JP2005222986A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
ウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005222986A JP2005222986A JP2004026529A JP2004026529A JP2005222986A JP 2005222986 A JP2005222986 A JP 2005222986A JP 2004026529 A JP2004026529 A JP 2004026529A JP 2004026529 A JP2004026529 A JP 2004026529A JP 2005222986 A JP2005222986 A JP 2005222986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dividing
- along
- semiconductor wafer
- dicing tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 97
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 20
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】ウエーハの表面に保護部材を貼着する工程と、ウエーハの裏面を研磨する工程と、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、変質層を形成する工程と、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与しウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する工程と、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる工程と、拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップする工程とを含む。
【選択図】図10
Description
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
表面に保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
研磨加工されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
また、上記分割工程は、上記張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行されることが望ましい。
この変質層形成行程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に裏面2bが研磨加工された半導体ウエーハ2の保護部材3側を載置し(従って、半導体ウエーハ2は研磨加工された裏面2bが上側となる)、図示しない吸引手段によってチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない移動機構によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
光源 ;LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 ;1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 ;φ1μm
パルス幅 ;40ns
集光点のピークパワー密度;3.2×1010W/cm2
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 ;100mm/秒
分割工程の第1の実施形態について、図10を参照して説明する。図10に示す分割工程の第1の実施形態は、超音波分割装置7を用いて実施する。超音波分割装置7は、円筒状のベース71と第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73とからなっている。超音波分割装置7を構成する円筒状のベース71は、上面に上記フレーム6を載置する載置面71aを備えており、この載置面71a上にフレーム6を載置しクランプ74によって固定する。このベース71は、図示しない移動手段によって図10において左右方向および紙面に垂直な方向に移動可能に構成されているとともに回動可能に構成されている。超音波分割装置7を構成する第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73は、円筒状のベース71の載置面71a上に載置されるフレーム6にダイシングテープ60を介して支持された半導体ウエーハ2の上側と下側に対向して配設されており、所定周波数の縦波(疎密波)を発生させる。このように構成された超音波分割装置7を用いて上記分割工程を実施するには、半導体ウエーハ2(分割予定ライン21に沿って変質層210が形成されている)をダイシングテープ60を介して支持したフレーム6を円筒状のベース71の載置面71a上にダイシングテープ60が装着されている側を載置し(従って、半導体ウエーハ2は表面2aが上側となる)、クランプ74によって固定する。次に、図示しない移動手段によってベース71を作動し、半導体ウエーハ2に形成された所定の分割予定ライン21の一端(図10において左端)を第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73からの超音波が作用する位置に位置付ける。そして、第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73を作動しそれぞれ周波数が例えば28kHzの縦波(疎密波)を発生させるとともに、ベース71を矢印で示す方向に例えば50〜100mm/秒の送り速度で移動せしめる。この結果、第1の超音波発振器72および第2の超音波発振器73から発生された超音波が半導体ウエーハ2の分割予定ライン21に沿って表面および裏面に作用するため、半導体ウエーハ2は変質層210が形成されて強度が低下せしめられた分割予定ライン21に沿って分割される。このようにして所定の分割予定ライン21に沿って分割工程を実施したならば、ベース71を紙面に垂直な方向に分割予定ライン21の間隔に相当する分だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に延びる全ての分割予定ライン21に沿って分割工程を実施したならば、ベース71を90度回動し、半導体ウエーハ2に所定方向と直角な方向に形成された分割予定ライン21に対して上記分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ2は個々のチップに分割される。なお、個々に分割されたチップは裏面がダイシングテープ60に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
光源 ;LD励起Nd:YAG第二高調波レーザー(CW)
波長 ;532nm
出力 :10W
集光スポット径 :φ0.5mm(変質層110を含む比較的広い領域を加熱する)
加工送り速度 :100mm/秒
上述したように個々のチップ20に分割された半導体ウエーハ2の裏面2bが貼着されたダイシングテープ60を装着したフレーム6は、図14および図15の(a)に示すように円筒状のベース121の載置面121a上に載置され、クランプ125によってベース121に固定される。次に、図15の(b)に示すように上記ダイシングテープ60における半導体ウエーハ2が存在する領域601を支持した拡張手段122の拡張部材123を図示しない昇降手段によって図15(a)の基準位置から上方の図15の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ60は拡張されるので、ダイシングテープ60とチップ20との間にズレが生じ密着性が低下するため、チップ20がダイシングテープ60から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ20間には隙間が形成される。
20:半導体チップ
21:分割予定ライン
22:回路
210:変質層
3:保護部材
4:研磨装置
41:研磨装置のチャックテーブル
43:研磨工具
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
53:撮像手段
6:環状のフレーム
60:ダイシングテープ
7:超音波分割装置
71:円筒状のベース
72:第1の超音波発振器
73:第2の超音波発振器
8:レーザー加工装置
81:レーザー加工装置のチャックテーブル
9:曲げ分割装置
91:円筒状のベース
92:曲げ荷重付与手段
11:曲げ分割装置
111:円筒状のベース
113:押圧部材
12:ピックアップ装置
121:円筒状のベース
122:拡張手段
123:拡張部材
124:紫外線照射ランプ
126:ピックアップコレット
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
表面に保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
研磨加工されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該変質層形成工程においてウエーハの内部に形成される変質層は、少なくともウエーハの表面に露出して形成される、請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 該分割工程は、該拡張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行される、請求項1又は2記載のウエーハの分割方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004026529A JP2005222986A (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | ウエーハの分割方法 |
US11/047,619 US7179722B2 (en) | 2004-02-03 | 2005-02-02 | Wafer dividing method |
DE102005004827A DE102005004827B4 (de) | 2004-02-03 | 2005-02-02 | Wafer-Unterteilungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004026529A JP2005222986A (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | ウエーハの分割方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005222986A true JP2005222986A (ja) | 2005-08-18 |
Family
ID=34998414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004026529A Pending JP2005222986A (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005222986A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268325A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2007157887A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2008042110A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2015220383A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016042512A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2019102547A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割方法及び分割装置 |
-
2004
- 2004-02-03 JP JP2004026529A patent/JP2005222986A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268325A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP4584607B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2007157887A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2008042110A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2015220383A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016042512A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2019102547A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割方法及び分割装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4733934B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5307384B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7179722B2 (en) | Wafer dividing method | |
JP4777761B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US7449396B2 (en) | Wafer dividing method | |
JP6026222B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005129607A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007173475A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2004273895A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2010045117A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2006114691A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006202933A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP4402974B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005223283A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20160069473A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2005223282A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005222986A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2008227276A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005251986A (ja) | ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090930 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20091027 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |