JP6572075B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6572075B2 JP6572075B2 JP2015186403A JP2015186403A JP6572075B2 JP 6572075 B2 JP6572075 B2 JP 6572075B2 JP 2015186403 A JP2015186403 A JP 2015186403A JP 2015186403 A JP2015186403 A JP 2015186403A JP 6572075 B2 JP6572075 B2 JP 6572075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- semiconductor
- layer
- insulator layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 277
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 17
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14659—Direct radiation imagers structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/36—Devices specially adapted for detecting X-ray radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体装置100の構成の一例を示す縦断面図である。半導体装置100は、n型半導体で構成される第1の半導体層10、第1の絶縁体層20、及びp型半導体で構成される第2の半導体層30を、この順序で積層したSOI(Silicon On Insulator)基板に形成された、X線センサを構成するフォトダイオード11及び周辺回路を構成する回路素子としてのトランジスタ51を含んで構成されている。
先の工程で形成された開口部93、94は、第2の絶縁体層40によって埋められる(図6(b))。
図7を参照して、本実施の形態に係る半導体装置100aについて説明する。図7は、半導体装置100aの電荷引寄せ部60aを示す平面図である。半導体装置100aは、半導体装置100において埋め込みポリ80の形状を変更した形態である。従って、半導体装置100と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
この構成により、トランジスタ51の中央部付近で発生した正電荷PCはゲート長方向(図7中の両矢印Lの方向)へ引寄せることが可能となるので、埋め込みポリによる正電荷PCの引寄せがさらに効率よく行われる。
図8を参照して、本実施の形態に係る半導体装置100bについて説明する。図8は、半導体装置100bの構成の一例を示す縦断面図である。半導体装置100bは、基板としてDouble−SOI(Double−Silicon On Insulator)基板を用い、半導体装置100の埋め込みウエル84による固定電位領域の代わりに、中間半導体層を用いて固定電位領域を形成した形態である。従って、半導体装置100と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
先の工程で形成された開口部は、第2の絶縁体層40によって埋められる(参考に、図6(b)参照)。
10 第1の半導体層
11 フォトダイオード
12 アノード
13 カソード
14 裏面電極
20 第1の絶縁体層
30 第2の半導体層
30A アクティブ領域
32 中間半導体層
40 第2の絶縁体層
42 第3の絶縁体層
51 トランジスタ
52 ソース・ドレイン領域
53 チャネル領域
55 ゲート電極
56 サイドウォール
60、60a、60b 電荷引寄せ部
72 ソース・ドレイン電極
74 アノード電極
75 カソード電極
80 埋め込みポリ
82 埋め込みポリ電極
84 埋め込みウエル
86 埋め込みウエル電極
88 コンタクト領域
89 中間半導体層電極
90 フィールド酸化膜
91 開口部
92 ゲート酸化膜
93〜99 開口部
100、100a、100b 半導体装置
200 電源
202 電源
O 露出部
PC 正電荷
R フォトレジスト
Claims (13)
- センサが形成された第1導電型の第1の半導体層と、
回路素子が形成された第2導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に介在すると共に前記第2の半導体層の周囲を囲んで前記第1の半導体層の主面上に設けられた絶縁体層と、
前記回路素子の近傍の前記絶縁体層内に設けられると共に前記絶縁体層で生成された電荷を引寄せる第1導電型の電荷引寄せ半導体層と、
前記電荷引寄せ半導体層に接続されると共に前記絶縁体層の表面に露出しかつ接地された電極と、
を含む半導体装置。 - 前記第1の半導体層の前記電荷引寄せ半導体層と対向する位置に形成された、前記第1の半導体層の酸化膜をさらに含む
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記回路素子は、電界効果トランジスタを含み、
前記電荷引寄せ半導体層は、平面視で前記電界効果トランジスタのゲート幅方向の両端部に近接しかつゲート長方向に延伸して設けられた2つの領域からなる
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記回路素子は、電界効果トランジスタを含み、
前記電荷引寄せ半導体層は、平面視で前記電界効果トランジスタに近接しかつ前記電界効果トランジスタの周囲を囲んで設けられた
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 平面視で前記電荷引寄せ半導体層を包含するように前記第1の半導体層に形成され、かつコンタクト領域を備えた第2導電型の固定電位領域をさらに含む
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間の前記絶縁体層内に中間半導体層をさらに含み、
平面視で前記電荷引寄せ半導体層を包含するように前記中間半導体層に形成され、かつコンタクト領域を備えた第1導電型の固定電位領域をさらに含む
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記回路素子は、電界効果トランジスタを含み、
前記第1導電型がn型であると共に前記第2導電型がp型であり、
前記センサは、前記第1の半導体層の前記主面に設けられたp型半導体領域及びn型半導体領域と、前記第1の半導体層の前記主面とは反対側の面に設けられた裏面電極と、を有し、第1の電源の陽極が前記n型半導体領域及び前記裏面電極に接続され、前記第1の電源の陰極が前記p型半導体領域に接続され、
第2の電源が電極を介して前記電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域に接続され、
第3の電源が電極を介して前記電荷引寄せ半導体層、及び前記固定電位領域のコンタクト領域に接続され、
前記第1の電源の電源電圧は、前記第2の電源の電源電圧及び前記第3の電源の電源電圧よりも大きく、かつ前記電荷引寄せ半導体層、及び前記固定電位領域のコンタクト領域に付与された電位が前記ソース・ドレイン領域に付与された電位以下である
請求項5又は請求項6に記載の半導体装置。 - 前記電荷引寄せ半導体層がポリシリコンで形成された
請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1導電型の第1の半導体層、前記第1の半導体層の上に設けられた第1の絶縁体層、前記第1の絶縁体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層を含む半導体基板を用意する工程と、
前記第2の半導体層の一部に前記第1の絶縁体層と一体とされた第2の絶縁体層で周囲を囲まれた第2導電型の活性領域を形成する工程と、
前記活性領域の近傍の前記第1の絶縁体層内に設けられると共に前記第1の絶縁体層又は前記第2の絶縁体層で生成された電荷を引寄せる電荷引寄せ半導体層を形成する工程と、
前記電荷引寄せ半導体層に接続されると共に前記第2の絶縁体層の表面に露出しかつ接地電位を付与するための電極を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体層の一部を酸化して酸化膜を形成する工程をさらに含み、
前記電荷引寄せ半導体層を形成する工程は、前記酸化膜と対向する位置に前記電荷引寄せ半導体層形成する工程である
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 平面視で前記電荷引寄せ半導体層を包含するように第2導電型の固定電位領域を前記第1の半導体層に形成する工程をさらに含む
請求項9又は請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の第1の半導体層、前記第1の半導体層の上に設けられた第1の絶縁体層、前記第1の絶縁体層の上に設けられた第1導電型の中間半導体層、前記中間半導体層の上に設けられた第2の絶縁体層、及び前記第2の絶縁体層の上に設けられた第2の半導体層を含む半導体基板を用意する工程と、
前記第2の半導体層の一部に前記第2の絶縁体層と一体とされた第3の絶縁体層で周囲を囲まれた第2導電型の活性領域を形成する工程と、
前記活性領域の近傍の前記第2の絶縁体層内に設けられると共に前記第2の絶縁体層又は前記第3の絶縁体層で生成された電荷を引寄せる電荷引寄せ半導体層を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 平面視で前記電荷引寄せ半導体層を包含するように第1導電型の固定電位領域を前記中間半導体層に形成する工程をさらに含む
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015186403A JP6572075B2 (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US15/270,101 US9754991B2 (en) | 2015-09-24 | 2016-09-20 | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
US15/661,639 US9991310B2 (en) | 2015-09-24 | 2017-07-27 | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
US15/966,601 US10658418B2 (en) | 2015-09-24 | 2018-04-30 | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015186403A JP6572075B2 (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017063074A JP2017063074A (ja) | 2017-03-30 |
JP6572075B2 true JP6572075B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=58406892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015186403A Active JP6572075B2 (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9754991B2 (ja) |
JP (1) | JP6572075B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6572075B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-09-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2018081946A (ja) | 2016-11-14 | 2018-05-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR102573162B1 (ko) | 2017-12-04 | 2023-08-30 | 삼성전자주식회사 | 플러렌 유도체, 광전 소자 및 이미지 센서 |
CN112750845A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03272176A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置と基板と基板製造方法 |
JPH04127572A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | Mosトランジスタ |
JPH065697A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP4282388B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2009-06-17 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP3962729B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US7315075B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-01-01 | International Business Machines Corporation | Capacitor below the buried oxide of SOI CMOS technologies for protection against soft errors |
JP4424277B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2010-03-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び接合ウエハ |
WO2011111754A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5839917B2 (ja) | 2011-09-22 | 2016-01-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6202515B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-09-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6271841B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2018-01-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置を搭載したシステム |
US9356163B1 (en) * | 2015-06-16 | 2016-05-31 | International Business Machines Corporation | Structure and method of integrating waveguides, photodetectors and logic devices |
JP6572075B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-09-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-09-24 JP JP2015186403A patent/JP6572075B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-20 US US15/270,101 patent/US9754991B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-27 US US15/661,639 patent/US9991310B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-30 US US15/966,601 patent/US10658418B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180247970A1 (en) | 2018-08-30 |
US20170092686A1 (en) | 2017-03-30 |
JP2017063074A (ja) | 2017-03-30 |
US20170323924A1 (en) | 2017-11-09 |
US9991310B2 (en) | 2018-06-05 |
US9754991B2 (en) | 2017-09-05 |
US10658418B2 (en) | 2020-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5721147B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6572075B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US8476102B2 (en) | Solid state image pickup device and method for manufacturing solid state image pickup device | |
KR20100088905A (ko) | 스트레스 생성층을 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
JP5818238B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN107026216B (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
JP2008135474A (ja) | 半導体装置 | |
JP5616720B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6202515B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6142984B2 (ja) | 2重ウエル構造soi放射線センサおよびその製造方法 | |
JP2010153762A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6463407B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6108451B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6161454B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法及びカメラ | |
JP5839917B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5925419B2 (ja) | オフトラ型esd保護素子およびその製造方法 | |
WO2023233833A1 (ja) | 半導体イメージセンサ装置 | |
JP5926576B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010232361A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP7234568B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5970763B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100298200B1 (ko) | 핀드 포토다이오드를 갖는 이미지센서 제조방법 | |
JPH03129777A (ja) | 電界効果型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013229442A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012191235A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6572075 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |