JPS608672B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS608672B2
JPS608672B2 JP57021122A JP2112282A JPS608672B2 JP S608672 B2 JPS608672 B2 JP S608672B2 JP 57021122 A JP57021122 A JP 57021122A JP 2112282 A JP2112282 A JP 2112282A JP S608672 B2 JPS608672 B2 JP S608672B2
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JP
Japan
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transfer element
semiconductor substrate
charge transfer
imaging device
solid
Prior art date
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Expired
Application number
JP57021122A
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English (en)
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JPS57150284A (en
Inventor
正和 青木
一八男 竹本
信弥 大場
紀雄 小池
征治 久保
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS608672B2 publication Critical patent/JPS608672B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、受光部にダイオードアレーを設け、謙出しレ
ジスタとしてバルク転送形の電荷転送素子（Ｃｈａｒｇ
ｅＴｒａｎｓｆｅｒＤｅｖｉｃｅ）を設けた固体綾像装
置に関するものである。
第１図は、本発明の実施例の固体撮像装置の断面図であ
る。
第１図において、２１はｎ形半導体基板、１は基板２１
の上に形成されたｐ形の半導体基体、２は透明な絶縁膜
、３はＢＣＤ（バルク転送形電荷転送素子）の電極、４
は蓄積ゲート電極、６はｐ形基体１の表面領域に設けた
光電変換部となるｎ＋拡散層、７はｐ形基体１の他の表
面領域に設けたＢＣＤのチャネルとなるｎ形奏である。
この構造は、ｐ形基体１とｎ形基体２１との夕闇を逆バ
イアスすることにより、ｐ形基体１の内部深くで発生し
た信号キャリアをｎ形基体２１側へ吸収してしまう構造
である。この構造によれば、長波長側の光によってｐ形
基体１の内部の深い所で光電変換される信号キャリアは
ｎ＋拡散層６に到達しない。長波長側の光によって半導
体内部の深い所で励起される信号キャリアは、長波長光
に対する感度の場所的な不均一性や、解像度の劣化の主
な原因であったので、上記構造の固体撮像装置はこの点
で良好な特性を示す。また上記の構造では、この様子に
強い光が当って過剰なキャリアがｎ＋拡散層６の下に発
生したときに、これをｎ形基板２１側へ吸収することが
できるから、フルーミングを抑制することができる。さ
らに、この固体撮像装置では、ｐ形基体１の表面領域に
ｎ形チャネル層７を設けてあるからｐ形基体１の不純物
濃度が高くても固体撮像装置として電荷の転送つまり光
信号の読み出しが可能である。上記の実施例では、ｎ＋
拡散層６に接して蓄積ゲートが設けてあるが、これがな
い構造の固体撮後装置に対しても本発明が適用できるこ
とは明らかである。また、ｎ＋拡散層６以外の部分を必
要に応じて光シールド（遮光）してもよい。以上の実施
例の説明から明らかなように、本発明によれば、不均一
性および解像度が改善され、またブルーミングが抑制さ
れた岡体撮像装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の固体撮像装置の断面図である
。 ２１・・・ｎ形半導体基板、１・・・ｐ形半導体基板、
２・・・透明絶縁膜、３・・・ＢＣＤの電極、５・・・
転送ゲート、６・・・・・・光電変換部であるｎ＋拡散
層、７・・・ＢＣＤのチャネルであるｎ形層。 薪′図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１の導電形の半導体基板と、該半導体基板上に設
    けられた第２導電形の半導体基体と、該半導体基体の表
    面領域に設けられた第１導電形の光電変換領域と、該半
    導体基体の他の表面領域に設けられた第１導電形のチヤ
    ネル領域および該チヤネル領域上に絶縁膜を介して設け
    られた電極からなる電荷転送素子とをそなえ、上記光電
    変換領域で検出した光信号電荷を、上記電荷転送素子に
    入力し、該電荷転送素子により上記信号電荷を読み出す
    ことを特徴とする固体撮像装置。 ２ 上記光電変換領域と上記電荷転送素子の間であって
    上記半導体基体の上に絶縁膜を介して蓄積ゲート電極が
    設けられ、上記光電変換領域で検出した光信号電荷を上
    記蓄積ゲート電極の下を経て上記電荷転送素子に入力し
    、該電荷転送素子により上記信号電荷を読み出すことを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載合固体撮像装置。
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JPS57150284A JPS57150284A (en) 1982-09-17
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59225561A (ja) * 1983-06-07 1984-12-18 Toshiba Corp 電荷結合素子
JPS6157181A (ja) * 1984-08-28 1986-03-24 Sharp Corp 固体撮像装置
JPS61141176A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JPS61141177A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JP4981216B2 (ja) * 2001-05-22 2012-07-18 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置

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JPS57150284A (en) 1982-09-17

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