JPH08164517A - 洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法 - Google Patents
洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法Info
- Publication number
- JPH08164517A JPH08164517A JP6332356A JP33235694A JPH08164517A JP H08164517 A JPH08164517 A JP H08164517A JP 6332356 A JP6332356 A JP 6332356A JP 33235694 A JP33235694 A JP 33235694A JP H08164517 A JPH08164517 A JP H08164517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- sicl
- dicing
- water repellent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Materials Applied To Surfaces To Minimize Adherence Of Mist Or Water (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイシング時に発生する切り屑がウェハ表面
へ付着するのを防ぐ。 【構成】 ダイシング前の基板表面に洗浄水撥水剤とし
て用いる化合物が、基板表面のＳｉＯ2 と結合する結合
部位と疎水部位とを備える。
へ付着するのを防ぐ。 【構成】 ダイシング前の基板表面に洗浄水撥水剤とし
て用いる化合物が、基板表面のＳｉＯ2 と結合する結合
部位と疎水部位とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体素子や
光電変換素子などの素子を製造する際のダイシング時、
即ち、一つのウェハ上に形成された複数の素子を個々の
素子に分割する際に利用できる。
光電変換素子などの素子を製造する際のダイシング時、
即ち、一つのウェハ上に形成された複数の素子を個々の
素子に分割する際に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子や光電変換素子な
どの素子は、一個のウェハ（基板）上に複数の素子を形
成（積載）した後、個々の素子ごとに分割すること（ダ
イシング）により得られている。
どの素子は、一個のウェハ（基板）上に複数の素子を形
成（積載）した後、個々の素子ごとに分割すること（ダ
イシング）により得られている。
【０００３】ここで、図４に複数の素子が形成されたウ
ェハを個々の素子に分割する様子の概略を示す。先ず、
複数の素子が形成されたウェハ４１（以下、ウェハと記
す。）は、個々の素子に分割した時にばらばらにならな
いように、ウェハ４１全体を一個のダイシング用テープ
４２（以後、テープと記す。）に貼着される。このテー
プ４２はフレーム４３により固定されており、テープ４
２に貼着されたウェハ４１もまたフレーム４３により固
定されることになる。（図４（ｘ））
ェハを個々の素子に分割する様子の概略を示す。先ず、
複数の素子が形成されたウェハ４１（以下、ウェハと記
す。）は、個々の素子に分割した時にばらばらにならな
いように、ウェハ４１全体を一個のダイシング用テープ
４２（以後、テープと記す。）に貼着される。このテー
プ４２はフレーム４３により固定されており、テープ４
２に貼着されたウェハ４１もまたフレーム４３により固
定されることになる。（図４（ｘ））
【０００４】ここでは、テープ４２の粘着面上にウェハ
４１を載置するだけではなく、ウェハ４１の表面側４１
Ａに抑え板４４を設け、ウェハの裏面側４１Ｂからテー
プ４２を介して回転ローラ４５により所定の圧力で抑え
板４４に対し押圧して、ウェハ４１とテープ４２とを良
好に貼着させている。
４１を載置するだけではなく、ウェハ４１の表面側４１
Ａに抑え板４４を設け、ウェハの裏面側４１Ｂからテー
プ４２を介して回転ローラ４５により所定の圧力で抑え
板４４に対し押圧して、ウェハ４１とテープ４２とを良
好に貼着させている。
【０００５】次に、ウェハ４１はダイシングソー４６に
よりハーフカットされるが、ウェハの表面４１Ａには、
個々の素子を画定するダイシングラインＬ４が設けられ
ており、ダイシングソー４６は、このダイシングライン
Ｌ４に沿ってウェハ４１をその厚さの３／４程度カット
する。（図４（ｙ））
よりハーフカットされるが、ウェハの表面４１Ａには、
個々の素子を画定するダイシングラインＬ４が設けられ
ており、ダイシングソー４６は、このダイシングライン
Ｌ４に沿ってウェハ４１をその厚さの３／４程度カット
する。（図４（ｙ））
【０００６】次いで、ウェハは、純水にて水洗され乾燥
される。乾燥されたウェハ４１は、例えば、ローラ、ニ
ードル等の押圧手段によって、下方側から圧力がかけら
れ、完全に一個の素子４８として分離される。ここで
は、ニードル４９によって素子４８が押し上げられてピ
ンセット（図示せず）で取り出されている。（図４
（ｚ））
される。乾燥されたウェハ４１は、例えば、ローラ、ニ
ードル等の押圧手段によって、下方側から圧力がかけら
れ、完全に一個の素子４８として分離される。ここで
は、ニードル４９によって素子４８が押し上げられてピ
ンセット（図示せず）で取り出されている。（図４
（ｚ））
【０００７】ここで、ダイシングソーによりウェハがハ
ーフカットされる様子を更に詳しく説明する。図５は、
ダイシングソー５６によるウェハ５１のカッティング状
態を示す概略斜視図である。
ーフカットされる様子を更に詳しく説明する。図５は、
ダイシングソー５６によるウェハ５１のカッティング状
態を示す概略斜視図である。
【０００８】ダイシングソー５６は、数μｍのダイヤモ
ンド砥粒を厚さ２０μｍ程度の円盤状のボンド材中に埋
め込んだものであり、このダイシングソー５６は、図中
に示した矢印方向に３０００ｒｐｍで高速回転されてい
る。
ンド砥粒を厚さ２０μｍ程度の円盤状のボンド材中に埋
め込んだものであり、このダイシングソー５６は、図中
に示した矢印方向に３０００ｒｐｍで高速回転されてい
る。
【０００９】ウェハ５１表面には、個々の素子５８を画
定するダイシングラインＬ５が設けられており、ダイシ
ングソー５６はこのダイシングラインＬ５に沿って、ウ
ェハ５１の膜厚の３／４程度まで溝をいれる。この時、
ウェハ表面５１には常に洗浄水と研削液とを兼ねる純水
が供給されている。ハーフカット終了後、スクラバーに
てウェハ５１表面をスクライブし付着した切り屑を取り
除いている。
定するダイシングラインＬ５が設けられており、ダイシ
ングソー５６はこのダイシングラインＬ５に沿って、ウ
ェハ５１の膜厚の３／４程度まで溝をいれる。この時、
ウェハ表面５１には常に洗浄水と研削液とを兼ねる純水
が供給されている。ハーフカット終了後、スクラバーに
てウェハ５１表面をスクライブし付着した切り屑を取り
除いている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ダイシングソ
ーにおいてウェハ表面に溝をいれると、ウェハ表面には
パーティクル（切り屑）が付着する。このパーティクル
は、スクラバーによって除去しているが、スクラバーが
除去可能なパーティクルは、ある程度の大きさを備えた
ものだけであるため、微小なパーティクルがウェハ表面
に残存してしまう。
ーにおいてウェハ表面に溝をいれると、ウェハ表面には
パーティクル（切り屑）が付着する。このパーティクル
は、スクラバーによって除去しているが、スクラバーが
除去可能なパーティクルは、ある程度の大きさを備えた
ものだけであるため、微小なパーティクルがウェハ表面
に残存してしまう。
【００１１】図６は、Ｐ型Ｓｉ基板６１上に、Ｎ型拡散
層６２を設け、さらに、その表面に表面保護用のＳｉＯ
2 膜６３を形成させた時の基板の概略断面図である。図
６（ａ）は基板６１をダイシングする前の状態を示して
おり、この時はまだダイシングソー（図示せず）による
カッティングが行われていないため、基板６１の表面に
はパーティクルがない。
層６２を設け、さらに、その表面に表面保護用のＳｉＯ
2 膜６３を形成させた時の基板の概略断面図である。図
６（ａ）は基板６１をダイシングする前の状態を示して
おり、この時はまだダイシングソー（図示せず）による
カッティングが行われていないため、基板６１の表面に
はパーティクルがない。
【００１２】図６（ｂ）は基板６１をダイシングした後
の状態を示しており、ダイシングソー（図示せず）によ
るカッティングが行われた後であるため、その表面には
スクラバー（図示せず）では除去しきれない切り屑が微
小なパーティクル６５となって多々残存している。
の状態を示しており、ダイシングソー（図示せず）によ
るカッティングが行われた後であるため、その表面には
スクラバー（図示せず）では除去しきれない切り屑が微
小なパーティクル６５となって多々残存している。
【００１３】このようなウェハ表面のパーティクルは、
素子を組み立てて装置とする際のワイヤーボンディング
時のワイヤーボンドミスの原因となるだけでなく、ワイ
ヤーボンド強度の低下や、配線の切断及びチップに損傷
を与える要因ともなり、これは、得られる製品の品質を
低下させると共に製造歩留の低下の原因ともなってい
る。
素子を組み立てて装置とする際のワイヤーボンディング
時のワイヤーボンドミスの原因となるだけでなく、ワイ
ヤーボンド強度の低下や、配線の切断及びチップに損傷
を与える要因ともなり、これは、得られる製品の品質を
低下させると共に製造歩留の低下の原因ともなってい
る。
【００１４】また、光電変換素子等のようにウェハ表面
が受光面となる光検出素子の場合では、ウェハ表面のパ
ーティクルにより検出光が散乱もしくは遮断されてしま
うため、光検出素子としての光感度の低下を引き起こし
てしまう。
が受光面となる光検出素子の場合では、ウェハ表面のパ
ーティクルにより検出光が散乱もしくは遮断されてしま
うため、光検出素子としての光感度の低下を引き起こし
てしまう。
【００１５】特に、このような光検出素子を複数備えた
光電変換装置の場合では、各素子の受光面毎に光感度の
低下を引き起こしてしまうため、各画素間で光感度のバ
ラツキ（ＦＰＮ;Fixed Pattern Noise）が生じてしま
い、検出された光情報の確かさが低下すると共に、この
ような光電変換装置を用いて得られた製品の品質に悪影
響を及ぼすという問題が生じる。
光電変換装置の場合では、各素子の受光面毎に光感度の
低下を引き起こしてしまうため、各画素間で光感度のバ
ラツキ（ＦＰＮ;Fixed Pattern Noise）が生じてしま
い、検出された光情報の確かさが低下すると共に、この
ような光電変換装置を用いて得られた製品の品質に悪影
響を及ぼすという問題が生じる。
【００１６】そこで、本発明は、ダイシング時に発生す
る切り屑がウェハ表面へ付着するのを防ぐために、基板
表面に施して基板表面の性質を変化させる基板表面改質
剤を提供することを目的とする。
る切り屑がウェハ表面へ付着するのを防ぐために、基板
表面に施して基板表面の性質を変化させる基板表面改質
剤を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決すべく、
請求項１の発明では、複数の素子が形成された基板の表
面を各素子ごとに分割する際に、純水で洗浄する前に前
記基板上に施される洗浄水撥水剤であって、前記洗浄水
撥水剤が、前記基板表面のＳｉＯ2 と結合する結合部位
と、疎水部位とを備えた化合物であるものを用いること
を提案している。
請求項１の発明では、複数の素子が形成された基板の表
面を各素子ごとに分割する際に、純水で洗浄する前に前
記基板上に施される洗浄水撥水剤であって、前記洗浄水
撥水剤が、前記基板表面のＳｉＯ2 と結合する結合部位
と、疎水部位とを備えた化合物であるものを用いること
を提案している。
【００１８】更に、請求項２の発明では、請求項１の洗
浄水撥水剤が、次の化合物のいずれかにより選ばれたも
のを用いることを提案している。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2]
浄水撥水剤が、次の化合物のいずれかにより選ばれたも
のを用いることを提案している。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2]
【００１９】また、請求項３の発明では、複数の素子が
形成された基板の表面を各素子ごとに分割するダイシン
グ方法において、前記基板を各素子ごとに分割するカッ
ティング工程よりも前に、基板表面のＳｉＯ2 と結合す
る結合部位と疎水部位とを備えた洗浄水撥水剤を基板表
面に施す撥水処理工程を更に有するダイシング方法を提
案している。
形成された基板の表面を各素子ごとに分割するダイシン
グ方法において、前記基板を各素子ごとに分割するカッ
ティング工程よりも前に、基板表面のＳｉＯ2 と結合す
る結合部位と疎水部位とを備えた洗浄水撥水剤を基板表
面に施す撥水処理工程を更に有するダイシング方法を提
案している。
【００２０】更に、請求項４の発明では、請求項３のダ
イシング方法において、前記撥水処理工程で基板表面に
施す洗浄水撥水剤として、次の化合物のいずれかにより
選ばれたものを用いるダイシング方法を提案している。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] クロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] クロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
2 ＳｉＣｌ] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2]
イシング方法において、前記撥水処理工程で基板表面に
施す洗浄水撥水剤として、次の化合物のいずれかにより
選ばれたものを用いるダイシング方法を提案している。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] クロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] クロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
2 ＳｉＣｌ] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2]
【００２１】
【作用】まず、ウェハ表面にパーティクルが残存する理
由を考える。ダイシング時にダイシングソーがダイシン
グラインに沿ってウェハに溝をいれるが、この時、ウェ
ハ表面には常に洗浄水と研削液とを兼ねる純水が供給さ
れている。そのため、ダイシングソーがウェハに溝をつ
けた際に生じる切り屑は、同時に供給されている純水中
に取り込まれて流れ去り、その殆どが除かれることにな
る。
由を考える。ダイシング時にダイシングソーがダイシン
グラインに沿ってウェハに溝をいれるが、この時、ウェ
ハ表面には常に洗浄水と研削液とを兼ねる純水が供給さ
れている。そのため、ダイシングソーがウェハに溝をつ
けた際に生じる切り屑は、同時に供給されている純水中
に取り込まれて流れ去り、その殆どが除かれることにな
る。
【００２２】また、ウェハ表面には、ＳｉＯ2 膜が形成
されているが、このＳｉＯ2 膜の表面は大気中の水分が
結合してＳｉ−ＯＨ、即ち、親水性となっている。その
ため、ダイシングソーによるカッティングの際に生じる
切り屑を取り込んだ水に対してＳｉＯ2 膜の表面のＯＨ
基が水和（吸着）してしまうので、完全にウェハ表面か
ら切り屑を取り込んだ水を取り除くことは難しい。従っ
て、ある程度水がウェハ表面に残存している状態で次工
程に回すことになるので、ハーフカット後のウェハ表面
には切り屑が残存することとなる。
されているが、このＳｉＯ2 膜の表面は大気中の水分が
結合してＳｉ−ＯＨ、即ち、親水性となっている。その
ため、ダイシングソーによるカッティングの際に生じる
切り屑を取り込んだ水に対してＳｉＯ2 膜の表面のＯＨ
基が水和（吸着）してしまうので、完全にウェハ表面か
ら切り屑を取り込んだ水を取り除くことは難しい。従っ
て、ある程度水がウェハ表面に残存している状態で次工
程に回すことになるので、ハーフカット後のウェハ表面
には切り屑が残存することとなる。
【００２３】このような切り屑は、スクラバーにてウェ
ハ表面をスクライブすることにより取り除かれている
が、切り屑が小さくなればなる程個々の切り屑に対する
分子間力や静電気力等の基板からの吸引力が大きくなる
ため、スクラバーにより除去できる切り屑はある程度の
大きさを備えたものに限られてしまう。従って、ウェハ
表面には微小な切り屑が残存することになり、これが本
発明の問題としているパーティクルとなる。
ハ表面をスクライブすることにより取り除かれている
が、切り屑が小さくなればなる程個々の切り屑に対する
分子間力や静電気力等の基板からの吸引力が大きくなる
ため、スクラバーにより除去できる切り屑はある程度の
大きさを備えたものに限られてしまう。従って、ウェハ
表面には微小な切り屑が残存することになり、これが本
発明の問題としているパーティクルとなる。
【００２４】以上のことを考慮して本発明では、ダイシ
ングソーによるカッティング前に、ウェハ（基板）の表
面と結合する結合部位と疎水性を備える疎水部位とを備
えた化合物を洗浄水撥水剤としてウェハ表面に施してい
る。
ングソーによるカッティング前に、ウェハ（基板）の表
面と結合する結合部位と疎水性を備える疎水部位とを備
えた化合物を洗浄水撥水剤としてウェハ表面に施してい
る。
【００２５】即ち、本発明では、ウェハ表面のＯＨ基と
反応する結合部位と水を弾く疎水部位とを備えた化合物
を、ダイシング前にウェハ表面に施して親水性のＯＨ基
を除くと共にＯＨ基が存在していた位置を疎水部位で置
換している。
反応する結合部位と水を弾く疎水部位とを備えた化合物
を、ダイシング前にウェハ表面に施して親水性のＯＨ基
を除くと共にＯＨ基が存在していた位置を疎水部位で置
換している。
【００２６】これにより、ダイシング時に供給されてい
る純水をウェハ表面が弾くので切り屑を取り込んだ水の
除去効率が向上する。即ち、切り屑が取り込まれている
水がウェハ表面に残らないので、切り屑が基板表面に付
着せず、パーティクルも残存しないことになる。
る純水をウェハ表面が弾くので切り屑を取り込んだ水の
除去効率が向上する。即ち、切り屑が取り込まれている
水がウェハ表面に残らないので、切り屑が基板表面に付
着せず、パーティクルも残存しないことになる。
【００２７】ここで、このような置換反応について更に
詳しく述べる。先程述べた様に、ウェハ表面には、Ｓｉ
Ｏ2 膜が形成されているが、このＳｉＯ2 膜の表面は大
気中の水分が結合してＳｉ−ＯＨとなっている。
詳しく述べる。先程述べた様に、ウェハ表面には、Ｓｉ
Ｏ2 膜が形成されているが、このＳｉＯ2 膜の表面は大
気中の水分が結合してＳｉ−ＯＨとなっている。
【００２８】本発明では、ウェハの表面と結合する結合
部位と疎水性を備える疎水部位とを備えた化合物をウェ
ハ表面のＯＨ基と反応させることにより、親水性基であ
るＯＨ基を除くと共にＯＨ基が存在していた位置を疎水
部位で置換している。
部位と疎水性を備える疎水部位とを備えた化合物をウェ
ハ表面のＯＨ基と反応させることにより、親水性基であ
るＯＨ基を除くと共にＯＨ基が存在していた位置を疎水
部位で置換している。
【００２９】このような化合物の疎水部位としては、炭
化水素基（Ｒ）が挙げられ、結合部位としては、（−Ｓ
ｉ)2ＮＨ、（−Ｓｉ）Ｃｌ、（−Ｓｉ）Ｃｌ2 のうちい
ずれかを備えた化合物が挙げられる。
化水素基（Ｒ）が挙げられ、結合部位としては、（−Ｓ
ｉ)2ＮＨ、（−Ｓｉ）Ｃｌ、（−Ｓｉ）Ｃｌ2 のうちい
ずれかを備えた化合物が挙げられる。
【００３０】結合部位として（−Ｓｉ)2ＮＨを備える場
合では、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−
Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して、ウェハ表面のＯＨ基
を疎水部位、即ち、［−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ］（但し、Ｒは炭
化水素基であり、以下炭化水素基であればどのような構
造のものであってもＲと記す。）に置換すると同時にＮ
Ｈ3 を放出する。
合では、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−
Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して、ウェハ表面のＯＨ基
を疎水部位、即ち、［−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ］（但し、Ｒは炭
化水素基であり、以下炭化水素基であればどのような構
造のものであってもＲと記す。）に置換すると同時にＮ
Ｈ3 を放出する。
【００３１】また、結合部位として（−Ｓｉ）Ｃｌを備
える場合では、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つ
の（−Ｓｉ）Ｃｌという割合で反応して、ウェハ表面の
ＯＨ基を疎水部位、即ち、［−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ］に置換す
ると同時に一つのＨＣｌを放出する。
える場合では、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つ
の（−Ｓｉ）Ｃｌという割合で反応して、ウェハ表面の
ＯＨ基を疎水部位、即ち、［−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ］に置換す
ると同時に一つのＨＣｌを放出する。
【００３２】更に、結合部位として（−Ｓｉ）Ｃｌ2 を
備える場合では、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一
つの（−Ｓｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して、ウェハ表
面のＯＨ基を［（−Ｏ−)2Ｓｉ−Ｒ］に置換すると同時
に二つのＨＣｌを放出する。
備える場合では、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一
つの（−Ｓｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して、ウェハ表
面のＯＨ基を［（−Ｏ−)2Ｓｉ−Ｒ］に置換すると同時
に二つのＨＣｌを放出する。
【００３３】このように、本発明は、基板表面のＯＨ基
と反応する結合部位と水を弾く疎水部位（炭化水素基）
とを備えた化合物を、ダイシング前にウェハ（基板）表
面に施して親水性基であるＯＨ基を除くと共に、ＯＨ基
が存在していた位置を疎水部位である［−Ｏ−Ｓｉ−
Ｒ］若しくは［（−Ｏ−)2Ｓｉ−Ｒ］で置換しているた
め、ダイシング時に供給されている純水をウェハ表面が
弾くので切り屑を取り込んだ水の除去効率が向上する。
即ち、切り屑が取り込まれている水がウェハ表面に残ら
ないので、切り屑が基板表面に付着せず、パーティクル
も残存しないことになる。
と反応する結合部位と水を弾く疎水部位（炭化水素基）
とを備えた化合物を、ダイシング前にウェハ（基板）表
面に施して親水性基であるＯＨ基を除くと共に、ＯＨ基
が存在していた位置を疎水部位である［−Ｏ−Ｓｉ−
Ｒ］若しくは［（−Ｏ−)2Ｓｉ−Ｒ］で置換しているた
め、ダイシング時に供給されている純水をウェハ表面が
弾くので切り屑を取り込んだ水の除去効率が向上する。
即ち、切り屑が取り込まれている水がウェハ表面に残ら
ないので、切り屑が基板表面に付着せず、パーティクル
も残存しないことになる。
【００３４】更に、本発明では、このような洗浄水撥水
剤が、疎水部位として炭化水素基（Ｒ）を備えていて、
結合部位として（−Ｓｉ)2ＮＨを備えるヘキサメチルジ
シラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ3)3]や、（−Ｓ
ｉ）Ｃｌを備えるクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 Ｓｉ
ＨＣｌ] 及びクロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ
3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ] や、（−Ｓｉ）Ｃｌ2 を備え
るジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2]、ジク
ロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ
ジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ
（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ
2]及びジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ
2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]のうちから選ばれたものとしてい
る。
剤が、疎水部位として炭化水素基（Ｒ）を備えていて、
結合部位として（−Ｓｉ)2ＮＨを備えるヘキサメチルジ
シラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ3)3]や、（−Ｓ
ｉ）Ｃｌを備えるクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 Ｓｉ
ＨＣｌ] 及びクロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ
3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ] や、（−Ｓｉ）Ｃｌ2 を備え
るジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2]、ジク
ロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ
ジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ
（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ
2]及びジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ
2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]のうちから選ばれたものとしてい
る。
【００３５】これにより、切り屑が取り込まれている水
がウェハ表面に残らないので、切り屑が基板表面に付着
せず、パーティクルも残存しない素子を得ることが可能
である。
がウェハ表面に残らないので、切り屑が基板表面に付着
せず、パーティクルも残存しない素子を得ることが可能
である。
【００３６】
【実施例】図１は本発明の第一実施例であり、光電変換
素子として多分割フォトセンサを用いた場合の概略説明
図を示している。
素子として多分割フォトセンサを用いた場合の概略説明
図を示している。
【００３７】図１（ａ）は、ウェハ上に多分割フォトセ
ンサを形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０16
ｃｍ-3であるＰ型Ｓｉ基板１に、表面濃度が１×１０19
ｃｍ-3、拡散深さが０．５μｍであるＮ型拡散層２を設
け、このＰ型Ｓｉ基板１とＮ型拡散層２とによりＰＮフ
ォトダイオードを形成させている。
ンサを形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０16
ｃｍ-3であるＰ型Ｓｉ基板１に、表面濃度が１×１０19
ｃｍ-3、拡散深さが０．５μｍであるＮ型拡散層２を設
け、このＰ型Ｓｉ基板１とＮ型拡散層２とによりＰＮフ
ォトダイオードを形成させている。
【００３８】各々のＰＮフォトダイオードは、多分割フ
ォトセンサの一受光部に相当しており、各ＰＮフォトダ
イオードで受光した光は、光電変換により光電流として
外部に取り出される構成となっている。更に、その表面
にはＰＮフォトダイオードを保護するＳｉＯ2 膜３が形
成されている。
ォトセンサの一受光部に相当しており、各ＰＮフォトダ
イオードで受光した光は、光電変換により光電流として
外部に取り出される構成となっている。更に、その表面
にはＰＮフォトダイオードを保護するＳｉＯ2 膜３が形
成されている。
【００３９】このようなウェハをスピンコータ上に載
せ、５００ｒｐｍ程度で低速回転させる。この低速回転
中に洗浄水撥水剤としてヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）を滴下し、更に、回転速度を４０００ｒｐｍにあ
げてＨＭＤＳをウェハの表面に均一に塗布する。ＨＭＤ
Ｓは、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの割合で
反応してＮＨ3 を放出しウェハ表面を−Ｏ−Ｓｉ− (Ｃ
Ｈ3)3 としている。これにより、ＳｉＯ2 膜３の上に疎
水性処理層４を形成させている。図１（ｂ）は、ＳｉＯ
2 膜３の上に疎水性処理層４を形成させた状態を示す概
略断面図である。
せ、５００ｒｐｍ程度で低速回転させる。この低速回転
中に洗浄水撥水剤としてヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）を滴下し、更に、回転速度を４０００ｒｐｍにあ
げてＨＭＤＳをウェハの表面に均一に塗布する。ＨＭＤ
Ｓは、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの割合で
反応してＮＨ3 を放出しウェハ表面を−Ｏ−Ｓｉ− (Ｃ
Ｈ3)3 としている。これにより、ＳｉＯ2 膜３の上に疎
水性処理層４を形成させている。図１（ｂ）は、ＳｉＯ
2 膜３の上に疎水性処理層４を形成させた状態を示す概
略断面図である。
【００４０】また、図１（ｃ）は、図示しないダイシン
グソーによりダイシングラインＬ１に沿って、３／４程
度ウェハをカットし、洗浄後、乾燥した状態を示す概略
断面図である。この図よりも明らかなように、ウェハの
表面には、切り屑の残りかすによるパーティクルが残存
していない。
グソーによりダイシングラインＬ１に沿って、３／４程
度ウェハをカットし、洗浄後、乾燥した状態を示す概略
断面図である。この図よりも明らかなように、ウェハの
表面には、切り屑の残りかすによるパーティクルが残存
していない。
【００４１】このようにウェハ表面を疎水性化した後に
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
【００４２】また、本第一実施例では、洗浄水撥水剤と
して、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）を用いた例を挙げているが、これ
に限らず、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメ
チルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] 又はクロロ（メチ
ル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ]
や、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるジクロロジメチ
ルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2]、ジクロロジエチルシラ
ン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフェニルシラン
[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ（メチル）フェニル
シラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又はジクロロ（メ
チル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]
のうちいずれかを用いてもよい。
して、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）を用いた例を挙げているが、これ
に限らず、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメ
チルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] 又はクロロ（メチ
ル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ]
や、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるジクロロジメチ
ルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2]、ジクロロジエチルシラ
ン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフェニルシラン
[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ（メチル）フェニル
シラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又はジクロロ（メ
チル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]
のうちいずれかを用いてもよい。
【００４３】勿論、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるも
のの場合は、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ）Ｃｌという割合で反応して一つのＨＣｌを放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるものの場合
は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓ
ｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して二つのＨＣｌを放出
し、ウェハ表面に疎水性処理層を形成することは言うま
でもない。
のの場合は、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ）Ｃｌという割合で反応して一つのＨＣｌを放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるものの場合
は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓ
ｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して二つのＨＣｌを放出
し、ウェハ表面に疎水性処理層を形成することは言うま
でもない。
【００４４】また、図２は本発明の第二実施例であり、
光電変換素子として固体撮像装置を用いた場合の概略説
明図を示している。
光電変換素子として固体撮像装置を用いた場合の概略説
明図を示している。
【００４５】図２（ａ）は、ウェハ上に固体撮像装置を
形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０15ｃｍ-3
であるＮ型Ｓｉ基板２１に、表面濃度が２×１０16ｃｍ
-3、拡散深さが５．０μｍであるＰウェル拡散層２２を
設け、更に、このＰウェル拡散層２２上に、表面濃度が
５×１０16ｃｍ-3、拡散深さが３．０μｍであるＰウェ
ル拡散層２３と、表面濃度が１×１０17ｃｍ-3、拡散深
さが２．０μｍであるＮウェル拡散層２４とを交互に設
けている。
形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０15ｃｍ-3
であるＮ型Ｓｉ基板２１に、表面濃度が２×１０16ｃｍ
-3、拡散深さが５．０μｍであるＰウェル拡散層２２を
設け、更に、このＰウェル拡散層２２上に、表面濃度が
５×１０16ｃｍ-3、拡散深さが３．０μｍであるＰウェ
ル拡散層２３と、表面濃度が１×１０17ｃｍ-3、拡散深
さが２．０μｍであるＮウェル拡散層２４とを交互に設
けている。
【００４６】また、Ｎウェル拡散層２４の表面をＰ型に
反転させるためのＰ+ 拡散層２５が設けられており、こ
のＰ+ 拡散層２５の拡散深さは０．２μｍであるが、一
部で拡散深さが１．０μｍとなっている。更に、Ｐウェ
ル拡散層２３上には表面濃度が１×１０17ｃｍ-3、拡散
深さが１．０μｍであるＮ型拡散層２６が設けられてい
る。
反転させるためのＰ+ 拡散層２５が設けられており、こ
のＰ+ 拡散層２５の拡散深さは０．２μｍであるが、一
部で拡散深さが１．０μｍとなっている。更に、Ｐウェ
ル拡散層２３上には表面濃度が１×１０17ｃｍ-3、拡散
深さが１．０μｍであるＮ型拡散層２６が設けられてい
る。
【００４７】本第二実施例では、このＰウェル拡散層２
２とＮウェル拡散層２４とで、固体撮像素子の一受光部
に相当するＰＮフォトダイオードを構成しており、複数
のＰＮフォトダイオードが横方向に並んだ形状を示して
いる。更に、その表面にはＰＮフォトダイオードを保護
するＳｉＯ2 膜２８ａが形成されており、このＳｉＯ2
膜２８ａ中にポリシリコン電極２７が設けられている。
２とＮウェル拡散層２４とで、固体撮像素子の一受光部
に相当するＰＮフォトダイオードを構成しており、複数
のＰＮフォトダイオードが横方向に並んだ形状を示して
いる。更に、その表面にはＰＮフォトダイオードを保護
するＳｉＯ2 膜２８ａが形成されており、このＳｉＯ2
膜２８ａ中にポリシリコン電極２７が設けられている。
【００４８】また、転送部に光が入り込まないように、
遮光Ａｌ２９がその表面に設けられており、更に、本第
二実施例では固体撮像装置を保護するＰＳＧ（Phospho
Silicate Glass）膜２８ｂが固体撮像装置の表面全体に
設けられている。
遮光Ａｌ２９がその表面に設けられており、更に、本第
二実施例では固体撮像装置を保護するＰＳＧ（Phospho
Silicate Glass）膜２８ｂが固体撮像装置の表面全体に
設けられている。
【００４９】各々のＰＮフォトダイオードで受光した光
によって発生した電子は、Ｎウェル拡散層２４に蓄えら
れる。Ｎウェル拡散層２４に蓄えられた電子は、ポリシ
リコン２７をゲート電極としたＭＯＳスイッチにより、
Ｎ型拡散層２６に転送され、ポリシリコン２７の電位が
変化されると、紙面とは垂直な方向に転送される。この
電子は、最終的に出力アンプ部にまで転送され、映像信
号として、固体撮像装置外部に取り出される。
によって発生した電子は、Ｎウェル拡散層２４に蓄えら
れる。Ｎウェル拡散層２４に蓄えられた電子は、ポリシ
リコン２７をゲート電極としたＭＯＳスイッチにより、
Ｎ型拡散層２６に転送され、ポリシリコン２７の電位が
変化されると、紙面とは垂直な方向に転送される。この
電子は、最終的に出力アンプ部にまで転送され、映像信
号として、固体撮像装置外部に取り出される。
【００５０】このような素子を複数備えたウェハを加熱
が可能な真空容器に入れ、０．１ｔｏｒｒまで真空引き
し、この後８０℃まで加熱する。この状態で、洗浄水撥
水剤として、クロロジメチルシランを真空容器内に導入
し、１０ｔｏｒｒ程度で５分間表面処理する。
が可能な真空容器に入れ、０．１ｔｏｒｒまで真空引き
し、この後８０℃まで加熱する。この状態で、洗浄水撥
水剤として、クロロジメチルシランを真空容器内に導入
し、１０ｔｏｒｒ程度で５分間表面処理する。
【００５１】固体撮像装置の表面全体に設けられたＰＳ
Ｇ膜２８ｂの表面はＳｉＯ2 であるので大気中の水分が
結合してＳｉ−ＯＨとなっている。クロロジメチルシラ
ンは、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの割合で
反応してＨＣｌを放出しウェハ表面を−Ｏ−ＳｉＨ−
(ＣＨ3)2 としている。これにより、ＰＳＧ膜２８ｂ上
に疎水性処理層３０を形成させている。図２（ｂ）は、
ＰＳＧ膜２８ｂの上に疎水性処理層３０を形成させた状
態を示す概略断面図である。
Ｇ膜２８ｂの表面はＳｉＯ2 であるので大気中の水分が
結合してＳｉ−ＯＨとなっている。クロロジメチルシラ
ンは、ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの割合で
反応してＨＣｌを放出しウェハ表面を−Ｏ−ＳｉＨ−
(ＣＨ3)2 としている。これにより、ＰＳＧ膜２８ｂ上
に疎水性処理層３０を形成させている。図２（ｂ）は、
ＰＳＧ膜２８ｂの上に疎水性処理層３０を形成させた状
態を示す概略断面図である。
【００５２】また、図２（ｃ）は、図示しないダイシン
グソーによりダイシングラインＬ２に沿って、３／４程
度ウェハをカットし、洗浄後、乾燥した光電変換部分の
一部の状態を示す概略断面図である。この図よりも明ら
かなように、ウェハの表面には、切り屑の残りかすによ
るパーティクルが残存していない。
グソーによりダイシングラインＬ２に沿って、３／４程
度ウェハをカットし、洗浄後、乾燥した光電変換部分の
一部の状態を示す概略断面図である。この図よりも明ら
かなように、ウェハの表面には、切り屑の残りかすによ
るパーティクルが残存していない。
【００５３】このようにウェハ表面を疎水性化した後に
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
【００５４】また、本第二実施例では、洗浄水撥水剤と
して、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメチル
シランを用いた例を挙げているが、これに限らず、クロ
ロジメチルシランと同じ結合部位を持つクロロ（メチ
ル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3)(Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ]
や、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるヘキサメチルジシ
ラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ3)3]、結合部位が
（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるジクロロジメチルシラン[(ＣＨ
3)2 ＳｉＣｌ2]、ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2Ｈ6 )2
ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2Ｓ
ｉＣｌ2]、ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3)
(Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又はジクロロ（メチル）ビニルシ
ラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]のうちいずれか
を用いてもよい。
して、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメチル
シランを用いた例を挙げているが、これに限らず、クロ
ロジメチルシランと同じ結合部位を持つクロロ（メチ
ル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3)(Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ]
や、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるヘキサメチルジシ
ラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ3)3]、結合部位が
（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるジクロロジメチルシラン[(ＣＨ
3)2 ＳｉＣｌ2]、ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2Ｈ6 )2
ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2Ｓ
ｉＣｌ2]、ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3)
(Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又はジクロロ（メチル）ビニルシ
ラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:ＣＨ) ＳｉＣｌ2]のうちいずれか
を用いてもよい。
【００５５】勿論、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるも
のの場合は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して一つのＮＨ3 を放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるものの場合
は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓ
ｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して二つのＨＣｌを放出
し、ウェハ表面に疎水性処理層を形成することは言うま
でもない。
のの場合は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して一つのＮＨ3 を放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 であるものの場合
は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓ
ｉ）Ｃｌ2 という割合で反応して二つのＨＣｌを放出
し、ウェハ表面に疎水性処理層を形成することは言うま
でもない。
【００５６】また、本第二実施例では、固体撮像装置の
表面全体にＰＳＧ膜２８ｂが設けられているものとして
いるが、遮光Ａｌ２９は大気中でその表面がＡｌ2 Ｏ3
となっているため、洗浄水撥水剤を用いて表面処理を行
うことが可能であり、固体撮像装置の表面全体にＰＳＧ
膜２８ｂを設けなくてもその表面に疎水性処理層を形成
することも可能である。
表面全体にＰＳＧ膜２８ｂが設けられているものとして
いるが、遮光Ａｌ２９は大気中でその表面がＡｌ2 Ｏ3
となっているため、洗浄水撥水剤を用いて表面処理を行
うことが可能であり、固体撮像装置の表面全体にＰＳＧ
膜２８ｂを設けなくてもその表面に疎水性処理層を形成
することも可能である。
【００５７】図３は本発明の第三実施例であり、光電変
換素子として単一のフォトセンサを用いた場合の概略説
明図を示している。
換素子として単一のフォトセンサを用いた場合の概略説
明図を示している。
【００５８】図３（ａ）は、ウェハ上に単一のフォトセ
ンサを形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０16
ｃｍ-3であるＰ型Ｓｉ基板３１に、表面濃度が１×１０
19ｃｍ-3、拡散深さが０．５μｍであるＮ型拡散層３２
を設け、このＰ型Ｓｉ基板３１とＮ型拡散層３２とによ
りＰＮフォトダイオードを形成させている。
ンサを形成した直後の断面図であり、濃度が１×１０16
ｃｍ-3であるＰ型Ｓｉ基板３１に、表面濃度が１×１０
19ｃｍ-3、拡散深さが０．５μｍであるＮ型拡散層３２
を設け、このＰ型Ｓｉ基板３１とＮ型拡散層３２とによ
りＰＮフォトダイオードを形成させている。
【００５９】このＰＮフォトダイオードが、単一のフォ
トセンサの受光部に相当しており、各ＰＮフォトダイオ
ードで受光した光は、光電変換により光電流として外部
に取り出される構成となっている。更に、その表面には
ＰＮフォトダイオードを保護するＳｉＯ2 膜３３が形成
されている。
トセンサの受光部に相当しており、各ＰＮフォトダイオ
ードで受光した光は、光電変換により光電流として外部
に取り出される構成となっている。更に、その表面には
ＰＮフォトダイオードを保護するＳｉＯ2 膜３３が形成
されている。
【００６０】このような素子が複数形成されたウェハを
ホットプレートにのせ、８０℃に加熱する。ここで、洗
浄水撥水剤として、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 である
ジクロロジメチルシランを用意し、これを予め窒素でバ
ブリングし気体状態としておく。
ホットプレートにのせ、８０℃に加熱する。ここで、洗
浄水撥水剤として、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2 である
ジクロロジメチルシランを用意し、これを予め窒素でバ
ブリングし気体状態としておく。
【００６１】８０℃に加熱したウェハに対し、予め気体
状態としたジクロロジメチルシランを導入し、ウェハ表
面のＳｉＯ2 膜３３と反応させる。ジクロロジメチルシ
ランは、ＳｉＯ2 膜３３表面の二つのＯＨ基に対して一
つの割合で反応して二つのＨＣｌを放出し、ウェハ表面
を（−Ｏ−）2 Ｓｉ (ＣＨ3)2 としている。これによ
り、ＳｉＯ2 膜３３の上に疎水性処理層３４を形成させ
ている。図３（ｂ）は、ＳｉＯ2 膜３３の上に疎水性処
理層３４を形成させた状態を示す概略断面図である。
状態としたジクロロジメチルシランを導入し、ウェハ表
面のＳｉＯ2 膜３３と反応させる。ジクロロジメチルシ
ランは、ＳｉＯ2 膜３３表面の二つのＯＨ基に対して一
つの割合で反応して二つのＨＣｌを放出し、ウェハ表面
を（−Ｏ−）2 Ｓｉ (ＣＨ3)2 としている。これによ
り、ＳｉＯ2 膜３３の上に疎水性処理層３４を形成させ
ている。図３（ｂ）は、ＳｉＯ2 膜３３の上に疎水性処
理層３４を形成させた状態を示す概略断面図である。
【００６２】また、図３（ｃ）は、図示しないダイシン
グソーによりダイシングライン３に沿って３／４程度ウ
ェハをカットし、洗浄後、乾燥した状態を示す概略断面
図である。この図よりも明らかなように、ウェハの表面
には、切り屑の残りかすによるパーティクルが残存して
いない。
グソーによりダイシングライン３に沿って３／４程度ウ
ェハをカットし、洗浄後、乾燥した状態を示す概略断面
図である。この図よりも明らかなように、ウェハの表面
には、切り屑の残りかすによるパーティクルが残存して
いない。
【００６３】このようにウェハ表面を疎水性化した後に
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
ダイシングを行うと、ダイシングソーによるカッティン
グ時の切り屑がウェハにほとんど付着せず、その後の工
程にて殆どの切り屑が除去可能となる。
【００６４】また、本第三実施例では、洗浄水撥水剤と
して、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2であるジクロロジメ
チルシランを用いた例を挙げているが、これに限らず、
ジクロロジメチルシランと同じ結合部位を持つジクロロ
ジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフ
ェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ（メチ
ル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又
は、ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:
ＣＨ) ＳｉＣｌ2]や、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨである
ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3]、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメチル
シラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] 又はクロロ（メチル）ジ
フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ] のうち
いずれかを用いてもよい。
して、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌ2であるジクロロジメ
チルシランを用いた例を挙げているが、これに限らず、
ジクロロジメチルシランと同じ結合部位を持つジクロロ
ジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロジフ
ェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2]、ジクロロ（メチ
ル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)ＳｉＣｌ2]又
は、ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:
ＣＨ) ＳｉＣｌ2]や、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨである
ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3]、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるクロロジメチル
シラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] 又はクロロ（メチル）ジ
フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)2 ＳｉＣｌ] のうち
いずれかを用いてもよい。
【００６５】勿論、結合部位が（−Ｓｉ)2ＮＨであるも
のの場合は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して一つのＮＨ3 を放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるものの場合は、
ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓｉ）Ｃ
ｌという割合で反応して一つのＨＣｌを放出し、ウェハ
表面に疎水性処理層を形成することは言うまでもない。
のの場合は、ウェハ表面の二つのＯＨ基に対して一つの
（−Ｓｉ)2ＮＨという割合で反応して一つのＮＨ3 を放
出し、結合部位が（−Ｓｉ）Ｃｌであるものの場合は、
ウェハ表面の一つのＯＨ基に対して一つの（−Ｓｉ）Ｃ
ｌという割合で反応して一つのＨＣｌを放出し、ウェハ
表面に疎水性処理層を形成することは言うまでもない。
【００６６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ダ
イシング時に発生する切り屑のウェハ表面への付着を防
止することができるので、ウェハ表面の微小なパーティ
クルによる、ワイヤーボンディング時のワイヤーボンド
ミスや、ワイヤーボンドの強度の低下及び電極配線の切
断及びチップに損傷を与えることを防止できる。従っ
て、最終的に得られる製品の品質を向上させると共に製
造歩留を向上させることができる。
イシング時に発生する切り屑のウェハ表面への付着を防
止することができるので、ウェハ表面の微小なパーティ
クルによる、ワイヤーボンディング時のワイヤーボンド
ミスや、ワイヤーボンドの強度の低下及び電極配線の切
断及びチップに損傷を与えることを防止できる。従っ
て、最終的に得られる製品の品質を向上させると共に製
造歩留を向上させることができる。
【００６７】また、光電変換素子等のようにウェハ表面
が受光面となる光検出素子の場合では、光検出素子とし
ての光感度を向上させることができる。
が受光面となる光検出素子の場合では、光検出素子とし
ての光感度を向上させることができる。
【００６８】さらに、複数の光電変換素子よりなる光電
変換装置の場合では、各素子の受光面毎に光感度の低下
を引き起こすことがないので、各画素間の光感度のバラ
ツキ即ち、ＦＰＮの発生を防止でき、検出された光情報
の確かさが向上する。
変換装置の場合では、各素子の受光面毎に光感度の低下
を引き起こすことがないので、各画素間の光感度のバラ
ツキ即ち、ＦＰＮの発生を防止でき、検出された光情報
の確かさが向上する。
【図１】本発明の第一実施例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の第二実施例を示す概略構成図である。
【図３】本発明の第三実施例を示す概略構成図である。
【図４】複数の素子が形成されたウェハを個々に分割す
る様子を示す説明図である。
る様子を示す説明図である。
【図５】ダイシングソーによるウェハのカッティング状
態を示す概略斜視図である。
態を示す概略斜視図である。
【図６】従来のウェハをダイシングする前と後の状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
１、３１、６１ Ｐ型Ｓｉ基板 ２、３２、６２ Ｎ型拡散層 ３、３３、２８ａ、６３ ＳｉＯ2 膜 ４、３４、３０ 疎水性処理層 ２１ Ｎ型Ｓｉ基板 ２２、２３ Ｐウェル拡散層 ２４ Ｎウェル拡散層 ２５ Ｐ+ 拡散層 ２６ Ｎ型拡散層 ２７ ポリシリコン電極 ２８ｂ ＰＳＧ膜 ２９ 遮光Ａｌ ４１、５１ ウェハ ４２ ダイシング用テープ ４３ フレーム ４４ 抑え板 ４５ 回転ローラ ４６、５６ ダイシングソー ４８ 素子 ４９ ニードル ６５ パーティクル Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５ ダイシングライン
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の素子が形成された基板の表面を各
素子ごとに分割する際に、純水で洗浄する前に前記基板
上に施される洗浄水撥水剤であって、 前記洗浄水撥水剤が、前記基板表面のＳｉＯ2 と結合す
る結合部位と、疎水部位とを備えた化合物であることを
特徴とする洗浄水撥水剤。 - 【請求項２】 請求項１に記載の洗浄水撥水剤におい
て、前記洗浄水撥水剤が、次の化合物のいずれかにより
選ばれたものであることを特徴とする洗浄水撥水剤。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] クロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] クロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
2 ＳｉＣｌ] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2] - 【請求項３】 複数の素子が形成された基板の表面を各
素子ごとに分割するダイシング方法において、 前記基板を各素子ごとに分割するカッティング工程より
も前に、基板表面のＳｉＯ2 と結合する結合部位と疎水
部位とを備えた洗浄水撥水剤を基板表面に施す撥水処理
工程を更に有していることを特徴とするダイシング方
法。 - 【請求項４】 前記撥水処理工程において基板表面に施
す洗浄水撥水剤として、次の化合物のいずれかにより選
ばれたものを用いることを特徴とする請求項３に記載の
ダイシング方法。 ヘキサメチルジシラザン[(ＣＨ3)3 ＳｉＮＨＳｉ (ＣＨ
3)3] クロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＨＣｌ] クロロ（メチル）ジフェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
2 ＳｉＣｌ] ジクロロジメチルシラン[(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2] ジクロロジエチルシラン[(Ｃ2 Ｈ6 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロジフェニルシラン[(Ｃ6 Ｈ5 )2ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）フェニルシラン[(ＣＨ3) (Ｃ6 Ｈ5)
ＳｉＣｌ2] ジクロロ（メチル）ビニルシラン[(ＣＨ3) (ＣＨ2:Ｃ
Ｈ) ＳｉＣｌ2]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332356A JPH08164517A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332356A JPH08164517A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08164517A true JPH08164517A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18254049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6332356A Pending JPH08164517A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08164517A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152858A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高脆性材料の切削又は研削加工方法及び切り屑付着抑制剤 |
| JP2009088341A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Denso Corp | チップおよびウェハの加工方法 |
| JP2012033880A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液 |
| US8435726B2 (en) | 2005-12-09 | 2013-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of processing an optical element and an optical element, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus |
| JPWO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
| JP2014175610A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 環状フレーム |
| JP2015088666A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US9228120B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-01-05 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6332356A patent/JPH08164517A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152858A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高脆性材料の切削又は研削加工方法及び切り屑付着抑制剤 |
| US8435726B2 (en) | 2005-12-09 | 2013-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of processing an optical element and an optical element, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus |
| JP2009088341A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Denso Corp | チップおよびウェハの加工方法 |
| JPWO2011155407A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
| JP5821844B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2015-11-24 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
| US9228120B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-01-05 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
| US9748092B2 (en) | 2010-06-07 | 2017-08-29 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming protecting film |
| JP2012033880A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液 |
| US9090782B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-07-28 | Central Glass Company, Limited | Liquid chemical for forming water repellent protective film |
| JP2014175610A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 環状フレーム |
| JP2015088666A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US9966463B2 (en) | 2013-10-31 | 2018-05-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing same having multilayer wiring structure with contact hole having hydrophobic film formed on side surface of the contact hole |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100705349B1 (ko) | 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼 및 카메라 모듈 | |
| US6727163B2 (en) | Method for sawing wafer | |
| US7923798B2 (en) | Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module | |
| US7619678B2 (en) | Solid state imaging device and method for manufacturing the same | |
| US7655505B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| KR101385410B1 (ko) | 고체 촬상 디바이스의 제조 방법 | |
| TWI228906B (en) | Camera module | |
| JPH08164517A (ja) | 洗浄水撥水剤及びそれを用いたダイシング方法 | |
| US8748316B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and camera module | |
| JP3077034B2 (ja) | 半導体イメージセンサ装置 | |
| US6242730B1 (en) | Semiconductor color image sensor | |
| KR100610497B1 (ko) | 이미지 센서 소자의 마이크로렌즈의 오염 방지 방법 및그를 이용한 이미지 센서 소자의 제조 방법 | |
| JP2004063782A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US7267603B2 (en) | Back grinding methods for fabricating an image sensor | |
| CN102117819B (zh) | Bsi图像传感器形成方法 | |
| US8159575B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and method for manufacturing the same | |
| US20050158913A1 (en) | Solid state imaging apparatus and its manufacturing method | |
| JP3430759B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 | |
| US7129459B2 (en) | Wire-bondable image sensor having integral contaminant shadowing reduction structure | |
| JP5047077B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| CN100536158C (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| JPH0521772A (ja) | 半導体イメージセンサ装置及びその製造方法 | |
| KR101116834B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2006100859A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| CN117936561A (zh) | 一种图像传感器的封装方法 |