JP6532366B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :1342nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :0.5W
集光スポット径 :φ3μm
加工送り速度 :200mm/s
13a 第1分割予定ライン
13b 第2分割予定ライン
15 デバイス
17 第1方向改質層
19 第2方向改質層
24 チャックテーブル
34 レーザービーム照射ユニット
35 レーザービーム発生ユニット
38 集光器(レーザーヘッド)
40 撮像ユニット
50 分割装置
Claims (1)
- 第1の方向に形成された複数の第1分割予定ラインと該第1の方向と交差する第2の方向に形成された複数の第2分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインのうち少なくとも該第2分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
該第1分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第1分割予定ラインに沿った複数層の第1方向改質層を形成する第1方向改質層形成ステップと、
該第1方向改質層形成ステップを実施した後、該第2分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第2分割予定ラインに沿った複数層の第2方向改質層を形成する第2方向改質層形成ステップと、
該第1方向改質層形成ステップ及び該第2方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し、該第1方向改質層及び該第2方向改質層を破断起点にウエーハを該第1分割予定ライン及び該第2分割予定ラインに沿って破断して個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該第2方向改質層形成ステップは、該第1方向改質層が形成された該第1分割予定ラインにT字路となって交わる該第2分割予定ラインの内部に第2方向改質層を形成するT字路加工ステップを含み、
該複数層の該第1方向改質層は該第2方向改質層の形成方向に段階的にずらして形成され、該複数層の該第1方向改質層を結んだ直線とウエーハの表面とのなす角が、該T字路の先端に存在するデバイス側で鋭角となるように該第1方向改質層を結んだ直線が斜めに形成されることを特徴とするウエーハの加工方法。
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