JP4942313B2 - ウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents
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Description
レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段の単一のパルスレーザー光線発振器の集光器からウエーハに対して吸収性を有する波長の単一の集光スポットを有するレーザー光線を、ウエーハの表面に集光スポットを位置付けて該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程と、
該加工溝形成工程の後に、該集光器からウエーハに対して吸収性を有する波長の該レーザー光線を、該加工溝形成工程によって形成された該レーザー加工溝の底よりも下方位置に集光スポットを位置付けて該レーザー加工溝に沿って照射し、該レーザー加工溝の両側面にレーザー光線の外周部のエネルギーを作用させて、該両側面を仕上げ加工する加工溝仕上げ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
また、該加工溝仕上げ工程の後に個々に分割された半導体チップをピックアップする工程を含み、該ピックアップする工程では、吸引式のピックアップコレットを作動させることによって、半導体チップを吸引保持してウエーハから離脱するようにしてもよい。
上記半導体ウエーハ2のストリート21に沿ってレーザー加工を実施するには、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2の表面2aを上にして載置し、該チャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。なお、図2においては、保護テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
平均出力 :7W
繰り返し周波数 :10kHz
パルス幅 :30ns
集光スポットS :長軸(d1):250μm、短軸d2:12μm
加工送り速度 :200mm/秒
即ち、図9の(a)で示すようにチャックテーブル51をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器56が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21(レーザー加工溝210が形成されている)の一端(図9(a)において左端)をレーザー光線照射手段52の集光器56の直下に位置付ける。このとき、集光器56から照射されるレーザー光線LBdの集光スポットSは、レーザー加工溝210の底を越えた位置、例えば半導体ウエーハ2のレーザー光線照射面である表面2aから250〜350μm下方位置に位置付ける。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
平均出力 :7W
繰り返し周波数 :10kHz
パルス幅 :30ns
集光スポットS :長軸(d1):250μm、短軸d2:12μm
加工送り速度 :300mm/秒
上述したように環状のフレーム3に装着された伸長可能な保護テープ4の上面に支持された複数個の半導体チップ20は、図10および図11の(a)に示すように環状のフレーム3が円筒状のベース61の載置面611上に載置され、クランプ64によってベース61に固定される。次に、図11の(b)に示すように上記保護テープ4における複数個の半導体チップ20が存在する領域41を支持した拡張手段62の拡張部材621を図示しない昇降手段によって図11(a)の基準位置から上方の図11の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能な保護テープ4は拡張されるので、保護テープ4と半導体チップ20との間にズレが生じ密着性が低下するため、半導体チップ20が保護テープ4から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ20間には隙間が形成される。
21:ストリート
22:デバイス
210:レーザー加工溝
3:環状のフレーム
4:保護テープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
54:パルスレーザー光線発振手段
541:パルスレーザー光線発振器
425:繰り返し周波数設定手段
55:伝送光学系
551:ビームエキスパンド
552:楕円シェーピング
553:矩形ハットトップマスク
56:集光器
561:方向変換ミラー
562:対物集光レンズ
58:撮像手段
6:ピックアップ装置
61:円筒状のベース
62:拡張手段
63:紫外線照射ランプ
Claims (3)
- 表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハの該ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段の単一のパルスレーザー光線発振器の集光器からウエーハに対して吸収性を有する波長の単一の集光スポットを有するレーザー光線を、ウエーハの表面に集光スポットを位置付けて該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程と、
該加工溝形成工程の後に、該集光器からウエーハに対して吸収性を有する波長の該レーザー光線を、該加工溝形成工程によって形成された該レーザー加工溝の底よりも下方位置に集光スポットを位置付けて該レーザー加工溝に沿って照射し、該レーザー加工溝の両側面にレーザー光線の外周部のエネルギーを作用させて、該両側面を仕上げ加工する加工溝仕上げ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。 - 該加工溝仕上げ工程において照射されるレーザー光線の集光スポットは、ウエーハのレーザー光線照射面から250〜350μmの位置に設定される、請求項1記載のウエーハのレーザー加工方法。
- 該加工溝仕上げ工程の後に個々に分割された半導体チップをピックアップする工程を含み、該ピックアップする工程では、吸引式のピックアップコレットを作動させることによって、半導体チップを吸引保持してウエーハから離脱するようにした請求項1又は2に記載のウエーハのレーザー加工方法。
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