JP5215887B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板に、第1受光素子を形成する工程と、
前記半導体基板に、第2受光素子を形成する工程と、
前記第1受光素子内に配設する引出し電極用の第1不純物拡散層と、前記第2受光素子内に配設する引出し電極用の第2不純物拡散層と、前記第1受光素子と前記第2受光素子とを分離するための分離層と、を同時に形成する工程と、
を有する
本実施形態に係る半導体装置101の製造方法では、まず、図2(A)に示すように、P型の半導体基板10として、例えば、シリコン支持基板11と埋め込みシリコン酸化膜層12とシリコン層13とが順次形成されたSOI(Silicon On Insulator)基板(SOIウェハ)を準備する。そして、図示しないが、例えば、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法により、各素子を形成するための素子分離層を形成する。
図11中の横軸はフォトダイオードPD−1とフォトダイオードPD−2に形成しているN型ウェル間に印加したバイアス条件で、縦軸はそのリーク電流値である。分離層(P+型不純物拡散層51)を形成していない場合は、図11中で「無し」と、分離層(P+型不純物拡散層51)を形成している場合は、図11中「有り」と表記している。分離層(P+型不純物拡散層51)を形成している場合は、形成していない場合と比較し、リーク電流値の増加を抑えていることがわかる。
11 シリコン支持基板
12 シリコン酸化膜層
13 シリコン層
13A フィールド酸化膜層
14 窒化膜層
15A フォトレジスト
15B フォトレジスト
15C フォトレジスト
15D フォトレジスト
15E フォトレジスト
16 酸化膜層
17 マスク酸化膜層
21 ソース領域
22 ドレイン領域
23 チャネル領域
23A アクティブ領域
23B P−型不純物拡散層
24 ゲート酸化膜
25 ゲート電極
26 サイドウォールスペーサ
27 シリサイド層
31 N型ウェル
32 P型ウェル
33 N+型不純物拡散層
34 N+型不純物拡散層
35 P+型不純物拡散層
41 N型ウェル
42 P型ウェル
44 N+型不純物拡散層
45 P+型不純物拡散層
51 P+型不純物拡散層(分離層)
61 層間絶縁膜
62 金属配線層
101 半導体装置
PD−1、PD−2 フォトダイオード
PD 照度センサー受光部
Tr 制御回路用トランジスタ
Claims (3)
- 半導体基板に、第1受光素子を形成する工程と、
前記半導体基板に、第2受光素子を形成する工程と、
前記第1受光素子内に配設する引出し電極用の第1不純物拡散層と、前記第2受光素子内に配設する引出し電極用の第2不純物拡散層と、前記第1受光素子と前記第2受光素子とを分離するための分離層と、を同時に形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1受光素子を形成する工程が、前記第1受光素子として、半導体基板に配設する第1導電型ウェルと、第1導電型ウェルに配設する第2導電型ウェルと、前記第2導電型ウェルに配設する第1導電型不純物拡散層と、を順次形成し、当該第2導電型ウェルと当該第1導電型不純物拡散層との境界面をPN接合部とするフォトダイオードを形成する工程であり、
前記第2受光素子を形成する工程が、第2受光素子として、半導体基板に配設する第1導電型ウェルと、第1導電型ウェルに配設する第2導電型ウェルと、を順次形成し、前記第1受光素子のPN接合部よりも深く位置する当該第1導電型ウェルと当該第2導電型ウェルとの境界面をPN接合部とするフォトダイオードを形成する工程である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1受光素子内に配設する引出し電極用の第1不純物拡散層を、前記第1受光素子の第2導電型ウェルに形成し、
前記第2受光素子内に配設する引出し電極用の第2不純物拡散層を、前記第2受光素子の第2導電型ウェルに形成する、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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