JP3329761B2 - 光センサ及びその製造方法 - Google Patents
光センサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体のPN接合
により光照射量に応じた光電流を発生させる方法（以
下、光電変換とする）により光強度を検出するセンサに
関するもので、検出対象からの散乱光あるいは反射光を
検出する用途、光ディスクのピックアップ用途、FAX、
イメージスキャナなどの画像読取り装置用途などに使わ
れる光センサに応用される。
により光照射量に応じた光電流を発生させる方法（以
下、光電変換とする）により光強度を検出するセンサに
関するもので、検出対象からの散乱光あるいは反射光を
検出する用途、光ディスクのピックアップ用途、FAX、
イメージスキャナなどの画像読取り装置用途などに使わ
れる光センサに応用される。
【０００２】
【従来の技術】光照射により電荷を発生させるPN接合領
域（以下、受光素子とする）による光電変換を行う方式
の光センサは、受光素子及び周辺回路の集積化が容易、
周辺回路となるMOSトランジスタを形成する製造プロセ
ス（CMOSプロセス）とのコンパチビリティが良いなど応
用範囲が広く有望な技術である。このような光センサIC
は、他の用途のIC同様に低価格化が望まれており、その
手段として製造ウエハの大口径化、ICサイズの低減、製
造プロセス工程の低減がある。
域（以下、受光素子とする）による光電変換を行う方式
の光センサは、受光素子及び周辺回路の集積化が容易、
周辺回路となるMOSトランジスタを形成する製造プロセ
ス（CMOSプロセス）とのコンパチビリティが良いなど応
用範囲が広く有望な技術である。このような光センサIC
は、他の用途のIC同様に低価格化が望まれており、その
手段として製造ウエハの大口径化、ICサイズの低減、製
造プロセス工程の低減がある。
【０００３】従来の光センサの製造プロセスを図９及び
図１０に示す。最初に、Ｎ型基板１のＮチャネルMOSト
ランジスタ２２のＰウエル５及びフォトトランジスタ２
１のベース４となる領域に、硼素を200keVの高エネルギ
ーでイオン注入する（図９(ａ)）。更に、Ｐウエル５と
ベース４の周辺に硼素を低エネルギーにてイオン注入し
て、Ｐフィールドドープ６を形成する（図９（ｂ）。Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ２３となる領域側のＰフィ
ールドドープ６の脇にリンを低エネルギーにてイオン注
入して、Ｎフィールドドープ２を形成する（図９
（ｃ）。 MOSトランジスタ及びフォトトランジスタの素
子分離領域を選択酸化して4000〜5000Åのフィールド酸
化膜３を形成する（図９(ｄ)）。
図１０に示す。最初に、Ｎ型基板１のＮチャネルMOSト
ランジスタ２２のＰウエル５及びフォトトランジスタ２
１のベース４となる領域に、硼素を200keVの高エネルギ
ーでイオン注入する（図９(ａ)）。更に、Ｐウエル５と
ベース４の周辺に硼素を低エネルギーにてイオン注入し
て、Ｐフィールドドープ６を形成する（図９（ｂ）。Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ２３となる領域側のＰフィ
ールドドープ６の脇にリンを低エネルギーにてイオン注
入して、Ｎフィールドドープ２を形成する（図９
（ｃ）。 MOSトランジスタ及びフォトトランジスタの素
子分離領域を選択酸化して4000〜5000Åのフィールド酸
化膜３を形成する（図９(ｄ)）。
【０００４】ゲート酸化膜７を形成し、その後ポリシリ
コンゲート８を形成する（図９(ｅ)）。フォトトランジ
スタ２１のエミッタ領域１７とNチャンネルMOSトランジ
スタ２２のソース９及びドレイン領域１０に、燐イオン
を注入してN型領域を形成する（図１０(ｆ)）。Pチャネ
ルMOSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領域
１２に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する（図
１０(ｇ)）。このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに
砒素イオンを注入しても良い。最後に、配線及びパッド
となるアルミ１３を形成し、保護膜１４又は層間絶縁膜
をつけて完成する（図１０(ｈ)）。
コンゲート８を形成する（図９(ｅ)）。フォトトランジ
スタ２１のエミッタ領域１７とNチャンネルMOSトランジ
スタ２２のソース９及びドレイン領域１０に、燐イオン
を注入してN型領域を形成する（図１０(ｆ)）。Pチャネ
ルMOSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領域
１２に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する（図
１０(ｇ)）。このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに
砒素イオンを注入しても良い。最後に、配線及びパッド
となるアルミ１３を形成し、保護膜１４又は層間絶縁膜
をつけて完成する（図１０(ｈ)）。
【０００５】以上説明した工程は、受光素子となるPN接
合領域をCMOSプロセスの中のウエル領域、あるいはアク
ティブ領域の形成と同時に行うことで、CMOSプロセス工
程と同等にすることで製造工程低減を図ってきた。
合領域をCMOSプロセスの中のウエル領域、あるいはアク
ティブ領域の形成と同時に行うことで、CMOSプロセス工
程と同等にすることで製造工程低減を図ってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、受光素子とそ
の素子分離領域の形成は、受光素子領域となるPN接合を
形成する工程を施した後に、受光素子領域の周辺部であ
るフィールド領域に受光素子領域よりも不純物濃度の高
い領域を形成するためのフォトリソグラフィ工程と不純
物注入工程を、受光素子領域形成とは別に施しているな
ど、製造工程簡素化に対して改善の余地が残っていた。
の素子分離領域の形成は、受光素子領域となるPN接合を
形成する工程を施した後に、受光素子領域の周辺部であ
るフィールド領域に受光素子領域よりも不純物濃度の高
い領域を形成するためのフォトリソグラフィ工程と不純
物注入工程を、受光素子領域形成とは別に施しているな
ど、製造工程簡素化に対して改善の余地が残っていた。
【０００７】本発明は、光センサの製造工程を簡素化す
ることにより、安価な光センサを提供することを目的と
する。
ることにより、安価な光センサを提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光センサは、受
光素子領域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に
形成することを特徴とする光センサである。従来、素子
分離は受光素子領域となるPN接合を形成する工程を施し
た後に、受光素子領域の周辺部であるフィールド領域に
受光素子領域よりも不純物濃度の高い領域を形成する工
程を別に施した後、フィールド領域に厚い酸化膜を形成
する工程を施して素子分離領域を形成していた。本発明
の光センサは、製造工程を簡素化するために、フィール
ド領域に厚い酸化膜を形成する工程を施した後に、受光
素子領域のPN接合領域と、フィールド領域の下の不純物
領域を同時に形成する工程を施すことを特徴とする。こ
のとき、フィールド酸化膜の膜厚よりも不純物イオンの
打ち込み位置が深くなるようなエネルギーで不純物イオ
ン注入を行うことで、受光素子領域のPN接合と、フィー
ルド領域の下の不純物領域の形成を同時に行うことを特
徴としている。
光素子領域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に
形成することを特徴とする光センサである。従来、素子
分離は受光素子領域となるPN接合を形成する工程を施し
た後に、受光素子領域の周辺部であるフィールド領域に
受光素子領域よりも不純物濃度の高い領域を形成する工
程を別に施した後、フィールド領域に厚い酸化膜を形成
する工程を施して素子分離領域を形成していた。本発明
の光センサは、製造工程を簡素化するために、フィール
ド領域に厚い酸化膜を形成する工程を施した後に、受光
素子領域のPN接合領域と、フィールド領域の下の不純物
領域を同時に形成する工程を施すことを特徴とする。こ
のとき、フィールド酸化膜の膜厚よりも不純物イオンの
打ち込み位置が深くなるようなエネルギーで不純物イオ
ン注入を行うことで、受光素子領域のPN接合と、フィー
ルド領域の下の不純物領域の形成を同時に行うことを特
徴としている。
【０００９】また、本発明の光センサICは、受光素子と
受光素子で発生した電荷の伝送、増幅あるいは、信号処
理を行うMOSトランジスタを集積した光センサICにおい
て、MOSトランジスタのウエル領域の形成とその素子分
離領域であるフィールド下の不純物領域形成をを同時に
行うことを特徴としている。このとき、 MOSトランジス
タのウエル領域の形成とその素子分離領域であるフィー
ルド下の不純物領域形成と同時に、受光素子領域のPN接
合と、その素子分離領域であるフィールド下の不純物領
域をも同時に形成することが可能である。
受光素子で発生した電荷の伝送、増幅あるいは、信号処
理を行うMOSトランジスタを集積した光センサICにおい
て、MOSトランジスタのウエル領域の形成とその素子分
離領域であるフィールド下の不純物領域形成をを同時に
行うことを特徴としている。このとき、 MOSトランジス
タのウエル領域の形成とその素子分離領域であるフィー
ルド下の不純物領域形成と同時に、受光素子領域のPN接
合と、その素子分離領域であるフィールド下の不純物領
域をも同時に形成することが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を以下に示
す。図１に示した第１の実施例（図７参照）は、受光素
子として６４個のフォトトランジスタ素子を１次元アレ
ィ状に配置したラインセンサICである。センサICは、受
光素子、それぞれの受光素子出力を共通信号ラインにつ
なげるMOSトランジスタスイッチ、受光素子の出力を増
幅する増幅器からなり、受光素子に照射されている光強
度を1素子目から順に64素子目まで出力する機能を有す
るものである。センサICの基本素子は、フォトトランジ
スタ２１とNチャンネルMOSトランジスタ２２及びPチャ
ンネルMOSトランジスタ２３である。シリコン基板に
は、N型シリコンを使っているため、フォトトランジス
タNPN型である。
す。図１に示した第１の実施例（図７参照）は、受光素
子として６４個のフォトトランジスタ素子を１次元アレ
ィ状に配置したラインセンサICである。センサICは、受
光素子、それぞれの受光素子出力を共通信号ラインにつ
なげるMOSトランジスタスイッチ、受光素子の出力を増
幅する増幅器からなり、受光素子に照射されている光強
度を1素子目から順に64素子目まで出力する機能を有す
るものである。センサICの基本素子は、フォトトランジ
スタ２１とNチャンネルMOSトランジスタ２２及びPチャ
ンネルMOSトランジスタ２３である。シリコン基板に
は、N型シリコンを使っているため、フォトトランジス
タNPN型である。
【００１１】センサICの製造工程を、図５及び図６に示
す。最初に、Ｎ型基板１のPチャネルMOSトランジスタ２
３の素子分離領域となる部分に燐イオンをＮフィールド
ドープ２として注入する（図５(a)）。MOSトランジスタ
及びフォトトランジスタの素子分離領域を選択酸化して
4000〜5000Åのフィールド酸化膜３を形成する（図５
(b)）。フォトトランジスタのベース領域４、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ２２のＰウエル領域５、及びそれら
の素子分離領域に（Ｐフィールドドープ６として）硼素
を200keVの高エネルギーでイオン注入する（図５
(ｃ)）。
す。最初に、Ｎ型基板１のPチャネルMOSトランジスタ２
３の素子分離領域となる部分に燐イオンをＮフィールド
ドープ２として注入する（図５(a)）。MOSトランジスタ
及びフォトトランジスタの素子分離領域を選択酸化して
4000〜5000Åのフィールド酸化膜３を形成する（図５
(b)）。フォトトランジスタのベース領域４、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ２２のＰウエル領域５、及びそれら
の素子分離領域に（Ｐフィールドドープ６として）硼素
を200keVの高エネルギーでイオン注入する（図５
(ｃ)）。
【００１２】ゲート酸化膜７を形成し、その後ポリシリ
コンゲート８を形成する（図５(d)）。フォトトランジ
スタ２１のエミッタ領域１７とNチャンネルMOSトランジ
スタ２２のソース９及びドレイン領域１０に、燐イオン
を注入してN型領域を形成する（図６(e)）。PチャネルM
OSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領域１２
に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する（図６
(f)）。このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに砒素
イオンを注入しても良い。最後に、配線及びパッドとな
るアルミ１３を形成し、保護膜１４又は層間絶縁膜をつ
けて完成する（図６(g)）。つまり、図１と図６（ｇ）
とは同じ物である。
コンゲート８を形成する（図５(d)）。フォトトランジ
スタ２１のエミッタ領域１７とNチャンネルMOSトランジ
スタ２２のソース９及びドレイン領域１０に、燐イオン
を注入してN型領域を形成する（図６(e)）。PチャネルM
OSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領域１２
に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する（図６
(f)）。このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに砒素
イオンを注入しても良い。最後に、配線及びパッドとな
