JP3077034B2 - 半導体イメージセンサ装置 - Google Patents
半導体イメージセンサ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光照射された原稿から反射光を受けて電気信
号に変換する半導体イメージセンサ装置に関する。
号に変換する半導体イメージセンサ装置に関する。
本発明は半導体イメージセンサ装置の構造において、
配列されたフォトトランジスタとその受光面と反対側の
面にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行うCMOS
回路を構成するという構造をとったものであり、そうす
ることで読み取るための原稿からの距離を大幅に少なく
することが可能となったものである。
配列されたフォトトランジスタとその受光面と反対側の
面にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行うCMOS
回路を構成するという構造をとったものであり、そうす
ることで読み取るための原稿からの距離を大幅に少なく
することが可能となったものである。
また、前記構造を実現するために貼り合わせSOI技術
を使用したことも本発明の特徴である。
を使用したことも本発明の特徴である。
従来の半導体イメージセンサ装置の断面図を第２図に
示す。配列されたフォトトランジスタと同一面上にそれ
を駆動及び読み出しを行うためのCMOS回路が構成されて
いる。
示す。配列されたフォトトランジスタと同一面上にそれ
を駆動及び読み出しを行うためのCMOS回路が構成されて
いる。
前記従来の半導体イメージセンサ装置の構造では、こ
のイメージセンサ装置を読み取りヘッドに実装した場合
においては、読み取りヘッドの回路から前記CMOS回路へ
接続するための電極や電線が前記フォトトランジスタの
受光面と同一面側を通るためフォトトランジスタと原稿
との間隔を一定量以下に減少することができないという
課題があった。
のイメージセンサ装置を読み取りヘッドに実装した場合
においては、読み取りヘッドの回路から前記CMOS回路へ
接続するための電極や電線が前記フォトトランジスタの
受光面と同一面側を通るためフォトトランジスタと原稿
との間隔を一定量以下に減少することができないという
課題があった。
前記課題を解決するため本発明では、透明基体を用い
た貼り合わせSOI技術を使用し、フォトトランジスタの
受光面を透明基体側に構成し、受光面と反対側の半導体
基板面にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行う
CMOS回路を構成するという手段を取った。
た貼り合わせSOI技術を使用し、フォトトランジスタの
受光面を透明基体側に構成し、受光面と反対側の半導体
基板面にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行う
CMOS回路を構成するという手段を取った。
前記手段を取ることで、半導体イメージセンサ装置の
CMOS回路と外部の回路を接続する電極や電線がフォトト
ランジスタの受光面と反対側を通るようになった。
CMOS回路と外部の回路を接続する電極や電線がフォトト
ランジスタの受光面と反対側を通るようになった。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。第１
図は本発明の実施例の半導体イメージセンサ装置の断面
図である。
図は本発明の実施例の半導体イメージセンサ装置の断面
図である。
第３図（ａ）〜（ｈ）は本発明の実施例の工程順の断
面図である。Ｎ型導電型のシリコン基板31にＰ型導電型
のウェル33を形成する（第３図（ａ））。次に素子分離
用SiO234を形成する（第３図（ｂ））。次にフォトトラ
ンジスタのベース領域37を形成し、Ｎ型導電型のポリシ
リコン38を形成し、熱処理の後エミッタ39が形成され
る。同時に基板を介して出力を反対側へ出すためのＮ型
拡散層40が形成される（第３図（ｃ））。次にCVDによ
るNSG（Non−doped SiO2）などの絶縁物41を堆積する。
（第３図（ｄ））。次にエッチングや研磨などで平坦化
した面42を形成する（第３図（ｅ））。次に石英基板43
などの透明基体を熱接着する（第３図（ｆ））。しかる
のち反対側面のシリコン基板を研磨した面44を形成する
（第３図（ｇ））。しかるのちCMOS回路を形成すべく通
常の製造工程を経てＰチャネルMOSトランジスタ45やＮ
チャネルMOSトランジスタ46などを得る（第３図
（ｈ））。
面図である。Ｎ型導電型のシリコン基板31にＰ型導電型
のウェル33を形成する（第３図（ａ））。次に素子分離
用SiO234を形成する（第３図（ｂ））。次にフォトトラ
ンジスタのベース領域37を形成し、Ｎ型導電型のポリシ
リコン38を形成し、熱処理の後エミッタ39が形成され
る。同時に基板を介して出力を反対側へ出すためのＮ型
拡散層40が形成される（第３図（ｃ））。次にCVDによ
るNSG（Non−doped SiO2）などの絶縁物41を堆積する。
（第３図（ｄ））。次にエッチングや研磨などで平坦化
した面42を形成する（第３図（ｅ））。次に石英基板43
などの透明基体を熱接着する（第３図（ｆ））。しかる
のち反対側面のシリコン基板を研磨した面44を形成する
（第３図（ｇ））。しかるのちCMOS回路を形成すべく通
常の製造工程を経てＰチャネルMOSトランジスタ45やＮ
チャネルMOSトランジスタ46などを得る（第３図
（ｈ））。
以上説明してきたように、本発明を用いることで以下
の効果が期待できる。
の効果が期待できる。
（１） 電極や電線が受光側と反対側を通るため原稿と
の距離を減少することが可能となった。
の距離を減少することが可能となった。
（２） 電極を受光側と反対側に取れるため、バンプ電
極の形成も可能となり、実装の自由度が大幅に広がる。
極の形成も可能となり、実装の自由度が大幅に広がる。
（３） 受光用フォトトランジスタの上面が石英基板な
どの透明基体で覆われているため、従来の実装のように
ポッティング材などを使用する必要がなくなる。
どの透明基体で覆われているため、従来の実装のように
ポッティング材などを使用する必要がなくなる。
（４） 配列フォトトランジスタの各々は絶縁体で分離
されているためキャリアの回り込みがなく、イメージセ
ンサとして良好な性能が得られる。また従来、キャリア
の回り込みは端ビットのフォトトランジスタの特性に大
きく影響しており、性能検査時に問題となっていた。こ
の問題も本発明で解決することができる。
されているためキャリアの回り込みがなく、イメージセ
ンサとして良好な性能が得られる。また従来、キャリア
の回り込みは端ビットのフォトトランジスタの特性に大
きく影響しており、性能検査時に問題となっていた。こ
の問題も本発明で解決することができる。
（５） フォトトランジスタの上面に形成された透明基
体の上面にあらかじめオンチップマイクロレンズなどを
形成しておけば、さらに性能の向上が望める上に、従来
型では実装時にはセルフオックレンズを使用していたも
のが不要になり、大幅な工程減、コスト減が望める。
体の上面にあらかじめオンチップマイクロレンズなどを
形成しておけば、さらに性能の向上が望める上に、従来
型では実装時にはセルフオックレンズを使用していたも
のが不要になり、大幅な工程減、コスト減が望める。
第１図は本発明の実施例の半導体イメージセンサ装置の
断面図、第２図は従来の半導体イメージセンサ装置の断
面図、第３図は本発明の実施例の製造工程順の断面図で
ある。 1,21……シリコン基板 ２……絶縁物 3,34,36……素子分離用SiO2 ４……透明基体 5,23……フォトトランジスタ 6,24,39……エミッタ 7,25,37……ベース 8,26……コレクタ ９……コレクタ電極用拡散層 10,38……エミッタポリシリコン 11……エミッタ引出し用拡散層 12,27,46……ＮチャネルMOSトランジスタ 13,28,45……ＰチャネルMOSトランジスタ 14……Ｐ型シリコン 15……Ｎ型シリコン 16……Ｐ型拡散層 17,40,47,50……Ｎ型拡散層 18,22……パシベーション 29,33……Ｐウェル 31……Ｐ型シリコン基板 32……SiO2 35……SiN 41……CVD NSG 43……石英基板 44……シリコン研磨面 47……エミッタ電極 49……コレクタ電極
断面図、第２図は従来の半導体イメージセンサ装置の断
面図、第３図は本発明の実施例の製造工程順の断面図で
ある。 1,21……シリコン基板 ２……絶縁物 3,34,36……素子分離用SiO2 ４……透明基体 5,23……フォトトランジスタ 6,24,39……エミッタ 7,25,37……ベース 8,26……コレクタ ９……コレクタ電極用拡散層 10,38……エミッタポリシリコン 11……エミッタ引出し用拡散層 12,27,46……ＮチャネルMOSトランジスタ 13,28,45……ＰチャネルMOSトランジスタ 14……Ｐ型シリコン 15……Ｎ型シリコン 16……Ｐ型拡散層 17,40,47,50……Ｎ型拡散層 18,22……パシベーション 29,33……Ｐウェル 31……Ｐ型シリコン基板 32……SiO2 35……SiN 41……CVD NSG 43……石英基板 44……シリコン研磨面 47……エミッタ電極 49……コレクタ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/146
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン基板の第１の面上に配列されたフ
ォトトランジスタと、 前記シリコン基板の第１の面上及び前記フォトトランジ
スタの受光面の上方に配置された透明基体と、 前記シリコン基板の第１の面と反対側の面であるシリコ
ン基板の第２の面上に、前記フォトトランジスタと平面
的に重ならない位置に形成された前記フォトトランジス
タを駆動及び読み出しを行うCMOS回路と、 前記フォトトランジスタのエミツタからの出力を前記CM
OS回路に入力するため、前記シリコン基板には、前記フ
ォトトランジスタ及び前記CMOS回路とは重ならない位置
にて不純物拡散層が形成されていることを特徴とする半
導体イメージセンサ装置。 - 【請求項２】前記フォトトランジスタ、前記CMOS回路及
び前記不純物拡散層は、それぞれ前記シリコン基板に形
成された素子分離用SiO2にて分離され、前記シリコン基
板の第２の面側は、前記素子分離用SiO2が露出するまで
研磨されている請求項１記載の半導体イメージセンサ装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02196462A JP3077034B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 半導体イメージセンサ装置 |
| US07/734,262 US5254868A (en) | 1990-07-25 | 1991-07-22 | Solidstate image sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02196462A JP3077034B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 半導体イメージセンサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482267A JPH0482267A (ja) | 1992-03-16 |
| JP3077034B2 true JP3077034B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16358211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02196462A Expired - Lifetime JP3077034B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 半導体イメージセンサ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254868A (ja) |
| JP (1) | JP3077034B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103685871A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 赵盾 | 一种装配摄像头模件镜片的方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494833A (en) * | 1994-07-14 | 1996-02-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Backside illuminated MSM device method |
| DE69507284T2 (de) * | 1994-11-22 | 1999-07-01 | Philips Electronics Nv | Halbleiter mit einem träger auf dem ein substrat mit einem halbleiter-element mittels einer klebeschicht und ein leiterbahn-muster befestigt sind |
| JP3869952B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置とそれを用いたｘ線撮像装置 |
| US6472247B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Solid-state imaging device and method of production of the same |
| AU2002356147A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-10 | Schott Glas | Method for producing contacts and printed circuit packages |
| US7132637B2 (en) * | 2002-03-03 | 2006-11-07 | Interon As | Pixel sensor array having a layer of sensor material grown on a pre-fabricated wafer and method of manufacture thereof |
| AU2003219459A1 (en) * | 2002-05-30 | 2003-12-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic imaging device |
| EP1514311A2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic imaging device |
| JP3803924B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2006-08-02 | 本田技研工業株式会社 | イメージセンサ |
| IL158345A0 (en) | 2003-10-09 | 2004-05-12 | Interon As | Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof |
| JP4379295B2 (ja) | 2004-10-26 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 |
| FR2888989B1 (fr) * | 2005-07-21 | 2008-06-06 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images |
| KR100795922B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 픽업 소자 및 이미지 픽업 소자의 제조방법 |
| DE102011102007B4 (de) | 2011-05-19 | 2012-12-27 | Austriamicrosystems Ag | Fotodiode und Herstellungsverfahren |
| DE102013206407B3 (de) * | 2013-04-11 | 2014-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensorchip, computertomographischer Detektor diesen aufweisend und Herstellungsverfahren dafür |
| DE102013206404B3 (de) * | 2013-04-11 | 2014-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensorchip, computertomographischer Detektor diesen aufweisend, sowie ein Herstellungsverfahren und ein Betriebsverfahren dafür |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4255212A (en) * | 1979-07-02 | 1981-03-10 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating photovoltaic cells |
| US4547792A (en) * | 1980-06-19 | 1985-10-15 | Rockwell International Corporation | Selective access array integrated circuit |
| US4612408A (en) * | 1984-10-22 | 1986-09-16 | Sera Solar Corporation | Electrically isolated semiconductor integrated photodiode circuits and method |
| JPS61292960A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US4956687A (en) * | 1986-06-26 | 1990-09-11 | Santa Barbara Research Center | Backside contact blocked impurity band detector |
| JPS63133667A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Ricoh Co Ltd | 密着形光電変換装置 |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP02196462A patent/JP3077034B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-22 US US07/734,262 patent/US5254868A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103685871A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 赵盾 | 一种装配摄像头模件镜片的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5254868A (en) | 1993-10-19 |
| JPH0482267A (ja) | 1992-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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