JP2001244445A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
光半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2001244445A JP2001244445A JP2000050664A JP2000050664A JP2001244445A JP 2001244445 A JP2001244445 A JP 2001244445A JP 2000050664 A JP2000050664 A JP 2000050664A JP 2000050664 A JP2000050664 A JP 2000050664A JP 2001244445 A JP2001244445 A JP 2001244445A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体装置及びその製造方法に関し、ｐｎ
接合フォト・ダイオードなどの光半導体装置を製造する
際のマスク数を減少させ、また、製造工程数を減少させ
ようとする。 【解決手段】 ｐ型半導体２１上が表面保護膜２２覆わ
れ、表面保護膜２２上にｎ型不純物を導入する為の開口
２３Ａ及び同じくｎ型不純物を導入する為の開口２３Ｂ
をもつ配線電極２３が積層形成され、開口２３Ａから導
入された硼素で構成されたｎ型不純物領域２４並びに開
口２３Ｂから導入された硼素で構成されたｎ型不純物領
域２５が設けられ、表面保護膜２２上にｎ型不純物領域
２４にコンタクトするオーミック電極が形成される。
接合フォト・ダイオードなどの光半導体装置を製造する
際のマスク数を減少させ、また、製造工程数を減少させ
ようとする。 【解決手段】 ｐ型半導体２１上が表面保護膜２２覆わ
れ、表面保護膜２２上にｎ型不純物を導入する為の開口
２３Ａ及び同じくｎ型不純物を導入する為の開口２３Ｂ
をもつ配線電極２３が積層形成され、開口２３Ａから導
入された硼素で構成されたｎ型不純物領域２４並びに開
口２３Ｂから導入された硼素で構成されたｎ型不純物領
域２５が設けられ、表面保護膜２２上にｎ型不純物領域
２４にコンタクトするオーミック電極が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、余剰電荷を吸収す
る素子分離領域をもつ光半導体装置及びその製造方法に
関する。
る素子分離領域をもつ光半導体装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、赤外線検知に用いる光半導体装
置に於いては、クロス・トークを低減して高解像度を実
現する為、多くの改善がなされている。
置に於いては、クロス・トークを低減して高解像度を実
現する為、多くの改善がなされている。
【０００３】図４は裏面光入射型フォト・ダイオードを
表す要部説明図であり、（Ａ）は要部平面を、また、
（Ｂ）は要部切断側面をそれぞれ示し、図に於いて、１
１はｐ型半導体、１２は表面保護膜、１４はフォト・ダ
イオードを構成する為のｎ型領域、１５は素子分離の為
のｎ型領域、１６は配線電極、１７はオーミック電極を
それぞれ示している（要すれば、「特公平８−２８４９
３号公報」、を参照）。尚、（Ａ）に於いては、（Ｂ）
に見られる表面保護膜１２並びに配線電極１６が除去さ
れている。
表す要部説明図であり、（Ａ）は要部平面を、また、
（Ｂ）は要部切断側面をそれぞれ示し、図に於いて、１
１はｐ型半導体、１２は表面保護膜、１４はフォト・ダ
イオードを構成する為のｎ型領域、１５は素子分離の為
のｎ型領域、１６は配線電極、１７はオーミック電極を
それぞれ示している（要すれば、「特公平８−２８４９
３号公報」、を参照）。尚、（Ａ）に於いては、（Ｂ）
に見られる表面保護膜１２並びに配線電極１６が除去さ
れている。
【０００４】図示の裏面光入射型フォト・ダイオード、
即ち、ｐｎ接合フォト・ダイオードでは、素子間に素子
分離の為のｎ型領域１５が形成されていて、その構成を
採ることで余剰電荷を吸収してクロス・トークを低減さ
せ、その結果、高解像度を実現しているものである。
即ち、ｐｎ接合フォト・ダイオードでは、素子間に素子
分離の為のｎ型領域１５が形成されていて、その構成を
採ることで余剰電荷を吸収してクロス・トークを低減さ
せ、その結果、高解像度を実現しているものである。
【０００５】前記発明に開示されているｐｎ接合フォト
・ダイオード、即ち、素子分離を素子間に形成したｐｎ
接合で行うｐｎ接合フォト・ダイオードは、多くの製造
工程を要し、また、時間が係る製造工程であって、しか
も、その他にも種々と問題がある。
・ダイオード、即ち、素子分離を素子間に形成したｐｎ
接合で行うｐｎ接合フォト・ダイオードは、多くの製造
工程を要し、また、時間が係る製造工程であって、しか
も、その他にも種々と問題がある。
【０００６】図５乃至図８は従来のｐｎ接合フォト・ダ
イオードを製造する工程を説明する為の工程要所に於け
るｐｎ接合フォト・ダイオードを表す要部切断側面図で
あり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
イオードを製造する工程を説明する為の工程要所に於け
るｐｎ接合フォト・ダイオードを表す要部切断側面図で
あり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【０００７】図５（Ａ）参照 ５−（１） ｐ型半導体１１上に表面保護膜１２を形成する。尚、ｐ
型半導体はｐ型半導体層或いはｐ型半導体基板である。
型半導体はｐ型半導体層或いはｐ型半導体基板である。
【０００８】図５（Ｂ）参照 ５−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、フォト・ダイオードを構成するｎ型領域
形成予定部分及び素子分離の為のｎ型領域形成予定部分
に開口１３Ａ並びに開口１３Ｂが形成されたレジスト膜
１３を形成する。
ることに依り、フォト・ダイオードを構成するｎ型領域
形成予定部分及び素子分離の為のｎ型領域形成予定部分
に開口１３Ａ並びに開口１３Ｂが形成されたレジスト膜
１３を形成する。
【０００９】図６（Ａ）参照 ６−（１） イオン注入法を適用することに依り、フォト・ダイオー
ドを構成するｎ型領域１４及び素子分離の為のｎ型領域
１５を形成する。
ドを構成するｎ型領域１４及び素子分離の為のｎ型領域
１５を形成する。
【００１０】図６（Ｂ）参照 ６−（２） 酸素プラズマ・アッシング法を適用することに依ってレ
ジスト膜１３を除去する。
ジスト膜１３を除去する。
【００１１】図７（Ａ）参照 ７−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
ドライ・エッチング法を適用することに依り、表面保護
膜１２にオーミック電極コンタクト用開口１２Ａを形成
する。
ドライ・エッチング法を適用することに依り、表面保護
膜１２にオーミック電極コンタクト用開口１２Ａを形成
する。
【００１２】図７（Ｂ）参照 ７−（２） オーミック電極コンタクト用開口１２Ａを形成した際に
マスクとして用いたレジスト膜を除去してから、真空蒸
着法、リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、
ドライ・エッチング法を適用することに依り、配線電極
１６を形成する。
マスクとして用いたレジスト膜を除去してから、真空蒸
着法、リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、
ドライ・エッチング法を適用することに依り、配線電極
１６を形成する。
【００１３】図８参照 ８−（１） 真空蒸着法、リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロ
セス、ドライ・エッチング法を適用することに依り、ｎ
型領域１４にコンタクトするオーミック電極１７を形成
する。
セス、ドライ・エッチング法を適用することに依り、ｎ
型領域１４にコンタクトするオーミック電極１７を形成
する。
【００１４】前記したところから判るように、従来のｐ
ｎ接合フォト・ダイオードを製造するには多くの工程を
必要とし、また、不純物導入領域のパターンや配線電極
のパターンを形成する為には個別のフォト・マスクが必
要であるから、パターンを設計変更した際には、その都
度、全マスクの修正が必要となる。
ｎ接合フォト・ダイオードを製造するには多くの工程を
必要とし、また、不純物導入領域のパターンや配線電極
のパターンを形成する為には個別のフォト・マスクが必
要であるから、パターンを設計変更した際には、その都
度、全マスクの修正が必要となる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、ｐｎ接合
フォト・ダイオードなどの光半導体装置を製造する際の
マスク数を減少させ、また、製造工程数を減少させよう
とする。
フォト・ダイオードなどの光半導体装置を製造する際の
マスク数を減少させ、また、製造工程数を減少させよう
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明では、配線電極を
形成する為のマスクをフォト・ダイオードを構成するｐ
ｎ接合を生成させる不純物導入領域、及び、素子分離を
行うｐｎ接合を生成させる不純物導入領域を形成する為
のマスクとして兼用することが基本になっている。
形成する為のマスクをフォト・ダイオードを構成するｐ
ｎ接合を生成させる不純物導入領域、及び、素子分離を
行うｐｎ接合を生成させる不純物導入領域を形成する為
のマスクとして兼用することが基本になっている。
【００１７】即ち、フォト・ダイオードを構成するｐｎ
接合を生成させる不純物導入領域を形成する際のマス
ク、及び、素子分離を行うｐｎ接合を生成させる不純物
導入領域を形成する際のマスクとして表面保護膜上に形
成した配線電極を用い、イオン注入領域を定めるパター
ニング工程を不要とすることで製造工程を簡略化し、ま
た、フォト・ダイオードの面積、或いは、素子分離の為
のｐｎ接合領域の大きさなどを変える場合、配線電極の
面積やパターンを変更すれば良く、新たなマスクを調製
することは不要である。
接合を生成させる不純物導入領域を形成する際のマス
ク、及び、素子分離を行うｐｎ接合を生成させる不純物
導入領域を形成する際のマスクとして表面保護膜上に形
成した配線電極を用い、イオン注入領域を定めるパター
ニング工程を不要とすることで製造工程を簡略化し、ま
た、フォト・ダイオードの面積、或いは、素子分離の為
のｐｎ接合領域の大きさなどを変える場合、配線電極の
面積やパターンを変更すれば良く、新たなマスクを調製
することは不要である。
【００１８】前記したところから、本発明の光半導体装
置及びその製造方法に於いては、（１）一導電型の半導
体（例えばｐ型半導体２１）上を覆う表面保護膜（例え
ば表面保護膜２２）と、該表面保護膜上に積層形成され
フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させる反
対導電型不純物を導入する為の第一の開口（例えば開口
２３Ａ）及び素子分離を行うｐｎ接合を生成させる反対
導電型の不純物を導入する為の第二の開口（例えば開口
２３Ｂ）をもつ配線電極（例えば配線電極２３）と、該
第一の開口から導入された反対導電型不純物（例えば硼
素）で構成された第一の反対導電型不純物領域（例えば
ｎ型不純物領域２４）及び該第二の開口から導入された
反対導電型不純物（例えば硼素）で構成された第二の反
対導電型不純物領域（例えばｎ型不純物領域２５）と、
該表面保護膜上に形成されて該第一の反対導電型不純物
領域にコンタクトするオーミック電極（例えばオーミッ
ク電極２７）とを備えてなることを特徴とするか、又
は、
置及びその製造方法に於いては、（１）一導電型の半導
体（例えばｐ型半導体２１）上を覆う表面保護膜（例え
ば表面保護膜２２）と、該表面保護膜上に積層形成され
フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させる反
対導電型不純物を導入する為の第一の開口（例えば開口
２３Ａ）及び素子分離を行うｐｎ接合を生成させる反対
導電型の不純物を導入する為の第二の開口（例えば開口
２３Ｂ）をもつ配線電極（例えば配線電極２３）と、該
第一の開口から導入された反対導電型不純物（例えば硼
素）で構成された第一の反対導電型不純物領域（例えば
ｎ型不純物領域２４）及び該第二の開口から導入された
反対導電型不純物（例えば硼素）で構成された第二の反
対導電型不純物領域（例えばｎ型不純物領域２５）と、
該表面保護膜上に形成されて該第一の反対導電型不純物
領域にコンタクトするオーミック電極（例えばオーミッ
ク電極２７）とを備えてなることを特徴とするか、又
は、
【００１９】（２）一導電型の半導体（例えばｐ型半導
体２１）上に表面保護膜（例えば表面保護膜２２）を形
成した後、フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生
成させる反対導電型の不純物を導入する為の第一の開口
（例えば開口２３Ａ）及び素子分離を行うｐｎ接合を生
成させる反対導電型の不純物を導入する為の第二の開口
（例えば開口２３Ｂ）をもつ配線電極（例えば配線電極
２３）を形成する工程と、次いで、該配線電極をマスク
に反対導電型不純物（例えば硼素）を導入してフォト・
ダイオードを構成するｐｎ接合を生成する第一の反対導
電型不純物領域（例えばｎ型不純物領域２４）及び素子
分離を行うｐｎ接合を生成する第二の反対導電型不純物
領域（例えばｎ型不純物領域２５）を同時に形成する工
程とを含んでなることを特徴とする。
体２１）上に表面保護膜（例えば表面保護膜２２）を形
成した後、フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生
成させる反対導電型の不純物を導入する為の第一の開口
（例えば開口２３Ａ）及び素子分離を行うｐｎ接合を生
成させる反対導電型の不純物を導入する為の第二の開口
（例えば開口２３Ｂ）をもつ配線電極（例えば配線電極
２３）を形成する工程と、次いで、該配線電極をマスク
に反対導電型不純物（例えば硼素）を導入してフォト・
ダイオードを構成するｐｎ接合を生成する第一の反対導
電型不純物領域（例えばｎ型不純物領域２４）及び素子
分離を行うｐｎ接合を生成する第二の反対導電型不純物
領域（例えばｎ型不純物領域２５）を同時に形成する工
程とを含んでなることを特徴とする。
【００２０】前記手段を採ることに依り、不純物導入領
域を形成する為のマスクを作製する工程が不要となり、
従って、製造工程は簡略化することができ、また、フォ
ト・ダイオードの面積や素子分離の為のｐｎ接合領域の
変更を行う場合、配線電極の面積、或いは、パターンを
変更するのみで、容易に対応することができるので、製
造工程の短縮や製造歩留りの向上に寄与することができ
る。
域を形成する為のマスクを作製する工程が不要となり、
従って、製造工程は簡略化することができ、また、フォ
ト・ダイオードの面積や素子分離の為のｐｎ接合領域の
変更を行う場合、配線電極の面積、或いは、パターンを
変更するのみで、容易に対応することができるので、製
造工程の短縮や製造歩留りの向上に寄与することができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１乃至図３は本発明の一実施の
形態である光起電力型赤外線検出装置を製造する工程を
説明する為の工程要所に於ける光起電力型赤外線検出装
置を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参
照しつつ説明する。
形態である光起電力型赤外線検出装置を製造する工程を
説明する為の工程要所に於ける光起電力型赤外線検出装
置を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参
照しつつ説明する。
【００２２】図１（Ａ）参照 １−（１） 電子ビーム蒸着法を適用することに依り、ｐ−ＨｇＣｄ
Ｔｅからなるｐ型半導体２１上に厚さが３００〔ｎｍ〕
のＺｎＳからなる表面保護膜２２を成膜する。
Ｔｅからなるｐ型半導体２１上に厚さが３００〔ｎｍ〕
のＺｎＳからなる表面保護膜２２を成膜する。
【００２３】図１（Ｂ）参照 １−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、抵抗加
熱蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、 フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分、及び、素子分離を行うｐ
ｎ接合を生成させる不純物領域の形成予定部分に開口を
設けたレジスト膜の形成、 厚さが２００〔ｎｍ〕／２０〔ｎｍ〕のＡｌ／Ｃｒ
積層膜の成膜、 前記レジスト膜を剥離して前記Ａｌ／Ｃｒ積層膜を
リフト・オフすることに依る配線電極２３の形成、を実
施する。尚、この工程を経ることで、配線電極２３とし
て、フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分に対応する開口２３Ａ（第
一の開口）、及び、素子分離を行うｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分に対応する開口２３Ｂ（第
二の開口）を形成したものが実現される。
熱蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、 フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分、及び、素子分離を行うｐ
ｎ接合を生成させる不純物領域の形成予定部分に開口を
設けたレジスト膜の形成、 厚さが２００〔ｎｍ〕／２０〔ｎｍ〕のＡｌ／Ｃｒ
積層膜の成膜、 前記レジスト膜を剥離して前記Ａｌ／Ｃｒ積層膜を
リフト・オフすることに依る配線電極２３の形成、を実
施する。尚、この工程を経ることで、配線電極２３とし
て、フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分に対応する開口２３Ａ（第
一の開口）、及び、素子分離を行うｐｎ接合を生成させ
る不純物領域の形成予定部分に対応する開口２３Ｂ（第
二の開口）を形成したものが実現される。
【００２４】図２（Ａ）参照 ２−（１） イオン注入法を適用することに依り、 イオン加速エネルギ：１３０〔ｋｅＶ〕〜１８０〔ｋｅ
Ｖ〕 ドーズ量：１×１０13〔cm-2〕〜１×１０15〔cm-2〕 の条件で、配線電極２３をマスクとして硼素イオン（Ｂ
+ ）の打ち込みを行って、フォト・ダイオードを構成す
るｐｎ接合を生成させるｎ型不純物領域２４（第一の反
対導電型不純物領域）及び素子分離を行うｐｎ接合を生
成させる不純物領域２５（第二の反対導電型不純物領
域）を形成する。
Ｖ〕 ドーズ量：１×１０13〔cm-2〕〜１×１０15〔cm-2〕 の条件で、配線電極２３をマスクとして硼素イオン（Ｂ
+ ）の打ち込みを行って、フォト・ダイオードを構成す
るｐｎ接合を生成させるｎ型不純物領域２４（第一の反
対導電型不純物領域）及び素子分離を行うｐｎ接合を生
成させる不純物領域２５（第二の反対導電型不純物領
域）を形成する。
【００２５】図２（Ｂ）参照 ２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
硫酸系エッチャント（Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１）を
用いてＺｎＳからなる表面保護膜２２のエッチングを行
って電極コンタクト・ホール２２Ａを形成する。
硫酸系エッチャント（Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１）を
用いてＺｎＳからなる表面保護膜２２のエッチングを行
って電極コンタクト・ホール２２Ａを形成する。
【００２６】図３参照 ３−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、抵抗加
熱蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、Ｉｎ
からなるオーミック電極２７を形成する。
熱蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、Ｉｎ
からなるオーミック電極２７を形成する。
【００２７】本発明では、前記実施の形態に限られるこ
となく、且つ、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱
することなく、他に多くの改変を実現することができ、
例えば、前記実施の形態では、光半導体として赤外線に
感度を有するＨｇＣｄＴｅを用いたが、光半導体として
使用できる材料であれば、適宜代替することが可能であ
り、また、得られる効果も変わりなく、そのような光半
導体としては、例えばＨｇＺｎＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｂＳ
ｎＴｅなどが挙げられる。
となく、且つ、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱
することなく、他に多くの改変を実現することができ、
例えば、前記実施の形態では、光半導体として赤外線に
感度を有するＨｇＣｄＴｅを用いたが、光半導体として
使用できる材料であれば、適宜代替することが可能であ
り、また、得られる効果も変わりなく、そのような光半
導体としては、例えばＨｇＺｎＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｂＳ
ｎＴｅなどが挙げられる。
【００２８】また、ｐｎ接合フォト・ダイオードは１次
元的或いは二次元的に配列してアレイにすることが可能
であるのは云うまでもない。
元的或いは二次元的に配列してアレイにすることが可能
であるのは云うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】本発明に依る光半導体装置及びその製造
方法に於いては、一導電型の半導体が表面保護膜で覆わ
れ、表面保護膜上に第一の開口及び第二の開口をもつ配
線電極が積層形成され、第一の開口から導入された反対
導電型不純物からなる第一の反対導電型不純物領域及び
第二の開口から導入された反対導電型不純物からなる第
二の反対導電型不純物領域が形成され、表面保護膜上に
第一の反対導電型不純物領域にコンタクトするオーミッ
ク電極が形成される。
方法に於いては、一導電型の半導体が表面保護膜で覆わ
れ、表面保護膜上に第一の開口及び第二の開口をもつ配
線電極が積層形成され、第一の開口から導入された反対
導電型不純物からなる第一の反対導電型不純物領域及び
第二の開口から導入された反対導電型不純物からなる第
二の反対導電型不純物領域が形成され、表面保護膜上に
第一の反対導電型不純物領域にコンタクトするオーミッ
ク電極が形成される。
【００３０】前記構成を採ることに依り、不純物導入領
域を形成する為のマスクを作製する工程が不要となり、
従って、製造工程は簡略化することができ、また、フォ
ト・ダイオードの面積や素子分離の為のｐｎ接合領域の
変更を行う場合、配線電極の面積、或いは、パターンを
変更するのみで、容易に対応することができるので、製
造工程の短縮や製造歩留りの向上に寄与することができ
る。
域を形成する為のマスクを作製する工程が不要となり、
従って、製造工程は簡略化することができ、また、フォ
ト・ダイオードの面積や素子分離の為のｐｎ接合領域の
変更を行う場合、配線電極の面積、或いは、パターンを
変更するのみで、容易に対応することができるので、製
造工程の短縮や製造歩留りの向上に寄与することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態である光起電力型赤外線
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
【図２】本発明の一実施の形態である光起電力型赤外線
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
【図３】本発明の一実施の形態である光起電力型赤外線
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
検出装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於け
る光起電力型赤外線検出装置を表す要部切断側面図であ
る。
【図４】裏面光入射型フォト・ダイオードを表す要部説
明図である。
明図である。
【図５】従来のｐｎ接合フォト・ダイオードを製造する
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図６】従来のｐｎ接合フォト・ダイオードを製造する
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図７】従来のｐｎ接合フォト・ダイオードを製造する
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図８】従来のｐｎ接合フォト・ダイオードを製造する
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
工程を説明する為の工程要所に於けるｐｎ接合フォト・
ダイオードを表す要部切断側面図である。
２１ ｐ型半導体 ２２ 表面保護膜 ２２Ａ コンタクト・ホール ２３ 配線電極 ２３Ａ 開口（第一の開口） ２３Ｂ 開口（第二の開口） ２４ ｎ型不純物領域（第一の反対導電型不純物領域） ２５ ｎ型不純物領域（第二の反対導電型不純物領域） ２７ オーミック電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB10 BA05 BA30 CA03 CA32 CB05 CB09 EA01 EA16 GA10 5F049 MA02 NA04 NA08 PA10 PA14 RA03 SE05 SE09 WA01
Claims (2)
- 【請求項１】一導電型の半導体上を覆う表面保護膜と、 該表面保護膜上に積層形成されフォト・ダイオードを構
成するｐｎ接合を生成させる反対導電型不純物を導入す
る為の第一の開口及び素子分離を行うｐｎ接合を生成さ
せる反対導電型の不純物を導入する為の第二の開口をも
つ配線電極と、 該第一の開口から導入された反対導電型不純物で構成さ
れた第一の反対導電型不純物領域及び該第二の開口から
導入された反対導電型不純物で構成された第二の反対導
電型不純物領域と、 該表面保護膜上に形成されて該第一の反対導電型不純物
領域にコンタクトするオーミック電極とを備えてなるこ
とを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】一導電型の半導体上に表面保護膜を形成し
た後フォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成させ
る反対導電型の不純物を導入する為の第一の開口及び素
子分離を行うｐｎ接合を生成させる反対導電型の不純物
を導入する為の第二の開口をもつ配線電極を形成する工
程と、 次いで、該配線電極をマスクに反対導電型不純物を導入
してフォト・ダイオードを構成するｐｎ接合を生成する
第一の反対導電型不純物領域及び素子分離を行うｐｎ接
合を生成する第二の反対導電型不純物領域を同時に形成
する工程とを含んでなることを特徴とする光半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050664A JP2001244445A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050664A JP2001244445A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244445A true JP2001244445A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18572426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050664A Withdrawn JP2001244445A (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008133162A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2010177273A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016025095A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 三菱電機株式会社 | 受光素子 |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000050664A patent/JP2001244445A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008133162A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置及びその製造方法 |
| US8106401B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-01-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device including metal lines provided above photodiode |
| JP2010177273A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016025095A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 三菱電機株式会社 | 受光素子 |
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