JP2006024787A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、前記受光部が半導体基板21に形成され、前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板21上に設けたSOI構造の半導体層20に形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
電荷読み出しトランジスタ104は、n+ソース・ドレイン領域133と、フォトダイオード103の表面側の高不純物濃度のn+領域135aと、両領域133及び135a間のp型半導体ウエル領域125上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極136とにより構成される。ここで、リセットトランジスタの一方のソース・ドレイン領域となるn+ソース・ドレイン領域133は、フローティング・ディフュージョン(FD)と呼ばれている。
アンプトランジスタ106は、n+ソース・ドレイン領域126及び127と、両領域126及び127間のp型半導体ウエル領域125上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極128とにより構成される。
垂直選択トランジスタ107は、n型ソース・ドレイン領域127及び129と、両領域127及び129間のp型半導体ウエル領域125上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極130とにより構成される。
リセットトランジスタは、図示せざるも同様に、対のソース・ドレイン領域と、その間のp型半導体ウエル領域125上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極とにより構成される。
また、各トランジスタはnチャネルMOSトランジスタで形成されるため、フローティング・ディフュージョン(FD)をリセットして信号電荷を読み出す間、電流が流れるため、画素数が増えると消費電力の点で無視できない問題となる。
前記アンプトランジスタは、p型チャネルトランジスタであることが好ましい。
前記半導体基板の裏面側から受光することが好ましい。
前記能力を必要とするトランジスタは、アンプトランジスタであることが好ましい。
前記アンプトランジスタは、p型チャネルトランジスタであることが好ましい。
前記半導体基板の裏面側から受光することが好ましい。
一方、単位画素を構成する複数のMOSトランジスタをpチャネルのトランジスタで形成した場合、リセット時にフローティング・ディフージョン(FD)の電位(電源電位Vdd)がアンプトランジスタのゲート電極に印加されても、pチャネルであるのでアンプトランジスタはオフ状態となる。
FD(Fully-depleted:完全空乏型)型のSOI基板を用いるトランジスタは、接合容量を大幅に低減することができ、またPD(partially-depleted:部分空乏型)型のSOI基板を用いるトランジスタは、接合(ジャンクション)容量の低減と、基板浮遊効果のためにサブスレッシュドホールド特性をよくすることができる。なお、サブスレッシュホールド特性がよいということは、具体的にはS-Factorを小さくすることができる。従って、受光部から読み出された信号のリニアリティがよくなり、信頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
そして、電荷読み出しトランジスタ4のゲート電極には垂直読み出しパルスφTGが印加され、リセットトランジスタ5のゲート電極にはリセットパルスφRが印加され、垂直選択トランジスタ7のゲート電極には垂直選択パルスφSELが印加される。
このCMOS型固体撮像装置11は、基板表面側から光Lが照射される表面照射型の固体撮像装置として構成される。
本実施の形態の固体撮像装置12においては、第1導電型、例えばn型半導体基板21に絶縁層22を介して第1導電型であるn型の半導体層23nを有してなる、いわゆるSOI基板40を用いて成る。SOI基板40では、その半導体層23n及び絶縁層22が一部選択的に除去され、表面の臨む半導体基板21にフォトダイオード3、nチャネル型の電荷読み出しトランジスタ4及びnチャネル型のリセットトランジスタ(図示せず)が形成され、除去されずに残った半導体層23nにpチャネル型のアンプトランジスタ6及び垂直選択トランジスタ7が形成される。
本実施の形態の固体撮像装置13においては、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板21上にSiGe層43及び第2導電型のp型シリコン半導体層44からなる歪みシリコン構造41を形成し、この歪みシリコン構造41を一部選択的に除去し、表面の臨む半導体基板21にフォトダイオード3、nチャネル型の電荷読み出しトランジスタ4及びnチャネル型のリセットトランジスタ(図示せず)を形成し、除去されずに残った歪みシリコン構造41のp型シリコン半導体層44pにnチャネル型のアンプトランジスタ6及び垂直選択トランジスタ7を形成して構成される。シリコン半導体層44pは下層のSiGe層43により歪みSi層となる。
その他の受光部のフォトダイオード3、読み出しトランジスタ4、画素分離領域24、各トランジスタ間の接続関係等は、図1と同一構成であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明は省略する。
なお、歪みシリコン構造のソース・ドレイン領域は、シリコン層44に形成したが、その他、シリコン層44から下層のSiGe層43に入り込むように形成するようにしても良い。
本実施の形態の固体撮像装置14においては、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板21上にSiGe層43及び第2導電型のn型シリコン半導体層44からなる歪みシリコン構造42を形成し、この歪みシリコン構造42を一部選択的に除去し、表面の臨む半導体基板21にフォトダイオード3、nチャネル型の電荷読み出しトランジスタ4及びnチャネル型のリセットトランジスタ(図示せず)を形成し、除去されずに残った歪みシリコン構造42のn型シリコン半導体層44nにpチャネル型のアンプトランジスタ6及び垂直選択トランジスタ7を形成して構成される。シリコン半導体層44nは下層のSiGe層43により歪みSi層となる。
その他の受光部のフォトダイオード3、読み出しトランジスタ4、画素分離領域24、各トランジスタ間の接続関係等は、図4と同一構成であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明は省略する。
なお、歪みシリコン構造のソース・ドレイン領域26,27,29は、シリコン層44に形成したが、その他、シリコン層44から下層のSiGe層43に入り込むように形成するようにしても良い。
このCMOS型固体撮像装置15は、基板裏面側から光Lが照射される裏面照射型の固体撮像装置として構成される。
本実施の形態の固体撮像装置17においては、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板61上にSiGe層83及び第2導電型のp型シリコン半導体層84からなる歪みシリコン構造81を形成し、この歪みシリコン構造81を一部選択的に除去し、表面の臨む半導体基板61にフォトダイオード53、nチャネル型の電荷読み出しトランジスタ54及びnチャネル型のリセットトランジスタ(図示せず)を形成し、除去されずに残った歪みシリコン構造81のp型シリコン半導体層84pにnチャネル型のアンプトランジスタ56及び垂直選択トランジスタ57を形成して構成される。シリコン半導体層84pは下層のSiGe層83により歪みSi層となる。さらに、後述で明らかとなるが、歪みシリコン構造81の表面上に層間絶縁膜77を介して多層配線が形成され、この多層配線層上に支持基板(図示せず)が接合される。そして、半導体基板61の裏面側がフォトダイオード(PD)53を露出するように研磨され薄膜化される。
