JPH02158160A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JPH02158160A
JPH02158160A JP63313617A JP31361788A JPH02158160A JP H02158160 A JPH02158160 A JP H02158160A JP 63313617 A JP63313617 A JP 63313617A JP 31361788 A JP31361788 A JP 31361788A JP H02158160 A JPH02158160 A JP H02158160A
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JP
Japan
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lead
lead frame
frame material
resist pattern
leads
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Application number
JP63313617A
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English (en)
Inventor
Mitsuharu Shimizu
清水 満晴
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はリードフレームのエッチングによる製造方法に
関する。
(従来の技術) 半導体チップの高密度化に伴い、ますます多数本のリー
ドを有するリードフレームが製造されている。ところで
、リード幅はワイヤボンディングに際して確実なボンデ
ィングを行うため、一定幅以上確保したうえで、リード
を微細間隔で形成してリード先端をチップを搭載するパ
ッドにできるだけ近づけることが必要であるが、エッチ
ングによる製造方法では、リードフレーム材の板厚程度
まで狭めるのが限界である。
(発明が解決しようとする課題) 第4図および第5図はエッチングによってリードを形成
する従来方法を示す説明図である。
第4図に示す例は、リードフレーム材1の上下両面にレ
ジストを塗布して、露光、現像し、リードフレーム材1
の両面にレジストパターン2を設けてリードフレーム材
1をエッチングする方法を示す、第4図(a)、山)、
(C)に示すようにリードフレーム材1の両面からエッ
チングされ、第4図(c)でリードの形状が形成される
第5図に示す例は、リードのワイヤボンディング幅を広
くとるため、ボンディング面のレジストパターン間隔を
狭くし、リードフレーム材1の下面ではレジストパター
ン間隔を広くして、下面側からエッチングが速く進むよ
うにしたものである。
この第る図に示すエッチング方法では、形成されたリー
ドの断面形状が台形に近い形状となり、ワイヤボンディ
ング時にリードをクランプした際、第5図(cl)のよ
うにリードが傾いてクランプされてしまうことがあると
いう問題点がある。
また、上記エッチングによる方法では、エッチングの際
にリード壁面が侵食されるので、レジストパターンより
もリード間隔が広くなり、リード数が増大した場合に十
分にリード間隔を微細化できないという問題点がある。
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、従来にくらべてさら
に微細間隔でリードを形成でき、かつ、リード断面形状
をほぼ矩形に形成することができて、ワイヤボンディン
グを好適に行うことができるリードフレームの製造方法
を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するため次の画成をそなえる。
すなわち、リードフレーム材にリードパターンにしたが
ってレジストパターンを設け、エッチングを施すことに
よってリードを形成するリードフレームの製造方法にお
いて、少なくともボンディング範囲内のリードパターン
部分には、リードフレーム材の片面のみにレジストパタ
ーンを設け、その他のリードパターン部分には、リード
フレーム材の上下両面にレジストパターンを設けた後、
リードフレーム材の上下両面からエッチングを施すこと
を特徴とする。
(実施例) 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
第1図はリードフレーム材の片面にレジストパターンを
設けてリードを形成する過程を示す説明図、第2図は上
記製造方法によって形成したり−ドフレームを示す平面
図である。
第1図で10はリードフレーム材であり、12はこのリ
ードフレーム材10上にレジストを塗布し、露光、現像
を施して形成したレジストパターンである0本発明のリ
ードフレームの製造方法は、リードパターンが密に形成
される部分ではリードフレーム材の片面のみにレジスト
パターンを設けることを特徴としており、内部リード部
14のようにリード間隔が狭く形成される部分には、第
1図のように、リードフレーム材10の片面のみにレジ
ストパターンを設け、他方の面にはまったくレジストパ
ターンを設けない、なお、外部リード部15のようにリ
ード間隔が割合広く形成される部分には、前述した従来
方法と同様に、リードフレーム材の上下両面にレジスト
パターンを設ける。
第2図で破線範囲内は内部リード部のワイヤボンディン
グ箇所より内側の範vJ4(ボンディング範囲)を示す
が、このように内部リード部14のうちでもリード間隔
がとくに狭くなるボンディング範囲16内のみに、上記
のようにリードフレーム材の片面にレジストパターンを
設けるようにしてもよい。
また、半導体チップを搭載するためのパッドやそれを支
持するサポートバーの部分がエッチングにより薄くなら
ないように、この部分は上下両面にレジストパターンを
設けるようにしてもよい。
このようにしてレジストパターンが設けられたリードフ
レーム材をエッチング液に浸漬してリードフレーム材を
上下両面からエッチングする。
第1図(a)に示すように片面にレジストパターン12
が設けられたリードフレーム材10では、リードフレー
ム材10の上下面からエッチングされて第1図(b)、
(C)に示すようにエッチングが進む。
リードフレーム材10の上面ではレジストパターン12
以外の部分から徐々に溝状にエッチングされ、下面では
レジストが塗布されていないのでリードフレーム材10
が全面的にエッチングされる。
リードフレーム材10の上面では、エッチングが溝状に
進行するためその溝内部への新たなエッチング液の補給
が悪く、エッチングの進み方が遅いのに対し、下面では
面状にエッチングが進み液のまわりが速いので高速でエ
ッチングが進む。
第1図(C)はエッチングが進んで内部リード部14が
形成された状態を示す、リードフレーム材10の下面が
全面的にエッチングされたことにより、内部リード部1
4の厚さは、エッチングを開始した当初のリードフレー
ム材10の厚さよりも薄くなる。
第1図(d)はレジストパターン12を除去した後のり
−ド14断面を示すものである。リードフレーム材10
の下面が均一にエッチングされることによって、リード
14の下面はほぼ平坦に形成され、リードの上面幅と下
面幅はほぼ等しく、リード14の断面形状はほぼ矩形に
なる。
また、外部リード部分については、リードフレーム材の
上下面にレジストパターンを設けてエッチングを施すこ
とにより、従来と同様なエッチングがなされる。
このように、リードパターンが密に形成される部分につ
いては片面にレジストパターンを設け、外部リード部の
ようにリード間隔が広く形成される部分については従来
と同様のエッチング方法を採ることによって以下のよう
な効果が得られる。
■ リードパターンが密に形成される部分では、リード
フレーム材の片面のみにレジストパターンを設けたこと
により、レジストパターンが形成された面でのエッチン
グ速度が遅くなることを、リードフレーム材の下面から
高速でエッチングすることで補って全体として、両面に
レジストパターンを設けた場合にくらべてエッチング速
度を速めることができる。
その結果、エッチング時にリードフレーム材が侵食され
てリード間隔がひろがることを抑えることができ、より
微細な間隔のリードを容易に形成できる。
■ また、片面にレジストパターンを設けた部分のリー
ドの断面形状は第1図(d)に示すように。
リード間隔がより微細となっても十分なワイヤボンディ
ング面を確保することができ、はぼ矩形に形成できるか
ら、ワイヤボンディングの際にリードをクランプした際
もリードが傾くことがなく、的確なワイヤボンディング
が可能となる。
■ また、外部リード部のようにリード間隔がひろく形
成された部分でリードフレーム材の両面にレジストパタ
ーンを設けた部分のエッチング速度と、上記のリードパ
ターンが密に設けられ6部分でリードフレーム材の片面
にレジストパターンを設けた部分でのエッチング速度は
1両面にレジストパターンを設けた部分ではリード間隔
が広いこと、片面にレジストパターンを設けた部分では
下面からのエッチング速度が速いことによって、はぼ同
時にエッチングが終了するので、両面同時エッチングで
内部リード部と外部リード部を同時に形成することがで
きる。
上記のように、リードの一部分が薄厚に形成されたリー
ドフレームに半導体チップを実装する際は、第3図<a
)のようにエッチング面(レジストパターンが設けられ
なかった面)をワイヤボンディング面とするか、第3図
(b)に示すようにエッチング面18をヒートブロック
20側におき、ヒートブロック20上にエッチング面1
8に当接する段差20aを設けるようにすればよい、同
図で22は半導体チップ、24はボンディングワイヤ、
26はパッドである。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく1
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
(発明の効果) 本発明によれば、リードパターンが密に形成される部分
には、リードフレーム材の片面のみにレジストパターン
を形成してエッチングを施すから、リードフレーム材の
下面側は全面的にエッチングされて、リードフレームの
リード間隔をより微細に形成できる。また、エッチング
によってもリードの断面形状が矩形に形成されるので 
ワイヤボンディング時にリードをクランプした際、リー
ドが捩じれる等の問題を解消することができる等の著効
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はリードフレーム材の片面にレジストパターンを
設けた部分のエッチング過程を示す説明図、第2図はリ
ードフレームの一例を示す平面図、第3図はワイヤボン
ディング方法を示す説明図、第4図および第5図はエッ
チングによって形成する従来のリードフレームの製造方
法を示す説明図である。 ■、10・・・リードフレーム材、  2,12・・・
レジストパターン、  14・・・内部リード部、 1
5・・・外部リード部、 16・・・・ボンディング範
囲、  18・・・エッチング面、20・・・ヒートブ
ロック、  20a・・・段差。 22・・・半導体チップ、 24・・・ボンディングワ
イヤ。 (b) (Q)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、リードフレーム材にリードパターンにしたがってレ
    ジストパターンを設け、エッチングを施すことによって
    リードを形成するリードフレームの製造方法において、 少なくともボンディング範囲内のリードパ ターン部分には、リードフレーム材の片面のみにレジス
    トパターンを設け、その他のリードパターン部分には、
    リードフレーム材の上下両面にレジストパターンを設け
    た後、 リードフレーム材の上下両面からエッチン グを施すことを特徴とするリードフレームの製造方法。
JP63313617A 1988-12-12 1988-12-12 リードフレームの製造方法 Pending JPH02158160A (ja)

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JP63313617A JPH02158160A (ja) 1988-12-12 1988-12-12 リードフレームの製造方法
KR1019890017797A KR930002815B1 (ko) 1988-12-12 1989-12-02 리드 프레임의 제조방법

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KR (1) KR930002815B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03283643A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法
KR20020031719A (ko) * 2000-10-23 2002-05-03 마이클 디. 오브라이언 반도체 패키지 제조용 리드프레임 구조
US7303243B2 (en) 2003-03-12 2007-12-04 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Pattern drawing apparatus and pattern drawing method for forming patterns, that have mirror image relationship to each other with respect to a substrate, on both sides of the substrate, and test apparatus for use in the pattern drawing apparatus

Citations (2)

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JPS6240862A (ja) * 1985-08-19 1987-02-21 Canon Inc 電子表示記録装置
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Publication number Publication date
KR930002815B1 (ko) 1993-04-10
KR900010983A (ko) 1990-07-11

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