各素子をダイシング技術により半導体チップに切断して分割し、その半導体 チップにリードフレームを接続してパッケージィ匕される。ダイシング技術は、図 5に示 す斜視図および図 6に示す断面図のように、ダイヤモンド粉末をまぶしたブレード 10 1を高速回転させて洗浄水 102を散布しながらシリコンウェハ 103を切断することによ り行われる。ところが、シリコンウェハ 103を切断したときに切りくずなどの異物 104が 飛び散る。
[0005] マイクロフォン素子 10をチップィ匕するときに、上記異物 104が振動板 3に付着すると 素子の動作を阻害する問題があるため、異物 104が振動板 3に付着するのを防止す る必要がある。このために、ダイシング時の洗浄水 102の水量を増加させることが有 効であるが、洗浄水量を増カロさせると洗浄水 102が振動板 3に物理的外力を与える ことによる振動板 3の破損を引き起こすおそれがある。
[0006] そこで、図 7に示すように、各素子の背電極 5a上に表面保護のための保護テープ 9 を貼付け、保護テープ 9により素子の表面を保護した上で、ダイシングが行われる。
[0007] しかし、背電極 5aの形状により、隣接する素子間では上から見て間隔の狭い部分と 広い部分とがあるため、保護テープ 9の密着性のよい部分と悪い部分が生じる。また 、間隔の広い部分と狭い部分とでは、ブレード 101でダイシングしたときの絶縁テー プ 9への力の作用の仕方が異なる。このため、ダイシング時に保護テープ 9の浮きや 剥がれが生じる。その結果、保護テープ 9の浮きや剥がれた部分カゝら異物 104を含 んだ洗浄水 102がマイクロフォン素子 10の内部に入り込んで、異物 104が振動板 3 に付着してしまったり、保護能力の低下によるマイクロフォン素子 10の構造体破損が 引き起こされてしまう。
発明の開示
[0008] そこで、この発明は、切りくずなどの異物が入り込むことなぐ構造体の破損を引き 起こすことがない半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
[0009] この発明は、縦横に延びるダイシングラインに沿って分離されるべき複数の基板領 域上にそれぞれセンサ素子を形成する工程と、各基板領域上であって、センサ素子 の全周囲を取り囲む矩形の突堤部をセンサ素子の形成と同時に形成する工程と、複 数の基板領域全体を覆うように保護膜を接着する工程と、隣接する基板領域の突堤 部間をダイシングして分離することにより、複数の半導体チップを得る工程とを備える
[0010] このようにセンサ素子の全周囲を取り囲む矩形の突堤部を設けたことにより、ダイシ ングの際に生じる切りくずなどの異物が隣接する突堤部間に留まるのでセンサ素子 内に入り込むことがなく、構造体の破損を引き起こすことがな!、。
[0011] 好ましくは、センサ素子は、絶縁層と、その上の導電層とを備え、突堤部は、絶縁層 と、その上の導電層とを備え、センサ素子の絶縁層と突堤部の絶縁層とは、同一のプ 口セスで形成され、センサ素子の導電層と突堤部の導電層とは、同一のプロセスで形 成される。同一のプロセスで形成することにより、突堤部を形成するためにプロセス数 を増やす必要がなくなるので、コストの増大を招くことがな 、。
[0012] 好ましくは、センサ素子は、振動板と、この振動板の周囲に位置する基板領域上に 形成された固定部と、振動板との間に間隙を形成するように固定部によって支持され た電極層とを備え、センサ素子の絶縁層は、固定部を構成するものであり、センサ素 子の導電層は、電極層を構成するものである。センサ素子に突堤部を設けることによ り、異物がセンサ素子内に侵入するのを防止でき、振動板に付着することによる構造 体の破損を引き起こすことがない。
[0013] この発明の他の局面は、矩形の基板と、基板上に形成されたセンサ素子と、センサ 素子の全周囲を取り囲むように基板上に形成された矩形の突堤部とを備え、センサ 素子と突堤部とは、ほぼ同じ高さを有している。
[0014] センサ素子と突堤部とは同一のプロセスで形成されるので、ほぼ同じ高さを有する ようになる。
[0015] この発明のさらに他の局面は、矩形の基板と、基板上に形成されたセンサ素子と、 センサ素子の全周囲を取り囲むように基板上に形成された矩形の突堤部とを備え、 センサ素子および突堤部は、共通の積層構造を有して 、る。
[0016] センサ素子および突堤部は、共通の積層構造を有しているので同一の部材を用い て製造でき、突堤部を設けたことによるコストの上昇を抑えることができる。
[0017] 好ましくは、センサ素子の積層構造および突堤部の積層構造は、同一のプロセス で形成されて ヽる。このように同一のプロセスで製造できるので新たなプロセスを必 要としないので、突堤部を設けたことによるコストの上昇を抑えることができる。
[0018] 好ましくは、センサ素子は、振動板と、この振動板の周囲に位置する基板領域上に 形成された固定部と、振動板との間に間隙を形成するように固定部によって支持され た電極層とを備える。センサ素子に突堤部を設けることにより、異物が侵入するのを 阻止できるので異物が振動板に付着することによる構造体の破損を引き起こすことが ない。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]この発明の一実施形態における半導体装置の図である。
[図 2]図 1に示した半導体装置が複数形成されたシリコンウェハをダイシングする状態 を示す断面図である。
[図 3]この発明の一実施形態における半導体装置の製造プロセスを連続的に示す図 である。
[図 4]従来のマイクロフォン素子を示す図である。
[図 5]従来のダイシング工程を示す図である。
[図 6]従来のダイシング工程でシリコンウェハをダイシングする工程を示す断面図であ る。
[図 7]保護テープで素子表面を覆った状態でダイシングする工程を示す断面図であ る。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 図 1はこの発明の一実施形態における半導体装置を示す図であり、特に (a)は平 面図であり、 (b)は (a)の線 lb— lbに沿う断面図である。
[0021] 図 1において、半導体装置を構成する容量検出型センサ素子の一例のマイクロフォ ン素子などのセンサ素子 11は、前述の図 5と同様にして、基板 1と、酸化膜 2と、振動 板 3と、固定部 4と、背電極 5とを含む。電極層としての背電極 5は、 4つの固定部 4に よって振動板 3との間に間隙領域 6を形成するように支持されており、各固定部 4のそ れぞれの間には隙間部分が設けられている。
[0022] 基板 1は縦横に延びるダイシングラインに沿う 4つの辺を有する矩形状に形成され ており、固定部 4上に形成されたセンサ素子 11の周囲を囲むように突堤部 12が、セ ンサ素子 11と辺との間に位置するように形成されている。突堤部 12は 4つの辺を有 する矩形状であり、それぞれの辺が基板 1の各辺に対して平行に連続的に延びてい る。
[0023] 突堤部 12およびセンサ素子 11は共通の積層構造を有しており、同一のプロセスで 形成されている。具体的には、突堤部 12は固定部 4と同じ材料および同じプロセスで 形成される絶縁層 12aと、背電極 5と同じ材料および同じプロセスで形成される導電 層 12bとを含む。このように同一のプロセスで形成されることにより、突堤部 12の高さ は、センサ素子 11の高さとほぼ等しくなる。
[0024] 図 2は図 1に示したセンサ素子 11が複数形成されたシリコンウェハをダイシングする 状態を示す断面図である。シリコンウェハ 13上には、図 1で説明した積層構造を有す る複数のセンサ素子 11が形成されており、背電極 5および突堤部 12上には絶縁テ ープ 9が密着して貼り付けられている。そして、隣接するセンサ素子 11の突堤部 12, 12の間でガイドされるごとくブレード 101により基板 1の辺に沿ってシリコンウェハ 13 がダイシングされて、半導体チップごとに切断される。
[0025] 各センサ素子 11間における突堤部 12, 12の間隔を等しくできるので、ダイシンダラ インに沿ってブレードでダイシングを行ったときに保護テープ 9に作用する力を均一 にできる。これにより、保護テープ 9の浮きや剥がれが生じることがない。し力も、保護 テープ 9の切断部分力も異物 104を含んだ洗浄水が下部に漏れても隣接する突堤 部 12, 12の間に留まるので、センサ素子 11の内部に異物 104が入り込むことがなく 、保護能力の低下によるセンサ素子 11の構造体破損が引き起こされてしまうのを防 止できる。
[0026] 図 3はこの発明の一実施形態における半導体装置の製造プロセスを連続的に示す 図である。
[0027] 次に、図 3を参照して、図 1に示したセンサ素子の製造方法について説明する。ま ず、図 3 (a)に示すように、基板 201の表面側に酸ィ匕膜からなる絶縁膜 202および多 結晶シリコン膜からなる導電層 203を形成したウェハ 200が用意される。次に、図 3 ( b)に示すように導電層 203上に絶縁膜 204が形成され、図 3 (c)に示すように絶縁膜 204上に導電層 205が形成される。この導電層 205で背電極 5および突堤部 12の導 電層 12bが形成される。
[0028] 導電層 205に対してフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィの技術によって不要な 部分を除去してレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして、エツチン グすることにより図 3 (d)に示すような背電極 5,音響ホールとなる貫通孔 7および突堤 部 12の導電層 12bが形成される。
[0029] 図 3 (e)に示すように基板 201の裏面側にレジストパターン 206が形成され、図 3 (f) に示すように基板 201および絶縁膜 202から導電層 203の部位までエッチングを行う ことにより、音響開口 8を形成し、この音響開口 8部分に露出する導電層 203で、図 1 に示した振動板 3が形成される。 [0030] さらに、図 3 (g)に示すように絶縁膜 204に対して下方向および横方向へのエッチ ングを行うことにより、振動板 3と背電極 5との間に間隙領域 6が形成され、このエッチ ングの後に振動板 3の外周部に残留する絶縁膜 204によって固定部 4と、固定部 4を 囲むように突堤部 12の絶縁層 12aとが形成される。なお、基板 201は図 1に示した基 板 1となり、絶縁膜 202は酸ィ匕膜 2となる。
[0031] 上述のごとぐ突堤部 12の導電層 12bは背電極 5と同じ材料および同じプロセスで 形成でき、突堤部 12の絶縁層 12aも固定部 4と同じ材料および同じプロセスで形成 できるので、突堤部 12を形成するために新たな材料を用いる必要がなぐプロセスも 追加する必要がないので、突堤部 12を設けたことによってコストを上昇させることがな い。
[0032] なお、上述の説明では、この発明を容量検出型センサ素子の一例のマイクロフォン 素子について適用した例について述べた力 これに限ることなく他のセンサ素子に適 用してちょい。
[0033] 以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明した力 この発明は、図示した実 施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範 囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形をカ卩えることが 可能である。
産業上の利用可能性
[0034] この発明に係る半導体装置は、振動板と背電極との間の間隙領域に異物が入り込 むのを阻止しながらダイシングにより半導体チップを形成できるので、素子の構造体 破損が引き起こされることがなく、マイクロフォン素子などに有効に利用される。

Claims

請求の範囲
[1] 縦横に延びるダイシングラインに沿って分離されるべき複数の基板領域上にそれぞ れセンサ素子を形成する工程と、
前記各基板領域上であって、前記センサ素子の全周囲を取り囲む矩形の突堤部を 前記センサ素子の形成と同時に形成する工程と、
前記複数の基板領域全体を覆うように保護膜を接着する工程と、
隣接する前記基板領域の突堤部間をダイシングして分離することにより、複数の半 導体チップを得る工程とを備える、半導体装置の製造方法。
[2] 前記センサ素子は、絶縁層と、その上の導電層とを備え、
前記突堤部は、絶縁層と、その上の導電層とを備え、
前記センサ素子の絶縁層と前記突堤部の絶縁層とは、同一のプロセスで形成され 前記センサ素子の導電層と前記突堤部の導電層とは、同一のプロセスで形成され る、請求項 1に記載の半導体装置の製造方法。
[3] 前記センサ素子は、振動板と、この振動板の周囲に位置する基板領域上に形成さ れた固定部と、前記振動板との間に間隙を形成するように前記固定部によって支持 された電極層とを備え、
前記センサ素子の絶縁層は、前記固定部を構成するものであり、
前記センサ素子の導電層は、前記電極層を構成するものである、請求項 2に記載 の半導体装置の製造方法。
[4] 矩形の基板と、
前記基板上に形成されたセンサ素子と、
前記センサ素子の全周囲を取り囲むように前記基板上に形成された矩形の突堤部 とを備え、
前記センサ素子と前記突堤部とは、ほぼ同じ高さを有している、半導体装置。
[5] 矩形の基板と、
前記基板上に形成されたセンサ素子と、
前記センサ素子の全周囲を取り囲むように前記基板上に形成された矩形の突堤部 とを備え、
前記センサ素子および前記突堤部は、共通の積層構造を有している、半導体装置
[6] 前記センサ素子の積層構造および前記突堤部の積層構造は、同一のプロセスで 形成されている、請求項 4に記載の半導体装置。
[7] 前記センサ素子は、振動板と、この振動板の周囲に位置する基板領域上に形成さ れた固定部と、前記振動板との間に間隙を形成するように前記固定部によって支持 された電極層とを備える、請求項 4に記載の半導体装置。
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