JPS60167351A

JPS60167351A - 混成集積回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPS60167351A
Application number: JP59023256A
Authority: JP
Inventors: Toshio Hida; 飛田　敏男; Kenichi Niki; 仁木　憲一
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1984-02-09
Filing date: 1984-02-09
Publication date: 1985-08-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕この発明は混成集積回路装置（以下「ＨＩｃＪと呼ぶ）
の製造方法に係り、特に複数個のＨＩＯが作シ込まれた
絶縁性基板を分割することによって個々のＨＩＯを得る
方法に関するものである。

〔従来技術〕

ＨＩＯを製造する場合に、生産性の向上を図るだめに、
複数個のＨＩＯを１枚の絶縁性基板に作り込み、このＨ
ＩＣが作シ込まれた絶縁性基板を個々のＨＩ　Ｏに分割
する方法が用いられている。

第１図（５）はＨＩＯの従来の製造方法の一例を説明す
るだめの平面図、第１図（Ｂ）は第１図（４）の１Ｂ−
ＩＢ線での断面図である。

まず、セラミックスなどの絶縁材料からなり０．６〜１
．６ｍｍ程度の厚さを有する絶縁性基板（１）に複数個
（第１図では６個）のＨＩＯ（ｌａ）を作り込む。この
ＨＩＣ（１ａ）は絶縁性基板（１）の表面の所要部分上
に厚膜技術によって形成された導体パターン（図示せず
）や抵抗体（図示せず）と、これらの導体パターンや抵
抗体に装着されたコンデンサチップ（図示せず）やトラ
ンシタ、半導体集積回路装置（ＩＣ）などの半導体チッ
プ（図示せず）とで構成されている。

次いで、Ｈ［（ｌａ）が作シ込まれた絶縁性基板（１）
の互いに隣り合うＨＩＯ（ｌａ）の境界部分に、炭酸ガ
ス（００□）レーザ、イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネット（ＹＡＧ−）レーザなどのレーザ光のパルス（
図示せず）を繰返し照射する０そうすると、ＨＩＣ（１
ａ）が作シ込まれた絶縁性基板（１）のレーザ光が照射
された部分が局部的に高温になって蒸発し、このレーザ
光の照射部分に溝（２）が形成される。

しかるのち、ＨＩ　Ｃ（ｌａ　）が作り込まれた絶縁性
基板（１）を、これに機械的な力を加えて、溝（２）の
部分で分割すると、個々のＨＸＣ（ｌａ）が得られる。

溝（２）の幅および深さは、絶縁性基板（１）の材料や
厚さに応じて設定され、溝（２）の形成は、レーザ光の
照射条件の厳密な制御によって行われる〇一般に、絶縁
性基板（１）がセラミックスであり、絶縁性基板（１）
の厚さが０．６〜１．６ｍｍ程度である場合には、溝（
２）の幅および深さは、０．１〜０．２ｍｍ程度工ある
０ところで、ＨＩＯ（ｌａ）が作シ込まれた絶縁性基板（
１）の表面にはコンデンサチップ、半導体チップなどの
チップ部品が装着されているので、ＨＩＣ（ｌａ）が作
シ込まれた絶縁性基板（１）にこれを溝（２）の部分で
分割するために加える力の大きさおよびこの力を加える
場所が限定される。従って、ＨＩＯ（ｌａ）が作り込ま
れた絶縁性基板（１）の分割が容易ではなく、この絶縁
性基板（１）の分割によってＨＩＣ！（ｌａ）の不良品
が発生して生産歩留りが低下する原因にもなっていた。

そこで、絶縁性基板（１）の分割を容易にして生産歩留
シをよくするために、溝（２）の深さを深くすることが
強く望まれていた。

しかしながら、溝（２）の深さを深くするためには、溝
（２）の形成時の照射レーザ光のエネルギーを増大させ
なければならないが、照射レーザ光のエネルギーを増大
させても、溝（２）の深さが絶縁性基板（１１の材料に
よって決る所定値以上になると、絶縁性基板（１）の照
射レーザ光によって蒸発した材料が溝（２）内で再結合
して堆積するので、溝（２）の深さを上記所定値以上に
深くすることが容易ではなかった。

また、照射レーザ光のエネルギーを増大させて溝（２）
の深さを上記所定値以上に深くすると、溝（２）の側壁
および底面部に大きな熱歪が発生し、絶縁性基板（１）
の分割の際にこれらの熱歪によって、ＨＩＣ（１ａ）の
チップ部品の装着面の端縁の部分に欠け、ひび割れなど
が発生して不良品となり、生産歩留りが悪くなるという
欠点があった。

〔発明の概要〕

この発明は、上述の欠５点を除去する目的でなされたも
ので、レーザ光７用いて、複数個のＨＩＯが作シ込まれ
た絶縁性基板の互いに隣し合うＨＩＯの境界部分に絶縁
性基板の材料によって決る所定値以内の深さを有する第
１の溝を形成し、続いて第１の溝の底面の部分に上記所
定値以内の深さを有し第１の溝の幅より狭い幅の第２の
溝を形成することによって、絶縁性基板の第１および第
２の溝の部分での分割を容易にして生産歩留りをよくす
ることができるＨＩＣの製造方法を提供するものである
０〔発明の実施例〕第２図はＨＩＯのこの発明の一実旅例の製造方法を説明
するために第１図（ト）のＩＢ−ＩＢ線に対応する線で
の要部を拡大して示す断面図である。

図において、第１図に示した従来例の符号と同一符号と
同等部分を示す。

まず、第１図に示した従来例と同様に、絶縁性基板（，
１１Ｋ複数個のＨＩＯ（ｌａ）を作り込む。

次に、ＨＩＯ（ｌａ）が作り込まれた絶縁性基板（１）
の互いに隣シ合うＨＩＯ（ｌａ）の境界部分に、ＣＯ□
レーザ、　ＹＡ（）レーザなどのレーザ光のパルスを繰
返し照射して絶縁性基板（１）の材料によって決る所定
値以内の深さを有する第１の溝（２ａ）を形成する０次
いで、第１の溝（２ａ）の形成時の照射レーザ光のパル
スの繰返し周波数を大きくするか、または照射レーザ光
のスポット径を小さくすることによって、第１の溝（２
ａ）の底面の部分に、上記所定値以内の深さを有し第１
の溝（２ａ）の幅より狭い幅の第２の溝（２ｂ）を形成
する。例えば、ＹＡＣ）レーザのレーザ光を用いる場合
には、第１の溝（２ａ）は、繰返し周波数がｌ　ｋＨｚ
で、スポット径が７０μｍで形成され、第２の溝（２ｂ
）は、繰返し周波数を’７　ｋＨｚにするか、またはス
ポット径を３０μｍにすることで形成される。

しかるのち、第１因に示した従来例と同様に、ＨＩＣ（
ｌａ）が作シ込まれた絶縁性基板（１）を、これに機械
的な力を加えて、溝（２ａ）　、　（２ｂ）の部分で分
割すると、個々のＨＩ　Ｃ（ｌａ）が得られる。

この実施例の製造方法では、第１の溝（２ａ）の深さと
第２の溝（２ｂ）の深さとの和の深さを絶縁性基板（１
）の材料によって決る所定値以上の深さに容易にできる
ので、ＨＩＣ！（ｌａ）が作り込まれた絶縁性基板（１
）の溝（２ａ）、（２ｂ）の部分での分割を、第１図に
示した従来例の場合における溝（２）の部分での分割よ
り容易に行うことができる。しかも、溝（２ａ）。

（２ｂ）のそれぞれの深さが絶縁性基板（１）の材料に
よって決る所定値以内の深さであるので、溝（２ａ）。

（２ｂ）のそれぞれの側壁および底面部に発生する熱歪
が小さくなる。これによって、絶縁性基板（１）の溝（
２ａ）、（２ｂ）の部分における分割の際に、ＨＩＣ（
ｌａ）のチップ部品の装着面の端縁の部分における欠け
−ひび割れなどの発生が少なくなるので、生産歩留りの
向上を図ることができる。

第３図はＨＩＯのこの発明の他の実施例の製造方法を説
明するために第１図面の）Ｂ−ＩＢ線に対応する線での
要部を拡大して示す断面図である。

図において、第２図に示した実施例の符号と同一符号は
同等部分を示す０この実施例の製造方法は、第２図に示した実施例の製造
方法において、絶縁性基板（１）の溝（２ａＬ（２ｂ）
が形成される表面と反対側の表面の溝（２ａ）。

（２ｂ）に対応する部分に絶縁性基板（１）の材料によ
って決る所定値以内の深さを有する第３の溝（２Ｃ）を
レーザ光の照射によって形成して、絶縁性基板（１）の
溝（２ａ）　、　（２ｂ）　ｅ　（２Ｃ）の部分におけ
る分割を、第２図に示した実施例の場合における溝（２
ａ）、（２ｂ）の部分における分割より容易にするもの
である。

この実施例においても、第２図に示した実施例と同様に
、絶縁性基板（１）の溝（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）
の部分における分割の際に１．ａＩＣ，（ｌａ）のチッ
プ部品の装着面の端縁の部分における欠け、ひび割れな
どの発生が少なく、生産歩留シの向上を図ることができ
る０〔発明の効果〕以上、説明したように、この発明のＨＩＯの製造方法で
は、レーザ光を用いて、複数個のＨＩＯが作り込まれた
絶縁性基板の互いに隣り合うＨＩＯの境界部分に絶縁性
基板の材料によって決る所定値以内の深さを有する第１
の溝を形成し、続いて第１の溝の底面の部分に上記所定
値以内の深さを有し第１の溝の幅より狭い幅の第２の溝
を形成するので、第１の溝の深さと第２の溝の深さとの
和の深さを上記所定値以上の深さに容易処することがで
き、絶縁性基板の第１および第２の溝の部分にお７ける
分割を従来例の場合における分割よシ容易に行うことが
できる。しかも、第１および第２の溝のそれぞれの深さ
が上記所定値以内の深さであるので、第１および第２の
溝のそれぞれの側壁および底面部に発生する熱歪が小さ
くなり、これらの熱歪によって、絶縁性基板の第１およ
び第２の溝の部分における分割の際にＨＩＯの端縁の部
分における欠け、ひび割れなどの発生が少なくなって、
生産歩留りの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ト）はＨＩＯの従来の製造方法の一例を説明す
るための平面図、第１図（Ｂ）は第１図（ト）のＩＢ−
ＩＢ線での断面図、第２図はＨＩＯのこの発明の一実施
例の製造方法を説明するために第１図（ト）の）Ｂ−Ｉ
Ｂ線に対応する線での要部を拡大して示す断面図、第３
図はＨ工Ｃのこの発明の他の実施例の製造方法を説明す
るために第１図（５）のＩＢ−ＩＢ線に対応する線での
要部を拡大して示す断面図である０図において、（１）
は絶縁性基板、（１ａ）は混成集積回路装置、（２ａ）
は第１の溝、（２ｂ）は第２の溝、（２Ｃ）は第３の溝
である。なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す０代理人　大岩増雄第１図（Ａ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性基板に複数個の混成集積回路装置を作り込
む工程、この複数個の混成集積回路装置が作り込まれた
上記絶縁性基板の互いに隣り合う上記混成集積回路装置
の境界部分にレーザ光を照射して上記絶縁性基板の材料
によって決る所定値以内の深さを有する第１の溝を形成
する工程、上記第１の溝の底面の部分にレーザ光を照射
して上記所定値以内の深さを有し上記第１の溝の幅より
狭い幅の第２の溝を形成する工程、および上記複数個の
混成集積回路装置が作り込まれた上記絶縁性基板を上記
第１および第２の溝の部分において分割して個々の上記
混成集積回路装置を得る工程を備えた混成集積回路装置
の製造方法０
（２）絶縁性基板の第１および第２の溝が形成される表
面と反対側の表面の上記第１および第２の溝に対応する
部分に上記絶縁性基板の材料によって決る所定値以内の
深さを有する第３の溝がレーザ光の照射によって形成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の混成
集積回路装置の製造方法。
（３）　レーザ光が炭酸ガスレ゛−ザのレーザ光である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１頂または第２項記
載の混成集積回路装置の製造方法。
（４）　レーザ光がイツトリウム・アルミニウム・ガー
ネットレーザのレーザ光であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載の混成集積回路装置の
製造方法。