JP2009010105A - ウェーハのレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分割予定ラインに沿ってウェーハ内部にレーザ光線Lを照射する動作を、ウェーハ1の裏面1b側に近接する位置から表面1a側にわたって複数回行い、変質層50と、該変質層50から表面方向に延びるクラック層51とからなる複数の複合層52を、間隔を空けて段階的に形成する(第1のレーザ光線照射工程)。次いで、複数の複合層52の間の非クラック層53にレーザ光線Lを照射し、クラック層51を延伸させて隣接する変質層50に到達させる。少ないレーザ光線照射動作で、割断を可能とするのに十分な変質層50およびクラック層(クラック層51+延伸クラック層54)を形成する。
【選択図】図4
Description
[1]半導体ウェーハ
図1の符号1は、厚さが600〜800μm程度と比較的厚さ寸法が大きい円盤状の半導体ウェーハを示している。このウェーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されており、これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
上記ウェーハ1は、レーザ加工装置10が備える水平なチャックテーブル11上に、半導体チップ3が形成された表面側を上に向けて保持される(ウェーハ保持工程)。チャックテーブル11の上方には、レーザ光線を垂直下向きに照射するレーザヘッド21が配設されている。チャックテーブル11は、装置10の基台12上において水平なX軸方向およびY軸方向に移動自在に設けられたXY移動テーブル13に設置されており、このXY移動テーブル13がX軸方向やY軸方向に移動することにより、レーザヘッド21から分割予定ライン2にレーザ光線が照射される。
図4(a)に示すように、1本の分割予定ライン2の、ウェーハ1の内部における裏面1bに近接した高さ位置にレーザ光線Lの焦点位置を合わせ、その分割予定ライン2に沿って水平にレーザ光線Lを照射して、変質層50(第1の変質層50a)を形成する。変質層50aが形成されるに伴い、この変質層50aからは上方の表面側に延びる多数のクラックからなるクラック層51が形成される。ここでは、第1の変質層50aと、この第1の変質層50aから派生したクラック層51とを複合層(第1の複合層52A)52と称する。
図4(c)に示すように、ウェーハ1の裏面1bに最も近接した複合層52Aと、その上の複合層52Bとの間の非クラック層53に、レーザ光線Lの焦点位置を合わせて照射する。これによって、変質層50aの形成時に形成されたクラック層51は上方に延伸し、延伸クラック層54が上方の変質層50bに到達する。このような非クラック層53へのレーザ光線Lの照射を、図4(d)に示すように複合層52の間の非クラック層53に対して行う。同図の場合は、複合層52C,52Dの間の非クラック層53にはあえてレーザ光線は照射していないが、全ての複合層52の間の非クラック層53にレーザ光線を照射してもよい。
上記一実施形態によれば、第1のレーザ光線照射工程によってウェーハ内部に形成された複数の複合層(変質層50+クラック層51)52の間には、クラック層が存在していない非クラック層53となっているが、この部分はクラック層51から延びる結晶欠陥などの影響によりレーザ光線を照射しても多光子吸収はなされず、変質層は形成されにくい。しかし、レーザ光線の照射によってすでに存在する変質層50から延びるクラック層51を延伸させる作用が見込まれる。第2のレーザ光線照射工程ではこの非クラック層53にレーザ光線を照射することにより、クラック層51を、隣接する変質層50に延伸させている。これによって第1のレーザ光線照射工程で形成されたクラック層51が、隣接する変質層50に到達し、このため、ウェーハ1の割断を、容易、かつ円滑に行うことができ、割断不良を招くことがないといった効果が奏される。
[実施例1]
直径が150mmで厚さが400μmの素材段階のシリコンウェーハを試料とした。このウェーハは、格子状の分割予定ラインによって形成したチップ領域に電子回路を設けるといったデバイスパターンを表面に形成していない、いわゆる「ミラーウェーハ」である。このウェーハを、図2に示したものと同様のレーザ加工装置のチャックテーブルに表面側を上にしてセットした。そしてこのウェーハに、1.5mm間隔の仮想の分割予定ラインを設定し、全ての仮想分割予定ラインに、5層の複合層(変質層+クラック層)を、裏面に近接する位置から20μmの間隔をおいて段階的に形成し、次いで、複合層の間の4つの非クラック層のうちの3つに対してレーザ光線を照射し、延伸クラック層を形成した。すなわち、1本の分割予定ラインに対して、レーザ光線照射動作を8回行った。なお、レーザ光線はパルスレーザであり、照射の条件は以下の通りとした。
・波長…1342nm
・繰り返し周波数 …150kHz
・出力…出力1.2W(最も表面側の複合層を形成する際は0.6W)
・レーザ光線の集光レンズのNA(開口数)…0.8
・チャックテーブルの移動速度(加工送り速度)…300mm/sec
・パルス幅:105ns
・集光スポット径:φ1.5μm
実施例1と同様のミラーウェーハの表面に、1.5mmの間隔で格子状の分割予定ラインを実際に形成し、さらに分割予定ラインで区画されたチップ領域に適宜な電子回路を形成して、デバイスパターンが形成された「パターンウェーハ」を試料として得た。このウェーハに対して、実施例1と全く同様にしてレーザ光線を照射し、全ての分割予定ラインの内部に、5層の複合層(変質層+クラック層)+3層の延伸非クラック層を形成した。
実施例1と同様のミラーウェーハに対して、複合層を形成するレーザ光線の出力を0.8W(最も表面側の複合層を形成する際は0.5W)、形成する複合層を8層、複合層の間にはレーザ光線を照射しないという条件とし、この他は実施例1と同様の条件で、分割予定ラインに8層の複合層のみを形成した。
実施例2と同様のパターンウェーハに対して、比較例1と全く同様の条件でレーザ光線を照射し、分割予定ラインに8層の複合層のみを形成した。
実施例1と同様のミラーウェーハに対して、複合層を形成するレーザ光線の出力を1.2W(最も表面側の複合層を形成する際は0.6W)、形成する複合層を5層、複合層の間にはレーザ光線を照射しないという条件とし、この他は実施例1と同様の条件で、分割予定ラインに5層の複合層のみを形成した。
実施例2と同様のパターンウェーハに対して、比較例3と全く同様の条件でレーザ光線を照射し、分割予定ラインに5層の複合層のみを形成した。
実施例1,2および比較例1〜4の各ウェーハ10枚ずつを、図5に示すようにしてダイシングテープに貼着し、ブレーキング装置にセットして外力を付与してウェーハの割断を試みた。割断状況の結果は以下の通りであった。なお、割断率とは、1枚のウェーハに形成された半導体チップが全て分割して個片化された状況を100%としている。また、割断面を観察した結果を付記した。
実施例1(ミラーウェーハ) … 割断率:100%
実施例2(パターンウェーハ) … 割断率:100%
比較例1(ミラーウェーハ) … 割断率: 90%
比較例2(パターンウェーハ) ※実施せず
比較例3(ミラーウェーハ) … 割断率:100%
比較例4(パターンウェーハ) … 10枚中2,3枚に2%程度の割れ残り発生
変質層が5層の実施例1,2および比較例3,4の割断面はほぼ同様であり、変質層と結晶層(非クラック層)の交互の縞模様が明確に観察された。これは、ウェーハ厚さに対する変質層の数が比較的少なく、変質層の間隔が大きかったためとみられる。一方、変質層が8層の比較例1,2では、変質層の数が多いことから隣接する変質層どうしがかなり近接し、連続しているように見えた。
1a…ウェーハの表面(一面)
1b…ウェーハの裏面(他面)
2…分割予定ライン
3…半導体チップ
10…レーザ加工装置
11…チャックテーブル(保持台)
50…変質層
51…クラック層
54…延伸クラック層
52…複合層
53…非クラック層
L…レーザ光線
Claims (2)
- レーザ光線を、ウェーハに形成された分割予定ラインに沿って、該ウェーハの一面側からウェーハ内部に照射するレーザ光線照射動作を複数回にわたって行うにあたり、該動作を行う都度、レーザ光線の焦点位置を入射方向に段階的に変化させ、これによってウェーハの内部に、分割予定ラインに沿った複数の変質層を、ウェーハの厚さ方向に複数層形成するウェーハのレーザ加工方法であって、
保持台に、ウェーハの他面を合わせ、かつ、一面を露出させて保持するウェーハ保持工程と、
前記レーザ光線照射動作を、前記保持台に保持したウェーハの前記他面側から前記一面側にわたって複数回行うことにより、前記変質層と、該変質層から一面方向に延びるクラック層とからなる複数の複合層を、入射方向に間隔を空けて段階的に形成する第1のレーザ光線照射工程と、
第1のレーザ光線照射工程で形成された複数の前記複合層の間に、レーザ光線の焦点位置を合わせてレーザ光線を照射し、これによって前記クラック層を前記一面方向に延伸させて該方向に隣接する前記変質層に到達させる第2のレーザ光線照射工程と
を備えることを特徴とするウェーハのレーザ加工方法。 - 前記レーザ光線の波長が1100〜2000nmに設定されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハのレーザ加工方法。
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