JP2016042512A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
波長 :1064nm
平均出力 :0.3W
繰り返し周波数 :100kHz
スポット径 :φ2.0μm
送り速度 :300mm/s
11 シリコンウエーハ
13a 第1の分割予定ライン
13b 第2の分割予定ライン
15 デバイス
19 改質層
21 デバイスチップ
28 チャックテーブル
34 レーザービーム照射ユニット
35 レーザービーム発生ユニット
37 集光器
39 撮像ユニット
62 レーザー発振器
72 集光レンズ
76 ヒーター
80 分割装置
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
Claims (1)
- 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって表面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成されたシリコンからなるウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザービームの波長を1064nmに設定する波長設定ステップと、
該保持手段に保持されたウエーハの温度を5℃〜20℃に設定する温度設定ステップと、
該温度設定ステップで設定された設定温度に維持されたウエーハの内部にパルスレーザービームの集光点を位置づけてウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域にパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
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JP2006339382A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012164974A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザー加工装置、及びレーザー加工方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003088973A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-25 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2005222986A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2006339382A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012164974A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザー加工装置、及びレーザー加工方法 |
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