るアルミ１３を形成し、保護膜１４又は層間絶縁膜をつ
けて完成する（図６(g)）。つまり、図１と図６（ｇ）
とは同じ物である。
【００１３】上記のセンサICの1素子分の出力特性を図
３に示す。これは、光源として緑色LEDを使用した場合
の特性である。図３から、光源の光強度に対して線形な
出力が得られていることがわかる。また、図４にはセン
サICの１素子分の出力の波長依存性を評価した結果を示
した。短波長になるに従って、センサの出力は低下して
いるが、従来の光センサに比べて改善されていることが
わかる。
３に示す。これは、光源として緑色LEDを使用した場合
の特性である。図３から、光源の光強度に対して線形な
出力が得られていることがわかる。また、図４にはセン
サICの１素子分の出力の波長依存性を評価した結果を示
した。短波長になるに従って、センサの出力は低下して
いるが、従来の光センサに比べて改善されていることが
わかる。
【００１４】本発明の第２の実施例を以下に示す。第２
の実施例（図７参照）は、受光素子として６４個のフォ
トダイオード素子を１次元アレィ状に配置したラインセ
ンサICを試作したものである。センサICは、受光素子64
素子分、64素子それぞれの出力を増幅する増幅器、64素
子それぞれの出力を共通信号ラインにつなげるMOSトラ
ンジスタスイッチ、共通信号ラインの出力を増幅する最
終増幅器からなり、受光素子に照射されている光強度を
1素子目から順に64素子目まで出力する機能を有するも
のである。センサICの基本素子は、フォトトダイオード
２１とNチャンネルMOSトランジスタ２２及びPチャンネ
ルMOSトランジスタ２３である。Ｎ型基板１には、N型シ
リコンを使っている。
の実施例（図７参照）は、受光素子として６４個のフォ
トダイオード素子を１次元アレィ状に配置したラインセ
ンサICを試作したものである。センサICは、受光素子64
素子分、64素子それぞれの出力を増幅する増幅器、64素
子それぞれの出力を共通信号ラインにつなげるMOSトラ
ンジスタスイッチ、共通信号ラインの出力を増幅する最
終増幅器からなり、受光素子に照射されている光強度を
1素子目から順に64素子目まで出力する機能を有するも
のである。センサICの基本素子は、フォトトダイオード
２１とNチャンネルMOSトランジスタ２２及びPチャンネ
ルMOSトランジスタ２３である。Ｎ型基板１には、N型シ
リコンを使っている。
【００１５】センサICの製造工程は、次の通りである。
最初に、PチャネルMOSトランジスタ２３の素子分離領域
となる部分に燐イオンをＮフィールドドープ２として注
入する。次に、MOSトランジスタ及びフォトトランジス
タの素子分離領域を選択酸化して4000〜5000Åのフィー
ルド酸化膜３を形成する。次に、フォトダイオー２４の
アノード領域１５、NチャンネルMOSトランジスタ２２の
Ｐウエル領域５、及びそれらの素子分離領域に（Ｐフィ
ールドドープ６として）硼素を200keVの高エネルギーで
イオン注入する。次に、ゲート酸化膜７を形成し、その
後ポリシリコンゲート８を形成する。次に、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ２２のソース９及びドレイン領域１
０に、燐イオンを注入してN型領域を形成し、 フォトダ
イオード２４のアノードコンタクト領域１６及びPチャ
ネルMOSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領
域１２に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する。
このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに砒素イオンを
注入しても良い。最後に、配線及びパッドとなるアルミ
１３を形成し、層間絶縁膜又は保護膜１４をつけて完成
する。
最初に、PチャネルMOSトランジスタ２３の素子分離領域
となる部分に燐イオンをＮフィールドドープ２として注
入する。次に、MOSトランジスタ及びフォトトランジス
タの素子分離領域を選択酸化して4000〜5000Åのフィー
ルド酸化膜３を形成する。次に、フォトダイオー２４の
アノード領域１５、NチャンネルMOSトランジスタ２２の
Ｐウエル領域５、及びそれらの素子分離領域に（Ｐフィ
ールドドープ６として）硼素を200keVの高エネルギーで
イオン注入する。次に、ゲート酸化膜７を形成し、その
後ポリシリコンゲート８を形成する。次に、Nチャンネ
ルMOSトランジスタ２２のソース９及びドレイン領域１
０に、燐イオンを注入してN型領域を形成し、 フォトダ
イオード２４のアノードコンタクト領域１６及びPチャ
ネルMOSトランジスタ２３のソース１１及びドレイン領
域１２に、硼素イオンを注入してP型領域を形成する。
このとき、Ｎ型領域は燐イオンの代わりに砒素イオンを
注入しても良い。最後に、配線及びパッドとなるアルミ
１３を形成し、層間絶縁膜又は保護膜１４をつけて完成
する。
【００１６】
【発明の効果】本発明の構成とすることで、受光素子領
域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に形成する
ことができ、光センサの製造工程を簡素化を実現し、よ
り安価な光センサの提供が可能となる。また、受光素子
領域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に形成す
ることにより、フィールドドープの不純物濃度を保つた
め、受光素子領域と素子分離のフィールドドープ領域形
成後の熱工程をできるだけ少なくする必要がある。した
がって、必然的に受光素子のPN接合は従来に比べて浅く
なる。受光素子における光電変換効率は、一般的に青色
〜紫色の短波長ほど低い。これは、短波長の光は受光素
子の表面で電荷を発生してしまうため、受光素子PN接合
が深いとPN接合に電荷が達する前に再結合して消失して
しまうためである。本発明の光センサは、前記の通り受
光素子のPN接合が従来に比べて浅くなるため、青色〜紫
色の短波長における感度が向上する効果がある。
域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に形成する
ことができ、光センサの製造工程を簡素化を実現し、よ
り安価な光センサの提供が可能となる。また、受光素子
領域と素子分離のフィールドドープ領域を同時に形成す
ることにより、フィールドドープの不純物濃度を保つた
め、受光素子領域と素子分離のフィールドドープ領域形
成後の熱工程をできるだけ少なくする必要がある。した
がって、必然的に受光素子のPN接合は従来に比べて浅く
なる。受光素子における光電変換効率は、一般的に青色
〜紫色の短波長ほど低い。これは、短波長の光は受光素
子の表面で電荷を発生してしまうため、受光素子PN接合
が深いとPN接合に電荷が達する前に再結合して消失して
しまうためである。本発明の光センサは、前記の通り受
光素子のPN接合が従来に比べて浅くなるため、青色〜紫
色の短波長における感度が向上する効果がある。
【図１】図１は、本発明の第１の実施例のラインセンサ
の断面図である。
の断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施例の光センサ断面
図でる。
図でる。
【図３】図３は、本発明の第１の実施例の光センサの出
力特性である。
力特性である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施例の光センサ出力
の分光特性である。
の分光特性である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施例の光センサの製
造工程断面図（I）である。
造工程断面図（I）である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施例の光センサの製
造工程断面図（II）である。
造工程断面図（II）である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施例の光センサICの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施例の光センサICの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図９】図９は、従来の光センサの製造工程断面図
（I）である。
（I）である。
【図１０】図１０は、従来の光センサの製造工程断面図
（II）である。
（II）である。
１ Ｎ型基板 ２ Ｎフィールドドープ ３ フィールド酸化膜 ４ ベース ５ Ｐウエル ６ Ｐフィールドドープ ７ ゲート酸化膜 ８ ポリシリコンゲート ９ NチャンネルMOSトランジスタ２２のソース １０ NチャンネルMOSトランジスタ２２のドレイン １１ ＰチャンネルMOSトランジスタ２３のソース １２ ＰチャンネルMOSトランジスタ２３のドレイン １３ アルミ １４ 保護膜 １５ フォトダイオードのアノード領域 １７ エミッタ領域 ２１ フォトトランジスタ ２２ Ｎチャンネルトランジスタ ２３ Ｐチャンネルトランジスタ ２４ フォトダイオード
Claims (6)
- 【請求項１】 PN接合により光電流を発生させる方式の
受光素子をもち、フィールド酸化膜によって受光素子間
を分離する構成の光センサの製造方法において、 前記フィールド酸化膜下のフィールドドープ領域と、前
記PN接合領域を同時に形成することを特徴とする光セン
サの製造方法。 - 【請求項２】 前記フィールド酸化膜下のフィールドド
ープ領域と、前記PN接合領域を、前記フィールド酸化膜
形成後に、前記フィールド酸化膜の膜厚よりも不純物の
打ち込み位置が深くなるエネルギー条件による不純物イ
オン注入法によって形成したことを特徴とする請求項１
記載の光センサの製造方法。 - 【請求項３】 PN接合により光電流を発生させるフォト
トランジスタ方式の受光素子をもち、フィールド酸化膜
によって受光素子間を分離する構成の光センサであり、
前記PN接合領域で発生した光電流の伝送、増幅あるい
は、信号処理を行うNMOSトランジスタとPMOSトランジス
タよりなるMOSトランジスタを前記PN接合領域の周辺に
配置した光センサにおいて、 前記フォトトランジスタのベース領域と、前記ベース領
域に隣接する第１のフィールドドープ領域と、前記NMOS
トランジスタまたは前記PMOSトランジスタ何れかのウェ
ル領域と、前記ウェル領域に隣接する第２のフィールド
ドープ領域とが同時に形成されたことを特徴とする光セ
ンサ。 - 【請求項４】 PN接合により光電流を発生させるフォト
トランジスタ方式の受光素子をもち、フィールド酸化膜
によって受光素子間を分離する構成の光センサであり、
前記PN接合領域で発生した光電流の伝送、増幅あるい
は、信号処理を行うNMOSトランジスタとPMOSトランジス
タからなるMOSトランジスタを前記PN接合領域の周辺に
配置した光センサの製造方法において、 前記フォトトランジスタのベース領域と、前記ベース領
域に隣接する第１のフィールドドープ領域と、前記NMOS
トランジスタまたは前記PMOSトランジスタ何れかのウェ
ル領域と、前記ウェル領域に隣接する第２のフィールド
ドープ領域とを同時に形成することを特徴とする光セン
サの製造方法。 - 【請求項５】 PN接合により光電流を発生させるフォト
ダイオード方式の受光素子をもち、フィールド酸化膜に
よって受光素子間を分離する構成の光センサであり、前
記PN接合領域で発生した光電流の伝送、増幅あるいは、
信号処理を行うNMOSトランジスタとPMOSトランジスタよ
りなるMOSトランジスタを前記PN接合領域の周辺に配置
した光センサにおいて、 前記フォトダイオードのアノード領域と、前記アノード
領域に隣接する第１のフィールドドープ領域と、前記NM
OSトランジスタのウェル領域と、前記ウェル領域に隣接
する第２のフィールドドープ領域とが同時に形成された
ことを特徴とする光センサ。 - 【請求項６】 PN接合により光電流を発生させるフォト
ダイオード方式の受光素子をもち、フィールド酸化膜に
よって受光素子間を分離する構成の光センサであり、前
記PN接合領域で発生した光電流の伝送、増幅あるいは、
信号処理を行うNMOSトランジスタとPMOSトランジスタか
らなるMOSトランジスタを前記PN接合領域の周辺に配置
した光センサの製造方法において、 前記フォトダイオードのアノード領域と、前記アノード
領域に隣接する第１のフィールドドープ領域と、前記NM
OSトランジスタのウェル領域と、前記ウェル領域に隣接
する第２のフィールドドープ領域とを同時に形成するこ
とを特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09358899A JP3329761B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 光センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09358899A JP3329761B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 光センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286406A JP2000286406A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3329761B2 true JP3329761B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=14086462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP5215887B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-06-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP09358899A patent/JP3329761B2/ja not_active Expired - Lifetime
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