JP2014143447A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法では、シリコン支持基板12と埋込み酸化膜層14とシリコン層16とが順次形成された半導体基板18が使用されている。半導体基板18には、まずフォトダイオード22、24が形成される。フォトダイオード22のN型ウェル36とフォトダイオード24のN型ウェル44とが同一工程により形成される。フォトダイオード22のP型ウェル38がN型ウェル36に形成される。フォトダイオード24のP型ウェル領域46は、P型ウェル38よりも浅い拡散深さでN型ウェル44に形成される。フォトダイオード22、24が形成された後に、制御回路用トランジスタ20が形成される。
【選択図】図1
Description
また、第2実施態様に係る半導体装置の製造方法では、第1実施態様に係る半導体装置の製造方法において、第1ウェル、第2ウェルを各々形成する工程は、アクティブ領域と受光素子領域との境界となる埋込み酸化膜層の側壁を位置決め基準とし、側壁に対して自己整合で第1領域、第2領域へ第2導電型の不純物を注入して第1ウェル、第2ウェルを各々形成する工程である。
更に、第3実施態様に係る半導体装置の製造方法では、第1又は第2実施態様に係る半導体装置の製造方法において、第1ウェル、第2ウェルを各々形成する工程は、第2導電型の不純物を同時に注入して第1ウェル、第2ウェルを各々形成する工程である。
また、第4実施態様に係る半導体装置の製造方法では、第1〜第3実施態様のいずれか1つに係る半導体装置の製造方法において、第4ウェルは、第3ウェルよりも浅い拡散深さで形成されている。
18 半導体基板
20 制御回路用トランジスタ(増幅素子)
22 フォトダイオード(受光素子)
24 フォトダイオード(受光素子)
30 アクティブ領域
36 N型ウェル(拡散層)
38 P型ウェル(拡散層)
44 N型ウェル(拡散層)
46 P型ウェル(拡散層)
Claims (4)
- 第1導電型のシリコン支持基板と埋込み酸化膜層とシリコン層とが順次形成された半導体基板において前記埋込み酸化膜層上の前記シリコン層を有するアクティブ領域と前記埋込み酸化膜層及び前記シリコン層が除去された前記シリコン支持基板の受光素子領域とを形成する工程と、
前記受光素子領域の第1領域、当該第1領域と異なる第2領域において、前記シリコン支持基板に第1導電型と反対の第2導電型の不純物を注入して第1ウェル、第2ウェルを各々形成する工程と、
前記第1ウェルに第1導電型の不純物を注入して第3ウェルを形成し、前記第1ウェル及び前記第3ウェルを有する第1受光素子を形成する工程と、
前記第2ウェルに第1導電型の不純物を注入して前記第3ウェルと異なる拡散深さを有する第4ウェルを形成し、前記第2ウェル及び前記第4ウェルを有する第2受光素子を形成する工程と、
前記第1受光素子及び前記第2受光素子を形成した後に、前記アクティブ領域の前記シリコン層に増幅素子を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1ウェル、前記第2ウェルを各々形成する工程は、前記アクティブ領域と前記受光素子領域との境界となる前記埋込み酸化膜層の側壁を位置決め基準とし、前記側壁に対して自己整合で前記第1領域、前記第2領域へ前記第2導電型の不純物を注入して前記第1ウェル、前記第2ウェルを各々形成する工程である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ウェル、前記第2ウェルを各々形成する工程は、前記第2導電型の不純物を同時に注入して前記第1ウェル、前記第2ウェルを各々形成する工程である請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4ウェルは、前記第3ウェルよりも浅い拡散深さで形成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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