JP5839917B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5839917B2 JP5839917B2 JP2011208180A JP2011208180A JP5839917B2 JP 5839917 B2 JP5839917 B2 JP 5839917B2 JP 2011208180 A JP2011208180 A JP 2011208180A JP 2011208180 A JP2011208180 A JP 2011208180A JP 5839917 B2 JP5839917 B2 JP 5839917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor layer
- region
- conductivity type
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面に設けられた前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第1の半導体領域と、前記第2の半導体層の前記一主面に前記第1の半導体領域と離間して設けられた前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第2の半導体領域と、少なくとも前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間の前記第2の半導体層の前記一主面に設けられた前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度で前記第2の半導体領域よりも低不純物濃度の第3の半導体領域と、を備えるフォトダイオードと、
前記第2の半導体層の前記一主面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、トランジスタ素子が形成された第1の半導体層と、
を備える半導体装置が提供される。
一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域を形成する工程と、
前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記絶縁層および前記第1の半導体層を介して、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域を形成するための第1の不純物を導入する工程と、
その後、前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成すると共に、前記第1の不純物を活性化して前記一導電型の前記第1の半導体領域を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面に形成された、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域と、前記第2の半導体層の前記一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
10 埋め込み酸化膜
11 第2の半導体層
20 層間膜
23 電源
30 フォトダイオード
40 MOSトランジスタ
51、61 領域
50 GND
91 アクティブ領域
99 半導体領域
100 半導体装置
14 Nウエル
151、152 主面
182 P型半導体取り出し領域
191、192 N型半導体取り出し領域
221、222、223、224、225、226 取り出し電極
280 電極
Claims (11)
- 一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面に設けられた前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第1の半導体領域と、前記第2の半導体層の前記一主面に前記第1の半導体領域と離間して設けられた前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第2の半導体領域と、少なくとも前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間の前記第2の半導体層の前記一主面に設けられた前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度で前記第2の半導体領域よりも低不純物濃度の第3の半導体領域と、を備えるフォトダイオードと、
前記第2の半導体層の前記一主面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、トランジスタ素子が形成された第1の半導体層と、
を備える半導体装置。 - 前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体層の第1の領域に設けられ、
前記第2の半導体層の前記第1の領域とは異なる第2の領域上に前記トランジスタ素子が形成され、
前記半導体装置は、前記第2の領域の前記第2の半導体層の前記一主面に設けられ、前記反対導電型で、固定電位が与えられる第4の半導体領域をさらに備える請求項1記載の半導体装置。 - 前記第3の半導体領域は、前記第2の半導体領域よりも浅く設けられている請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記一導電型はN型であり、前記反対導電型はP型である請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記一導電型はN型であり、前記反対導電型はP型であり、前記固定電位は接地電位である請求項2記載の半導体装置。
- 前記フォトダイオードは、X線検出用のフォトダイオードである請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体領域には、前記第4の半導体領域に与えられる前記固定電位と同じ大きさの電位が与えられる
請求項2または請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体層には、前記一主面とは反対側の主面に設けられた電極を介して電位が与えられる
請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域を形成する工程と、
前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との間の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記絶縁層および前記第1の半導体層を介して、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域を形成するための第1の不純物を導入する工程と、
その後、前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成すると共に、前記第1の不純物を活性化して前記一導電型の前記第1の半導体領域を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との間の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 一導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一主面に形成された、前記一導電型で前記第2の半導体層より高不純物濃度の第1の半導体領域と、前記第2の半導体層の前記一主面上の絶縁層と、前記絶縁層上の第1の半導体層と、を備える積層体を準備する工程と、
前記第1の半導体層にトランジスタ素子を形成する工程と、
前記第2の半導体層の前記一主面に、前記一導電型とは反対の導電型である反対導電型の第2の半導体領域と、前記一導電型で前記第1の半導体領域よりも高不純物濃度で前記第2の半導体領域とは離間した第3の半導体領域とを、少なくとも前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との間の前記第2の半導体層の前記一主面には前記第1の半導体領域が存在するように形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011208180A JP5839917B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011208180A JP5839917B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013069924A JP2013069924A (ja) | 2013-04-18 |
JP5839917B2 true JP5839917B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=48475244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011208180A Active JP5839917B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5839917B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6351097B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-07-04 | 国立大学法人静岡大学 | 電磁波検出素子及び固体撮像装置 |
JP6572075B2 (ja) | 2015-09-24 | 2019-09-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291180A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
JP4522531B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-08-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー検出素子 |
JP2004247647A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Trecenti Technologies Inc | フォトダイオードおよびイメージセンサ |
JP5215887B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-06-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-09-22 JP JP2011208180A patent/JP5839917B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013069924A (ja) | 2013-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5721147B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20200028019A1 (en) | Avalanche photodiode | |
US10056424B2 (en) | Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device | |
JP5818238B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008140817A (ja) | 半導体装置 | |
JP6142984B2 (ja) | 2重ウエル構造soi放射線センサおよびその製造方法 | |
JP6572075B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US9704912B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP6202515B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8383445B2 (en) | Method and device for CMOS image sensing with multiple gate oxide thicknesses | |
JP5839917B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7335546B2 (en) | Method and device for CMOS image sensing with separate source formation | |
JP6463407B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6108451B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9171880B2 (en) | Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and camera | |
JP2005019636A (ja) | 薄膜ダイオード及び薄膜トランジスタ | |
JP7199013B2 (ja) | 光検出器 | |
JP2016009755A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151013 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5839917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |