JPS59225561A - 電荷結合素子 - Google Patents
電荷結合素子Info
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- JPS59225561A JPS59225561A JP58100221A JP10022183A JPS59225561A JP S59225561 A JPS59225561 A JP S59225561A JP 58100221 A JP58100221 A JP 58100221A JP 10022183 A JP10022183 A JP 10022183A JP S59225561 A JPS59225561 A JP S59225561A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
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- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷結合素子に関する。
［発明の技術的背景］
第１図は電荷結合素子を組込ｌυだインターライン転送
方式の固体撮像装置の断面図であり、１つの電荷転送領
域とこれに隣接゛する１つのフォトダイオード領域を表
わしている。図示されるように、１は半導体基板（Ｐ型
）、２は半導体基板１上に設けられた絶縁膜、３は絶縁
膜２中に設【ノられた転送電極、４は半導体基板１中に
設置Ｊられた（埋込みチャネル形）電荷転送チャネル（
Ｎ型）、５は電荷転送チャネル４の電荷転送方向と直交
づる方向における一方の端に隣接して半導体基板１中に
設けられた（半導体基板１と共にフォトダイオードを構
成する）センサ（Ｎ型）、６は半導体基仮１中において
電荷転送チャネル４の他方の端に隣接した中間基板領域
内に設りられたヂ１７ネルス１−ツブ用Ｐ型拡散層、１
４は絶縁膜２上に設けられた光シールドである。図中Ａ
で示す範囲が、電荷転送方向と直交する方向における固
体＋！ｉｌ像素子の１単位を示している。また、図中、
Ａで示′ｒｊ１単位に隣り合う別の１単位の転送チャネ
ル（図示けず）の中間基板領域内に設けられたチャネル
ス］・ツブ用拡散層が（６）で示されてａ５す、このヂ
ャネルスＩ・ツブ用拡散層（６）がＡで示す１単位のな
かのセンサ５に隣接している。
方式の固体撮像装置の断面図であり、１つの電荷転送領
域とこれに隣接゛する１つのフォトダイオード領域を表
わしている。図示されるように、１は半導体基板（Ｐ型
）、２は半導体基板１上に設けられた絶縁膜、３は絶縁
膜２中に設【ノられた転送電極、４は半導体基板１中に
設置Ｊられた（埋込みチャネル形）電荷転送チャネル（
Ｎ型）、５は電荷転送チャネル４の電荷転送方向と直交
づる方向における一方の端に隣接して半導体基板１中に
設けられた（半導体基板１と共にフォトダイオードを構
成する）センサ（Ｎ型）、６は半導体基仮１中において
電荷転送チャネル４の他方の端に隣接した中間基板領域
内に設りられたヂ１７ネルス１−ツブ用Ｐ型拡散層、１
４は絶縁膜２上に設けられた光シールドである。図中Ａ
で示す範囲が、電荷転送方向と直交する方向における固
体＋！ｉｌ像素子の１単位を示している。また、図中、
Ａで示′ｒｊ１単位に隣り合う別の１単位の転送チャネ
ル（図示けず）の中間基板領域内に設けられたチャネル
ス］・ツブ用拡散層が（６）で示されてａ５す、このヂ
ャネルスＩ・ツブ用拡散層（６）がＡで示す１単位のな
かのセンサ５に隣接している。
このチャネルストップ用拡散層６によって、図示される
電荷転送チャネル４およびセンサ５の各々の領域内の電
荷が、他の電荷転送チャネルおよび［ンサ各々の領域（
隣接領域）内に流れだ１ことが防止される。
電荷転送チャネル４およびセンサ５の各々の領域内の電
荷が、他の電荷転送チャネルおよび［ンサ各々の領域（
隣接領域）内に流れだ１ことが防止される。
［背景技術の問題点］
上述したヂ１？ネルストップ用拡散層６は、半導体基板
１中に不純物をイオン注入し、それをアニールすること
にＪ：って形成される。
１中に不純物をイオン注入し、それをアニールすること
にＪ：って形成される。
しかしこのイオン注入法によると、崖導体３：１板１中
に添加された不純物を活性化さける際に、これらが半導
体基板１の横方向に、垂直方向（板厚方向）の０．８〜
１．０倍広がってしまう。
に添加された不純物を活性化さける際に、これらが半導
体基板１の横方向に、垂直方向（板厚方向）の０．８〜
１．０倍広がってしまう。
そのため、半導体基板１の横方向において、チャネルス
トップ用拡散層６の占める割合が大きくなって、マスク
パターンを微細化づることが制限されてしまう。このこ
とは、電荷転送チャネル４およびセンサ５の容積（容量
）が制限されてしまうということにつながる。
トップ用拡散層６の占める割合が大きくなって、マスク
パターンを微細化づることが制限されてしまう。このこ
とは、電荷転送チャネル４およびセンサ５の容積（容量
）が制限されてしまうということにつながる。
［発明の目的１
そこで本発明は以上のような問題を考慮してなされたも
ので、パターンの微細化に対処し得る電荷結合素子を得
ることとを目的とし−（いる。
ので、パターンの微細化に対処し得る電荷結合素子を得
ることとを目的とし−（いる。
［発明の概要］
本発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ
た絶縁膜と、前記半導体基板中に設けられた電荷転送チ
ャネルと、前記電荷転送ヂ１νネルに隣接した隣接領域
内に電荷が流れ込むのを阻止するための中間基板領域と
、前記絶縁膜を介して前記電荷転送ブーヤネルＪ３．Ｊ
、び前記中間基板領域の上に位置するにうに互いに隣接
して複数個設けられた転送電極とを備えた電（′Ｉ？ｉ
結合素子におい−（、前記中間基板領域の上であって前
記転送電極下の前記絶縁膜中にチャネルストッパ部分を
設け、しかもその厚さを前記電荷転送チャネルと前記転
送電極との間の絶縁膜の厚さＪ、り厚くしたことを特徴
とする電荷結合素子である。
た絶縁膜と、前記半導体基板中に設けられた電荷転送チ
ャネルと、前記電荷転送ヂ１νネルに隣接した隣接領域
内に電荷が流れ込むのを阻止するための中間基板領域と
、前記絶縁膜を介して前記電荷転送ブーヤネルＪ３．Ｊ
、び前記中間基板領域の上に位置するにうに互いに隣接
して複数個設けられた転送電極とを備えた電（′Ｉ？ｉ
結合素子におい−（、前記中間基板領域の上であって前
記転送電極下の前記絶縁膜中にチャネルストッパ部分を
設け、しかもその厚さを前記電荷転送チャネルと前記転
送電極との間の絶縁膜の厚さＪ、り厚くしたことを特徴
とする電荷結合素子である。
［発明の実施例］
第２図は本発明にかかる電荷結合素子を組込んだ固体踊
像装置の一態様を示す断面図である。図ｔｉ ７は半導
体基板（Ｐ型）、８μ半導体基板７上に設りられた絶縁
膜、９は絶縁膜８中に設けられた転送電極、１０は半導
体基板７中に設りられた（埋込みチャネル形）電荷転送
チャネル（Ｎ型）、１１は電荷転送ヂ１ノネル１０の電
荷転送方向と直交する方向における一方の端に隣接して
半導体基板７中に設置ノられた（半導体基板７と共にフ
ォトダイＡ−ドを構成する）センサ（Ｎ型）、１４は絶
縁膜８土に設（′ｌられだ光シールドＣある。転送電極
９は絶縁膜８を介して電荷転送チャネル１０および半導
体基板７中において電荷転送チャネルに隣接した中間基
板領域の」ニに位置している。
像装置の一態様を示す断面図である。図ｔｉ ７は半導
体基板（Ｐ型）、８μ半導体基板７上に設りられた絶縁
膜、９は絶縁膜８中に設けられた転送電極、１０は半導
体基板７中に設りられた（埋込みチャネル形）電荷転送
チャネル（Ｎ型）、１１は電荷転送ヂ１ノネル１０の電
荷転送方向と直交する方向における一方の端に隣接して
半導体基板７中に設置ノられた（半導体基板７と共にフ
ォトダイＡ−ドを構成する）センサ（Ｎ型）、１４は絶
縁膜８土に設（′ｌられだ光シールドＣある。転送電極
９は絶縁膜８を介して電荷転送チャネル１０および半導
体基板７中において電荷転送チャネルに隣接した中間基
板領域の」ニに位置している。
１２は４１間基板領域の上であって転送電極９の下の絶
縁膜８中に設番）られたポリシリコン層であり、転送電
極９は、ポリシリコン層１２の上に位置した部分が、電
荷転送チャネル１ｏの上に位置した部分より半導体基板
７から遠ざかっている。
縁膜８中に設番）られたポリシリコン層であり、転送電
極９は、ポリシリコン層１２の上に位置した部分が、電
荷転送チャネル１ｏの上に位置した部分より半導体基板
７から遠ざかっている。
なお、以上の構成は、半導体基板７中にイオン注入法で
電荷転送チャネル１ｏを設け、半導体基板７上に絶縁膜
を被着し、その絶縁股上に、＋１Ｏｎ−ｄｏｐｅのポリ
シリコン層１２を形成し、ポリシリコン層１２をおおう
ように半導体基板７上に絶縁膜を被着し、この絶縁膜上
に転送電極９を設け、この転送電極９を利用してセルフ
ァライン（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎ ）でセン→す・１１
を半導体基板７中に設け、転送型１１ｊ ９をＬ１３お
うように半導体基板７上に絶縁膜を被着することによっ
て得られる（図中８は以上の工程ににり半導体基板７十
に得れた絶縁膜の総体としての絶縁膜を示ず）。またセ
ンザ１１以外のｆｒ４域に光が入らぬよう、光シールド
１／１をセン１ノ１１以外の領域の絶縁膜８上に設ける
。なお、本発明に関係のない部材は図示省略しである。
電荷転送チャネル１ｏを設け、半導体基板７上に絶縁膜
を被着し、その絶縁股上に、＋１Ｏｎ−ｄｏｐｅのポリ
シリコン層１２を形成し、ポリシリコン層１２をおおう
ように半導体基板７上に絶縁膜を被着し、この絶縁膜上
に転送電極９を設け、この転送電極９を利用してセルフ
ァライン（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎ ）でセン→す・１１
を半導体基板７中に設け、転送型１１ｊ ９をＬ１３お
うように半導体基板７上に絶縁膜を被着することによっ
て得られる（図中８は以上の工程ににり半導体基板７十
に得れた絶縁膜の総体としての絶縁膜を示ず）。またセ
ンザ１１以外のｆｒ４域に光が入らぬよう、光シールド
１／１をセン１ノ１１以外の領域の絶縁膜８上に設ける
。なお、本発明に関係のない部材は図示省略しである。
そして、以上の構成からなる固体撮像装置に８３いて、
ポリシリコン層１２の電位を、例えば０（Ｖ）または半
導体基板７の電位と同じにりることによって、半導体基
板７中の中間基板領域の電位は、電荷転送チャネル１０
．ｔン号１１の電位の月戸よりはるかに低くなり、ここ
に電荷転送チＶネル１０およびセンサ１１からの電荷が
流れ込むことが確実に阻止される。
ポリシリコン層１２の電位を、例えば０（Ｖ）または半
導体基板７の電位と同じにりることによって、半導体基
板７中の中間基板領域の電位は、電荷転送チャネル１０
．ｔン号１１の電位の月戸よりはるかに低くなり、ここ
に電荷転送チＶネル１０およびセンサ１１からの電荷が
流れ込むことが確実に阻止される。
第３図は木兄１１１Ｊにかかる電荷結合素子を適用−し
た固体搬像装置の他の一態様を示Ｊ断面図である。
た固体搬像装置の他の一態様を示Ｊ断面図である。
図中第２図と同一部分は同一符号で示す。この例におい
ては、前）ホしたポリシリコン層を用いず、一方、転送
電極９の下であって半導体基板７中の中間基板領域の上
の絶縁膜の厚みを前記の例（第２図）よりさらに厚くし
である。なお、このような構成の固体ｗＬ像装置は、半
導体基板７中に、イオン注入法で電荷転送チャネル１０
を設け、ＣＶＤ （Ｃ１１８ｍｉＣａｌ ＶａＤＯｒ
ＤＯＤＯ３ｉｔｉＯ１１）法によって第３図中１３
で示Ｊように厚い絶縁膜を半導体基板７上に被着し、こ
の絶縁膜１３を１３おうように半導体基板７上に絶縁膜
を被希し、この絶縁膜上に転送電極９を設け、この転送
電極９を利用してセルファライン（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇ
ｎ ）で センサ１１を半導体基板７中に設り、転送電
極９をおおうように半導体基板７上に絶縁膜を被着する
ことによって得られる（図中８は以上の１程により半導
体基板７上に得れた絶縁膜の総体としての絶縁膜を示す
）。またセンサ１１以外の領域に光が入らぬよう、光シ
ールド１４をセンサ１１以外の領域の絶縁ｌｌ！８上に
設ける。
ては、前）ホしたポリシリコン層を用いず、一方、転送
電極９の下であって半導体基板７中の中間基板領域の上
の絶縁膜の厚みを前記の例（第２図）よりさらに厚くし
である。なお、このような構成の固体ｗＬ像装置は、半
導体基板７中に、イオン注入法で電荷転送チャネル１０
を設け、ＣＶＤ （Ｃ１１８ｍｉＣａｌ ＶａＤＯｒ
ＤＯＤＯ３ｉｔｉＯ１１）法によって第３図中１３
で示Ｊように厚い絶縁膜を半導体基板７上に被着し、こ
の絶縁膜１３を１３おうように半導体基板７上に絶縁膜
を被希し、この絶縁膜上に転送電極９を設け、この転送
電極９を利用してセルファライン（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇ
ｎ ）で センサ１１を半導体基板７中に設り、転送電
極９をおおうように半導体基板７上に絶縁膜を被着する
ことによって得られる（図中８は以上の１程により半導
体基板７上に得れた絶縁膜の総体としての絶縁膜を示す
）。またセンサ１１以外の領域に光が入らぬよう、光シ
ールド１４をセンサ１１以外の領域の絶縁ｌｌ！８上に
設ける。
このような構成の固体撮像装置においては、転送電極９
におりる、中間基板領域の土の部分は、電荷転送チャネ
ル１０の上の部分より半導体基板７上からはるかに遠い
位置にあるから、半導体基板７中の中間基板領域の電位
は、電荷転送チャネル１０、センサ１１の電位にりはる
かに低くなる。
におりる、中間基板領域の土の部分は、電荷転送チャネ
ル１０の上の部分より半導体基板７上からはるかに遠い
位置にあるから、半導体基板７中の中間基板領域の電位
は、電荷転送チャネル１０、センサ１１の電位にりはる
かに低くなる。
そして、第２図、第３図の例においては、電荷転送チャ
ネル１０、センサ１１をイオン注入法にＪ、って半導体
基板７中に形成しており、一方、半導体基板７中の中間
基板領域に従来のようなイオン注入による不純物拡散層
がないので、電荷転送ヂトネル１０およびセン１ノ”１
１の領域が中間基板領域内に拡がってそれらの容積が大
きくなるという効果が生じる。これによって、パターン
の微細化にも大きく寄与できる。
ネル１０、センサ１１をイオン注入法にＪ、って半導体
基板７中に形成しており、一方、半導体基板７中の中間
基板領域に従来のようなイオン注入による不純物拡散層
がないので、電荷転送ヂトネル１０およびセン１ノ”１
１の領域が中間基板領域内に拡がってそれらの容積が大
きくなるという効果が生じる。これによって、パターン
の微細化にも大きく寄与できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明ににれば、半導体基板中の
中間基板領域内に不純物のイオン注入（その後アニール
）による不純物拡散層がないので、これによって電荷転
送領域等が制限をうけることがなくなり、したがって、
パターンが一層微細化した電荷結合素子を提供すること
ができる。
中間基板領域内に不純物のイオン注入（その後アニール
）による不純物拡散層がないので、これによって電荷転
送領域等が制限をうけることがなくなり、したがって、
パターンが一層微細化した電荷結合素子を提供すること
ができる。
第１図は電荷結合素子を組込んだインターライン転送方
式の固体撮像装置の断面図、第２図は本発明にかかる電
荷結合素子を組込んだ固体１最像装買の一態様を示１°
断面図、第３図は本発明にかかる電荷結合素子を組込ｌ
υだ固体Ｉｎ： ＷＡ装置の伯の−態様を示１′断面図
である。 ７・・・半導体基板 ８．１３・・・絶縁膜 ９・
・・転送電極 １０・・・電荷転送ヂＡ？ネル １
１・・・センサ １２・・・ポリシリコン層 １４
・・・光シールド 出願代理人 弁理士 菊池 五部
式の固体撮像装置の断面図、第２図は本発明にかかる電
荷結合素子を組込んだ固体１最像装買の一態様を示１°
断面図、第３図は本発明にかかる電荷結合素子を組込ｌ
υだ固体Ｉｎ： ＷＡ装置の伯の−態様を示１′断面図
である。 ７・・・半導体基板 ８．１３・・・絶縁膜 ９・
・・転送電極 １０・・・電荷転送ヂＡ？ネル １
１・・・センサ １２・・・ポリシリコン層 １４
・・・光シールド 出願代理人 弁理士 菊池 五部
Claims (3)
- （１）半導体基板と、前記半導体基板上に設置ノられた
絶縁膜と、前記半導体基板中に設けられた電荷転送チル
ネルと、前記電荷転送チャネルに隣接した隣接領域内に
電荷が流れ込むのを阻止づるための中間基板領域と、前
記絶縁膜を介して前記電荷転送チャネルおよび前記中間
基板領域の上に位＠す°るように互いに隣接して複数個
設けられた転送電極とを備えた電荷結合素子において、
前記中間基板領域の上であって、前記転送電極下の前記
絶縁膜中にチャネルストッパ部分を設け、しかもその厚
さを前記電荷転送チャネルと前記転送電極との間の絶縁
膜の厚さにり厚くしたことを特徴とりる電荷結合素子。 - （２）前記チャネルストッパ部分は、前記絶縁膜および
多結晶シリコン層からなることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載の電荷結合素子。 - （３）前記ヂＶネルストッパ部分は、前記絶縁膜からの
みなることを特徴とする特許請求の範１川第（１）項記
載の電荷結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100221A JPS59225561A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 電荷結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100221A JPS59225561A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 電荷結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225561A true JPS59225561A (ja) | 1984-12-18 |
Family
ID=14268240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58100221A Pending JPS59225561A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 電荷結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225561A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295918A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-12 | Nec Corp | Charge transfer device |
| JPS5430883A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Charge transfer type photo detector |
| JPS5635466A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nec Corp | Charge-coupled device |
| JPS56152267A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Toshiba Corp | Charge transfer device |
| JPS57120385A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-27 | Nec Corp | Image pick up solid element |
| JPS57150284A (en) * | 1982-02-15 | 1982-09-17 | Hitachi Ltd | Solid image pickup device |
| JPS5817784A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP58100221A patent/JPS59225561A/ja active Pending
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