KR20100052729A - 이미지 센서 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공한다. 이 센서는, 제1 도전형 반도체 기판의 상부에 형성된 게이트 패턴과, 게이트 패턴의 일측에서 반도체 기판에 형성된 제2 도전형 포토 다이오드 및 포토 다이오드의 표면에 형성되며, 임계값 이하의 두께를 갖는 제1 도전형 제1 확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다. 그러므로, 일반적인 경우보다 더 얇은 확산 영역을 형성할 수 있어, 포화 레벨을 개선시키고 포토 다이오드 영역이 상부까지 최대한 형성되도록 하여 단파장(blue) 특성을 개선시킬 수 있는 효과를 갖는다.
이미지 센서, 포토 다이오드, 확산 영역

Description

이미지 센서 및 그의 제조 방법{Image sensor and method for manufacturing the sensor}
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 이미지 센서(image sensor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이미지 센서 중에서 전하 결합소자(CCD:charge coupled device)는 개개의 모스(MOS:metal-oxide-silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어(carrier)가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 씨모스(CMOS:complementary MOS) 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭(switching) 방식을 채용하는 소자이다. 예컨대, CMOS 이미지 센서에서, 입사된 빛은 마이크로 렌즈(미도시)와 컬러 필터(미도시)를 경유하여 포토 다이오드(미도시)에 도달하게 된다. 따라서, 빛 에너지가 실리콘 내부에 전자와 홀을 생성시키고 이때 발생되는 전자를 전압으로 변환하여 읽어내고 이것이 영상으로 구현된다.
잘 알려진 바와 같이, 핀드 포토다이오드(pinned photodiode)는 CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서에서 외부로부터의 빛을 감지하여 광전하를 생성하고, 기판 내부에서 매립된 PNP 또는 NPN 접합(junction) 구조를 가지고 있어 베리드 포토 다이오드(buried photodiode)라 불리기도 한다.
이하, 일반적인 씨모스 이미지 센서에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, P+형 반도체 기판(10) 상에 P-형 에피층(12)이 형성되어 있다. 공지의 방법으로 소자분리막(14)을 형성하고, 게이트 절연막(18) 및 게이트 전극(16)을 형성한다. 게이트 패턴(20)의 상부에는 게이트 패터닝시 난방사 방지를 위한 무반사 코팅층(미도시)이 형성될 수 있으며, 도면에 도시된 게이트 전극(16)은 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor)의 게이트이며, 그 외에도 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터의 각 게이트 패턴이 형성된다.
불순물을 이온 주입에 의해, 포토 다이오드에 해당하는 N-형 확산영역(22)이 형성되어 있다. 이어서, CMOS 트랜지스터들의 소오스/드레인 형성을 위한 일련의 이온주입을 실시한다. 즉, 먼저 저농도 이온주입을 실시하고 게이트 패턴(20)의 측벽에 산화막 스페이서(26)를 형성한 다음, 고농도 이온주입을 실시한다. 트랜스퍼 트랜지스터의 플로팅 확산(FD:Floating Diffusion) 영역(28)에 고농도 이온주입만이 진행되도록 하여 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(16)과 FD(28) 간의 오버랩 커패시턴스를 감소시킨다. 이후, 포토다이오드(22)가 형성된 활성 영역이 노출되도 록 마스크 패턴(미도시)을 형성한다. 그런 다음, 마스크 패턴을 이온 주입 마스크로서 이용하여 활성 영역에 이온주입하여 Po형 확산영역(24)이 형성된다.
전술한 일반적인 이미지 센서는 포토 다이오드(22)의 표면 상부에 형성되는 Po형 확산 영역(24)의 Rp는 임플란트(implant) 장비의 한계에 따라 결정된다. 여기서, Rp는 불순물 이온이 주입된 영역(24)에서 농도가 가장 높은 지점의 깊이를 의미한다. 일반적으로 후속 열 공정 까지 진행 할 경우, Rp는 0.1㎛ 수준이 된다. 이로 인하여, Po 확산 영역(24)은 포토 다이오드(22)의 N- 영역을 침범하여 포화 레벨(saturation level)을 감소시킬 뿐만 아니라 표면에서 전자를 생성시키는 단파장(blue)의 특성을 저하시키는 문제점이 있다
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토 다이오드의 상부에 형성되는 확산 영역을 일반적인 이미지 센서의 확산 영역보다 더 얇게 형성할 수 있어, 포화 레벨을 개선시키고 단파장 특성을 개선시킬 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서는, 제1 도전형 반도체 기판의 상부에 형성된 게이트 패턴과, 상기 게이트 패턴의 일측에서 상기 반도체 기판에 형성된 제2 도전형 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드의 표면에 형성되며, 임계값 이하의 두께를 갖는 제1 도전형 제1 확산 영역으로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 다른 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조 방법은, 제1 도전형 반도체 기판의 상부에 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트 패턴을 마스크로 이용하여 제2 도전형 포토 다이오드를 형성하는 단계와, 게이트 패턴과 포토 다이오드를 포함하여 반도체 기판의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 절연막의 상부에 상기 포토 다이오드의 상부에 절연막의 부분을 오픈하는 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 이온 주입 마스크로서 이용하여 제1 도전형 불순물 이온을 상기 포토 다이오드에 주입하여 제1 도전형 제1 확산 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 이미지 센서 및 그의 제조 방법은 스페이서를 형성하는 공정중에서, 포토 다이오드를 스페이서용 물질이 덮고 있을 때, 이온 주입 공정을 수행하여 포토 다이오드의 표면에 확산 영역을 형성하기 때문에, 일반적인 경우보다 더 얇은 확산 영역을 형성할 수 있어, 포화 레벨을 개선시키고 포토 다이오드 영역이 상부까지 최대한 형성되도록 하여 단파장(blue) 특성을 개선시킬 수 있는 효과를 갖는다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서를 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃(layout)을 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 단위 화소(30)는 소자 분리막이 형성된 소자 분리 영역에 의해 정의되는 액티브 영역(active area)을 포함한다. 트랜스퍼(transfer) 트랜지스터(40)의 게이트 전극(42), 리셋(reset) 트랜지스터(50)의 게이트 전극(52), 드라이브(drive) 트랜지스터(60)의 게이트 전극(62), 셀렉트(select) 트랜지스터(70)의 게이트 전극(72)은 각각 액티브 영역의 상부를 가로지르는 형태로 배치된다. 참조부호 FD와 PD는 각각 플로팅 확산 영역과 포토다이오드 부분을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서의 단면도로서, 도 2의 A-A 선을 따라 절단하여 단위 화소의 포토다이오드 부분 및 트랜스퍼 트랜지스터를 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 레이 아웃은 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시적인 도면으로서, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 고농도의 제1 도전형 반도체 기판(100)에 저농도의 제1 도전형의 에피층(102)이 형성되어 있다. 반도체 기판(100)의 활성 영역을 정의하기 위해 반도체 기판(100)의 소자 분리 영역을 위한 에피층(102) 부분에 소자 분리막(104)이 형성되어 있다.
이때, 트랜스퍼 트랜지스터(40)를 위한 에피층(102)의 상부에 게이트 패턴(110)이 형성되어 있다. 게이트 패턴(110)은 게이트 전극(106)과 게이트 절연막(108)을 포함한다. 게이트 전극(106)용 도전막으로는 도핑된 폴리실리콘막 또는 여러 종류의 실리사이드막 예를 들면, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 탄탈룸 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 등 중에서 어느 하나 이상의 막을 사용할 수 있다.
게이트 패턴(110)의 측부에 스페이서(130)가 더 형성되어 있다.
제2 도전형 포토 다이오드(112)는 게이트 패턴(110)의 일측에서 반도체 기판(100)의 에피층(102) 내부에 형성되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1 도전형 제1 확산 영역(114)이 포토 다이오드(112)의 표면에 형성되어 있다. 제1 도전형 제1 확산 영역(114)은 임계값 이하의 두께를 갖는다. 본 발명에 의하면, 임계값은 0.02㎛ 내지 0.1㎛일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 제1 도전형 제1 확산 영역(114)에 부가하여, 제1 도전형 제2 확산 영역(116)이 제1 확산 영역(114)에 접하여 포토 다이오드(112)의 표면에 형성되어 있다. 여기서, 제2 확산 영역(116)의 폭은 제1 확산 영역(114)의 폭보다 더 크다.
도 3에 도시된 제2 확산 영역(116)이 제1 확산 영역(114)보다 더 깊이 형성되어 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 즉, 제2 확산 영역(116)의 깊이(d2)는 제1 확산 영역(114)의 깊이(d1)보다 적을 수도 있고, 동일할 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서의 제조 방법을 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 4a 내지 도 4d들은 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서의 제조 방법에 의한 공정 단면도들을 나타낸다.
도 4a를 참조하면, 고농도의 제1 도전형 반도체 기판(100)에 저농도의 제1 도전형 에피층(102)을 형성한다.
이후, 제1 도전형 반도체 기판(100)의 소자 분리 영역을 위한 에피층(102) 부분에 활성 영역과 소자 분리 영역을 정의하는 소자 분리막(104)을 형성한다. 여기서, 소자 분리막(104)은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 의해 형성된 것으로 도시되어 있지만, LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 공정 등에 의해서도 형성될 수 있다. 소자 분리막(104)을 형성하는 공정은 일반적이므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
이후, 제1 도전형 반도체 기판(100)의 에피층(102)의 상부에 활성 영역에 트랜스퍼 트랜지스터(40)를 위한 게이트 패턴(110)을 형성한다. 예를 들어, 기판(100)의 상부에 게이트 절연층(미도시)와 폴리 실리콘층(미도시)을 증착하여 형성하고, 사진 및 식각 공정에 의해 게이트 절연층과 폴리 실리콘층을 패터닝하여 게이트 절연막(108)과 게이트 전극(106)을 각각 형성할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 리셋 트렌지스터(50), 드라이브 트랜지스터(60) 및 셀렉트 트랜지스터(70)의 게이트 패턴들도 함께 형성된다.
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(110)과 별도의 이온 주입 마스크(미도시)를 이용하여, 제2 도전형 불순물 이온을 주입하여 제2 도전형 포토 다이오드(112)를 형성한다. 이온 주입 마스크는 포토 다이오드(112)가 형성될 영역을 오픈한 형태를 갖는다.
이후, 고농도 이온 주입을 수행하여 폴로팅 확산 영역(FD)(120)을 게이트 패턴(110)의 일측에 형성한다.
이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(110)과 포토 다이오드(112)를 포함하여 제1 도전형 반도체 기판(100)의 상부 전면에 절연막(130A)을 형성한다. 절연막(130A)은 산화막일 수 있으며, 500Å 내지 1500Å의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 의하면, 절연막(130A)의 상부에 포토 다이오드(112)가 형성된 부분을 오픈하는 제1 포토 레지스트 패턴(140)을 형성한다. 이후, 제1 포토 레지스트 패턴(140)을 이온 주입 마스크로서 이용하여, 제1 도전형 불순물 이온을 포토 다이오드(112)에 주입(150)하여 제1 도전형 제1 확산 영역(114)을 형성 한다. 예를 들어, 제1 도전형 제1 확산 영역(114)을 형성하기 위해 주입되는 불순물 이온은 보론(Boron)이고, 절연막(130A)의 두께는 500Å 내지 1500Å이고, 주입(150)하는 에너지는 10KeV 내지 50KeV일 수 있다. 여기서, 본 발명에 의하면, 제1 확산 영역(114)을 형성하기 위한 이온 주입 공정에서 절연막(130A)은 포토 다이오드(112)의 표면에 주입되는 이온을 어느 정도 차폐(screening)시킴을 알 수 있다. 따라서, 일반적인 경우보다 더 얇은 두께(d3)로 제1 확산 영역(114)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 본원 발명에서 형성된 제1 확산 영역(114)의 Rp는 0.02㎛ 내지 0.1㎛이하 일 수 있다.