その他の受光部のフォトダイオード53、読み出しトランジスタ54、画素分離領域64、各トランジスタ間の接続関係等は、図1と同一構成であるので、重複説明は省略する。
なお、歪みシリコン構造のソース・ドレイン領域は、シリコン層84に形成したが、その他、シリコン層84から下層のSiGe層83に入り込むように形成するようにしても良い。このCMOS型固体撮像装置17は、基板裏面側から光Lが照射される裏面照射型の固体撮像装置として構成される。
本実施の形態の固体撮像装置18においては、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板61上にSiGe層83及び第2導電型のn型シリコン半導体層84からなる歪みシリコン構造82を形成し、この歪みシリコン構造82を一部選択的に除去し、表面の臨む半導体基板61にフォトダイオード53、nチャネル型の電荷読み出しトランジスタ54及びnチャネル型のリセットトランジスタ(図示せず)を形成し、除去されずに残った歪みシリコン構造82のn型シリコン半導体層84nにpチャネル型のアンプトランジスタ56及び垂直選択トランジスタ57を形成して構成される。シリコン半導体層84nは下層のSiGe層83により歪みSi層となる。さらに、後述で明らかとなるが、歪みシリコン構造82の表面上に層間絶縁膜77を介して多層配線が形成され、この多層配線層上に支持基板(図示せず)が接合される。そして、半導体基板61の裏面側がフォトダイオード(PD)53を露出するように研磨され薄膜化される。
その他の受光部のフォトダイオード53、読み出しトランジスタ54、画素分離領域64、各トランジスタ間の接続関係等は、図8と同一構成であるので、重複説明は省略する。
なお、歪みシリコン構造のソース・ドレイン領域は、シリコン層84に形成したが、その他、シリコン層84から下層のSiGe層83に入り込むように形成するようにしても良い。このCMOS型固体撮像装置18は、基板裏面側から光Lが照射される裏面照射型の固体撮像装置として構成される。
先ず図10Aに示すように、第1導電型、本例ではn型半導体基板21上に絶縁層22とp型半導体層23pを積層したSOI基板20を用意する。このとき、SOI基板20は、貼り合わせ法やSIMOX法(Separation by IMplanted OXygen 法)で形成することができる。
先ず図12Aに示すように、シリコンの支持基板92上に第1の絶縁層(BOX酸化膜)91、第1導電型の例えばn型シリコン層(図1の半導体基板に相当する)61、第2の絶縁層(BOX酸化膜)62及びp型シリコン半導体層63pを積層したSOI基板60を用意する。このSOI基板60は、貼り合わせ法やSIMOX法で形成することができる。
さらに、受光部、読み出しトランジスタ76、リセットトランジスタをレジスト93で覆った後、除去されずに残ったp型半導体層63pにnチャネル型のアンプトランジスタ54及び垂直選択トランジスタ57を形成する。nチャネル型アンプトランジスタ56は、n型ソース・ドレイン領域66とn型ソース・ドレイン領域67とゲート電極68により形成する。nチャネル型の垂直選択トランジスタ57は、n型ソース・ドレイン領域67とn型ソース・ドレイン領域69とゲート電極70により形成する。
また、上述の固体撮像装置の製造方法は、SOI基板を用いて製造した場合であるが、SOI基板に変えて半導体基板上に歪みシリコン構造膜を形成した半導体基体を用い、上例と同様の工程を行うことにより、歪みシリコン構造にアンプトランジスタなどを形成した、表面照射型のCMOS固体撮像装置、あるいは裏面照射型のCMOS固体撮像装置を製造することができる。
また、本発明では、歪シリコン構造のトランジスタをSiGe基板を用いて形成したが、歪シリコンを形成することができれば、SiGe基板に限定するものではない。なお、本発明ではSOI基板を用いたトランジスタと歪シリコン基板を用いたトランジスタを別々に適用した例を示したが、同時に適用できることは言うまでもなお。例えば、本発明では、図1の絶縁層22上の半導体層23pを図8の歪みシリコン構造層81に置き換えて、この歪みシリコン構造層81を形成したトランジスタにも適用することができる。
Claims (14)
- 画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、
前記受光部が半導体基板に形成され、
前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板上に設けたSOI構造の半導体層に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、
前記受光部が半導体基板に形成され、
前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板上に設けた歪みシリコン構造の半導体層に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 受光部と複数のトランジスタで単位画素が形成され、
前記受光部が半導体基板に形成され、
前記トランジスタのうち、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板上に設けたSOI構造の半導体層に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記能力を必要とするトランジスタは、アンプトランジスタである
ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記アンプトランジスタは、p型チャネルトランジスタである
ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板の裏面側から受光する
ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。 - 受光部と複数のトランジスタで単位画素が形成され、
前記受光部が半導体基板に形成され、
前記トランジスタのうち、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板上に設けた歪みシリコン構造の半導体層に形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記歪みシリコン構造は、SiGe層とシリコン層からなる
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記能力を必要とするトランジスタは、アンプトランジスタである
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記アンプトランジスタは、p型チャネルトランジスタである
ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板の裏面側から受光する
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 半導体基板上に絶縁層を介して半導体層が形成されたSOI基板を形成する工程と、
前記半導体層及び前記絶縁層を選択的に除去した前記半導体基板の領域に、単位画素を構成する少なくとも受光部を形成する工程と、
除去されない前記半導体層に単位画素を構成する複数のトランジスタのうち、少なくとも前記受光部から読み出した信号を増幅するアンプトランジスタを形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に歪みシリコン構造の半導体層を形成する工程と、
前記歪みシリコン構造の半導体層を選択的に除去した前記半導体基板の領域に、単位画素を構成する少なくとも受光部を形成する工程と、
除去されない前記歪みシリコン構造の半導体層に単位画素を構成する複数のトランジスタのうち、少なくとも前記受光部から読み出した信号を増幅するアンプトランジスタを形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の表面上に第1絶縁層、第1の半導体層、第2絶縁層及び第2の半導体層が積層されたSOI基板を形成する工程と、
前記第2の半導体層及び第2絶縁層を選択的に除去した前記第1の半導体層の領域に、単位画素を構成する少なくとも受光部を形成する工程と、
除去されない前記第2の半導体層に単位画素を構成する複数のトランジスタのうち、少なくとも前記受光部から読み出した信号を増幅するアンプトランジスタを形成する工程と、
前記SOI基板の表面側に支持基板を接合し後、裏面側の半導体基板及び第1絶縁層を除去して受光部が形成された前記第1の半導体層の裏面を露出する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006024787A true JP2006024787A (ja) | 2006-01-26 |
JP4654623B2 JP4654623B2 (ja) | 2011-03-23 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP4654623B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008211220A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 背面照明構造のイメージセンサー及びそのイメージセンサーの製造方法 |
JP2010073808A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 照度センサおよびその製造方法 |
CN101826543A (zh) * | 2009-03-06 | 2010-09-08 | 索尼公司 | 固态图像拍摄设备及其制造方法 |
JP2011119441A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2011139069A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
US8071415B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-12-06 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
WO2013094430A1 (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
WO2013097660A1 (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 上海中科高等研究院 | 图像传感器及其制备方法 |
JP2014143447A (ja) * | 2014-04-30 | 2014-08-07 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2015095517A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 日本放送協会 | 積層型集積回路及びその製造方法 |
US9496311B2 (en) | 2013-11-01 | 2016-11-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10297624B2 (en) | 2017-06-06 | 2019-05-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2019091937A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2020262501A1 (ja) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
WO2023182517A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び固体撮像装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09252435A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH11112018A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Canon Inc | 固体撮像装置と信号検出装置と信号蓄積装置 |
JPH11284220A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-10-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Si/SiGe光電子集積回路および形成方法 |
JP2000277718A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置 |
JP2001332715A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2002124657A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Victor Co Of Japan Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP2002246580A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Sharp Corp | イメージセンサおよびその製造方法 |
WO2004008537A2 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Qinetiq Limited | Photodetector circuits |
JP2004512686A (ja) * | 2000-10-19 | 2004-04-22 | クォンタム セミコンダクター リミテッド ライアビリティ カンパニー | Cmosと一体化されたヘテロ接合ホトダイオードの製造方法 |
JP2004159155A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Rohm Co Ltd | エリアイメージセンサ |
-
2004
- 2004-07-08 JP JP2004202227A patent/JP4654623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09252435A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH11112018A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Canon Inc | 固体撮像装置と信号検出装置と信号蓄積装置 |
JPH11284220A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-10-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Si/SiGe光電子集積回路および形成方法 |
JP2000277718A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置 |
JP2001332715A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2002124657A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Victor Co Of Japan Ltd | Cmosイメージセンサ |
JP2004512686A (ja) * | 2000-10-19 | 2004-04-22 | クォンタム セミコンダクター リミテッド ライアビリティ カンパニー | Cmosと一体化されたヘテロ接合ホトダイオードの製造方法 |
JP2002246580A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Sharp Corp | イメージセンサおよびその製造方法 |
WO2004008537A2 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Qinetiq Limited | Photodetector circuits |
JP2004159155A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Rohm Co Ltd | エリアイメージセンサ |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8378402B2 (en) | 2007-02-26 | 2013-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensors including backside illumination structure and method of manufacturing image sensor |
JP2008211220A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 背面照明構造のイメージセンサー及びそのイメージセンサーの製造方法 |
JP2010073808A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 照度センサおよびその製造方法 |
CN101826543A (zh) * | 2009-03-06 | 2010-09-08 | 索尼公司 | 固态图像拍摄设备及其制造方法 |
CN101826543B (zh) * | 2009-03-06 | 2013-10-23 | 索尼公司 | 固态图像拍摄设备及其制造方法 |
US8071415B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-12-06 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
US9202830B2 (en) | 2009-12-03 | 2015-12-01 | Sony Corporation | Imaging element and camera system employing a high-concentration layer between a photodiode and an insulation layer, with the insulation layer being between the high-concentration layer and a well of an amplifying transistor |
JP2011119441A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP2011139069A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
JP2017120266A (ja) * | 2009-12-30 | 2017-07-06 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
WO2013094430A1 (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
US9912891B2 (en) | 2011-12-19 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US20140327059A1 (en) * | 2011-12-19 | 2014-11-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US11729530B2 (en) | 2011-12-19 | 2023-08-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
CN103959468A (zh) * | 2011-12-19 | 2014-07-30 | 索尼公司 | 固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备 |
US9363451B2 (en) * | 2011-12-19 | 2016-06-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US11343455B2 (en) | 2011-12-19 | 2022-05-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US11032504B2 (en) | 2011-12-19 | 2021-06-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9762832B2 (en) | 2011-12-19 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10645321B2 (en) | 2011-12-19 | 2020-05-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US10044962B2 (en) | 2011-12-19 | 2018-08-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
WO2013097660A1 (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 上海中科高等研究院 | 图像传感器及其制备方法 |
US9496311B2 (en) | 2013-11-01 | 2016-11-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2015095517A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 日本放送協会 | 積層型集積回路及びその製造方法 |
JP2014143447A (ja) * | 2014-04-30 | 2014-08-07 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US10297624B2 (en) | 2017-06-06 | 2019-05-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2019091937A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2020262501A1 (ja) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
WO2023182517A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4654623B2 (ja) | 2011-03-23 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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