JP3803924B2 - イメージセンサ - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、入射光量に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じて、その光電変換素子の寄生容量に電荷の蓄積を行ってセンサ信号を出力するセンサ回路を画素単位に用いたイメージセンサに係り、特に照明用光源のちらつきによるフリッカを抑制するようにしたイメージセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
【0003】
イメージセンサの画素単位に用いられる光センサ回路として、ダイナミックレンジを広げるべく、トランジスタのサブスレッショルド領域の特性を利用し、光検知時の入射光量に応じてフォトダイオードに流れるセンサ電流を弱反転状態で対数特性をもって電圧信号に変換するようにした対数出力型のイメージセンサが開発されている(特開平5−219443号公報、特開平7−46481号公報参照)。
【0004】
また、その対数変換特性をもった光センサ回路にあって、フォトダイオードの寄生容量の残留電荷に起因する残像を抑制するべく、光検知に先がけて対数変換用のトランジスタのドレイン電圧を定常よりも低い値に切り換えて電荷が残留している寄生容量を放電させて初期化する手段をとるようにしたものが開発されている(特開2000−329616公報参照)。
【0005】
このような入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じてその光電変換子の寄生容量に電荷の蓄積を行ってセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにあっては、蛍光灯などの照明用光源のちらつき(電源周波数に応じた点滅)に各画素が追従して反応してしまい、その撮影画像をビデオ表示する場合に、照明用光源のちらつきの周期とビデオ表示レートとの違いからフリッカを生じてしまう。
【0006】
その際、イメージセンサにおける各画素からそれぞれセンサ信号を読み出した時点での照明用光源の明るさが支配的となる。例えば、50Hzの商用電源で駆動している蛍光灯は、1/(2×50Hz)の周期で点滅している。一方、ビデオ表示レートは1フレームの周期で1/60Hzである。その蛍光灯のちらつきの周期とビデオレートの周期との最小公倍数0.05がフリッカの周期Tとなり、1/T=20Hzで画面に映し出される画像にフリッカが生じてしまう。
【0007】
このような入射光に応じて電荷の蓄積動作を行ってセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサでは、各画素の蓄積時間を揃えることで照明用光源のちらつきに起因するフリッカの影響を除去することが可能である。例えば、電子シャッタの場合、商用電源50Hzの光源に対して、電子シャッタの開放時間を1/100秒とすることで、蓄積電荷量を同じにして映像に生ずるフリッカを低減することができる。
【0008】
しかし、このような電子シャッタの制御手段をとるのでは、フリッカ抑制のための構成が複雑になってしまう。
【0009】
また、従来、固体撮像素子を用いたビデオカメラにあって、照明用光源のちらつきの周期、位相などを検出することによって照明用光源の情報を得て、その情報にもとづいて映像信号を補正することによってフリッカの発生を抑制するようにしている(特開平5−115024号公報、特開2001−86401号公報参照)。
【0010】
しかし、照明用光源のちらつき状態を検出し、その検出したちらつき状態の情報を用いてフリッカを抑制するように映像信号そのものを補正するのでは、そのための構成が複雑になってしまう。また、フリッカの抑制を充分に行わせるためには、その映像信号の補正手段が複雑なものになってしまう。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じてその光電変換素子の寄生容量に電荷の蓄積を行ってセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにあって、照明用光源のちらつきに起因して画面に映し出される撮影画像に生ずるフリッカを抑制するために、電子シャッタの制御手段を用いて各画素の蓄積時間を揃えるようにしたり、照明用光源のちらつき状態を検出して、その検出されたちらつき状態の情報を用いてフリッカを抑制するように映像信号を補正したりするのでは、フリッカ抑制のための構成が複雑になってしまうことである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、撮影時の入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じたセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、各画素の蓄積時間を揃えたり、映像信号そのものを補正したりするようなことなく、簡単にフリッカを抑制できるようにするべく、光センサ回路におけるセンサ信号出力用トランジスタのPN接合部に照明用光源からの光が入射することによって生ずる光電流を光検知信号として、その光検知信号の変化から照明用光源のちらつきの周期、位相を検出する手段と、その検出した照明用光源のちらつきの周期、位相から照明用光源の光が最も明るくなるタイミングをわり出して、そのタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出す手段とを設けるようにしている。
【0013】
【実施例】
図1は、本発明のイメージセンサにおける画素要素となる光センサ回路の基本的な構成を示している。
【0014】
その光センサ回路は、入射光Lsの光量に応じたセンサ電流を生ずるフォトダイオードPDと、そのフォトダイオードPDに流れるセンサ電流を弱反転状態で対数特性をもって電圧信号Vpdに変換するトランジスタQ1と、その変換された電圧信号Vpdをハイインピーダンスをもって増幅するトランジスタQ2と、画信号読出し信号Vsのパルスタイミングでもってセンサ信号Soを出力するトランジスタQ3とによって構成されている。図中、CはフォトダイオードPDの接合容量、配線容量などからなる寄生容量である。
【0015】
トランジスタQ1の対数動作としては、以下のとおりである。
【0016】
いま、トランジスタQ1のゲート電圧VGを一定に固定して、トランジスタQ1を弱反転状態で動作させると、入射光Lsによって生じた電荷がトランジスタQ1のサブスレッショルド領域でドレインDに排出されるため、図2に示すように、入射光量に応じたセンサ電流に対する電圧値に規定されたセンサ出力の関係が完全な対数出力特性を示すようになる。
【0017】
このようなものでは、入射光量が少ない場合、トランジスタQ1の抵抗値は対数的に上昇するために電荷の放電速度が遅くなり、残留電荷による容量性の残像が生じてしまう。その場合、暗い背景に動く輝点があると尾を引く現象が顕著となる。
【0018】
図2の特性にあって、Aは明から暗になったときに残像が生じやすい領域を示している。
【0019】
そこで、各光検知の周期ごとに、光検知に先がけて、トランジスタQ1のドレイン電圧VDを定常よりも低い値に一時的に切り換えて光電変換素子LEの寄生容量Cに電荷を注入させるようにすると、残留電荷の上に大量の新たな電荷が注入されることになる。
【0020】
そして、電荷が残留している寄生容量を放電させて初期化を行わせた後、ドレイン電圧VDをもとの定常値に戻すと、その時点から直ちに入射光Lsの光量に応じた電荷の蓄積が行われて、残像の発生が抑制されることになる。
【0021】
このような初期化手段をとる光センサ回路にあっては、図3に示すように、入射光量に応じて光電変換素子LEに流れるセンサ電流が多いときには対数出力特性を示すが、センサ電流が少ないときには光電変換素子LEの寄生容量Cの充電に応答遅れを生じてほぼ線形の非対数出力特性を示すようになっている。図中、WAは非対数応答領域を示し、WBは対数応答領域を示している。
【0022】
図3に示す特性にあって、入射光量の少ないWAの領域では対数特性が失われるが、残像が生ずることがなくなる。
【0023】
図4は、そのときの光センサ回路における各部信号のタイムチャートを示している。ここで、t1は初期化のタイミングを、t2は光検知のタイミングを示している。トランジスタQ1のドレイン電圧VDを定常値(ハイレベルH)から低い電圧(ローレベルL)に切り換える所定時間tmとしては、例えば1画素分の読出し速度が100nsec程度の場合に5μsec程度に設定される。図中、Tは光電変換素子LEの寄生容量Cの蓄積期間を示している。
【0024】
図5は、図2に示す完全対数出力特性をもった光センサ回路におけるセンサ電流に対するセンサ信号が収束するまでに必要な時間の特性を示している。
【0025】
この図5の特性からして、撮影時の照明光が明るくてフォトダイオードPDに流れるセンサ電流が多ければ、高速にセンサ信号を確立することができることがわかる。
【0026】
また、初期化手段をとる光センサ回路にあっても、図3に示す対数応答領域WBでは先のセンサ電流に対するセンサ信号の収束時間の関係が成り立つ。すなわち、撮影時の照明光が明るくてフォトダイオードPDに流れるセンサ電流が多ければ、高速にセンサ信号を確立することができるようになる。
【0027】
したがって、このような光センサ回路を画素に用いたイメージセンサによって、蛍光灯による照明用光源のもとで撮影を行うに際して、照明用光源がその電源周波数に応じて点滅しているときの最も明るいタイミングで各画素のセンサ信号をとり込むことにより、高速で画像を確立することが可能になり、フリッカの発生を有効に抑制することができる。
【0028】
図6は、光センサ回路を画素単位として、画素をマトリクス状に複数配設して、各画素のセンサ信号Soの時系列的な読出し走査を行わせるようにしたイメージセンサの構成例を示している。
【0029】
そのイメージセンサは、その基本的な構成が、例えば、D11〜D44からなる4×4の画素をマトリクス状に配設して、各1ライン分の画素列を画素列選択回路1から順次出力される選択信号LS1〜LS4によって選択し、その選択された画素列における各画素を、画素選択回路2から順次出力される選択信号DS1〜DS4によって制御スイッチ群3における各対応するスイッチSW1〜SW4が逐次オン状態にされることによって各画素のセンサ信号Soが時系列的に読み出されるようになっている。図中、4は各画素における前記トランジスタQ1のゲート電圧VG用電源であり、6はドレイン電圧VD用電源である。ここでは、出力側に基準抵抗Rを介してバイアス電圧Vbを印加することによって各画素のセンサ信号Soを電圧信号Voとしてとり出すようにしている。
【0030】
そして、このようなイメージセンサにあって、各1ライン分の画素列の選択に際して、その選択された画素列における各画素の前記トランジスタQ1のドレイン電圧VDを所定のタイミングをもって定常時のハイレベルHおよび初期化時のローレベルLに切り換える電圧切換回路5が設けられている。
【0031】
このように構成されたイメージセンサの動作について、図7に示す各部信号のタイムチャートとともに、以下説明をする。
【0032】
まず、画素列選択信号LS1がハイレベルHになると、それに対応するD11,D12,D13,D14からなる第1の画素列が選択される。そして、LS1がハイレベルHになっている一定期間T1のあいだ画素選択信号DS1〜DS4が順次ハイレベルHになって、各画素D11,D12,D13,D14のセンサ信号Voが順次読み出される。
【0033】
次いで、画素列選択信号LS1がローレベルLになった時点で次のLS2がハイレベルHになると、それに対応するD21,D22,D23,D24からなる第2の画素列が選択される。そして、LS2がハイレベルHになっている一定期間T1のあいだ画素選択信号DS1〜DS4が順次ハイレベルHになって、各画素D21,D22,D23,D24のセンサ信号Voが順次読み出される。
【0034】
以下同様に、画素列選択信号LS3およびLS4が連続的にハイレベルHになって各対応する第3および第4の画素列が順次選択され、LS3およびLS4がそれぞれハイレベルHになっている一定期間T1のあいだ画素選択信号DS1〜DS4が順次ハイレベルHになって、各画素D31,D32,D33,D34およびD41,D42,D43,D44のセンサ信号Voが順次読み出される。
【0035】
また、画素列選択信号LS1がT1期間後にローレベルLに立ち下がった時点で、そのとき選択されている第1の画素列における各画素D11,D12,D13,D14のドレイン電圧VD1をそれまでのハイレベルHからローレベルLに所定時間T2のあいだ切り換えることによって各画素の初期化が行われ、1サイクル期間T3の経過後に行われる次サイクルにおけるセンサ信号Voの読出しにそなえる。
【0036】
次いで、画素列選択信号LS2がT1期間後にローレベルLに立ち下がった時点で、そのとき選択されている第2の画素列における各画素D21,D22,D23,D24のドレイン電圧VD1をそれまでのハイレベルHからローレベルLに所定時間T2のあいだ切り換えることによって各画素の初期化が行われ、1サイクル期間T3の経過後に行われる次サイクルにおけるセンサ信号Voの読出しにそなえる。
【0037】
以下同様に、画素列選択信号LS3およびLS4がそれぞれT1期間後にローレベルLに立ち下がった時点で、そのとき選択されている第3および第4の画素列にそれぞれ対応するドレイン電圧VD3をローレベルLに切り換えて各画素の初期化が行われ、1サイクル期間T3の経過後に行われる次サイクルにおけるセンサ信号Voの読出しにそなえる。
【0038】
図中、T4は各画素からセンサ信号の読み出しを行わない入射光に応じた電荷の蓄積期間である。
【0039】
以上のような各部信号の発生のタイミングは、図示しないECUの制御下で画素列選択回路1、画素選択回路2および電圧切換回路6の駆動を行わせることによって決定されるようになっている。
【0040】
このように、各画素のセンサ信号Soの読出し走査に応じた適切なタイミングをもって各画素の初期化を行わせることによって、イメージセンサ全体としての蓄積時間の過不足を低減できるようになる。
【0041】
そして、残像がなく、ダイナミックレンジの広い対数出力特性をもったイメージセンサが実現できるようになる。
【0042】
図8は、本発明によるフリッカ抑制手段を講じたイメージセンサの一構成例を示している。
【0043】
ここでは、蛍光灯などの光源7によって照明されている被写体8を対物レンズ9を通してイメージセンサ本体10によって撮影するに際して、そのときの照明光を別途設けたレンズ11を通してフォトセンサ12によって検知し、その照明光の光量に応じた光検知信号を照明光ちらつき状態検出回路13に与えて、光源7のちらつきの周期、位相を検出する。その検出された光源7のちらつきの周期、位相のデータをイメージセンサ本体10の駆動制御を行うECU14に与えて、光源7による照明光が最も明るくなるタイミングをわり出す。そして、ECU14の制御下において、照明光が最も明るくなるタイミングをもって、イメージセンサ本体10から各画素のセンサ信号を読み出すようになっている。
【0044】
具体的には、ECU14によってイメージセンサ本体10における画素列選択回路1の駆動制御を行わせることになる。
【0045】
照明光が最も明るくなるタイミングをもってイメージセンサ本体10における各画素から読み出されるセンサ信号はビデオ表示レートと同期しているわけではなく、そのため各画素から読み出されるセンサ信号をいったんフレームメモリ15に格納したうえで、ビデオ表示レートに合せて読み出すことができるようにしている。
【0046】
具体的に、光源7が商用周波数50Hzで駆動されている場合には、イメージセンサ本体10における各画素のセンサ信号は10mSごとのタイミングで読み出されることになるため、ビデオ表示レート1/30(1/60)秒とは同期することができない。そのため、イメージセンサ本体10から読み出される各画素の画情報をいったんFIFO(First In First Out)メモリに格納したうえで、タイミングジェネレータからのビデオ表示レートに即した読出し信号に応じて画情報を読み出してビデオ装置側へ送出するようにする。
【0047】
また、図9は、本発明によるフリッカ抑制手段を講じたイメージセンサの他の構成例を示している。
【0048】
ここでは、特に、照明光の光検知系統のレンズを別途に設けることなく、対物レンズ9を通した光をハーフミラー16を介してフォトセンサ12に与えるようにしている。
【0049】
また、照明用光源からの光を検知するためのフォトセンサを別途設けることなく、イメージセンサにおける各画素の光センサ回路におけるMOS型のトランジスタQ1〜Q3のPN接合部が基本的にフォトダイオードと同等の特性を有することに着目して、撮影時の入射光による電荷の蓄積期間中(センサ信号の非出力時)にそのトランジスタのPN接合部に光が入射することによって生ずる光電流の変化から照明用光源のちらつきの周期、位相を検出するようにすることも可能である。
【0050】
図10は、光センサ回路におけるトランジスタQ1〜Q3のPN接合部が光検出用のフォトダイオードPD1〜PD5として機能するときの等価回路を示している。
【0051】
ここで、実際には、イメージセンサにおける各画素のトランジスタQ1〜Q3が誤動作しないように、フォトダイオードPDの部分以外に遮光を施すのが一般的である。しかし、その場合完全な遮光を施すことは困難であり、僅かながら光がフォトダイオードPDの部分以外に入射してしまう。
【0052】
このことは、インターライン方式のCCDカメラなどでは特に問題となるが、MOS型イメージセンサではフォトダイオードPDの部分以外に光が入射しても各画素のセンサ信号を読み出すのに問題はない。その際、光が弱ければ、トランジスタQ3は充分なオフ特性を維持することができる。
【0053】
また、標準のCMOSプロセスではCCDプロセスで用いるほどの遮光を施すことができない。したがって、CMOSプロセスにおいてフォトダイオードPDの部分以外に遮光を施してもそれが不完全となって、フォトダイオードPDの部分以外に僅かながら光が入射してしまうことになる。
【0054】
基本的に、フォトダイオードPD1〜PD5のうちの何れかに流れる光電流を検出すればよいが、その場合、特に図11に示すように、トランジスタQ3の出力側のPN接合部のフォトダイオードPD2を用いて光電流を検出するようにすれば、特にその光電流の検出回路を設けることなく、センサ信号Soの出力側にその光電流の検出信号をとり出すことができるようになる。そして、例えば、イメージセンサから時系列的に読み出される各画素の出力信号を読み取って量子化する画情報読取回路(図示せず)において、ECUの制御下で、トランジスタQ3のオフ期間中にフォトダイオードPD2に流れる光電流に応じた信号を読み取ることにより、光量や光の点滅周期などを検出することができるようになる。
【0055】
図12は、CMOSプロセスによって形成される光センサ回路におけるトランジスタQ1〜Q3およびフォトダイオードPD、PD2部分の構成を簡易的に示している。
【0056】
画素をm×nのマトリクス状に配設したイメージセンサにあって、全面に均一な光が入射している場合、ECUの制御下において、画素列選択回路1がどの画素列も選択しないようにしたうえで、画素選択回路2によって全てのラインの各画素におけるフォトダイオードPD2に流れる光電流に応じた信号を同時に出力させることにより、1画素の場合のm×n倍の大きさの信号をとり出すことができるようになる。
【0057】
また、センサ信号の出力時にトランジスタQ3がオン状態になると、フォトダイオードPDに流れる光電流に応じたセンサ信号にフォトダイオードPD2に流れる光電流に応じた信号が重畳されることになるが、トランジスタQ2で増幅されたセンサ信号が支配的となって、それに重畳されるフォトダイオードPD2に流れる光電流が微少となって各画素のセンサ信号に影響を与えることがない。
【0058】
照明光ちらつき状態検出回路13としては、例えば、照明用光源の光検知信号をしきい値を用いて2値化し、その2値化された光検知信号を周波数・電圧変換したうえでAD変換して照明用光源のちらつきの周期を検出し、そのちらつきの周波数と2値化された光検知信号の周波数とが最も一致する位相を検出するようにする。
【0059】
図13は、その場合における照明光ちらつき状態検出回路13の具体的な構成例を示している。
【0060】
ここでは、蛍光灯などの光源からの照明光を検知するフォトセンサ12の出力をバンドパスフィルタ131に通して必要な周波数成分を抽出する。実際の光源のちらつきは電源周波数の2倍であり、電源周波数が50Hzの場合にはバンドパスフィルタ131によって100Hzの帯域の信号を抽出することになる。
【0061】
次いで、そのパンドパスフィルタ131を通過した信号をコンパレータ132に与えて、そこで予め定められたしきい値をもって2値化する。そして、その2値化信号を周波数・電圧変換器133において電圧信号に変換したうえで、A・D変換器135においてデジタル変換する。それにより、光源のちらつきの周期(周波数)がデジタル的に得られる。
【0062】
その際、周波数・電圧変換器133とA・D変換器135との間にローパスフィルタ134を設けることによって、周波数の変動を吸収することができるようになる。さらに、A・D変換器135の出力をまるめ処理(四捨五入)することによって、光源のちらつきの周波数を限定できるようになる。
【0063】
次いで、そのデジタル値を位相比較回路136に与えて、そこでコンパレータ132によって2値化された信号のタイミングを調整すると、光源の明るさが最大となるタイミングを得ることができ、光源のちらつきの位相を検出できるようになる。その際、コンパレータ132の2値化出力には光源の光量変動によるノイズによるジッタが多分に含まれているため、タイミング調整部分では位相を比較することによって最も位相が揃うタイミングが採用される。
【0064】
図14は、そのときの照明光ちらつき状態検出回路13における各部信号のタイムチャートを示している。図中、(a)はフォトセンサ12の出力信号を、(b)はバンドパスフィルタ131の通過信号を、(c)はコンパレータ132の2値化信号を、(d)は光源のちらつきの周波数と位相の検出信号をそれぞれ示している。(b)中、SLはしきい値である。
【0065】
照明光ちらつき状態検出回路13をこのように構成することによって、ノイズが混入した信号から必要な信号を抽出するのと異なり、基準信号との一致を比較することになるので、外乱光に強い処理を行うことができるようになる。
【0066】
また、照明光ちらつき状態検出回路13として、照明用光源の光検知信号をAD変換したうえで周波数解析して照明用光源のちらつきの周期を検出し、その検出したちらつきの周期から帯域フィルタの通過周波数に設定して光検知信号のちらつき成分のみをとり出し、そのちらつき成分の信号と照明用光源のちらつきの周期とが最も一致する位相を検出するようにしてもよい。
【0065】
図15は、その場合における照明光ちらつき状態検出回路13の具体的な構成例を示している。
【0066】
ここでは、フォトセンサ12の出力信号をA・D変換器135によってデジタル信号に変換したうえで、その変換されたデジタル信号をFFT137に与えて周波数解析することによって、照明用光源の主要なちらつきの周波数を検出する。
【0067】
次いで、その検出したちらつき周波数をバンドパスフィルタ(デジタルフィルタ)138における通過周波数として設定して、照明用光源のちらつきの周波数成分のみをとり出す。そして、位相比較回路136において、バンドパスフィルタ138によってとり出したちらつき周波数の信号とFFT137から出力するちらつき周波数の信号とが最も一致する位相の検出を行う。そして、タイミング調整回路139において、位相比較回路136から与えられる位相の検出信号をロックタイミング情報として、FFT137からのちらつき周波数をもとにしてトリガのタイミングを調整して、照明用光源の明るさが最大となるタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出すためのトリガ信号として出力するようになっている。
【0068】
このように、本発明によれば、蛍光灯などの照明用光源のちらつきの周期および位相を検出して、その光源の光量が最大となる時点でイメージセンサおける各画素のセンサ信号の読出しの走査を高速で行わせるようにしており、そのイメージセンサによって撮影した画像をビデオ表示する際におけるフリッカの発生を有効に抑制できるようになる。
【0069】
そして、照明用光源の光量が最大となる時点で撮影画像を得るようにしているので、最も明るい画像を得ることができるようになる。
【0070】
なお、設定によっては、照明用光源の光量が最小となる時点でイメージセンサおける各画素のセンサ信号を読み出すようにしても、フリッカの発生を有効に抑制できるようになる。
【0071】
【効果】
以上、本発明は、撮影時の入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じたセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、その光センサ回路におけるセンサ信号出力用トランジスタのPN接合部に照明用光源からの光が入射することによって生ずる光電流を光検知信号として、その光検知信号の変化から照明用光源のちらつきの周期、位相を検出する手段と、その検出した照明用光源のちらつきの周期、位相から照明用光源の光が最も明るくなるタイミングをわり出して、そのタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出す手段とを設けるようにしたもので、各画素の蓄積時間を揃えたり、映像信号そのものを補正したりするようなことなく、イメージセンサによって撮影した画像をビデオ表示する際のフリッカの発生を簡単に、かつ有効に抑制できるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 イメージセンサにおける画素要素となる光センサ回路の基本的な回路構成を示す電気回路図である。
【図2】 完全対数出力特性をもった光センサ回路におけるフォトダイオードに流れるセンサ電流に対するセンサ信号の出力特性を示す図である。
【図3】 対数出力特性をもった光センサ回路において残像抑制のための初期化手段をとったときのフォトダイオードに流れるセンサ電流に対するセンサ信号の出力特性を示す図である。
【図4】 初期化手段をとる光センサ回路における各部信号のチイムチャートである。
【図5】 完全対数出力特性をもった光センサ回路におけるセンサ電流に対するセンサ信号が収束するまでに必要な時間の特性を示す図である。
【図6】 光センサ回路を画素単位に用いたイメージセンサの一構成例を示すブロック図である。
【図7】 図6に示すイメージセンサにおける各部信号のタイムチャートである。
【図8】 本発明によるフリッカ抑制手段を講じたイメージセンサの一構成例を示すブロック図である。
【図9】 本発明によるフリッカ抑制手段を講じたイメージセンサの他の構成例を示すブロック図である。
【図10】 光センサ回路における各トランジスタのPN接合部がフォトダイオードとして機能するときの等価回路を示す電気回路図である。
【図11】 光センサ回路における出力用トランジスタのPN接合部が光検出用のフォトダイオードとして機能するときの等価回路を示す電気回路図である。
【図12】 CMOSプロセスによって形成される光センサ回路における各トランジスタ部分の構成を簡略的に示す正断面図である。
【図13】 照明光ちらつき状態検出回路の具体的な一構成例を示すブロック図である。
【図14】 図13に示す照明光ちらつき状態検出回路における各部信号のタィムチャートである。
【図15】 照明光ちらつき状態検出回路の具体的な他の構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
Q1 対数特性変換用トランジスタ
Q2 増幅用トランジスタ
Q3 出力用トランジスタ
PD フォトダイオード(光電変換素子)
C 寄生容量
PD2 PN接合部の光検出用フォトダイオード
7 照明用光源
9 対物レンズ
10 イメージセンサ本体
11 レンズ
12 フォトセンサ
13 照明光ちらつき状態検出回路
15 フレームメモリ
16 ハーフミラー
Claims (3)
- 撮影時の入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じたセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、該光センサ回路におけるセンサ信号出力用トランジスタのPN接合部に照明用光源からの光が入射することによって生ずる光電流を光検知信号として、その光検知信号の変化から照明用光源のちらつきの周期、位相を検出する手段と、その検出した照明用光源のちらつきの周期、位相から照明用光源の光が最も明るくなるタイミングをわり出して、そのタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出す手段とを設けるようにしたことを特徴とするイメージセンサ。
- 撮影時の入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じたセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、照明用光源からの光をフォトセンサによって検知した後しきい値を用いて2値化し、その2値化された光検知信号を周波数・電圧変換したうえでAD変換して照明用光源のちらつきの周期を検出し、そのちらつきの周波数と2値化された光検知信号の周波数とが最も一致する位相を検出するようにする手段と、検出した照明用光源のちらつきの周期、位相から照明用光源の光が最も明るくなるタイミングをわり出して、そのタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出す手段とを設けるようにしたことを特徴とするイメージセンサ。
- 撮影時の入射光に応じて光電変換素子に流れる光電流に応じたセンサ信号を出力する光センサ回路を画素に用いたイメージセンサにおいて、照明用光源からの光をフォトセンサによって検知し、検知した光検知信号をAD変換したうえで周波数解析して照明用光源のちらつきの周波数を検出し、そのちらつきの周波数をバンドパスフィルタの通過周波数に設定して光検知信号のちらつき成分のみをとり出し、そのちらつき成分の信号と照明用光源のちらつきの周期とが最も一致する位相を検出するようにする手段と、検出した照明用光源のちらつきの周期、位相から照明用光源の光が最も明るくなるタイミングをわり出して、そのタイミングでイメージセンサにおける各画素のセンサ信号を読み出す手段とを設けるようにしたことを特徴とするイメージセンサ。
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