여기서, 절연막(130A)의 두께가 너무 두꺼울 경우, 제1 확산 영역(114)이 너무 얇게 형성될 수도 있어, 이온 주입(150)의 에너지를 높여서 Rp를 조절할 수 있다.
그러나, 에너지를 높이는 대신에, 본 발명의 제2 실시예에 의하면, 제1 포토 레지스트 패턴(140)을 절연막(130A)의 상부에 형성하기 이전에, 절연막(130A)을 블랭킷(blanket) 식각하여 절연막(130A)의 두께를 감소시킨 이후, 제1 포토 레지스트 패턴(140)을 절연막(130A)의 상부에 형성할 수도 있다. 예를 들어, 블랭킷 식각에 의해 절연막(130A)의 두께는 30% 내지 70% 만큼 감소될 수 있다. 이후, 제1 포토 레지스트 패턴(130A)을 이온 주입 마스크로서 이용하여, 제1 도전형 불순물 이온을 포토 다이오드(112)에 주입하여 제1 도전형 제1 확산 영역(114)을 형성한다.
전술한 제1 또는 제2 실시예를 수행한 후, 도 4c에 도시된 제1 포토 레지스트 패턴(140)을 애싱 및 스트립 공정을 통해 제거한다. 이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 절연막(130A)을 블랭킷 식각하여 절연막(130A)의 두께를 감소시킨다. 예를 들어, 블랭킷 식각에 의해 절연막(130A)의 두께는 30% 내지 70% 만큼 감소될 수 있다.
이하, 전술한 제1 실시예를 기준으로 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조 방법의 후속 공정들을 설명하지만 전술한 제2 실시예의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 식각된 절연막(130B)의 상부에 포토 다이오드(112)가 형성된 부분을 오픈하는 제2 포토 레지스트 패턴(160)을 형성한다. 이후, 제2 포토 레지스트 패턴(160)을 이온 주입 마스크로서 이용하여 제1 도전형 불순물 이온을 포토 다이오드(112)에 주입(170)하여 제1 도전형 제2 확산 영역(116)을 형성한다. 따라서, 절연막(130A)을 블랭킷 식각한 후에 이온 주입에 의해 형성된 제2 확산 영역(116)의 폭은 블랭킷 식각을 수행하기 이전에 이온 주입에 의해 형성된 제1 확산 영역(114)의 폭 보다 폭(ΔW)만큼 넓다.
여기서, 절연막(130A)의 두께가 감소된 만큼(d3-d4), 제1 도전형 제2 확산 영역(116)을 형성하기 위해 불순물 이온을 주입(170)하는 에너지는 제1 도전형 제1 확산 영역(114)을 형성하기 위해 불순물 이온을 주입(150)하는 에너지보다 적을 수 있다. 왜냐하면, 이온 주입에서 차폐 기능을 하는 절연막(130B)의 두께가 더 줄어들었기 때문이다. 예를 들어, 절연막(130A)의 두께를 줄이기 이전에, 제1 도전형 제1 확산 영역(114)을 형성하기 위해 불순물 이온을 주입하는 에너지가 10KeV 내지 50KeV일 경우, 이 에너지 보다 적은 에너지로 불순물 이온을 주입(170)할 수 있다.
전술한 제1 또는 제2 확산 영역(114 또는 116)을 형성한 이후, 제1 또는 제2 포토 레지스트 패턴(140 또는 160)을 제거한 다음, 약 900℃에서 20분 동안 질소 분위기에 열처리함으로써, 도펀트들을 확산시킬 수 있다.
이후, 제2 포토 레지스트 패턴(160)을 제거한 후, 절연막(130B)을 블랭킷 식각하여 스페이서(130)를 완성한다. 이때, 식각에 의해 절연막(130B)의 두께가 얇아졌으므로 이차적으로 절연막(130B)의 상부에 절연막(미도시)을 다시 형성한 후, 블랭킷 식각에 의해 스페이서(130)를 완성할 수도 있다.
전술한 본 발명에 의한 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 의하면, 포토 다이오드(112)의 상부 표면에 제1 도전형 도핑 프로파일이 제1 및 제2 확산 영역들(114 및 116)에 의해 단계적으로 형성됨을 알 수 있다.
결국, 도 3에 도시된 제1 도전형 제1 및 제2 확산 영역들(118)은 도 1에 도시된 확산 영역(24)의 깊이보다 더 얇은 깊이를 갖는다. 왜냐하면, 제1 및 제2 확산 영역(114 및 116)을 형성할 때 절연막(130A 및 130B)이 이온 주입의 차폐 역할을 하기 때문이다.
이상의 설명에서 설명되지 않은 이미지 센서의 타 부분들은 널리 알려진 사항들이므로 이들에 대한 형성 과정의 설명은 생략한다. 또한, 전술한 제1 도전형은 P형이고, 제2 도전형은 N형일 수 있으며 그 반대일 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소의 레이 아웃(layout)을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d들은 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서의 제조 방법에 의한 공정 단면도들을 나타낸다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 반도체 기판 102 : 에피층
104 : 소자 분리막 110 : 게이트 패턴
112 : 포토 다이오드 120 : 플로팅 확산 영역
130 : 스페이서

Claims (12)

  1. 제1 도전형 반도체 기판의 상부에 형성된 게이트 패턴;
    상기 게이트 패턴의 일측에서 상기 반도체 기판에 형성된 제2 도전형 포토 다이오드; 및
    상기 포토 다이오드의 표면에 형성되며, 임계값 이하의 두께를 갖는 제1 도전형 제1 확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 임계값은 0.02㎛ 내지 0.1㎛인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 이미지 센서는
    상기 반도체 기판에 형성되어 활성 영역을 정의하는 소자 분리막; 및
    상기 게이트 패턴의 측부에 형성되는 스페이서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 이미지 센서는
    상기 제1 확산 영역보다 더 큰 폭을 가지며, 상기 제1 확산 영역에 접하여 상기 포토 다이오드의 표면에 형성된 제1 도전형 제2 확산 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제1 도전형 반도체 기판의 상부에 게이트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2 도전형 포토 다이오드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 패턴과 상기 포토 다이오드를 포함하여 상기 반도체 기판의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막의 상부에 상기 포토 다이오드의 상부에 절연막의 부분을 오픈하는 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토 레지스트 패턴을 이온 주입 마스크로서 이용하여 제1 도전형 불순물 이온을 상기 포토 다이오드에 주입하여 제1 도전형 제1 확산 영역을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 이미지 센서의 제조 방법은
    상기 절연막을 블랭킷 식각하여 상기 절연막의 두께를 감소시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 절연막을 블랭킷 식각하는 단계는 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하기 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 이미지 센서의 제조 방법은
    상기 절연막을 블랭킷 식각한 이후에, 상기 식각된 상기 절연막의 상부에 상기 포토 다이오드가 형성된 부분을 오픈하는 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이온 주입 마스크로서 이용하여 제1 도전형 불순물 이온을 상기 포토 다이오드에 주입하여 제1 도전형 제2 확산 영역을 형성하는 단계를 더 구비하고,
    상기 절연막을 블랭킷 식각하는 단계는 상기 제1 도전형 제1 확산 영역을 형성한 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  9. 제6 항에 있어서, 상기 절연막의 두께는 30% 내지 70% 만큼 감소되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  10. 제5 항 또는 제8 항에 있어서, 상기 제1 도전형 제1 확산 영역을 형성하기 위해 상기 불순물 이온을 주입하는 에너지는 10KeV 내지 50KeV인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 절연막의 두께가 감소된 만큼, 상기 제1 도전형 제1 확산 영역을 형성하기 위해 상기 불순물 이온을 주입하는 에너지는 상기 제1 도전형 제2 확산 영역을 형성하기 위해 상기 불순물 이온을 주입하는 에너지보다 적은 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  12. 제8 항에 있어서, 상기 제2 확산 영역의 폭은 상기 제1 확산 영역의 폭 보다 넓은 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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