JP2007157887A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
ウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007157887A JP2007157887A JP2005348957A JP2005348957A JP2007157887A JP 2007157887 A JP2007157887 A JP 2007157887A JP 2005348957 A JP2005348957 A JP 2005348957A JP 2005348957 A JP2005348957 A JP 2005348957A JP 2007157887 A JP2007157887 A JP 2007157887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive tape
- chips
- interval
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 47
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 73
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0619—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams with spots located on opposed surfaces of the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射しウエーハの内部に変質層を形成する変質層形成工程と、紫外線を照射することによって粘着力が低下する粘着糊が表面に塗布されているともに加熱によって収縮する粘着テープの表面にウエーハの裏面を貼着するウエーハ支持工程と、ウエーハに外力を付与し分割予定ラインに沿ってウエーハを破断するウエーハ破断工程と、粘着テープに紫外線を照射して粘着糊の粘着力を低下せしめる粘着力低下工程と、粘着テープを拡張してチップ間の間隔を広げるチップ間隔形成工程と、粘着テープおけるフレームの内周とウエーハが貼着された領域との間の収縮領域を加熱してチップ間の間隔を保持するチップ間隔保持工程とを含む。
【選択図】図13
Description
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施した後に、環状のフレームに装着され紫外線を照射することによって粘着力が低下する粘着糊が表面に塗布されているともに加熱によって収縮する粘着テープの表面にウエーハの裏面を貼着するウエーハ支持工程と、
該粘着テープに貼着されたウエーハに外力を付与し、該変質層が形成された該分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のチップに破断するウエーハ破断工程と、
該ウエーハ破断工程を実施する前または後にウエーハが貼着されている該粘着テープに紫外線を照射して該粘着糊の粘着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
該粘着テープを拡張して該チップ間の間隔を広げるチップ間隔形成工程と、
該粘着テープおける該環状のフレームの内周とウエーハが貼着された領域との間の収縮領域を加熱して収縮せしめることにより該チップ間の間隔を保持するチップ間隔保持工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
この変質層形成行程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2の保護部材3側を載置し(従って、半導体ウエーハ2は裏面2bが上側となる)、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない移動機構によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
即ち、粘着テープ50に貼着された半導体ウエーハ2(分割予定ライン21に沿って変質層210が形成されている)を柔軟なゴムシート上に載置し、その上面をローラーによって押圧することによって、半導体ウエーハ2を変質層210が形成され強度が低下した分割予定ライン21に沿って割断する方法を用いることができる。また、変質層210が形成され強度が低下した分割予定ライン21に沿って押圧部材を作用せしめる方法、或いは変質層210が形成され強度が低下した分割予定ライン21に沿ってレーザー光線を照射してヒートショックを与える方法等を用いることができる。
なお、上述した粘着力低下工程は、上記ウエーハ破断工程を実施する前に実施してもよい。
20:半導体チップ
21:分割予定ライン
22:デバイス
210:変質層
3:保護部材
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
43:撮像手段
5:環状のフレーム
50:粘着テープ
6:超音波分割装置
61:円筒状のベース
62:第1の超音波発振器
63:第2の超音波発振器
7:紫外線照射器
71:ランプハウジング71
72:紫外線照射ランプ
73:フレーム保持板
8:テープ拡張装置
9:フレーム保持手段
10:張力付与手段
11:拡張ドラム
12:支持手段
13:赤外線ヒータ
Claims (1)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施した後に、環状のフレームに装着され紫外線を照射することによって粘着力が低下する粘着糊が表面に塗布されているともに加熱によって収縮する粘着テープの表面にウエーハの裏面を貼着するウエーハ支持工程と、
該粘着テープに貼着されたウエーハに外力を付与し、該変質層が形成された該分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のチップに破断するウエーハ破断工程と、
該ウエーハ破断工程を実施する前または後にウエーハが貼着されている該粘着テープに紫外線を照射して該粘着糊の粘着力を低下せしめる粘着力低下工程と、
該粘着テープを拡張して該チップ間の間隔を広げるチップ間隔形成工程と、
該粘着テープおける該環状のフレームの内周とウエーハが貼着された領域との間の収縮領域を加熱して収縮せしめることにより該チップ間の間隔を保持するチップ間隔保持工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005348957A JP4777761B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | ウエーハの分割方法 |
US11/604,763 US20070128834A1 (en) | 2005-12-02 | 2006-11-28 | Wafer dividing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005348957A JP4777761B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007157887A true JP2007157887A (ja) | 2007-06-21 |
JP4777761B2 JP4777761B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=38119330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005348957A Active JP4777761B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070128834A1 (ja) |
JP (1) | JP4777761B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010105A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハのレーザ加工方法 |
JP2009277778A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2011086866A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2012028598A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2014138089A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ貼着方法及びテープ貼着装置 |
JP2015115350A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工装置 |
JP2015211081A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
WO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
KR20170063475A (ko) * | 2011-02-16 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR101843794B1 (ko) | 2011-02-16 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095780A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造用治具と半導体装置製造方法 |
JP4769560B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP4847199B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2011-12-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 |
JP2010016116A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
US20100003119A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-07 | Disco Corporation | Method for picking up device attached with adhesive tape |
US9040389B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-05-26 | Infineon Technologies Ag | Singulation processes |
US9016552B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-28 | Sanmina Corporation | Method for forming interposers and stacked memory devices |
JP2017098452A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 洗浄方法 |
DE102018117393A1 (de) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | Infineon Technologies Ag | Auflagetisch, auflagetischbaugruppe,verarbeitungsanordnung und verfahren dafür |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60201646A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの固定方法 |
JP2002334853A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
JP2003338467A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
WO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP2005109043A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
JP2005222986A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2005327789A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sharp Corp | ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004221187A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
JP4574251B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005236082A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nitto Denko Corp | レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法 |
JP4018088B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体ウェハの分割方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2006114691A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
US7348216B2 (en) * | 2005-10-04 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Rework process for removing residual UV adhesive from C4 wafer surfaces |
US7838331B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-11-23 | Denso Corporation | Method for dicing semiconductor substrate |
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005348957A patent/JP4777761B2/ja active Active
-
2006
- 2006-11-28 US US11/604,763 patent/US20070128834A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60201646A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの固定方法 |
JP2002334853A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
JP2003338467A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
WO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP2005109043A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法 |
JP2005222986A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2005327789A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Sharp Corp | ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010105A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハのレーザ加工方法 |
JP2009277778A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2011086866A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2012028598A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
KR101843794B1 (ko) | 2011-02-16 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR102105280B1 (ko) | 2011-02-16 | 2020-04-27 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR102102596B1 (ko) | 2011-02-16 | 2020-04-21 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR20200003773A (ko) * | 2011-02-16 | 2020-01-10 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR102063450B1 (ko) | 2011-02-16 | 2020-01-08 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR20170063475A (ko) * | 2011-02-16 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
KR20180036661A (ko) * | 2011-02-16 | 2018-04-09 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 워크 분할장치 및 워크 분할방법 |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2014138089A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ貼着方法及びテープ貼着装置 |
JP2015115350A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工装置 |
JP2015211081A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JPWO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2018-02-15 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
WO2016175019A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
US10895805B2 (en) | 2015-04-27 | 2021-01-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle manufacturing method and method for manufacturing photomask with pellicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4777761B2 (ja) | 2011-09-21 |
US20070128834A1 (en) | 2007-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4777761B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5307384B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4733934B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5307612B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
TWI618132B (zh) | Optical component wafer processing method | |
JP2006054246A (ja) | ウエーハの分離方法 | |
JP2005129607A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
KR102102485B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006114691A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2008042110A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006245103A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011003757A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006202933A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4833657B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6029347B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011151070A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4402974B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2015023135A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008227276A (ja) | ウエーハの分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4777761 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |