JP2003045835A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで環境負荷を低減することができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体素子に回路パターンが作成された
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
複数の半導体素子の回路パターンが作成された半導体ウ
ェハの表面に保護テープを貼り付け、この状態で半導体
ウェハの裏面を機械研磨して薄化し、機械研磨された半
導体ウェハの裏面を液体で洗浄して研磨屑を除去する。
そして洗浄後の半導体ウェハの裏面をプラズマエッチン
グして機械研磨において生じたダメージ層を除去した後
に、保護テープを剥離するとともに半導体ウェハの裏面
にダイシングテープを貼りつけ、この状態で半導体ウェ
ハを切断して半導体素子単位に分割する。これにより、
従来の湿式エッチングと比較して環境負荷が低減され、
低コストの半導体装置の製造方法が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の表面
に回路パターンが作成された半導体装置を製造する半導
体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の基板などに実装される半導体
装置の製造工程では、半導体装置の薄型化にともない基
板の厚さを薄くするための薄化加工が行われる。この薄
化加工は、半導体ウェハの表面に回路パターンを形成し
た後に、回路形成面の裏面を機械研磨することによって
行われる。機械研磨加工においてはシリコン基板の表面
には機械研磨によってマイクロクラックを含むダメージ
層が生じ、このダメージ層によるシリコン基板の強度低
下を防止するため、機械研磨後には研磨面のダメージ層
を除去するエッチング処理が行われる。このエッチング
処理は、従来よりフッ硝酸などの薬液を用いる湿式エッ
チング処理によって行われていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述湿
式エッチング処理では、人体に有害な薬液を使用するこ
とから環境負荷が高く、低コストのエッチング処理が困
難であった。すなわち、湿式エッチングを行う処理装置
に作業者への危険を防止するための安全付帯設備を備え
る必要があり、また使用後の排液を処理するための排液
処理設備が必要とされることから、設備費用やランニン
グコストが増加し低コストで効率のよいエッチング処理
が行えないという問題点があった。

【０００４】そこで本発明は、低コストで環境負荷を低
減することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、半導体素子の表面に回路パターンが作
成された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法で
あって、半導体ウェハの表面に複数の半導体素子の回路
パターンを作成する回路パターン作成工程と、前記回路
パターンが作成された半導体ウェハの表面に保護テープ
を貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、前記半導体ウ
ェハの裏面を機械研磨して薄化する研磨工程と、機械研
磨された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して前記研磨
工程で生じた研磨屑を除去する洗浄工程と、前記洗浄工
程で洗浄された半導体ウェハの裏面をプラズマエッチン
グすることにより前記機械研磨において生じたダメージ
層を除去するダメージ層除去工程と、前記保護テープを
剥離するとともに半導体ウェハの裏面にダイシングテー
プを貼りつけるダイシングテープ貼り付け工程と、前記
ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハを切断
して前記半導体素子単位に分割するダイシング工程とを
含む。

【０００６】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダ
メージ層除去工程は、前記保護テープに密着する保持面
で前記半導体ウェハを保持する第１の電極と、前記保持
面に対向する位置にこの保持面と平行な対向面を有する
第２の電極とを備えたプラズマ処理装置を使用し、前記
対向面からプラズマ発生用のガスを供給しながら前記第
１の電極と第２の電極との間に印加した高周波電圧によ
って発生したプラズマでプラズマエッチングを行う。

【０００７】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記第
２の電極の対向面が３次元網目構造を有し、この３次元
網目構造の隙間で形成される不規則経路から前記ガスを
吹き出す。

【０００８】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記第
１の電極を冷却することにより、プラズマによる熱によ
って前記保持面に密着する保護テープが熱ダメージを受
けないようにした。

【０００９】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
半導体素子の表面に回路パターンが作成された半導体装
置を製造する半導体装置の製造方法であって、半導体ウ
ェハの表面に複数の半導体素子の回路パターンを作成す
る回路パターン作成工程と、前記回路パターンが作成さ
れた半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼り付け
るダイシングテープ貼り付け工程と、前記半導体ウェハ
を半導体素子単位に分割するための溝を前記ダイシング
テープに貼りつけられた半導体ウェハの表面に形成する
工程と、前記溝が形成された半導体ウェハの表面に保護
テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、前記半
導体ウェハの裏面を機械研磨して前記溝に到達する厚さ
まで薄化することにより前記半導体ウェハを半導体素子
単位に分割する研磨工程と、機械研磨によって分割され
た半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して前記研磨工程で
生じた研磨屑を除去する洗浄工程と、前記洗浄工程の後
前記分割された半導体ウェハの裏面をプラズマエッチン
グすることにより前記機械研磨において生じたダメージ
層を除去するダメージ層除去工程とを含む。

【００１０】請求項６記載の半導体装置の製造方法は、
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダ
メージ層除去工程は、前記保護テープに密着する保持面
で前記半導体ウェハを保持する第１の電極と、前記保持
面に対向する位置にこの保持面と平行な対向面を有する
第２の電極とを備えたプラズマ処理装置を使用し、前記
対向面からプラズマ発生用のガスを供給しながら前記第
１の電極と第２の電極との間に印加した高周波電圧によ
って発生したプラズマでプラズマエッチングを行う。

【００１１】請求項７記載の半導体装置の製造方法は、
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、前記第
２の電極の対向面が３次元網目構造を有し、この３次元
網目構造の隙間で形成される不規則経路から前記ガスを
吹き出す。

【００１２】請求項８記載の半導体装置の製造方法は、
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、前記第
１の電極を冷却することにより、プラズマによる熱によ
って前記保持面に密着する保護テープが熱ダメージを受
けないようにした。

【００１３】本発明によれば、半導体素子の表面に回路
パターンが作成された半導体装置の製造において、機械
研磨して薄化された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄し
て研磨工程で生じた研磨屑を除去し、洗浄工程で洗浄さ
れた半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングして械研
磨において生じたダメージ層を除去することにより、従
来の薬液を使用する湿式エッチングと比較して環境負荷
を低減することができ、低コストの半導体装置の製造方
法が実現できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１の半導体ウェハの加工装置の斜視図、図２
は本発明の実施の形態１の半導体ウェハの加工装置のプ
ラズマ処理部の断面図、図３は本発明の実施の形態１の
半導体ウェハの加工装置のプラズマ処理部の電極部材の
断面図、図４は本発明の実施の形態１の半導体装置の製
造方法のフロー図、図５、図６は本発明の実施の形態１
の半導体装置の製造方法の工程説明図である。

【００１５】まず図１を参照して半導体ウェハの加工装
置の全体構造を説明する。図１において、ベース部１ａ
の上面には、ロボットアームを備えたウェハ搬送部３を
中心としてウェハ収納部２、第１のプラズマ処理部４
Ａ、第２のプラズマ処理部４Ｂ、プリセンタ部５および
ウェハ洗浄部１０が放射状に配設されており、プリセン
タ部５に隣接して研磨部６が配設されている。

【００１６】ウェハ収納部２は、２つのウェハ収納用の
マガジン２Ａ，２Ｂを備えており、加工前および加工後
の半導体ウェハ１１を収納する。第１のプラズマ処理部
４Ａ、第２のプラズマ処理部４Ｂは、減圧雰囲気下で発
生するプラズマのエッチング作用により半導体ウェハ表
面のドライエッチングを行う。プリセンタ部５は、研磨
部６へ渡される半導体ウェハ１１を予め位置合わせする
プリセンタ動作を行う。ウェハ洗浄部１０は、研磨部６
によって研磨された半導体ウェハ１１を洗浄液によって
洗浄する。

【００１７】研磨部６はベース部１ａ上面に立設された
壁部６ａを備え、壁部６ａの前側面には第１の研磨ユニ
ット８Ａ、第２の研磨ユニット８Ｂが配設されている。
第１の研磨ユニット８Ａ、第２の研磨ユニットは８Ｂそ
れぞれ半導体ウェハ１１の粗研磨および仕上げ研磨を行
う。第１の研磨ユニット８Ａ、第２の研磨ユニット８Ｂ
の下方には、コーミング６ｂに囲まれてターンテーブル
７が配設されている。ターンテーブル７はウェハ保持部
７ａを有し、このウェハ保持部７ａに半導体ウェハ１１
を保持した状態でインデックス回転して研磨対象の半導
体ウェハ１１を第１の研磨ユニット８Ａや第２の研磨ユ
ニット８Ｂに対して位置決めする。

【００１８】研磨部６の手前側には、それぞれ搬送アー
ムを備えたウェハ搬入部９Ａ、ウェハ搬出部９Ｂが配設
されている。ウェハ搬入部９Ａは、プリセンタ部５で位
置合わせされた半導体ウェハを研磨部６に搬入する。ウ
ェハ搬出部９Ｂは、機械研磨後の半導体ウェハを研磨部
６から搬出する。したがって、前述のウェハ搬送部３、
ウェハ搬入部９Ａ、ウェハ搬出部９Ｂは、研磨部６、ウ
ェハ洗浄部１０、第１のプラズマ処理部４Ａ又は第２の
プラズマ処理部４Ｂの間で半導体ウェハ１１の受け渡し
を行い、研磨部６に半導体ウェハ１１を供給しかつ第１
のプラズマ処理部４Ａ又は第２のプラズマ処理部４Ｂか
らドライエッチング後の半導体ウェハ１１を取り出すウ
ェハハンドリング手段となっている。

【００１９】次に図２、図３を参照してプラズマ処理部
４Ａ，４Ｂについて説明する。図２において、真空チャ
ンバ２１の内部はプラズマ処理を行う処理室２２となっ
ており、処理室２２内部には、下部電極２３（第１の電
極）および上部電極２４（第２の電極）が上下に配設さ
れている。下部電極２３は電極体２５を備えており、電
極体２５は下方に延出した支持部２５ａによって絶縁体
２９を介して真空チャンバ２１に装着されている。電極
体２５の上面には、高熱伝導性材料より成る保持部２６
が装着されており、保持部２６の上面の保持面２６ｄに
は回路パターンが形成された半導体ウェハ１１が載置さ
れる。

【００２０】半導体ウェハ１１は、回路パターン形成面
の裏側を機械研磨によって薄化加工された直後の状態で
あり、研磨加工面にはマイクロクラックを含むダメージ
層が形成されている。半導体ウェハ１１の回路パターン
１２形成面に貼着された保護テープ１３（図５参照）を
保持面２６ｄに密着させた姿勢で、すなわち処理対象面
である研磨加工面（回路形成面の裏側）を上向きにした
状態で載置される。そして研磨加工面のダメージ層をプ
ラズマ処理によって除去（エッチング）する。

【００２１】保持部２６には上面に開口する多数の吸着
孔２６ａが設けられており、吸着孔２６ａは電極体２５
の支持部２５ａ内を貫通して設けられた吸引路２５ｄと
連通している。吸引路２５ｄは真空吸引部３１と接続さ
れており、保持部２６の上面の保持面２６ｄに半導体ウ
ェハ１１が載置された状態で真空吸引部３１から真空吸
引することにより、半導体ウェハ１１は保持部２６に真
空吸着により保持される。

【００２２】保持部２６の内部には冷却用の冷媒流路２
６ｂ，２６ｃが設けられており、冷媒流路２６ｂ，２６
ｃは支持部２５ａ内を貫通して設けられた管路２５ｂ，
２５ｃと連通している。管路２５ｂ，２５ｃは冷媒循環
部３０と接続されており、冷媒循環部３０を駆動するこ
とにより、冷媒流路２６ｂ，２６ｃ内を冷却水などの冷
媒が循環し、これによりプラズマ処理時に発生した熱に
よって加熱された保持部２６が冷却され、保持面２６ｄ
に密着する保護テープ１３の熱ダメージを防止するよう
にしている。

【００２３】電極体２５は高周波発生部３２と電気的に
接続されており、高周波発生部３２は下部電極２３と上
部電極２４との間に高周波電圧を印加する。また真空チ
ャンバ２１内の処理室２２は、圧力制御部３３と接続さ
れている。圧力制御部３３は、処理室２２の減圧および
処理室２２内の真空破壊時の大気開放を行う。

【００２４】上部電極２４は下部電極２３と対向する位
置に配置されており、電極体３５と保持面２６ｄと平行
な対向面を有した電極部材３７を備えている。電極体３
５は上方に延出した支持部３５ａによって絶縁体３６を
介して真空チャンバ２１に装着され、接地部４０に接地
されている。また電極体３５は、プラズマ発生用のガス
を処理室２２に供給するためのプラズマ発生用電極とな
っており、保持面２６ｄと対向する対向面には支持部３
５ａ内を貫通して設けられたガス供給路３５ｃと連通し
たガス供給口３５ｂが設けられている。ガス供給路３５
ｃはガス供給部３９と接続されており、ガス供給部３９
は、４フッ化炭素（ＣＦ₄）や６フッ化硫黄（ＳＦ₆）な
どのフッ素系ガスとヘリウム（Ｈｅ）等の希ガスを含む
混合ガスをプラズマ発生用のガスとして供給する。

【００２５】ガス供給口３５ｂの前面には電極部材３７
が装着されている。電極部材３７はセラミック多孔質体
より成る円板状の部材であり、図３に示すようにこのセ
ラミック多孔質体は、セラミックの骨格部３８ａが３次
元の網目状に連続して形成され、内部に多数の空孔部３
８ｂ（隙間）を有する３次元網目構造となっている。そ
してこの３次元網目構造の空孔部３８ｂは、ガス供給口
３５ｂから電極部材３７を介してガスを通過させるため
の複数の不規則経路となっている。

【００２６】次に図４〜図６を参照して、半導体素子の
表面に回路パターンが作成された半導体装置を製造する
半導体装置の製造方法について説明する。図５（ａ）、
（ｂ）において、１１は半導体ウェハであり、半導体ウ
ェハ１１の上面には、複数の半導体素子の回路パターン
１２が作成される（回路パターン作成工程）（ＳＴ
１）。次いで、図５（ｃ）に示すように、回路パターン
１２が作成された半導体ウェハ１１の表面に、保護テー
プ１３を貼り付ける（保護テープ貼り付け工程）（ＳＴ
２）。

【００２７】そしてこの状態の半導体ウェハ１１は、マ
ガジン２Ａ（２Ｂ）に収納された状態で図１に示す半導
体ウェハの加工装置に送られ、マガジン２Ａ（２Ｂ）は
ウェハ収納部２に装着される。そしてウェハ収納部２か
らウェハ搬送部３のロボットアームによって取り出され
た半導体ウェハ１１は、研磨部６によって裏面を機械研
磨され薄化される（研磨工程）（ＳＴ３）。すなわち取
り出された半導体ウェハ１１は、プリセンタ部５におい
て位置合わせされた後、ウェハ搬入部９Ａによってター
ンテーブル７のウェハ保持部７ａ上に半導体ウェハ１１
の裏面を上向きにした姿勢で載置され、図５（ｄ）に示
すように、第１の研磨ユニット８Ａ、第２の研磨ユニッ
ト８Ｂによって裏面が機械研磨される。これにより、図
５（ｅ）に示すように、半導体ウェハ１１は所定厚みｔ
に薄化される。

【００２８】こののち、半導体ウェハ１１はウェハ搬出
部９Ｂによって研磨部６からウェハ洗浄部１０に搬送さ
れる。そしてここでは、機械研磨された半導体ウェハ１
１の裏面を液体で洗浄して研磨工程で生じた研磨屑を除
去する（洗浄工程）（ＳＴ４）。すなわち、図５（ｆ）
に示すように、半導体ウェハ１１は保護テープ１３をウ
ェハ洗浄部１０のウェハ保持部１０ａに保持され、この
状態で半導体ウェハ１１の裏面（機械研磨面）に対して
洗浄ノズル１０ｂによって洗浄液を噴射する。この洗浄
液噴射の後、半導体ウェハ１１の表面の水切り・乾燥が
行われる。

【００２９】次いで、洗浄後の半導体ウェハ１１は、ウ
ェハ搬送部３によって第１のプラズマ処理部４Ａ（また
は第２のプラズマ処理部４Ｂ）に送られ、ここで洗浄工
程で洗浄された半導体ウェハ１１の裏面をプラズマエッ
チングすることにより機械研磨において生じたダメージ
層を除去する（ダメージ層除去工程）（ＳＴ５）。すな
わち、半導体ウェハ１１の保護テープ１３を保持面２６
ｄに密着させて、機械研磨面を上向きにした姿勢で半導
体ウェハ１１を下部電極２３に保持させる。そして上部
電極２４に保持面２６ｄと平行に設けられた対向面の電
極部材３７からプラズマ発生用ガスを供給しながら、高
周波発生部３２によって下部電極２３と上部電極２４と
の間に高周波電圧を印加することによって発生したプラ
ズマで、機械研磨面のプラズマエッチングを行う。

【００３０】このプラズマエッチングにおけるプラズマ
発生用ガスの供給は、３次元網目構造を有する電極部材
３７を介して行われ、この３次元網目構造の隙間で形成
される不規則経路からプラズマ発生用ガスガスを半導体
ウェハ１１に対して均一に吹き出すようにしていること
から、ばらつきのない均一なプラズマ処理を行うことが
できる。

【００３１】さらにプラズマエッチングに先立って、半
導体ウェハ１１の表面を洗浄し、研磨屑などの異物を除
去するようにしているので、プラズマエッチング後の半
導体ウェハ１１の表面が白濁外観を呈する不具合を生じ
ることがなく、外観品質の優れたエッチング面を得るこ
とができる。また、下部電極２３の保持部２６を冷媒に
よって冷却するようにしていることから、保護テープ１
３がプラズマによる熱によってダメージを受けることが
ない。

【００３２】このようにしてプラズマエッチングが行わ
れた後の半導体ウェハ１１は、ウェハ搬送部３によって
マガジン２Ａ（２Ｂ）に収納され、半導体ウェハの加工
装置から取り出される。そして取り出された半導体ウェ
ハ１１から、保護テープ１３を剥離するとともに半導体
ウェハ１１の裏面にダイシングテープを貼りつける（ダ
イシングテープ貼り付け工程）（ＳＴ６）。すなわち、
図６（ａ）に示すように、薄化され保護テープ１３が貼
着された状態の半導体ウェハ１１は、ウェハリング１４
にセットされたダイシングテープ１５に、保護テープ１
３を上向きにした姿勢で貼着される。そして保護テープ
１３を剥離することにより、図６（ｂ）に示すように、
回路パターン１２が上面に露呈された状態となる。

【００３３】そして半導体ウェハ１１はこの状態でダイ
シング装置に送られ、ここで、ダイシングテープ１５が
貼り付けられた半導体ウェハ１１を切断して半導体素子
単位に分割する（ダイシング工程）（ＳＴ７）。すなわ
ち、図６（ｃ）に示すように、切断刃１６によって切断
ラインに沿って切断溝１７を形成することにより、図６
（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１５上に貼着さ
れた状態の個片の半導体装置１１’が完成する。

【００３４】（実施の形態２）図７は本発明の実施の形
態２の半導体装置の製造方法のフロー図、図８、図９は
本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の工程説
明図である。本実施の形態２は、実施の形態１と同様に
半導体素子の表面に回路パターンが作成された半導体装
置を製造する半導体装置の製造方法において、実施の形
態１と異なり、薄化のための研磨工程に先立って、半導
体ウェハ１１をハーフカットするものである。

【００３５】図８（ａ）、（ｂ）において、１１は実施
の形態１と同様の半導体ウェハであり、半導体ウェハ１
１の上面には、複数の半導体素子の回路パターン１２が
作成される（回路パターン作成工程）（ＳＴ１１）。次
いで、図８（ｃ）に示すように、回路パターン１２が作
成された半導体ウェハ１１の裏面にダイシングテープ１
５を貼り付ける（ダイシングテープ貼り付け工程）（Ｓ
Ｔ１２）。すなわち、半導体ウェハ１１をウェハリング
１４にセットされたダイシングテープ１５に回路パター
ン１２を上向きにした姿勢で貼りつける。

【００３６】この後、半導体ウェハ１１はダイシング装
置に送られ、図８（ｄ）に示すように、ここで半導体ウ
ェハ１１を半導体素子単位に分割するための溝１８を、
ダイシングテープ１５に貼りつけられた半導体ウェハ１
１の表面（回路パターン形成面）に形成する（ダイシン
グによるハーフカット工程）（ＳＴ１３）。このとき、
溝１８の深さは、製品完成後の半導体素子の厚さ寸法よ
りも大きくなるように設定される。そしてハーフカット
工程後には、図８（ｅ）に示すように、溝１８が形成さ
れた半導体ウェハ１１の表面に保護テープ１３を貼り付
ける（保護テープ貼り付け工程）（ＳＴ１４）。

【００３７】そしてこの半導体ウェハ１１は、マガジン
２Ａ（２Ｂ）に収納された状態で図１に示す半導体ウェ
ハの加工装置に送られ、マガジン２Ａ（２Ｂ）はウェハ
収納部２に装着される。そしてウェハ収納部２からウェ
ハ搬送部３のロボットアームによって取り出された半導
体ウェハ１１の裏面を機械研磨して、溝１８に到達する
厚さまで薄化することにより、半導体ウェハ１１を半導
体素子単位に分割する（研磨工程）（ＳＴ１５）。

【００３８】すなわち半導体ウェハ１１は、実施の形態
１と同様にプリセンタ部５において位置合わせされた
後、ウェハ搬入部９Ａによってターンテーブル７のウェ
ハ保持部７ａ上に半導体ウェハ１１の裏面を上向きにし
た姿勢で載置され、図９（ａ）に示すように、第１の研
磨ユニット８Ａ、第２の研磨ユニット８Ｂによって裏面
が機械研磨される。これにより、図９（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１１は所定厚みｔに薄化されるととも
に、ハーフカットにおいて形成された溝１８によって保
護テープ１３上で個片の半導体装置１１’単位に分割さ
れる。

【００３９】この後、保護テープ１３によって連結され
た状態の半導体装置１１’は、ウェハ搬出部９Ｂによっ
て研磨部６からウェハ洗浄部１０に搬送される。そして
ここでは、機械研磨によって分割された半導体ウェハの
裏面を液体で洗浄して研磨工程で生じた研磨屑を除去す
る（洗浄工程）（ＳＴ１６）。すなわち、図９（ｃ）に
示すように、半導体装置１１’は保護テープ１３をウェ
ハ洗浄部１０のウェハ保持部１０ａに保持され、この状
態で半導体装置１１’の裏面（機械研磨面）に対して洗
浄ノズル１０ｂによって洗浄液を噴射する。

【００４０】次いで、洗浄後の半導体ウェハ１１は、ウ
ェハ搬送部３によって第１のプラズマ処理部４Ａ（また
は第２のプラズマ処理部４Ｂ）に送られ、ここで洗浄工
程で洗浄された半導体ウェハ１１の裏面をプラズマエッ
チングすることにより機械研磨において生じたダメージ
層を除去する（ダメージ層除去工程）（ＳＴ１７）。こ
のダメージ層除去は、実施の形態１における（ＳＴ５）
と同様である。

【００４１】上記説明したように、本実施の形態１，２
の半導体装置の製造方法では、従来のフッ硝酸などの薬
液を用いる湿式エッチング処理において必要とされた作
業者への危険を防止するための安全付帯設備や、使用後
の排液を処理するための排液処理設備を備える必要がな
い。したがって、設備費用やランニングコストが大幅に
低減され低コストで効率のよいエッチング処理が可能と
なり、低コストの半導体装置の製造方法が実現できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の表面に回
路パターンが作成された半導体装置の製造において、機
械研磨して薄化された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄
して研磨工程で生じた研磨屑を除去し、洗浄工程で洗浄
された半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングして械
研磨において生じたダメージ層を除去するようにしたの
で、従来の薬液を使用する湿式エッチングと比較して環
境負荷を低減することができ、低コストの半導体装置の
製造方法が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の半導体ウェハの加工装
置の斜視図

【図２】本発明の実施の形態１の半導体ウェハの加工装
置のプラズマ処理部の断面図

【図３】本発明の実施の形態１の半導体ウェハの加工装
置のプラズマ処理部の電極部材の断面図

【図４】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
のフロー図

【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
の工程説明図

【図６】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
の工程説明図

【図７】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法
のフロー図

【図８】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法
の工程説明図

【図９】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法
の工程説明図

【符号の説明】

１ 半導体ウェハの加工装置 ４Ａ，４Ｂ プラズマ処理部 １０ ウェハ洗浄部 １１ 半導体ウェハ １１’ 半導体装置 １２ 回路パターン １３ 保護テープ １５ ダイシングテープ ２３ 下部電極 ２４ 上部電極 ３７ 電極部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土師 宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 酒見 省二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA07 BA04 BB13 BB18 BB19 BB20 BB25 DA01 DA18 DA22 FA08

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子の表面に回路パターンが作成さ
   れた半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であっ
   て、半導体ウェハの表面に複数の半導体素子の回路パタ
   ーンを作成する回路パターン作成工程と、前記回路パタ
   ーンが作成された半導体ウェハの表面に保護テープを貼
   り付ける保護テープ貼り付け工程と、前記半導体ウェハ
   の裏面を機械研磨して薄化する研磨工程と、機械研磨さ
   れた半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して前記研磨工程
   で生じた研磨屑を除去する洗浄工程と、前記洗浄工程で
   洗浄された半導体ウェハの裏面をプラズマエッチングす
   ることにより前記機械研磨において生じたダメージ層を
   除去するダメージ層除去工程と、前記保護テープを剥離
   するとともに半導体ウェハの裏面にダイシングテープを
   貼りつけるダイシングテープ貼り付け工程と、前記ダイ
   シングテープが貼り付けられた半導体ウェハを切断して
   前記半導体素子単位に分割するダイシング工程とを含む
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記ダメージ層除去工程は、前記保護テー
   プに密着する保持面で前記半導体ウェハを保持する第１
   の電極と、前記保持面に対向する位置にこの保持面と平
   行な対向面を有する第２の電極とを備えたプラズマ処理
   装置を使用し、前記対向面からプラズマ発生用のガスを
   供給しながら前記第１の電極と第２の電極との間に印加
   した高周波電圧によって発生したプラズマでプラズマエ
   ッチングを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置の製造方法。
3. 【請求項３】前記第２の電極の対向面が３次元網目構造
   を有し、この３次元網目構造の隙間で形成される不規則
   経路から前記ガスを吹き出すことを特徴とする請求項２
   記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】前記第１の電極を冷却することにより、プ
   ラズマによる熱によって前記保持面に密着する保護テー
   プが熱ダメージを受けないようにしたことを特徴とする
   請求項２記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】半導体素子の表面に回路パターンが作成さ
   れた半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であっ
   て、半導体ウェハの表面に複数の半導体素子の回路パタ
   ーンを作成する回路パターン作成工程と、前記回路パタ
   ーンが作成された半導体ウェハの裏面にダイシングテー
   プを貼り付けるダイシングテープ貼り付け工程と、前記
   半導体ウェハを半導体素子単位に分割するための溝を前
   記ダイシングテープに貼りつけられた半導体ウェハの表
   面に形成する工程と、前記溝が形成された半導体ウェハ
   の表面に保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工
   程と、前記半導体ウェハの裏面を機械研磨して前記溝に
   到達する厚さまで薄化することにより前記半導体ウェハ
   を半導体素子単位に分割する研磨工程と、機械研磨によ
   って分割された半導体ウェハの裏面を液体で洗浄して前
   記研磨工程で生じた研磨屑を除去する洗浄工程と、前記
   洗浄工程の後前記分割された半導体ウェハの裏面をプラ
   ズマエッチングすることにより前記機械研磨において生
   じたダメージ層を除去するダメージ層除去工程とを含む
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記ダメージ層除去工程は、前記保護テー
   プに密着する保持面で前記半導体ウェハを保持する第１
   の電極と、前記保持面に対向する位置にこの保持面と平
   行な対向面を有する第２の電極とを備えたプラズマ処理
   装置を使用し、前記対向面からプラズマ発生用のガスを
   供給しながら前記第１の電極と第２の電極との間に印加
   した高周波電圧によって発生したプラズマでプラズマエ
   ッチングを行うことを特徴とする請求項５記載の半導体
   装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記第２の電極の対向面が３次元網目構造
   を有し、この３次元網目構造の隙間で形成される不規則
   経路から前記ガスを吹き出すことを特徴とする請求項６
   記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記第１の電極を冷却することにより、プ
   ラズマによる熱によって前記保持面に密着する保護テー
   プが熱ダメージを受けないようにしたことを特徴とする
   請求項６記載の半導体装置の製造方法。